Vỏỷt lióỷu khồớiõỏửu coù thóứ laỡ caùt hoỷc mọỹt khoaùng chỏỳt cuớa Si. Mọỹt loỡ họử
quang õióỷn noùng chaớy õổồỹc duỡng õóứ taỷo ra Silic coù õọỹ saỷch cỏỳp luyóỷn kim
(metallurgical grade silicon, MGS), õọỹ saỷch khoaớng 98%. Caùc haỷt MGS
õổồỹc õổa vaỡo loỡ phaớn ổùng loớng vồùi mọỹt khờ taới chổùa hydrochloric acid õóứ
chuyóứn MGS thaỡnh caùc khờ chổùa Si nhổ silane vaỡ chlorosilane. Caùc khờ
õổồỹc taùch vaỡ laỡm saỷch qua mọỹt daợy caùc bọỹ taùch vaỡ chổng cỏỳt. Coù hai
phổồng phaùp chờnh õóứ taỷo ra Si saỷch cỏỳp õọỹ õióỷn tổớ (electronic grade,

33

34
EGS). Mäüt phỉång phạp bao gäưm sỉû ph Si tỉì khê chỉïa Si lãn trãn mäüt äúng
Si nọng (äúng Si nọng tảo ra cạc vë trê kêch cåỵ ngun tỉí ). ÄÚng Si låïn ráút
nhanh âãún âỉåìng kênh 20 cm. Nãúu dng khê trichlorosilane, thç phn ỉïng
xy ra nhỉ sau:
SiHCl
3
(gas) + H
2
(gas) → Si(solid) + 3HCl(gas)
Phỉång phạp thỉï hai, cọ nhiãưu ỉu âiãøm hån, sỉí dủng phn ỉïng trong
bãø lng. Trong âọ khê chỉïa Si v cạc hảt máưm Si tinh khiãút âỉåüc ni. Si
EGS cọ cáúu trục âa tinh thãø v chỉïa tảp cháút cọ näưng âäü trong khong ppm
(nh hån 20 ppm). Tiãúp theo Si EGS s âỉåüc cho nọng chy âãø ni thnh
thi âån tinh thãø.
Cọ 3 phỉång phạp chênh âãø ni thi âån tinh thãø tỉì Si EGS. Phỉång

Hỗnh 1-29 mọ taớ caùc bổồùc tuỏửn tổỷ cuớa qui trỗnhchóỳ taỷo IC. Khi cho
trổồùc caùc yóu cỏửu vaỡ caùc chi tióỳt kyợ thuỏỷt cuớa maỷch thỗ IC coù thóứ õổồỹc thióỳt
kóỳ dổồùi daỷng circuit layout vồùi caùc chi tióỳt vóử chióửu rọỹng, chióửu sỏu cuớa mọựi
mọỹt õồn vở cồ baớn. Chúng haỷn vồùi mọỹt MOSFet õồn giaớn, sồ õọử bọỳ trờ tọứng
thóứ (layout) seợ õổồỹc chuyóứn thaỡnh caùc sồ õọử khọứ lồùn cho mọựi mọỹt mổùc mỷt
naỷ. Sau õoù caùc sồ õọử naỡy seợ õổồỹc thu nhoớ laỷi õóứ thu õổồỹc mỷt naỷ cuọỳi cuỡng.
Vồùi caùc maỷch VLSI, ngổồỡi thióỳt kóỳ coù thóứ mọ taớ mọỹt caù
ch õióỷn tổớ toaỡn bọỹ
layout cuớa maỷch. Sau õoù thióỳt kóỳ õổồỹc chuyóứn thaỡnh daỷng sọỳ vaỡ õổồỹc lổu
trổợ trón bng tổỡ. Mỷt naỷ coù thóứ bao gọửm nhióửu mổùc khaùc nhau cho caùc chóỳ
taỷo khaùc nhau. Caùc mỷt naỷ õổồỹc laỡm tổỡ caùc vỏỷt lióỷu nhổ chromium,
chromium oxide, hoỷc silicon.
36

37

38

Bỉåïc tiãúp theo l quạ trçnh quang khàõc (lithography), cọ thãø âỉåüc làûp
lải nhiãưu láưn cho cạc bỉåïc xỉí l tỉång ỉïng våïi cạc mỉïc màût nả khạc nhau.
Quang khàõc l quạ trçnh chuøn dảng hçnh hc trãn màût nả vo bãư màût ca
Si wafer. Mäùi chu trçnh quang khàõc thỉåìng bao gäưm sỉû àn mn qua cạc cỉía
säø måí hồûc vảch cạc dảng nháút âënh cho bỉåïc tiãúp theo, chàóng hản nhỉ ph
cạc mng mong mún hay âỉa tảp cháút vo cạc vng â âỉåüc måí nhåì quạ

nhióựu. Bón caỷnh õoù thồỡi gian sổớ duỷng (lifetime) cuợng laỡ mọỹt yóỳu ttoù quan
troỹng trong vióỷc thióỳt kóỳ gaù giổợ IC.