TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP
TP HỒ CHÍ MINH
KHOA CÔNG NGHỆ ĐIỆN
MÔN ĐIỆN TỬ CƠ BẢN
Giáo viên hướng dẫn : Lê Ngọc Tuân
Nhóm thực hiện thuyết trình :
Nhóm J-Fet
Danh sách thành viên nhóm
HỌ VÀ TÊN MSV
LÊ MINH DŨNG
NGUYỄN ĐỨC THIỆN
HOÀNG VĂN THÀNH
NGUYỄN HÙNG THANH
NGUYỄN QUYẾT THẮNG
ĐINH PHẠM PHƯƠNG THÀNH
3
CHỦ ĐỀ : TÌM HIỂU VỀ JFET
Một số loại J-FET
FET
JFET
MOSFET
N P
DE-MOSFET E-MOSFET
N P N P
SƠ LƯỢC VỀ FET
Transistor hiệu ứng trường FET (Field
Effect Transistor) là một dạng linh kiện bán
dẫn ứng dụng hiệu ứng điện trở suất của bán
dẫn được điều khiển bằng điện trường, đây là
một loại cấu kiện được điều khiển bằng điện áp
5

Giống nhau:
–
Sử dụng làm bộ khuếch đại.
–
làm thiết bị đóng ngắt bán dẫn.
–
Thích ứng với những mạch trở kháng.
•
Một số sự khác nhau:
–
BJT phân cực bằng dòng, còn FET phân cực bằng điện áp.
–
BJT có hệ số khuếch đại cao, FET có trở kháng vào lớn.
–
FET ít nhạy cảm với nhiệt độ, nên thường được sử dụng
trong các IC tích hợp.
–
Trạng thái ngắt của FET tốt hơn so với BJT
9
Sơ lược về JFET
Transistor hiệu ứng trường cổng tiếp giáp, gọi
tắt là JFET ( Junction Field-Effect Transistor) là
một kiểu khác của transistor hiệu ứng trường có
thể tạo thành mà không cần phải có lớp axit cách
li với cực cổng bằng cách sử dụng các tiếp giáp
p-n.
Nguyên tắc làm việc của dụng cụ là được điều
khiển bằng điện trường

10


c
ó

t
h
ể

đ
ổ
i

c
h
ỗ

c
h
o

n
h
a
u
Hình 3
Cấu trúc JFET kênh N
như hình 3. Các cực D, G, S
đều lấy ra từ trên bề mặt
của phiến bán dẫn. Các
vùng N+ để tạo tiếp xúc

JFET kênh N
khi chưa phân cực
Khi các cực để hở,
JFET chưa hoạt
động, Hàng rào điện
áp ( miền nghèo)
được hình thành giữa
các lớp bán dẫn N-P.
Hàng rào điện áp mở
rộng phía D ( kênh dẫn bị
thu hẹp)
15
JFET kênh N khi đặt điện áp vào
D và S, chân G không kết nối
Xuất hiện dòng
ID chạy từ D
sang S
Dòng điện mạnh dần
theo sự gia tăng điện áp
VDS.
Hàng rào điện áp giữa
2 lớp bán dẫn P-N được
mở rộng về phía D, tức
kênh dẫn thu hẹp về phía
D.
Tới VDS xác định thì
JFET ở trạng thái bão
hòa.
16
JFET kênh N khi phân

khi VDS >0:
VGS = 0, JFET hoạt động bảo hòa,ID=Max
VGS < 0, JFET hoạt động tuyến tính, ID↓
VGS =-Vngắt, JFET ngưng hoạt động, ID=0
PHÂN CỰC CHO JFET
Ở FET, sự liên hệ giữa ngõ vào và ngõ ra không
tuyến tính như ở BJT. Một sự khác biệt nữa là ở BJT
người ta dùng sự biến thiên của dòng điện ngõ vào
(IB) làm công việc điều khiển, còn ở FET, việc điều
khiển là sự biến thiên của điện thế ngõ vào VGS.
Các phương trình liên hệ dùng để phân giải mạch là:
-) IG = 0 A (dòng điện cực cổng)
-) ID = IS (dòng điện cực phát = dòng điện cực
nguồn).
-) Phương trình schockley:
Với IDSS = IDmax = (VDD / RD)


Phân cực cố định.
Trong cách phân cực
này nguồn điện VGG được
đặt vào cực cửa và mạch
được gọi là phân cực cố
định vì có VGS = -VGG có
giá trị cố định. Như vậy,
muốn xác định điểm làm
việc Q thích hợp ta phải
dùng 2 nguồn cung cấp.
Đây là điều bất lợi của
phương pháp phân cực này.

⇒ RG IG = 0 VGS = ⇒
-VGG
Thay VGS=-VGG vào công thức
schockley ta được:
Từ mạch ngõ vào

Ta cũng có thể xác định được ID từ đặc
tuyến truyền. Ðiểm điều hành Q chính là
giao điểm của đặc tuyến truyền với đường
phân cực.
V
G
S
=
-
V
G
G
Đ
ặ
c

t
u
y
ế
n

t
r

RG
VGG
G
+ VDD
U ra
U vào
C1
ID
S
D
C2
RD
0

Phân áp tự cấp (còn gọi là
tự phân cực)
•
Ðây là dạng phân cực thông dụng
nhất cho JFET. Trong kiểu phân
cực này ta chỉ dùng một nguồn
điện một chiều VDD và có thêm
một điện trở RS mắc ở cực nguồn
, trong cách phân cực này thì điện
áp VGS = - ID.RS
Phân cực tự cấp cho JFET
kênh loại N
+ Vdd
U vào
0
C3