BÀI
S

I. T
H
-
-
-
-
-
-

II.
N

CH
Ủ
1
2
T
T
M

ỘI DUNG
:
Ủ
ĐỀ 1: L
À
. Mục đích:
Nhận dạ
n
. Nội dun
g

t
T
hí nghiệm 1
T
hí nghiệm 1
M
ắc mạch n
h
D
ùng máy hi
ể
Ủ
ĐỀ 2: FE
T
. Mục đích:
Khảo
. Nội dun
g


g
hiệm:
.1: Nhận dạ
n
.2: Khảo sá
t
h
ư hình vẽ:
ể
n thị sóng
x
T
CÓ CỔN
G

sát và hiểu
đ
t
hí n
g
hiệm:
g
hiệm 2.1:
Đ
m
ạch như
h
U
YÊN
L

ình vẽ:Đo
I
L
Ý CƠ
L
CIRCUIT.
G
MẠCH.
c
hính và các
ị
nh vị trí củ
a
h
oạt động c
ủ
n
g sóng tại c
ự
I
ÁP – JFE
T
c
tính và ng
u
à
m việc của
I
DS
B

r
.T
ạ
ch FET.
U
JT.
n
g như hình
r
ansistor JF
E
vẽ:
E
T. D
D
I
D
G
G

M
Kết lu
ậ

T
h



Chỉnh V
D
I
DSS
= 8
m
Giảm V
G
S
Giảm V
G
S
ậ
n:
- V
GS
phâ
n
- V
GS

DSS
m
A
ế
n 8Vdc: I
DS
n
0Vdc, tăn
g
ạ
i như h
ì
nh
D
S
=10Vdc.
V
m
A.
S
đến V
GS
=
S
đến V
GS
=
n
cực ngượ
c

từ 0 đ
ế
vẽ: Đo I
DS

k
V
GS
= 0Vdc.
-1Vdc, ta t
h
-10Vdc, dò
n
c
điều khiển
không
d
ùn
g
ự
c đại.

tại 1 giá trị
x
g
của JFET:
t
uyến của J
F
đ

ác định củ
a
vùng thuần
F
ET.

–
V
DS
để xá
c
ò
ng I
DS
tăng
V
GS
.

đ
ến 0mA.
a
V
GS
phân
c
trở, vùng b
ã
c
định đặc t


C
T Dùng
Dùng
Kết n
iển thị đặc t
u
C
hỉnh V

h
D
S
.
n
sát
d
ạng s
ó
V
dc.Quan sá
t
E
N 15V
pk-p
k
=
0Vdc
h
ình vẽ, chỉ
n
ó
ng.
t

d
ạng sóng.
k
tần số f = 1
n


Mắc

D
X
X
T

I

T

I
D
K

Kết luận
Kích ho
ạ
Đ
K
T
D

T
h
Mắc

thí
n
T
hí n
g
hiệm
3
Mục đíc
h

Nội dun
g
mạch như h
ì
D
ùng đồng h
ồ
X
ác định V
G
S
X
ác định V
R
3
T
heo định lu
ậ
I
DS

ự
- Dòng
m
ạ
t CM17 đ
ể
Đ
o V
D
= 13.
0
K
hi không kí
T
a có: V
D
=
V
D
o I
D
, V
DD
k
h
h
í n
g
hiệm 3
.

:
ì
nh vẽ
ồ
đo xác đị
n
S
: V
GS
= -1.
4
3
:
V
R3
= 1.4
5
ậ
t Ohm ta c
ó
3
=1.45/2.7=
0
u
ả I
DS
bằng
=
1.47/2.7=0
ồ

V
DD
– I
D
.R
3
.
h
ông đổi, V
D
.
2: Hoạt độ
n
h
: Đo hệ số
k
g
:
ì
nh vẽ:
ị
nh đặc tuyế
n
0mA tại 1
g
JFET kênh
n
F
ET được tạ
o

g đo V
D
:
V
i
kết quả đo
V
-1.45V=1
3
n
trở nguồn
t
ự
c nguồn V
D
y
tự phân cự
c
g
nguồn xấp
R
3.
17, V
D
= 13
,
.

D
giảm =>

2
:
V
D
=13.40V
d
theo lý thu
y
3
.55V
t
ạo ra điện
á
D
D
= V
D
+ V
R
c
giảm tác đ
xĩ bằng nha
u
,
41 Vdc.
C
M17 kích
h
m
ạch khuếch

u
.
h
oạt làm R
3

g
đại bằng JF
h
khuếch đạ
i
V
DS
và V
GS
.
à
tín hiệu x
o
F
ET.
c
h khuếch đ
ạ
t
hay đổi I
DS
S
g
iảm.


K
B
D

Kết luận
CHỦ Đ
Ề

1. M
ụ
K

2. N
ộ

T

M

Nội dun
g

M
ắ Ề
4: NGUỒ
N
ụ
c đích:
K
háo sát ngu
y
ộ
i dun
g
thí
n
T
hí n
g
hiệm
4
M
ục đích:
Q

g
:
ắ
c mạch nh
ư
Đ

uếch đại c
ủ
N
DÒNG B
y
ên lý hoạt
đ
ng
hiệm:
4
.1: Nguyê
n
Q
uan sát và
đ
ư
hình vẽ:
h
eo chiều ki
m
u
chỉnh GE
N
ệ
n sóng xác
,
44 V.
i
ảm từ 2,7K
=

c
m
đồng hồ l
à
N
100mV
pk-
p
định dạng
s
=
> 2.1K.V
p
k
p
ha nhau.
ảm
tác động
hiệu đầu ra
không có h
ồ
L
.g
m
.
T
.
ạ
ch nguồn
d

F
n

d
òng hằn
g
ồ
n
d
òng hằ
n
c
h R
2
mạch
ự
c D => só
n
n
0.34V.
hệ số khuếc
h
v
ới tín hiệu
đ
m
số của R
L

v

SS
:

Đ
Kết luận

-
vùng bã
o
-
-
với nhau
-
mạch vớ
i

Thí
n

M

N Mắc m
ạ


CHỦ Đ
Ề

1. M
ụ

Đ
iều chỉnh
R

:
Một JFET
o
hòa
Giá trị của
n
Nguồn dòn
g

Giá trị lớn
n
i
nhau
ng
hiệm 4.2:
M
ục đích:
X
N
ội dung:

Đ
iều chỉnh
R
V
DS
=
9
C
ông suất tiê
u
P=I
D
S
:
Điện áp cu
n
Sự phân bố
Công suất t
i
Ề
5: MOSF
E
ụ
c đích:
I
DSS
=14.
3
R
2

S
n
h
v
ẽ:
R
2
đo V
R1

1
.412Vdc
ơ
i trên D&S
1
3.44Vdc
u
tán trên J
F
S
S
.V
DS
=14.3
m
R
2
để tổng tr
ở
9

cấp một
d
ò
không đổi
k
F
ET có thể
d
u
ồn
d
òng kh
ô
ố
côn
g
suất
p
hân bố điệ
n
g
hiệm 4.1)
im đồng hồ
S
S
=14.3mA
của Q
1
:
F

D
ò
ng không
đ
k
hi thay đổi
g
d
ùng trong p
h
ô
ng đổi xảy
và điện áp
n
áp và công
làm ngắn m
n
trở là 100
Ω
d
c=192.2m
W
00Ω .Đo V
D
n
trở là 400
Ω
c
=131.85m
W

W

D
S
:
Ω
được tính
t
W

n
h phần củ
a
tải phụ thu
ộ
ă
ng khi điện
t
động tron
g
rở

ự
c cổng và
n
ổng và cực
n
u
ồn
d

h
ức :
h
ức :
n
g không đổ
i
ị
của điện tr
ở
.
hoặc
m
ạch
ngắn
I
DSS
:
i
mắc
ở
tải.

2. T
r

Thí
n

Mục

Kết luận

-
độ nghè
o
-
hoặc âm
,
-
kênh.
-
kênh.
-

Thí n
g
h
i

M
kênh N.

Khảo sát
h
r
ình tự thí
n
ng
hiệm 5.1:
đích: Xác

đến +
:
Đối với M
O
o
kênh, điện
MOSFET
k
,
và không t
ạ
Điện áp G
d
Điện áp G
I
DSmax
khôn
g
i
ệm 5.2: Bộ
M
ục đích:
X
h
oạt động
D
ng
hiệm:
Các chế độ
đ

c
k
ênh N kiểu
ạ
o nên dòng
d
ương làm
t
âm làm gi
ả
g
xuất hiện
t
khuếch đại
đ
X
ác định cá
c
D
C và AC c
ủ
hoạt động
c
ở
ng của sự
p
ụ
ng.
n
h GEN 10

D
ả
m
d
òng I
D
S
t
ại V
GS
= 0
V
đ
iện áp bằn
g
c
đặc tính h
o
ủ
a MOSFET
c
ủa MOSFE
T
p
hân cực ở
c
V
pk-pk
, 100H
z

o
ạt động củ
a
.
T
.
c
ác chế độ
h
z
.
n
ối
R
1

h
ình vẽ:
đ
iện áp phâ
n
h
có thể hoạ
t
M
OSFET kê
n
M
OSFET kê
n

ng cường/
n
ă
ng cường/
n
p
bằng MO
S
bằng
ở
chế
d
ương
n
ghèo
n
ghèo
S
FET
N
ộ

Mắc mạ
c

đ
ộ
i dun
g
:
c
h như hình
M
ắc đồng hồ
D
ùng máy hi
ệ
X
ác định dạ
n
ơ
n tín hiệu
đ
M
ắc thêm C
4

c
hỉnh GEN
2
c
ực D qua k
ê
v
ới R
6
, biên
n
gược pha s
o
:

đ
iều chỉnh R
1
2
00mV
pk-pk
,
ê
nh 2 của
m
độ tín hiệu
đ
o
với tín hi
ệ

C
Đ
Đ
sau đó c
.

Kết luận

-
-
-
-
-
CHỦ Đ
Ề
1.
M
K
dụng

2. T
r

Th
í

M
ụ
hết
Đ
iều chỉnh
G
Đ
iều chỉnh
R
ùng chiều k
i
Ta thấy biê
n
:
Trong chế
đ
Trong bộ k
h
Dùng tụ nố
i
MOSFET l
à
Trong MO
S
Ề
6: TRAN
S
M
ục đích:
K
hảo sát ng
u

mạch như h
ì
sang chiều
k
G
EN 200mV
p
R
1
ngược chi
ề
i
m đồng hồ
đ
n
độ sóng ra
đ
ộ phân cực
b
h
uếch đại S
c
i
song song
v
à
thiết bị điề
u
S
FET cổng

-pk
, 1000H
z
ề
u kim đồng
đ
ể thay đổi
V
tại D thay
đ
b
ình thườn
g
c
hung, tín h
i
v
ới R
S
làm t
ă
u
khiển bằn
g
đ
ôi cả 2 cổn
g
Ơ
N NỐI -
U

c
ă
ng hệ số k
h
g
điện áp.
g
đều điều k
h
U
JT.
ạ
ch dao độ
n
ệ
c của UJT.
việc của U
J
n
h điện trở
g
5,87K, suy
ET, V
D
xấp
c
pha tín hiệ
u
h
uếch đại.

,
B
2
- B
1
, E
-
g
iống như
m
ạ
ch thí nghi
ệ
-
B
1
, E-B
2
ta
m
ột điện trở;
ệ
m sử
được
EB
1
, Đ


N
X
T
K
C
2
tăng.
B
dương, c
N
trên B
2

n

Kết luận

-
-
-
-
Đ
o V
C1
, ta đ
ư
V
J
=

Khảo
ộ
i dun
g
:
m
ạch như hì
n
N
ối kênh 1 c
ủ
X
ác định ch
u
T
ính f theo c
ô
K
hi kích hoạ
t
B
ỏ kích hoạt
ó tần số bằ
n
N
ối kênh 1
v
n
gược pha n
h

xuất hiện
g
ế
p giáp giữa
h
Emitter c
ó
V
D
.
à
m việc của
ấ
y đặc tuyế
n
2
: Mạch tạo
sát hoạt độ
n
n
h vẽ:
ủ
a máy hiện
u
kỳ của són
g
ô
ng thức: f
=
t

định dạng
s
n
g để kiểm t
r
g
iống như 1
g
PN giữa E
v
ó
quan hệ v
ớ
UJT có 3 v
ù
n
điện trở â
m
dao độn
g

b
n
g của mạch
sóng tại cự
c
g
: T =1,1ms
=
1/(

r
a UJT.
g
iá t
r
ị điện t
r
v
à B.
ớ
i tỉ số dừng
ù
ng: vùng n
g
m
khi dẫn.
b
ằn
g
UJT.
dao động tí
c
c
E, sóng có
=> f = 1/T
= 1/(10.10
3
.
r
ị của C

.
0,1.10
-6
) =
1
n
số của tín
h
n
g đến cực
B
ên B
2
là xu
n
và xung â
m
ụ
.
d
òng I
E
đỉn
h
ệ
n trở âm v
à
n
g UJT.
c

ên
B
ạ
i giá
òa.
6
làm
xung
B
1
và
- Tần số hoạt động của mạch phụ thuộc vào tụ định thời, điện trở nạp (R
1
) và điện trở mở
rộng tại B1.
- Tiếp giáp làm xả tụ qua B1 và điện trở tại B1.
- Điện trở mở rộng tại B1 cần để tạo xung tại B1.