BÀI 1:

I.Thiết
b
-
-
-

II.Nội d
u

Chủ đ
ề

a. M
ụ
H
dẫn.Nhậ
n
b. K
ế
-
-
-
-
vào cực
E
-

Chủ đ
ề

n
Bảng mạch
u
n
g
thí n
g
h
i
ề
1: Giới t
h
ụ
c đích:
H
iểu định n
g
n
dạng và ki
ế
t luận:
Diode và tr
a
Diode có m
ộ
Diode,zene
r
Ký hiệu củ
a
E

r
h
ân cực thu
ậ
C
ác thông số
V
A
=
V
R1

=
V
R2

=
V
ới các giá t
r
D
ựa vào địn
h
SE
M
ó
ng 2 chiều
n
g sin
i

đo được trê
n
-10VDC
-9.37
-0.1mV
r
ị như thế C
R
ậ
n, CR2 đư
ợ
đo được trê
n
10VDC
0.1mV
9.39V
r
ị như thế C
R
h
luật Ohm t
a
I
R
M
ICOND
U
bán dẫn
c
h về vật li

c phân cực
n
n

m
ạnh là :
R
1 được ph
â
a
xác định đ
ư
R
V
2
2R
2
R
=
=
U
CTOR
F
ệ
u bán dẫn
v
ạ
t động của
m
ừ

ột số dụn
g
n
dẫn, thườ
n
giáp PN.
ự
c BASE,c
ò
ó
3 cực Emi
t
ặ
c tính hoạt
đ
c
h, CR2 đượ
ện qua điện
E
NTAL
g
của nó tr
o
g
cụ bán dẫn
n
g là silicon
v
ò
n NPN thì

u
m.
ê
n chỉ
.
D Hình mi
n

V
A

(
0.
7
5
1
0


ựa và giá tr
ị
n
h họa mối
q
(
V) V
R2
(
V
7
5
5

0

:
Đặc tuyến
d
Khi điện áp
ê
n diode nh
ỏ
Khi diode
p
n
g,
d
òng ng
ư

i
phân cực t
h
ỏ
.
p
hân cực n
g
ư
ợc tăng nh
a
ệ
n trở thuận
2
:
ọ
a mối quan
x
ác định đư
ợ
R
2
= 2.85m
A
a

d
òng và áp
I
CR2

e mô tả
d
òn
g
ư
ợt qua điệ
n
n
g rò nhỏ c
d
iode bị đán
h
r
ở nghịch c
a
n
g sóng vào
CR2 :
C
R2 khi phâ
n
m
A) V
D
=
g
và điện áp
n
áp chắn th
ì

V
)
g
ược.
n
hanh chón
g
đ
ạt được đi
ệ
u
bán kỳ dư
ơ
g
, với
ệ
n áp
ơ
ng.

Mạch ch

Chủ đề
3

M
nhân đôi

Thí n
g
h
i V

Quan h
ệ
ỉ
nh lưu dio
d
=
1V Æ V

3
: Chỉnh l
ư
M
ục đích :
H
điện áp.
i
ệm 1 : Chỉ
n
V
o(pk)
= 10V
Æ

ệ
giữa sóng
v
d
e bán kỳ :
p
k)
= V
I (pk)

–
ê
n CR1
p
k)

n
h lưu toàn
k
Æ
V
o (avg)
=
v
ào và sóng
–
0.6 = 0.4V
–
0.6 = 1.4V
x
V
o(pk)
= 0.
9
u
á trình biế
n
n
h thành
m
ộ
ư
ợc kết nối
v
được kết n
ố

a chỉnh lư
u
.

m
chứng mạ
c
p
k)
= 6.36V
h

l
ưu bán k
ỳ
u
xoay chiề
u
b
án kỳ.
x
oay chiều,
ệ
u xoay chi
ề
u
toàn kỳ.
c
h chỉnh lư
u

g âm
m
ạch
Mạc
h
Ta có :
V
Æ f
o
= 2
x
Æ V
o(pk)

Æ V
o(avg
)
Kết luận
-
ra 1 chiề
u
-
-
thời gia
n
-
-

V

Kết nối t
h D
ự
h
chỉnh lưu
t
V
I (pk-pk)
= 20
V
x
f
I
= 200H
z
= V
I(pk)
– 2
x
)
= 0.636 x
V

:
Mạch chỉn

t
oàn kỳ :
V
, f
I
= 100
H
z

x
0.6 = 8.8V
V
o(pk)
= 5.59
V
h
lưu cầu toà
n
t
ín hiệu ra g
ấ
thành mạc
h
sẽ hướng đ
i
h
ra nhỏ hơ
n
6xV
o(pk)

n
diện áp đỉ
n
v
ẽ

C
ra = 12V
h
ình 1
đ
iện thế gợn
n
đổi cả 2 ph
số vào
c
ầu. vì vậy
h
o dòng tải
l
n
h vào vì do

sóng :
a của tín hi
ệ
d
òng chỉ c
h
l


D
Đ
Kết luận
-
-
-
-
đến khi t
ụ
-
-

Thí n
g
h
i


Đ
iện thế DC
V
o
=
8
:
Tụ lọc ra đ
ư
Tụ xả nhan
h
Điện thế ra
Trước khi
đ
ụ
đạt đến đi
ệ
Thời gian x
ả
Độ gợn són
g
i
ệm 3 :

o
mạch như
h
V
I(pk)


r
ên tụ lớn
g
tồn tại tro
n

h
ình vẻ :
= 10V Æ V
V
C2
= 10V
v
ói C1 và R
2
đ
iện thế gợ
n
hóa khi kết
đ
iện thế chỉ
n
bằng khôn
g
ơ
i chậm, m
ộ
hơn thời gi
a
n

(
pk)
= 20V
v
ới tín hiệu
c
đ
ược xả và
c
h
ác từ bộ c
h
g
iảm xuống
á
p
c
hỉnh lưu ra.
c
ung cấp dò
n
h
ỉnh lưu sẽ
đến dải m
V
n
g qua tải.
được nạp l
ạ
V

Điện thế
Với V1
=
Điện thế
* Mạch
g

Đ
ộ gợn r = 2
0
Thay
đ

ả
e
Zener, sự
ổ
x
én (
g
iới h
ạ
Với V1 = 0
đỉnh ra
d
ư
ơ

=
2V
đỉnh ra
d
ư
ơ
g
him :
0
mV(pk-pk
)
L
= 39KΩ
ộ
gợn r = 54

ơ
ng : V
o (pk)

=

ơ
ng : V
o (pk)

=
Với V2 =
Điện thế
đ

)

m
V(pk-pk)
h
ể tạo thành
p
chỉnh lưu
t
tín hiệu xo
a
g
qua điện á
p
a

p
ra nên tín
a
tín hiệu A
C
ổ
n định điệ
n
ộ
ng của mạ
c
o
de Zener. V
o (pk)
= -2.
6
đ
ôi điện áp.
và lọc tín
h
m
một diod
e
hiệu ra một
C
, tần số gợ
n

V
i
ện áp bằng
ụ
nạp.
tổng điện á
p
ủ
a mạch nh
â
diode, hoạt
V
o(pk)
= -0.6
V
2 lần
p
t
r
ên
â
n đôi
động
VV
Đ
Đ

Kết luận
-
-
V
I(pk)
= 5V,
f
+ V1
Đ
iện thế đỉn
h
+ V1
Đ
iện thế đỉn
h
V

ự
f
I
= 1000Hz
= 0V
h
ra âm : V
o
(
= 3V
h
ra
d
ương :
I

= 1000Hz
h
ra
d
ương :
ao gồm 1 di
l
à
m
ột chỉn
h
t
ín hiệu ra (
d

h
lưu bán kỳ,
d
ương hoặc
d
ạng sóng r
a
ự
c vào diode
,
h
xén suy gi
ả

Đặc t
u
h
oạt động a
n
d
e Zener đó
n
V

6V
n
sistor
m
ắc
và mắc son

o
de Zene
r

miền đánh
t
h
ư một diod
e
ở
i 2 mạch x
é
t
lập.
h
RC.

t
hủng.
e
chỉnh lưu.
é
n diode.

-
khi V
Z
đ
ạ
-

n
-
diode Ze
-
theo sự t
h
-
cho khả
n
-
đổi ở tải.

Chủ đề
5

Mụ
c
dụng bằ
n
Exercis
e
Dựa vào đặ
ạ
t tới điểm
đ
Tại V
Z

ner và dòng
Các Diode
h
ay đổi nhỏ
Lượng tăng
n
ăng điều h
ò
Độ ổn định

5
: Tiếp
g
iá
p
c
đích : Xá
c
n
g cách đo t
h
e
2 :
V
E
=
-
V
BE


e
r được sử d
ụ
r sẽ giữ mứ
c
c
ấp và điện
t
tổng trong
m
chảy qua tả
Zener thực
h
của điện áp
lên của dò
n
ò
a tải của b
ộ
của tải the
o
p
của Trans
i
c
định và gi
h
ử các trans
i
-

rở tải.
m
ạch ổn đị
n
i.
h
iện tốt sự
đ
đặt vào khi
n
g tải sẽ đượ
ộ
ổn định đi
ệ
o
phần trăm
đ
i
stor và sự
p
ải thích các
i
stor, và khả
o
c
của diode
Z
ệ
n áp ngược
ở

à
o
sát chuyể
n
Z
ener chỉ rằ
n
tăng rất chậ
m
nối tiếp vớ
i
V
R3
(mV)
94.1
54.6
55
0

u
hòa điện
á
iện áp Zene
r
b
ằng diode
Z
đ
iện áp bởi
v

19.4
15.46
11.5
0
á
p do mức
đ
r
, bất chấp
c
Z
ener là tổ
n
v
ì I
Z
có thể
h
ủng.
a

d
òng Zen
e
đ
ổi điện áp t
r
i
stor PNP.
h

ự
c
ủa Transist
o
g

d
ẫn
ớ
i hạn
e
r hầu
n
của
y
qua
n
g kể
n
ày sẽ
ự
thay
o
r, áp
(
R
Kết luận
-
từ mức
0


Kết luận
+
nguồn c
u
+
+
đạt 0.5V
R
1
= 10KΩ)
V
BE

=
V
CE

=
V
R2

=
=
V
I
C
R
1
=

Điện trở củ
a
Tiếp giáp J
E
n
g chảy tron
g
Khi tiếp gi
á
c
hặn
d
òng c
h
Khi dòng C
o
Khi dòng
I
u
ng cấp
V
ì
m
ức dòng
6
: Đườn
g
t
ả
c

MΩ)
3.48V
==
4
.3
R
V
2
2R
0
.00348mA
=
-0.65V
=
-9.7V
ư
ỡng cực c
ó
l
ớn nhất.
p
J
E
phân c
ự
âm hơn so
v
a
tiếp giáp J
C

ả
i và hệ số
k
g
iải thích v
à
s
istor nên c
á
B
EO
và I
BEO

P
E của trans
i
h
ân cực thu
ậ
phân cực g
i
ΩK

−
K
/V10x
4
8
6

á
ng kể, nên
I
k
hu
y
ếch đại
à
kiểm chứn
á
c dòng điện
i
stor được p
h
ậ
n DC của ti
ế
i
ữa Base và
Ω
K

ệ
c như một
c
base của tr
a
t
er.
v

g các trạng
của transist
h
ân cực thu
ậ
ế
p giáp BE
t
Emittor từ
c
huyển mạc
h
a
nsitor PNP
đ
iện trở Col
l
ạ
ch kín.
B
= 0 gây r
a
n
hư chuyển
m
hòa nên V
C
E
s
tor ở vùng

ạch hở.
E
gần bằng
k
ngắt, V
CE

g
h
au.
ộ
ng và ảnh
h
sử dụng đ
ư
ợ
c phụ thuộ
c
ơ
ng tự như
c
microamp
c
a
y đổi
d
òng
ả
i có mức k
h

m
ittor
ệ
n áp
h
ệ số
h
ế của
á
c
V
BEO
+
nhỏ.
+
1.Quan
h

Từ đồ th
ị
Æ ß = I
C
Kết luận
-
-
-
-

E
xercis


ị
, ta có I
B
=
C
/ I
B
= 80
:
Dòng I
C
lớ
n
Tỷ số dòng
Dòng I
E
= I
C
I
B
= 5%I
E
e
1 : Đườn
g
kiện điện t
h
V
BE


=
k
iện điện th
ế
V
BE

=
V
R9

=
V
R6

=

:
Họ đặc tuy
ế
base là thô
n
Do ß hầu
r
-Emitter k
h
Điểm Q h
a
u

0.031V
ế
n
g
ưng dẫ
n
=
0V
=
10V
0V
0V
ế
vùng tuyế
n
=
0.61V
0.165V
0.008V
ế
n
d
òng Col
l
n
g số.
như không
h
i dòng base
a

m
transistor.
0
.8V,
d
òng
I
m
A, điện áp
t
ính miêu tả
ề
u khiển bởi
s
ố khuyếch
đ
c
h đại.
t
hị
d
òng của
g
tích cực
à
đặc tuyến
t
m
giao chéo
g

ận gần nh
ư
ữ
a
I
B
và I
C
(
I
ỏ

n
sistor.
h
eo điện áp
C
t
or nên đồ
t
tải và I
B
và
v
ới V
BEO
tă
n
ư
không đổi

- Việc xác định đường tải sẽ bị ảnh hưởng theo các thay đổi ở nguồn cung cấp collector
hay trị số của điện trở collector.