Download miễn phí Bài giảng Ô xy hóa nhiệt



Với giảthiếtkhôngcólớpô xit SiO2 ban đầu(Xi= 0), tacóđồthị
xácđịnhchiềudàylớpSiO2 nhiệt theothời gianô xyhóanhiệt.
Đểxácđịnhchếđộô xyhóa, ngư người tadùngcácphương phươngpháp:
„ Tínhtoánchiềudàyvàthời giano xy hóa, dựatrêncácgiátrị B/A vàB.
„ Dùngđồthị chuẩnhóatheocácchế độđã đãxácđịnhtừtrư trước
„ Saukhiô xyhóa, cóthểdùngbảng màuđểso vàxácđịnhchiềudày.
Vídụ: Ô xyhóa(100) Si tronghai chếđộẩmvàkhôvới xi=0


http://s1.liketly.com/flash/edoc/jh2i1fkjb33wa7b577g9lou48iyvfkz6-swf-2014-06-04-bai_giang_o_xy_hoa_nhiet.UvqixeRQAX.swf /tai-lieu/de-tai-ung-dung-tren-liketly-69567/
Để tải bản Đầy Đủ của tài liệu, xin Trả lời bài viết này, Mods sẽ gửi Link download cho bạn sớm nhất qua hòm tin nhắn.
Ai cần download tài liệu gì mà không tìm thấy ở đây, thì đăng yêu cầu down tại đây nhé:
Nhận download tài liệu miễn phí

Tóm tắt nội dung tài liệu:

Ô xy hóa nhiệt
(đối với Si)
Đại học Bách khoa Hà Nội
TS. Lê Tuấn
21/1/2007 Đại học Bách khoa Hà Nội
Ô xy hóa nhiệt (đối với Silic)
Ôxit SiO2 là chất vô định hình
Khối lượng riêng = 2,2 gm/cm3 , trong khi của SiO2 (thạch anh) = 2.65 gm/cm3
Mật độ phân tử = 2,3E22 phân tử / cm3
Là chất cách điện lý tưởng
Điện trở suất > 1E20 Ohm-cm
Độ rộng vùng cấm ~ 9 eV
Có giá trị điện trường đánh thủng cao
Ebr > 10 MV/cm
Có bề mặt phân cách Si/SiO2 ổn định và dễ lặp lại
Có lớp ôxit mọc bao quanh bề mặt tiếp xúc với bên ngoài của Si
Là mặt nạ rất tốt đối với khuếch tán các tạp chất thông dụng
Có tính ăn mòn phân biệt rất tốt với Si
Tính chất chung của ôxit Silic (SiO2)
31/1/2007 Đại học Bách khoa Hà Nội
Ô xy hóa nhiệt (tiếp)
Tính toán chiều dày lớp ô xit:
)/.( oxSiSiox NNXX =
Tiêu hao chiều dày Si khi tạo SiO2 bằng ô xy hóa nhiệt
Bề mặt ban đầu
ox
Si
Siox N
NXX ×=
Mật độ SiO2
Mật độ Si
Cứ 1 µm Si bị ô xy hóa tạo nên 2,17 µm SiO2
Luồng chất ô xy hóa
Khô: O2Ẩm:H2O hay O2 + H2O
Lớp chuyển tiếp luồng khí
Lớp SiO2 được tạo ra
Đế Si
Khuếch tán khí
Khuếch tán rắn
Hình thành SiO2
Động học quá trình ô xy hóa nhiệt Si
41/1/2007 Đại học Bách khoa Hà Nội
Ô xy hóa nhiệt (tiếp)
Giả thiết:
„ Thông lượng khí vận chuyển
hG – hệ số vận chuyển khối, đơn vị cm/s
„ Thông lượng khuếch tán
Định luật Fix khuếch tán trong thể rắn
D – hệ số khuếch tán , đơn vị cm2/s
„ Thông lượng tham gia phản ứng
tạo SiO2 tại mặt phân cách
ks – hệ số tốc độ phản ứng bề mặt, đơn vị cm/s
Mô hình ô xy hóa nhiệt Deal - Grove
Liên hệ Co và Cs theo định luật Henry:
H – hệ số Henry; Ps – áp suất riêng phần của chất ô xy
hóa (ở dạng khí) tại bề mặt phản ứng
Ta lấy , ,suy ra:
⎟⎟⎠
⎞
⎜⎜⎝
⎛ −−≈∂
∂−=
ox
io
X
CCD
x
CDF2
is CkF ×=3
( )sso CkTHPHC ⋅⋅=⋅=
51/1/2007 Đại học Bách khoa Hà Nội
Gọi , ta xác định
Ở điều kiện trạng thái dừng, các giá trị thông lượng phải như nhau, ta có hai
phương trình F1 = F2 và F2 = F3, với hai ẩn số Co và Ci. Giải hệ phương
trình, ta có kết quả:
Nếu gọi N1 là mật độ chất ô xy hóa cần thiết để tạo ra 1 đơn vị thể tích
SiO2, ta có theo định nghĩa (N1= 2,3E22 cm-3 cho ô xy hóa khô với O2, và
= 4,6E22 cm-3 cho ô xy hóa ẩm với H2O)
Ô xy hóa nhiệt (tiếp)
( )GA CHkTC ⋅≡ ( ) ( )oAoAG CChCCHkT
hF −≡−=1
61/1/2007 Đại học Bách khoa Hà Nội
Ô xy hóa nhiệt (tiếp)
Với điều kiện ban đầu t = 0, X0 = Xi,
với: và:
sau khi tích phân, ta có nghiệm: ( )
⎥⎥
⎥⎥
⎥
⎦
⎤
⎢⎢
⎢⎢
⎢
⎣
⎡
−+
⎟⎠
⎞⎜⎝
⎛
+
⎟⎠
⎞⎜⎝
⎛= 1412
2
τt
B
A
B
A
B
BX ox
Với t nhỏ (t > A/2), Xox tăng tỷ lệ với t1/2.
71/1/2007 Đại học Bách khoa Hà Nội
Ô xy hóa nhiệt (tiếp)
Với giả thiết không có lớp ô xit
SiO2 ban đầu (Xi = 0), ta có đồ thị
xác định chiều dày lớp SiO2 nhiệt
theo thời gian ô xy hóa nhiệt.
Để xác định chế độ ô xy hóa,
người ta dùng các phương pháp:
„ Tính toán chiều dày và thời gian o xy
hóa, dựa trên các giá trị B/A và B.
„ Dùng đồ thị chuẩn hóa theo các chế
độ đã xác định từ trước
„ Sau khi ô xy hóa, có thể dùng bảng
màu để so và xác định chiều dày.
Ví dụ: Ô xy hóa (100) Si trong hai
chế độ ẩm và khô với xi =0.
81/1/2007 Đại học Bách khoa Hà Nội
Giá trị các hệ số (B/A) và B cho các trường hợp ô
xy hóa nhiệt khô và ẩm đối với Si
91/1/2007 Đại học Bách khoa Hà Nội
Ô xy hóa nhiệt (tiếp)
Sự phụ thuộc vào các thông số công nghệ
„ Khi chiều dày lớp SiO2 còn nhỏ, tốc độ ô xy hóa xác định
bởi giá trị nhỏ hơn giữa các hệ số chuyển khối hG và tốc
độ phản ứng bề mặt ks.
với Q’ – năng lượng hoạt hóa của phản ứng tại mặt phân cách Si – SiO2
„ Khi chiều dày lớp SiO2 đủ lớn, tốc độ ô xy hóa tỷ lệ với t1/2,
và được quyết định hoàn toàn bởi cơ chế khuếch tán chất
ô xy hóa qua lớp SiO2 thông qua hệ số khuếch tán D.
với Q – năng lượng hoạt hóa khuếch tán. B giảm dần khi N1 tăng lên.
Ô xy hóa ở áp suất cao
„ Khi áp suất riêng phần PG của chất ô xy hóa tăng lên, giá trị của CA cũng tăng, dẫn
đến tốc độ ô xy hóa tăng lên. Ta có thể tiến hành ô xy hóa ở áp suất cao với nhiệt
độ T thấp hơn để cùng đạt chiều dày lớp SiO2 – ý nghĩa công nghệ đáng kể.
„ Suy luận tương tự cho hệ số B
...

---