BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO
TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT
THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH

LUẬN VĂN THẠC SĨ
ĐẶNG THỊ HÀ THANH

NGHIÊN CỨU GIẢI PHÁP CHỐNG SÉT
CHO THIẾT BỊ ĐIỆN VÀ ĐIỆN TỬ BÊN TRONG TÒA NhÀ

NGÀNH: KỸ THUẬT ĐIỆN - 60520202

S K C0 0 4 4 4 1

Tp. Hồ Chí Minh, năm 2014


BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO
TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT
THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH

LUẬN VĂN THẠC SĨ
ĐẶNG THỊ HÀ THANH

NGHIÊN CỨU GIẢI PHÁP CHỐNG SÉT CHO THIẾT BỊ
ĐIỆN VÀ ĐIỆN TỬ BÊN TRONG TÒA NHÀ

NGÀNH: KỸ THUẬT ĐIỆN - 60520202

Tp. Hồ Chí Minh, năm 2014


Nơi sinh: Bình Dương

Quê quán: Ba Vì, Hà Nội

Dân tộc: Kinh

Chức vụ, đơn vị công tác trước khi học tập, nghiên cứu:
Giáo viên khoa Điện – Điện Tử , trường Trung Cấp Nghề Việt – Hàn Bình Dương
Chỗ ở riêng hoặc địa chỉ liên lạc: 466/68 – Tổ 10 – Khu 8 – Phường Phú Hòa
– TP.Thủ Dầu Một – Bình Dương.
Điện thoại cơ quan: 37313631

Điện thoại nhà riêng: 06503840513

Fax: 38978501

E-mail:

II. QUÁ TRÌNH ĐÀO TẠO:
1. Đại học:
Hệ đào tạo: Chính quy

Thời gian đào tạo từ 09/2006 đến 04/ 2011

Nơi học (trường, thành phố): Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP.HCM
Ngành học: Điện Công Nghiệp
Tên đồ án, luận án hoặc môn thi tốt nghiệp: Giới thiệu phần mềm
PSS/ADEPT 5.0 và thiết kế hệ thống điện.
Ngày & nơi bảo vệ đồ án, luận án hoặc thi tốt nghiệp: 01/2011 – Trường Đại
Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP.HCM

III. QUÁ TRÌNH CÔNG TÁC CHUYÊN MÔN KỂ TỪ KHI TỐT NGHIỆP
ĐẠI HỌC:
Nơi công tác

Thời gian
09/2011 – 01/2014
01/2014 đến nay

Trường Trung cấp Nghề Thủ Dầu
Một
Trường Trung cấp Nghề Việt Hàn
Bình Dương

Công việc đảm nhiệm
Giáo viên khoa Điện – Điện Tử
Giáo viên khoa Điện – Điện Tử

IV. CÁC CÔNG TRÌNH KHOA HỌC ĐÃ CÔNG BỐ:
........................................................................................................................................
........................................................................................................................................
........................................................................................................................................
XÁC NHẬN CỦA CƠ QUAN CỬ ĐI HỌC

Ngày tháng 11 năm 2014

HOẶC ĐỊA PHƢƠNG

Ngƣời khai ký tên

(Ký tên, đóng dấu)

4. TS. Hồ Văn Hiến

Ủy viên

5. TS. Nguyễn Vũ Quỳnh

Ủy viên

Xác nhận của Chủ tịch Hội đồng đánh giá Luận văn sau khi luận văn đã được
sửa chữa (nếu có): ........................................................................................................................
......................................................................................................................................................
..........................................................................................................................................
Chủ tịch hội đồng đánh giá LV

HVTH: Đặng Thị Hà Thanh

Trang iii


Nhiệm vụ luận văn

GVHD:PGS. TS Quyền Huy Ánh

TRƯỜNG ĐH SƯ PHẠM KỸ THUẬT TP. HCM

CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM

PHÒNG QLKH – ĐTSĐH

Độc lập - Tự do - Hạnh phúc

III- NGÀY GIAO NHIỆM VỤ: 15/01/2013
IV- NGÀY HOÀN THÀNH NHIỆM VỤ: 15/08/2014
V- CÁN BỘ HƯỚNG DẪN: (Ghi rõ học hàm, học vị, họ, tên)
PGS.TS: Quyền Huy Ánh
CÁN BỘ HƯỚNG DẪN

KHOA QUẢN LÝ CHUYÊN NGÀNH

(Họ tên và chữ ký)

(Họ tên và chữ ký)

HVTH: Đặng Thị Hà Thanh

Trang iv


Lời cam đoan

GVHD:PGS. TS Quyền Huy Ánh

LỜI CAM ĐOAN
Tôi xin cam đoan đây là công trình nghiên cứu của riêng tôi. Các số liệu, kết
quả nêu trong luận văn là trung thực và chưa từng được ai công bố trong bất kỳ
công trình nào khác.
Tôi xin cam đoan rằng mọi sự giúp đỡ cho việc thực hiện luận văn này đã
được cảm ơn và các thông tin trích dẫn trong luận văn đã được chỉ rõ nguồn gốc.
Học viên thực hiện luận văn

Đặng Thị Hà Thanh



Mục lục

GVHD:PGS. TS Quyền Huy Ánh

MỤC LỤC
Lý lịch khoa học........................................................................................................i
Nhiệm vụ luận văn thạc sĩ ......................................................................................iv
Lời cam đoan ........................................................................................................... v
Lời cám ơn ...............................................................................................................vi
Mục lục .................................................................................................................. vii
Danh mục hình ảnh ................................................................................................ix
Danh mục bảng biểu.............................................................................................. xv
CHƢƠNG 1: TỔNG QUAN ................................................................................... 1
1.1 Đặt vấn đề ........................................................................................................ 1
1.2 Các nghiên cứu trong và ngoài nước ................................................................ 3
1.3 Mục tiêu nghiên cứu......................................................................................... 3
1.4 Nhiệm vụ nghiên cứu và giới hạn đề tài ........................................................... 3
1.5 Phương pháp nghiên cứu .................................................................................. 4
1.6 Điểm mới của luận văn .................................................................................... 4
1.7 Giá trị thực tiễn của luận văn ........................................................................... 4
CHƢƠNG 2: THIẾT KẾ LẮP ĐẶT CÁC HỆ THỐNG BẢO VỆ CHỐNG
XUNG SÉT ĐIỆN TỪ (LPMS) .............................................................................. 5
2.1 Giới thiệu tiêu chuẩn IEC 62.305 ..................................................................... 5
2.2 Hệ thống bảo vệ chống xung sét điện từ. ......................................................... 6
2.2.1 Các phương án bảo vệ chống xung sét điện từ (LPMS) ............................. 7
2.2.2 Vùng bảo vệ chống sét (LPZ) .................................................................... 9
2.2.3 Tính toán điện từ trường trong LPZ ......................................................... 13
2.3 Nối đất và bao bọc ......................................................................................... 17

4.2 Mục tiêu chung và nguyên tắc phối hợp các SPD .......................................... 54
4.2.1 Mục tiêu chung của phối hợp các SPD .................................................... 54
4.2.2 Nguyên tắc phối hợp ................................................................................ 55
4.3 Phối hợp biến đổi cơ bản cho hệ thống bảo vệ ............................................... 56
4.3.1 Biến đổi I ................................................................................................. 56
4.3.2 Biến đổi II ................................................................................................ 64
4.3.3 Biến đổi III............................................................................................... 72
4.4 Ảnh hưởng của điện cảm dây nối đến điện áp dư........................................... 80
CHƢƠNG 5: KẾT LUẬN VÀ HƢỚNG NGHIÊN CỨU PHÁT TRIỂN .......... 84
5.1 Kết Luận......................................................................................................... 84
5.2. Hướng nghiên cứu phát triển ......................................................................... 84
TÀI LIỆU THAM KHẢO..................................................................................... 85

HVTH: Đặng Thị Hà Thanh

Trang viii


Danh mục hình ảnh

GVHD:PGS. TS Quyền Huy Ánh

DANH MỤC HÌNH ẢNH
Hình 2.1: Nguyên tắc chung phân chia thành LPZ khác nhau ................................... 6
Hình 2.2a:LPMS sử dụng vùng bao bọc và phối hợp SPD bảo vệ " .......................... 8
Hình 2.2b: LPMS sử dụng vùng bao bọc của LPZ 1 và SPD bảo vệ ở ngõ vào của .. 8
Hình 2.2c: LPMS sử dụng dây bọc bên trong và SPD bảo vệ ở ngõ vào của LPZ 1 –
.................................................................................................................................. 8
Hình 2.2d: LPMS bằng cách chỉ sử dụng "phối hợp SPD bảo vệ" ............................ 9
Hình 2.2: Bảo vệ chống lại LEMP ............................................................................ 9

bao bọc .................................................................................................................... 22
Hình 2.13a: không bảo vệ hệ thống ......................................................................... 24
Hình 2.13b: Giảm từ trường bên trong đi vào LPZ bởi không gian che chắn của nó
................................................................................................................................ 24
Hình 2.13c: Giảm ảnh hưởng của trường trên đường dây theo dây che chắn .......... 24
Hình 2.13d: Giảm diện tích vòng cảm ứng bởi đường đi dây phù hợp .................... 24
Hình 2.13: Giảm hiệu ứng cảm ứng của đường đi dây và biện pháp che chắn ........ 24
Hình 3.1: Các dạng xung sét tiêu chuẩn .................................................................. 25
Hình 3.2: Mô hình khe hở không khí đề nghị .......................................................... 30
Hình 3.3: Sơ đồ khối điều khiển SC ........................................................................ 31
Hình 3.4: Khai báo các thông số trong Breaker ....................................................... 32
Hình 3.5: Sơ đồ mô phỏng phóng điện khe hở không khí trong MATLAB ............ 32
Hình 3.6: Tạo biểu tượng cho mô hình trong MatLab ............................................. 33
Hình 3.7: Biểu tượng mô hình khe hở phóng điện không khí Spark Gap ................ 33
Hình 3.8: Sơ đồ mạch mô phỏng Spark Gap với nguồn xung áp ............................. 34
Hình 3.9: Khai báo các thông số của mô hình ......................................................... 34
Hình 3.10a: Đáp ứng của Spark Gap có Vbreak=3kV với xung áp 1.2/50µs 5kV... 35
Hình 3.10b: Đáp ứng của Spark Gap có Vbreak=3kV với xung áp 1.2/50µs 10kV ..... 35
Hình 3.11: Sơ đồ mạch mô phỏng Spark Gap với nguồn xung dòng....................... 36
Hình 3.12: Đáp ứng của Spark Gap với xung dòng 8/20µs 4kA ............................. 36
Hình 3.13: Quan hệ dòng điện – điện áp của mô hình MOV. .................................. 38
Hình 3.14: Hộp thoại của mô hình MOV trong Matlab. .......................................... 38
Hình 3.15: Sơ đồ nguyên lý của mô hình ................................................................ 39
Hình 3.16: Mô hình MOV ....................................................................................... 40
Hình 3.17: Đặc tính V – I của MOV có sai số TOL  10% ..................................... 41
Hình 3.18: Sơ đồ mô hình điện trở phi tuyến V = f(I) của MOV ............................. 41
Hình 3.19: Sơ đồ mạch tương đương của mô hình MOV đề nghị ........................... 43
Hình 3.20: Biểu tượng mô hình MOV hạ thế .......................................................... 43

HVTH: Đặng Thị Hà Thanh

Hình 4.3: Phối hợp biến đổi I .................................................................................. 56
Hình 4.4: Sơ đồ mô phỏng matlab phối hợp các SPD có đặc tuyến điện áp/dòng
điện liên tục. ............................................................................................................ 57
Hình 4.5: Phối hợp biến đổi I - SPD với xung dòng có biên độ 3kA ....................... 57
Hình 4.5-a: Phối hợp biến đổi I – Phối hợp 3 SPD với xung dòng có biên độ 3kA...... 57
Hình 4.5-b: Phối hợp biến đổi I – Phối hợp 2 SPD với xung dòng có biên độ 3kA. .... 58
Hình 4.5-c: Phối hợp biến đổi I – Phối hợp 1 SPD với xung dòng có biên độ 3kA...... 58

HVTH: Đặng Thị Hà Thanh

Trang xi


Danh mục hình ảnh

GVHD:PGS. TS Quyền Huy Ánh

Hình 4.6: Phối hợp biến đổi I - SPD với xung dòng có biên độ 20kA ..................... 59
Hình 4.6-a: Phối hợp biến đổi I – Phối hợp 3 SPD với xung dòng có biên độ 20kA.... 59
Hình 4.6-b: Phối hợp biến đổi I – Phối hợp 2 SPD với xung dòng có biên độ 20kA. .. 59
Hình 4.6-c: Phối hợp biến đổi I – Phối hợp 1 SPD với xung dòng có biên độ 20kA.... 60
Hình 4.7: Phối hợp biến đổi I - SPD với xung dòng có biên độ 70kA ..................... 60
Hình 4.7-a: Phối hợp biến đổi I – Phối hợp 3 SPD với xung dòng có biên độ 70kA.... 60
Hình 4.7-b: Phối hợp biến đổi I – Phối hợp 2 SPD với xung dòng có biên độ 70kA. .. 61
Hình 4.7-c: Phối hợp biến đổi I – Phối hợp 1 SPD với xung dòng có biên độ 70kA.... 61
Hình 4.8a: Phối hợp biến đổi I – Phối hợp 3 SPD với xung dòng có biên độ 3kA với
dòng xung bảo vệ cực đại của 3 tầng SPD giảm dần ............................................... 62
Hình 4.8b: Phối hợp biến đổi I – Phối hợp 3 SPD với xung dòng có biên độ 20kA
với dòng xung bảo vệ cực đại của 3 tầng SPD giảm dần ......................................... 62
Hình 4.8c: Phối hợp biến đổi I – Phối hợp 3 SPD với xung dòng có biên độ 70kA

Hình 4.14-b: Phối hợp biến đổi II – Phối hợp 3 SPD với xung dòng có biên độ 20kA
với dòng xung bảo vệ cực đại của 3 tầng SPD giảm dần ......................................... 70
Hình 4.14: Phối hợp biến đổi II – Phối hợp 3 SPD với dòng xung bảo vệ cực đại của
3 tầng SPD giảm dần ............................................................................................... 70
Hình 4.15: Phối hợp biến đổi III .............................................................................. 72
Hình 4.16: Sơ đồ mô phỏng matlab phối hợp các SPD có đặc tuyến điện áp/dòng
điện liên tục. ............................................................................................................ 72
Hình 4.17: Phối hợp biến đổi III - SPD với xung dòng có biên độ 3kA. ................. 73
Hình 4.17-a: Phối hợp biến đổi III – Phối hợp 1 SPD với xung dòng có biên độ 3kA.... 73
Hình 4.17-b: Phối hợp biến đổi III – Phối hợp 2 SPD với xung dòng có biên độ 3kA. .. 74
Hình 4.17-c: Phối hợp biến đổi III – Phối hợp 3 SPD với xung dòng có biên độ 3kA.... 74
Hình 4.18: Phối hợp biến đổi III - SPD với xung dòng có biên độ 20kA. ............... 75
Hình 4.18-a: Phối hợp biến đổi III – Phối hợp 1 SPD với xung dòng có biên độ 20kA .... 75
Hình 4.18-b: Phối hợp biến đổi III – Phối hợp 2 SPD với xung dòng có biên độ 20kA .... 76
Hình 4.18-c: Phối hợp biến đổi III – Phối hợp 3 SPD với xung dòng có biên độ
20kA ........................................................................................................................ 76
Hình 4.19: Phối hợp biến đổi III - SPD với xung dòng có biên độ 70kA. ............... 77
Hình 4.19-a: Phối hợp biến đổi III – Phối hợp 1 SPD với xung dòng có biên độ 70kA. 77
Hình 4.19-b: Phối hợp biến đổi III – Phối hợp 2 SPD với xung dòng có biên độ
70kA ........................................................................................................................ 78
Hình 4.19-c: Phối hợp biến đổi III – Phối hợp 3 SPD với xung dòng có biên độ
70kA ........................................................................................................................ 78
Hình 4.20: Xung điện áp giữa dây dẫn và thanh liên kết ......................................... 80
Hình 4.21: Mô hình mô phỏng phối hợp 1SPD bỏ qua cảm kháng đường dây........ 81
Hình 4.22: Mô phỏng bỏ qua điện kháng trên đường dây. ...................................... 81

HVTH: Đặng Thị Hà Thanh

Trang xiii


Bảng 3.6: Thông số kỹ thuật MOV hạ thế của hãng Littelfuse ............................... 48
Bảng 3.7: Kết quả so sánh khi mô phỏng MOV hạ thế của hãng Littelfuse ........... 50
Bảng 3.8: Thông số kỹ thuật MOV hạ thế của hãng SIEMENS .............................. 50
Bảng 3.9: Kết quả mô phỏng MOV hạ thế của hãng SIEMENS ............................. 52
Bảng 4.1: Kết quả so sánh khi mô phỏng phối hợp SPD theo phương pháp phối hợp
biến đổi 1. ................................................................................................................ 62
Bảng 4.2: Kết quả so sánh khi mô phỏng phối hợp SPD theo phương pháp phối hợp
biến đổi 1 với 2 kiểu phối hợp thay đổi dòng xung sét bảo vệ................................. 63
Bảng 4.3: Kết quả so sánh khi mô phỏng phối hợp SPD theo phương pháp phối hợp
biến đổi 2 ................................................................................................................. 69
Bảng 4.4: Kết quả so sánh khi mô phỏng phối hợp SPD theo phương pháp phối hợp
biến đổi 2 với 2 kiểu phối hợp thay đổi dòng xung sét bảo vệ................................. 71
Bảng 4.5: Kết quả so sánh khi mô phỏng phối hợp 3 SPD của biến đổi 1 và biến đổi
2. ............................................................................................................................. 71
Bảng 4.6: Kết quả so sánh khi mô phỏng phối hợp SPD theo phương pháp phối hợp
biến đổi 3 ................................................................................................................. 79
Bảng 4.7: Kết quả so sánh khi mô phỏng phối hợp SPD của biến đổi 1, biến đổi 2 và
biến đổi 3 ................................................................................................................. 79
HVTH: Đặng Thị Hà Thanh

Trang xv


Danh mục bảng biểu

GVHD: PGS. TS Quyền Huy Ánh

Bảng 4.8: Kết quả so sánh trường hợp bỏ qua điện kháng và tính điện kháng của
dây nối. .................................................................................................................... 82


trò rất quan trọng.
Nhìn chung, mạng hạ áp không truyền tải công suất lớn nhưng lại trải trên
diện rộng và cung cấp điện năng trực tiếp cho các hộ tiêu thụ nên nó lại là nguyên
nhân dẫn sét vào công trình, gây ngừng dịch vụ, hư hỏng thiết bị. Thống kê cho
thấy, hậu quả không mong muốn của quá áp do sét lan truyền trên mạng phân phối
hạ áp gây ra thiệt hại rất lớn và nhiều lúc không thể đánh giá cụ thể được. Vấn đề
được đề cập một cách cấp bách trong những năm gần đây là các trang thiết bị điện
tử đã trở thành các thiết bị được sử dụng ngày càng nhiều và rất phổ biến trong các

HVTH: Đặng Thị Hà Thanh

Trang 1


Chương 1: Tổng quan

GVHD:PGS. TS Quyền Huy Ánh

tòa nhà, các công trình ở mọi lãnh vực như bưu chính viễn thông, phát thanh, truyền
hình, công nghiệp… Các thiết bị này vốn rất nhạy cảm với điện áp cao và cách điện
dự trữ của chúng rất mong manh vì thế cần phải tính toán lựa chọn, phối hợp và
kiểm tra các thiết bị bảo vệ chống sét một cách hiệu quả, chính xác để tránh xảy ra
hư hỏng cho các thiết bị này.
Do các thiết bị chống sét là thiết bị phi tuyến cho nên việc đánh giá các đáp
ứng ngõ ra ứng với sóng sét lan truyền với mức chính xác cao theo phương pháp
giải tích truyền thống gặp nhiều khó khăn. Bên cạnh đó, do nước ta vẫn còn bị hạn
chế về trang thiết bị thí nghiệm cao áp, số lượng phòng thí nghiệm cao áp còn
khiêm tốn nên rất khó khăn cho công tác thiết kế, nghiên cứu bảo vệ chống sét lan
truyền tại Việt Nam. Tuy nhiên, ngày nay, với sự phát triển của kỹ thuật mô hình
hóa và mô phỏng đã giúp cho chúng ta hiểu biết thêm về sự tương tác giữa các yếu

+ Đã có những nghiên cứu về Phối hợp SPD bảo vệ xung quá độ nhưng chưa
đầy đủ và mang tính hệ thống.
+ Đã có những nghiên cứu về Xây dựng mô hình MOV trong Matlab nhưng
chưa đề cập đến cấu trúc bảo vệ đa tầng và xem xét đến ảnh hưởng của dây nối đến
điện áp dư đầu ra của SPD.
+ Về nghiên cứu đến thiết kế lắp đặt các biện pháp bảo vệ chống xung sét
điện từ (LPMS) thì hiện nay ở Việt Nam còn chưa được quan tâm.
1.3 Mục tiêu nghiên cứu
 Nghiên cứu hệ thống bảo vệ chống xung sét điện từ.
 Nghiên cứu hệ thống tiếp đất và bao bọc.
 Nghiên cứu biện pháp che chắn từ và cách thức đi dây.
 Nghiên cứu đánh giá điện từ trường trong LPZ.
 Nghiên cứu các kiểu phối hợp SPD bảo vệ xung quá độ.
 Xây dựng mô hình MOV trong Matlab.
 Xây dựng mô hình SG trong Matlab.
 Xây dựng mô hình SPD.
 Xây dựng các phương pháp phối hợp SPD bảo vệ chống sét của hệ thống
trong tòa nhà.
 Đánh giá hiệu quả bảo vệ của các kiểu phối hợp SPD.
1.4 Nhiệm vụ nghiên cứu và giới hạn đề tài
 Nghiên cứu tiêu chuẩn IEC 62305-4
 Nghiên cứu các biện pháp bảo vệ thiết bị điện – điện tử bên trong tòa nhà
chống hư hỏng do tác hại của xung sét.
 Đề xuất phương án bảo vệ hợp lý trong một số trường hợp cụ thể

HVTH: Đặng Thị Hà Thanh

Trang 3




GVHD: PGS. TS Quyền Huy Ánh

CHƢƠNG 2:
THIẾT KẾ LẮP ĐẶT CÁC HỆ THỐNG BẢO VỆ
CHỐNG XUNG SÉT ĐIỆN TỪ (LPMS)
2.1 Giới thiệu tiêu chuẩn IEC 62.305
Tiêu chuẩn IEC 62.305 cung cấp thông tin cho thiết kế, kiểm tra, lắp đặt, bảo
trì và thử nghiệm các biện pháp bảo vệ các hệ thống điện và điện tử trong công
trình, làm giảm nguy cơ hư hỏng thường xuyên do xung sét điện từ.
Tiêu chuẩn này không bao gồm bảo vệ chống nhiễu điện từ do sét đánh, có
thể gây nên hư hỏng của hệ thống điện tử. Tuy nhiên, tiêu chuẩn có thể áp dụng để
đánh giá các nhiễu loạn do sét. Biện pháp bảo vệ chống lại nhiễu điện từ được thể
hiện trong loạt IEC 60364-4-44 và IEC 61.000.
Tiêu chuẩn này cung cấp nguyên tắc cho sự kết hợp giữa các nhà thiết kế của
hệ thống điện và điện tử và nhà thiết kế các biện pháp bảo vệ, trong một nỗ lực để
đạt được hiệu quả bảo vệ tối ưu.
Tiêu chuẩn IEC 62.305 nêu ra các hư hỏng thường xuyên của hệ thống điện
và điện tử gây ra bởi xung sét điện từ (LEMP) như:
- Dẫn và truyền xung cảm ứng đến thiết bị thông qua kết nối dây dẫn;
- Ảnh hưởng của bức xạ trường điện từ trực tiếp đến các thiết bị của
chính nó.
Xung tác động vào công trình có thể được tạo ra từ bên ngoài hoặc bên trong:
- Xung tác động ở bên ngoài công trình được tạo ra bởi các tia sét lớn đi vào
đường dây hoặc gần mặt đất, và được truyền tới hệ thống điện và điện tử qua những
đường dây này;
- Xung tác động ở bên trong công trình được tạo ra bởi các tia sét lớn tác
động lên công trình hoặc gần mặt đất.
Trường điện từ phát xạ có thể được tạo ra thông qua:
- Dòng sét trực tiếp chạy trong dây dẫn;

HVTH: Đặng Thị Hà Thanh

Trang 6