Luận văn:Nghiên cứu một số tính chất điện tử của vật liệu rắn sử dụng phương pháp phiếm hàm mật độ : Luận văn ThS. Vật lý: 60 44 01
Nhà xuất bản:ĐHKHTN
Ngày:2011
Chủ đề:Tính chất điện tử
Vật lý lý thuyết
Vật liệu rắn
Phương pháp phiếm hàm mật độ
Pin mặt trời
Vật lý toán
Miêu tả:78 tr. + CD-ROM + Tóm tắt
Luận văn ThS. Vật lý lý thuyết và vật lý toán -- Trường Đại học Khoa học Tự nhiên. Đại học Quốc gia Hà Nội, 2011
Tổng quan về vật liệu oxit TiO2 , pin mặt trời sử dụng TiO2: Các tính chất lý- hoá; Các pha kết tinh của TiO2; Đặc tính và ứng dụng của TiO2; Pin mặt trời. Tổng quan về lý thuyết phiếm hàm mật độ: Vài nét về cơ sở của cơ học lượng tử; Phương pháp phiếm hàm mật độ; Phiếm hàm tương quan trao đổi. Nghiên cứu tính chất điện tử của TiO2, TiO2 pha tạp nhôm ( Al), TiO2 pha tạp nhôm: Kết quả tính toán đối với tinh thể TiO2 pha anatase (cấu trúc 2 × 2 ×1)(Al) có nút khuyết oxy; Tinh thể TiO2 pha anatase cấu trúc ( 2 × 2 ×1) doped Al(Ti15/16Al1/16O32); 3.3.Tinh thể TiO2 pha anatase cấu trúc 2 × 2 ×1 pha Al khuyết O1 tại vị trí (0.5; 0.75;0.458),(Ti15/16Al1/16O31/32); Tinh thể TiO2 pha anatase cấu trúc 2 × 2 ×1 pha Al khuyết O2 tại vị trí (0.75; 0.5;0.542); Tinh thể TiO2 pha anatase cấu trúc 2 × 2 ×1 doped Al khuyết O3 tại vị trí (0.25; 0.75;0.708)
Electronic Resources
Kiểu:Text
Định dạng:Text/pdf
Link tải Free download cho anh em Ket-noi:
01050000045_noi_dung.pdf

---