Chương 2:
TRANSISTOR LƯỠNG CỰC (BJT)

Vùng tác động: (Vùng khuếch đại hay tuyến tính)
Mối ghép B-E phân cực thuận
Mối ghép B-C phân cực nghịch
•
Vùng bảo hòa:
Mối ghép B-E phân cực thuận
Mối ghép B-C phân cực thuận
•
Vùng ngưng: Mối ghép B-E phân cực nghịch
Vùng hoạt động của BJT

Phương pháp chung để phân giải
mạch phân cực gồm ba bước:
•
Bước 1: Dùng mạch điện ngõ vào để xác định
dòng điện ngõ vào (I
B
hoặc I
E
).
•
Bước 2: Suy ra dòng điện ngõ ra từ các liên hệ
I
C
=βI
B
hay

hay
•
Đây là pt đường thẳng lấy điện
0− − =
CC B B BE
V R I V
CC BE
B
B
V V
I
R
−
⇒ =
= +
CC C C CE
V R I V
= −
CE CC C C
V V R I

Sự bảo hòa của BJT
•
Để BJT hoạt động trong vùng tuyến tính thì nối thu - nền
(CE) phải phân cực nghịch.
C B C B BE
V V V V V> ⇒ > =
0.7
C CC C C CE BE
V V R I V V V⇒ = − = > =

≤V
B
, nối CB (thu-nền) phân cực thuận, BJT dẫn bảo hòa
được gọi là dòng cực thu bảo hòa
=
CC
C
C
V
I
R
tức V
CE
= 0V (thực ra khoảng 0.2V)

2.1.2 Phân cực ổn định cực phát
Mạch cơ bản giống mạch phân
cực cố định, nhưng mắc thêm một
điện trở R
E
xuống mass. Cách tính
phân cực tương tự mạch phân cực
cố định.

CC B B BE E E
V R I V R I= + +
( )
1
E B
I I

B
)
Ở mạch BE:
CC
Csat
C E
V
I
R R
=
+

2.1.3 Phân cực bằng cầu chia điện thế
Dùng định lý Thevenin biến đổi thành mạch tương đương

1 2
1 2
BB
R R
R
R R
=
+
2
1 2
BB CC
R
V V
R R
=

V V R I
= −
B BB B B
V V R I
= =
E E E E c
V R I R I
Trong đó:
Thay: I
E
=(1+β)I
B

Suy ra:
*Mạch CE :
Vì
*Mạch BE:
Từ liên hệ
Ngoài ra:
Và
CC
Csat
C E
V
I
R R
=
+

2.1.4 Phân cực với hồi tiếp điện thế

•
Mạch nền thu:

2.1.5 Một số dạng mạch phân cực khác

2.1.6 Một số ví dụ

2.1.6 Một số ví dụ

Khi thiết kế mạch phân cực, người ta thường dùng các
định luật căn bản về mạch điện như định luật Ohm, định
luật Kirchoff, định lý Thevenin , để từ các thông số đó
tìm ra các thông số chưa biết của mạch điện.
2.1.7 Thiết kế mạch phân cực

Thí dụ 1
•
Cho mạch phân cực với đặc tuyến ngõ ra của BJT
như hình dưới. Xác định V
CC
, R
C
, R
B
.

( ) ( )
8 2.5= = ⇒ = Ω
cc
Csat C


Tại trục trục tọa độ U
CE
, khi I
B
=0 ta suy ra I
C
=0
và V
CE
=20V => V
CC
=20V

Ngoài ra: Transistor làm từ Si do đó
V
BE
=0.7V và
Để có các điện trở tiêu chuẩn ta chọn: RB=470 KΩ, RC=2.4 KΩ

Thí dụ 2
•
Thiết kế mạch phân cực như hình dưới. I
C
=2mA, V
CE
=10V

Điện trở R
C

= = = = Ω
E E
E
E C
V V
V
R k
I I mA
( )
20 10 2
4
2
− −
− −
= = = Ω
C CE E
c
C
V V V
V V V
R k
I mA

( )
1 1
2 13.333
150
= = =
B C
I I A

20 2
10 10
= = =
E CC
V V V
( )
2
1
2
= = = = Ω
E E
E
E C
V V
V
R k
I I mA
( )
20 10 2
4
2
− −
− −
= = = Ω
C CE E
c
C
V V V
V V V
R k

Lúc đó:
( )
2
1
8
10
≤ = Ω
E
R R k
β

( )
2
6,8= ΩR k
( )
2
1 2
2.7⇒ = =
+
B CC
R
V V V
R R
( )
1
43.57⇒ = ΩR k
Ta có thể
chọn:
Ta có thể chọn: R
1

DC
I
I A
µ
β
Ta chọn I
B
=60μA để đảm bảo BJT hoạt động trong vùng bảo hòa
( )
0.7
155
− −
= ⇒ = = Ω
In BE In
B B
B B
V V V
I R k
R I
Do đó ta thiết kế: R
C
=1kΩ
R
B
=150kΩ