17

17
Đặc trưng I-V:
()
⎥
⎦
⎤
⎢
⎣
⎡
−−=
2
2
1
DDTG
in
D
VVVV
L
ZC
I
µ

Z: chiều sâu của kênh, L: chiều dài kênh, C
i
: điện
dung lớp cách điện trên đơn vị diện tích,
n

D
W


2
=
19
trong õoù laỡ hóỷ sọỳ phuỷ thuọỹc vaỡo mổùc pha taỷp (=2 cho base pha taỷp
õọửng nhỏỳt), vaỡ vaỡo õióỷn trổồỡng aùp õỷt.
Ngoaỡi ra coỡn coù hai tióu chuỏứn cho sổỷ hoaỷt õọỹng bỗnh thổồỡng cuớa
transistor. Mọỹt laỡ thóỳ õaùnh thuớng. Dổồùi õióửu kióỷn phỏn cổỷc ngổồỹc, coù hai
nguyón nhỏn gỏy ra hióỷn tổồỹng õaùnh thuớng. Mọỹt laỡ tunnel do õióỷn trổồỡng
caớm ổùng (thổồỡng giổợa hai mióửn pha taỷp maỷnh, hióỷu ổùng Zener). Hai laỡ õaùnh
thuớng thaùc luợ, do caùc cỷp õióỷn tổớ-lọự trọỳng õổồỹc taỷo ra do caùc haỷt taới õổồỹc
gia tọỳc bồới õióỷn trổồỡng. Thóỳ õaùnh thuớng (BV) thổồỡng lión quan vồùi hóỷ sọỳ
nhỏn collector nhổ sau:

[]
n
CBCB
BVV
M
o
)/(1
1

=

T
laỡ hóỷ sọỳ vỏỷn chuyóứn base,

22
2/1
1
sec
nb
n
b
T
LW
L
W
h
+


EB
GG /1
1
+



õổồỹc xaùc õởnh tổồng tổỷ cho emitter, Q
Bo
laỡ õióỷn tờch tióỳp xuùc cuớa
base. Dỏỳu xỏỳp xố ổùng vồùi õióửu kióỷn W
b
>> L
n
.

[]
n
CBoCBbEB
BVVLWGG )/(2//
1
2
+

Nóỳu giaớ thióỳt coù mọỹt phỏn bọỳ Gauss cuớa nọửng õọỹ taỷp chỏỳt (kóỳt quaớ cuớa
uớ nhióỷt), vồùi nọửng õọỹ taỷi bóử mỷt laỡ N
Bo
thỗ:
CBoB
N
Dt
x
xNN = )
4












=

1
2
2
2
0
2/
0
2/
2/1
2Vồùi
()
2/1
1
2 Dt





+=
q
WQxN
q
xQ
q
BV
bBoCBo
S
CBo
22
)(
2
11

Vồùi x
1
= x
epi
- x
BC
Caùc phổồng trỗnh (1.6.1 v 1.6.2) duỡng õóứ xaùc õởnh cọng nghóỷ chóỳ taỷo.
Vỏỳn õóử coù thóứ õổồỹc phaùt bióứu dổồùi daỷng: cho caùc giaù trở mong muọỳn cuớa ,
f
T
, (BV)