97

tầng thì tải của tầng trước chính là mạch vào của tầng sau có điện trở vào R
v
đủ lớn.
Trong những trường hợp như vậy thì tải xoay chiều của tầng xác định chủ yếu bằng
điện trở R
D
(được chọn tối thiểu cũng nhỏ hơn R
V
một bậc nữa). Chính vì vậy đối với
tầng tiền khuếch đại thì độ dốc của đường tải xoay chiều (đường c-d) không khác lắm
so với đường tải một chiều và trong nhiều trường hợp người ta coi chúng là ở chế độ
tĩnh có :
U
DSO
= E
D
– I
DO
(R
D
+ R
S
) (2-160)
trong đó I
DO
là dòng máng tĩnh. U
DSO
là điện áp cực máng - nguồn tĩnh.
Điện áp U

DO
(2-161)
Điện trở R
G
để dẫn điện áp U
GSO
lấy trên R
S
lên cực cửa của FET. Điện trở R
G
phải
chọn nhỏ hơn điện trở vào vài bậc nữa. Điều này rất cần thiết để loại trừ ảnh hưởng
của tính không ổn định theo nhiệt độ và tính tản mạn của các tham số mạch vào đến
điện trở vào của tầng. Trị số R
S
thường chọn từ 1 ¸ 5MW.
Ngoài việc đảm bảo điện áp yêu cầu U
GSO
, điện trở R
S
còn tạo ra hồi tiếp âm dòng
1 chiều trong tầng, ngăn cản sự thay đổi dòng I
DO
do tác dụng của nhiệt độ và tính tản
mạn của tham số tranzito và vì thế ổn định chế độ tĩnh của tầng. Để tăng tính ổn định
thì cần tăng R
S
nhưng phải đảm bào giá trị U
GSO
.Trong trường hợp này phải bù điện

D
= U
DSO
+ U
SO
+ I
DO
.R
D
(2-164)
Trị số R
D
có ảnh hưởng đến đặc tính tần số của tầng, nớ được tính theo tần số trên
của đại tần. Với quan điểm mở rộng dải tần thì phải giảm R
D
. Sau khi đã chọn điện trở
trong của tranzito r
i
, thì ta có thể chọn R
D
= (0,05 ¸ 0,15)r
i

Việc chọn điện áp U
SO
cũng theo những điều kiện giống như điện áp U
EO
trong tầng
EC, nghĩa là tăng điện áp U
SO

GSO
= 0, hoặc là thay đổi dấu
trước điện áp U
GSO
. Chế độ U
GSO
> 0 là chế độ điển hình cho MOSFET có kênh cảm
ứng loại n. Vì thế nếu thực hiện việc đổi dấu trước U
GSO
trong công thức (2-162), (2-
163) có thể dùng chúng để tính mạch thiên áp của tầng nguồn chung.
Chọn loại FET phải chú ý đến các tham số tương tự như trong tầng EC. Phải tính
đến dòng máng cực đại I
Dmax
, điện áp cực đại U
DSmax
và Công suất tiêu tán cực đại
trong tranzito P
Dmax
(h.271), và U
Dsmax
.
Giống như sơ đồ EC dùng tranzito lưỡng cực, tầng nguồn chung cũng làm đảo pha
tín hiệu khuếch đại. Ví dụ đặt vào đầu vào nửa chu kì điện áp dương (h. 2.71) sẽ làm
tăng dòng máng và giảm điện áp máng ; ở đầu ra sẽ nhận được nửa chu kì điện áp
cực tính âm.
Dưới đây ta sẽ phân tích tầng khuếch đại về mặt xoay chiều.
Sơ đồ thay thế tầng SC vẽ trên hình 2.72a có tính đến điện dung giữa các điện cực
của tranzito [6,8].
Sơ đồ thay thế dựa trên cơ sở sử dụng nguồn dòng ở mạch ra. Điện trở R

~ti
v
~tiv
V
t
u
//RrS
U
//RrSU
U
U
K ===
(2-166)
hay là
~ti
~ti
u
Rr
.RSr
K
+
=
(2-167)
Tích số S.r
i
gọi là hệ số khuếch đại tĩnh m của FET. Thay m = Sr
i
vào (2.167) ta có :
~ti
~t

D
(2-169)
Điện trở vào của tầng SC là: R
v
= R
1
// R
G
(2-170)
Điện trở ra của tầng SC là: R
r
= R
D
// r
i
» R
D
(2-171)
Khi chuyển sang miền tấn số cao thì phải chú ý đến điện dung vào và ra của tầng,
nghĩa là cần chú ý đến điện dung giữa các điện cực C
GS
, C
GD
của tranzito (h.2.72a),
cũng như điện dung lắp ráp mạch vào C
L
(điện dung của linh kiện và dây dẫn mạch
vào đối với cực âm của nguồn cung cấp).

Hình .2.72: Sơ đồ thay thế tầng SC

UK1UU +=+
Dòng điện vào điện dung của tầng
()
v
.
L
.
V
.
uGD
.
v
.
GS

cv
.
U.wCJU.K1wCJU.CwJI +++=

hay là
()
[]
v
.
vLGDUGS
v
.
VC
.
U.JwCCCK1CUJwI =+++»

(2-174)
e. Khuếch đại cực máng chung DC (lặp lại cực nguồn)
Hình 2.73a là sơ đồ DC dùng FET có kênh đặt sẵn. Điện trở R
1
, R
G
cùng với R
s
dùng
để xác định chế độ làm việc tĩnh của tranzito.

Hình 273 : Sơ đồ DC dùng FET có kênh đặt sẵn
Việc chọn và đàm bào chế độ tĩnh được tiến hành tương tự như tầng SC. Tải một
chiều của tầng là R
S
còn tải xoay chiều là R
t~
= R
S
//R
t
Đối với tầng DC thì điện áp tải trùng pha với điện áp vào
U
t
= U
v
– U
GS
(2-175)
Theo sơ đồ thay thế thì U

.
t
.
U
//RτS1
//RτS
U
U
K
+
== (2-177)
vì r
i
>> R
t~
nên
~t
~t
U
Sh1
SΡ
Κ
+
=
(2-178)
Hệ số khuếch đại K
u
phụ thuộc vào độ hỗ đẫn S của tranzito và tải xoay chiều của
tầng. Hệ số khuếch đại sẽ tiến tới 1 khi tăng S và R
t

,
ta có
()
~ti
~t
vt
Rμ1r
R
.U
μ1
μ
U
+++
= (2-180)
Dựa vào (2-180) ta vẽ được sơ đồ thay thế của tầng (h.2.73b). Ở mạch ra của sơ đồ
thay thế có nguồn điện áp tương đương
V
.U
μ1
μ
+

với điện trở tương đương ri/(1 + m). Mạch vào của sơ đồ thay thế (h.2.73b) gồm 3
phần tử giống nhau như sơ đồ thay thế SC.
Dựa vào sơ đồ hình 2.73b xác định được điện trở ra của tầng DC.
S
1
μ1
1
//RR

1
được xác định bằng điện áp vào U
v
. Thành phần dòng điện
điện dung C
GS
phụ thuộc vào điện áp.
Ů
GS
= Ů
v
– U
t
=(1 – K
u
)Ů
v

Dòng vào tổng là
I
cv
= jwU
v
[C
GD
+ C
GS
( 1-K
u
) + C

hệ số khuếch đại của mỗi tầng (tính theo đơn vị số lần) hay bằng tổng của chúng (tính
theo đơn vị dB)
uNu2u1
vN
rN
v2
r2
n
rl
n
t
u
K.KK
U
U

U
U
.
E
U
E
U
K ===

K
u
(dB) = K
u1
(dB)+…+K

trường hợp cẩn thiết phải chú ý đến đặc tính của tranzito và ảnh hưởng của tụ ở biên
tần của tín hiệu cần khuếch đại, điều này sẽ làm cho điện áp đầu ra bộ khuếch đại
thay đổi cả biên độ lẫn pha khí tần số tín hiệu vào thay đổi. Ở miền tần số thấp, khi tải
thuần trở thì những sự phụ thuộc kể trên là do tụ điện trong sơ đồ quyết định, còn ở
miền tần số cao thì chủ yếu là do các tham số của tranzito quyết định. Trong thực tế,
thường người ta có thể nghiên cứu ảnh hưởng của các yếu tố trên một cách độc lập ở
hai miền tần số thấp và cao.
Dưới đây ta xét đặc điểm công tác của bộ khuếch đại ở miền tần thấp.
Trong 2.3.2. khi tính hệ số khuếch đại của tầng đơn đã giả thiết điện trở xoay
chiều của tụ bằng không. Những giả thiết như vậy chỉ đúng ở dải tần trung bình. Khi
tần số giảm thì độ đẫn điện của tụ ghép tầng C
p
sẽ giảm. Do đó hạ áp trên tụ nên điện
áp từ nguồn tín hiệu đặt vào tầng đầu tiên hay điện áp ra tầng trước đặt vào tầng sau
sẽ bị giảm. Hạ áp ở trên tụ sẽ làm giảm biên độ tín hiệu ở đầu ra mỗi tầng và của cả
bộ khuếch đại nói chung tức là làm giảm hệ số khuếch đạiở miền tần thấp (h.2.76a).
Anh hưởng của tụ C
p
thể hiện rất rõ ràng trong bộ khuếch đại ghép điện dung ở
chỗ hệ số khuếch đại K
u
®0 khi khi f ® 0. Như vậy là trị số của tụ C
p
có ảnh hưởng
đến hệ số khuếch đại ở miền tần thấp.
Tụ điện C
E
cũng ảnh hưởng đến hệ số khuếch đại ở miền tần thấp. Vì khi giảm
tần số sẽ làm giảm tác dụng mắc rẽ của tụ đối với điện trở R
E

1M
÷
÷
ø
ö
ç
ç
è
æ
+=
(2-185)
105
Hình 276: Dạng tồng quát đặc tuyến biên độ tần số của bộ khuếch đại ghép điện dung
Đối với tụ Cp (h.2.75) thì hằng số thời gian t = C
PL
(R
n
+ R
v1
) trong đó R
v1
là điện trở
vào của tầng đầu tiên. Tương tự như vậy, ta xác định được hằng số thời gian cho
những tụ khác trong sơ đồ.
Tần số thấp nhất của dải thông sẽ được chọn làm số liệu ban đầu khi tính bộ
khuếch đại ở miền tần thấp. Hệ số méo tần số ứng với tần số thấp nhất của dải thông
có giá trị tùy thuộc vào nhiệm vụ của bộ khuếch đại, ví dụ đối với bộ khuếch đại âm Hình 2.77: ảnh hưởng của tụ nối tầng đến đặc tuyến
a) Biên độ - tần số b) Pha – tần số
Đặc điểm công tác của bộ khuếch đại ở miền tần cao là sự phụ thuộc hệ số b của
tranzito vào tần số và sự tồn tại điện dung mặt ghép colectơ C
C
(E) (đối với tầng EC)
những nhân tố này ảnh hưởng đến đặc tuyến tần số của bộ khuếch đại ở miền tần
cao. Ở miền tần cao, sự giảm môđun hệ số là của tranzito cũng như tác dụng mắc rẽ
của điện dung C
C
(E) sẽ làm giảm hệ số khuếch đại. Xét về mức độ giảm hệ số b
người ta đưa ra khái niệm về tần số giới hạn fb tức là tại đó hệ số b bị giảm 2 lần so
với giá trị b
o
ở tần số trung bình.
Hệ số méo ở tần cao
()
2
CC
ωτ1M += (2-187)
ở đây : t
C
ác là hằng số thời gian tương đương của tầng ở miền tần cao.
Góc dịch pha do một tầng khuếch đại gây ra là
cc
arctgωr

c1
. M
c2
…M
cn
(2-189)
Hình 2.78: ảnh hưởng tính chất tần số của tranzito đến đặc tuyến
a) Biên độ - tần số; b) Pha – tần số
Còn góc dịch pha cũng bằng tầng góc dịch pha của mỗi tầng
cnc2c1c

j
j
j
j
+
+
+

f
φ
c

-
p
/2
-
p
/4
a)
b)
108

Từ đồ thị ta thấy ở đoạn 1-3 quan hệ điện áp ra và vào là tỉ lệ thuận. Đặc tuyến
biên độ không đi qua gốc tọa độ vì ở đầu ra có điện áp nhiễu và ồn của bản thân bộ
khuếch đại. Đoạn dưới điểm 1 của đặc tuyến không dùng vì ở đây tín hiệu có ích rất
khó phân biệt với điện áp nhiễu và ồn bản thân của bộ khuếch đại. Dựa vào trị số
U
min
/K
o
người ta đánh giá mức điện áp tín hiệu vào tối thiểu (độ nhạy) của bộ khuếch
đại.
Khi đã đạt được giá trị tín hiệu vào E
m
nào đó, ứng với điểm 3, thì sự phụ thuộc tỉ lệ
giữa điện áp ra và vào bị phá vỡ. Nguyên nhân là sự hạn chế điện áp cực đại của một
hoặc cả hai nửa chu kì tín hiệu vào ở một mức không đổi. Sự hạn chế này thường ở
tầng cuối bộ khuếch đại làm việc với tín hiệu vào lớn nhất. Muốn có biên độ điện áp ra

Điều đó cho phép dùng nguồn điện áp thấp, ngoài ra tầng ghép biến áp dễ dàng thực
hiện phối hợp trở kháng và thay đối cực tính của điện áp tín hiệu trên các cuộn dây.
Tuy nhiên nó có nhược điểm là đặc tuyến tần số không bằng phẳng trong dải tần.
Trong chế độ phối hợp trở kháng giữa các tầng thì tải xoay chiều của tầng được
tính theo :
109

R
’
t
= R
r1
(2-191)
có tính thuần trở (đường chấm chấm trên hình 2.80a) trong khi đó cảm kháng của
cuộn sơ cấp ở tần số tín hiệu là wL
1
>>R
’
t
(ở đây L
1
là điện cảm cuộn sơ cấp).
Méo tần số trong bộ khuếch đại ghép biến áp và do cuộn dây biến áp các tụ C
p1

C
p2
, C
E
, C

= R
’
t
+ r
1
+ r
2
(2-192)
Ở miền tần số thấp cảm kháng của L
1
bị giảm sẽ gây tác dụng mắc rẽ đáng kể
với R
’
t
và làm cho hệ số khuếch đại giảm. Ngoài ra dung kháng của C
CE
và C
’
2
lớn hơn
và cảm kháng của L
s1
và L
’
s2
nhỏ hơn so với trị số tương ứng của chúng ở miền tần
|K|

f
K

+ r
1
)(r'
2
+ R'
t
)/(R
r1
+ r
1
+ r'
2
+ R'
t
)]

Hình 2.81 : Sơ đồ tương đương của tầng khuếch đại ghép biến áp
a) tần số trung bình; b) tần thấp ; c) tần cao.
Ở miền tần cao điện cảm dò tăng, nên điện áp tín hiệu đưa ra tải R'
t
bị giảm. Ngoài
ra tần cao sẽ làm giảm đáng kể dung kháng của C
CE
và C'
2
do đó làm giảm điện áp
xoay chiều trên eolectơ T
1
và R'
t

2

quyết định, làm đặc tuyến vồng lên.
2.3.5. Khuếch đại công suất
Tầng khuếch đại công suất là tầng cuối cùng mắc với tải ngoài và để nhận được
công suất tối ưu theo yêu cầu trên tải cần phải đặc biệt chú ý đến chỉ tiêu năng lượng.
Tầng khuếch đại công suất có thể dùng tranzito lưỡng cực hoặc IC khuếch đại
công suất. Theo cách mắc tải, người ta chia thành tầng khuếch đại có biến áp ra và
tầng khuếch đại không biến áp ra.
Ba chế độ làm việc thường dùng trong tầng khuếch đại công suất là : chế độ A, chế
độ B và chế độ AB (xem 2.3.1). Hình 2.82 dùng để minh họa đặc điểm của các chế độ
bằng ví dụ trên đặc tuyến ra của tranzito theo sơ đồ EC.
Chế độ A được dùng trong tầng khuếch đại công suất đơn, đảm bảo : tín hiệu ra
méo ít nhất nhưng hiệu suất nhỏ nhất khoảng 20%, và công suất ở tải không vượt quá
vài W
Trong chế độ B điểm làm việc tĩnh chọn ở điểm mút phải đường tài một chiều. Chế
độ tĩnh tương ứng với điện áp U
BE
= 0. Khi có tín hiệu vào, dòng colectơ chỉ xuất hiện
ứng với nửa chu kì, còn nửa chu kì sau tranzito ở chế độ khóa. Khi đó hiệu suất năng
111

lượng của tầng ra cao (60 ¸ 70%) và có khả năng cho 1 công suất ra tải lớn, tuy nhiên
méo g với chế độ này lớn cần khắc phục bằng cách mắc tranzito thích hợp.
Chế độ AB là trung gian giữa chế độ A và B đạt được bằng cách địch chuyển điếm
tĩnh lên phía trên điểm B (h.2.82). Méo không đường thảng sẽ giảm khác nhiễu so với
chế độ B.

=
0

I
B0I
Bmax

E
C

U
CE
V
I
C
mA
P
A
·

·

·

I
C


1
/W
2
là hệ số biến áp, với W
1
, W
2
là số vòng dây, còn r
1
, r
2
là điện
trở thuần tương ứng của cuộn sơ và thứ cấp biến áp.
Để chọn tọa độ của điểm tinh U
CEO
, I
Co
theo công thức (2-119), (2-120) thì cần phải
xác định trị số U
cm
I
cm
.
Các tham số đó có thể tìm như sau : Công suất xoay chiều ra P
r
trên cuộn sơ cấp
biến áp (công suất trong mạch colectơ của tranzito) và công suất đưa ra tải P
t
có quan
hệ :

max

E
C

U
CE
V
I
C
mA
P

P
c.cp
O
·

·

·

U
C

I
C0

I
c

.P2P
U
n ==
(2-196)
Chọn điện áp U
cm
theo trị số U
CEo
(2-119) sao cho đối với tầng này U
CEo
gần bằng
E
c
(h.2.82). Trị số U
cm
và hệ số biến áp n có thể dùng đường tải một chiều hay là theo
(2-120), trong đó I
cm
= U
cm
/(n
2
R
t
).
Sau khi tìm được điểm tĩnh, thì qua nó ta kẻ đường tải xoay chiều nghiêng một góc
xác định bằng DU
CE
/ DI
C

CO
.I
CO
(2-199)
Theo đồ thị hình 2.84 thấy tích số U
cm
I
cm
/2 là công suất ra của tầng P
r
, chính là diện
tích tam giác công suất PQR.
Theo giá trị I
co
tìm được, xác định I
Bo
, sau đó theo công thức (2-129), (2-130) tính
Rl, R2.
Hiệu suất của tầng xác định bởi :
abc -
=
h
h
h
. ở đây
c
h
là hiệu suất mạch colectơ.
Công suất ra của tầng
P

bằng 0,5 khi
I
cm
= I
co
; U
cm
= U
CEo

Công suất tiêu hao trên mặt ghép colectơ
cmcmCoCEoroc
.IU
2
1
.IUPPP -=-= (2-203)
Từ (2-203) ta thấy công suất P
c
phụ thuộc vào miền tín hiệu ra, khi không có tín
hiệu thì P
c
= P
o
, nên chế độ nhiệt của tranzito phải tính theo công suất Po.
114

b- Tầng khuếch đại công suất đầy kéo chế độ B hay AB có biến áp
Sơ đồ tầng khuếch đại công suất đầy kéo có biến áp ra vẽ trên hình 2.85, gồm hai
tranzito T
1

U
v
của biến áp BA
1
được mắc vào mạch colectơ của tầng trước theo sơ đồ khuếch
đại đơn ghép biến áp (h.2.83). Tầng đẩy kéo có thể làm việc ở chế độ B hay AB.
Trong chế độ AB thiên áp trên bazơ của hai tranzito được lấy từ nguồn Ec bằng bộ
phân áp R
1
, R
2
. Trong chế độ B thiên áp ban đầu không có, nên không cần R
1
. Khi đó
điện trở R2 được dùng để đảm bảo công tác cho mạch vào của tránzito trong chế độ
gần với chế độ nguồn dòng.
Đầu tiên hãy xét sơ đồ khi nó làm việc ở chế độ B. Lúc không có tín hiệu vào điện
áp trên bazơ của cả hai tranzito đối với emitơ của chúng đều bằng không. Nếu không
tính đến dòng điện ngược colectơ thì có thể coi dòng điện trong tầng khuếch đại bằng
không. Điện áp ở trên tảii cũng bằng không. Trên colectơ mỗi tranzito sẽ có điện áp
một chiều bằng điện áp nguồn Ec.
Khi có tín hiệu vào, bắt đầu từ nửa chu kì đương, lúc đó trên cuộn thứ cấp W
11
của
biến áp BA
1
sê có nửa chu kì điện áp ầm đối với điểm chung của các cuộn dây, còn
trên cuộn W
12
sẽ có nửa chu kì điện áp dương. Kết quả là tranzito T

2
.

Hình 2.85:Tầng đẩy kéo ghép biến áp

115 Hình 2.86: Đồ thị tính tầng công suất
Khi tín hiệu vào chuyển sang nửa chu kỳ âm, cực tính của điện áp ở các cuộn thứ
cấp biến ập vào đổi dấu. Lúc đó T
1
khóa, T
2
mở. Trên cuộn W

= 0
dòng colectơ xác định chủ yếu bằng dòng điện ngược của nó. Đường tải xoay chiều
cắt đường tải một chiều tại điểm có tọa độ (I
co
, U
CE
= E
c
). Đường tải xoay chiều được
vẽ với R
t~
=
t
Rn .
2
2
cho xác định các quan hệ đặc trưng cho chỉ tiêu năng lượng của
tầng công suất. Tín hiệu ở cuộn sơ cấp biến áp ra xác định bằng diện tích tam giác
gạch chéo (h.2.86).
P
r
= U
cm
.I
cm
/2 (2-204)
Công suất đưa ra tải có tính đến .công suất tổn hao trong biến áp
rb.a2t
.PηP
=

0
=
(2-207)
Hiệu suất của mạch colectơ

E
U
.
4
π
P
P
η
cm
t
r
c
==
(2-208)
và hiệu suất của tầng
c
cm
a2b
E
U
.
4
π
.ηη
-

roc
.IU
2
1
π
.I2E
PPP -=-= (2-209)
hay

~t
2
cm
~t
cmc
c
R
U
.
2
1
R
U
.
π
2E
P -= (2-210)
Theo (2-210) thì công suất P
c
phụ thuộc và biên độ tín hiệu ra U
cm

cm
0.64E
π
E
2U == (2-211)
Thay (2-211) vào (2-210) ta tìm được công suất tiêu hao cực đại trong tranzito
t
2
c
2
2
2
cmax
R
E
.
.nπ
2
P = (2-212)
Việc chọn tranzitơ theo điện áp cần phải chú ý là khi hình thành 1/2 sóng điện áp
trên 1/2 cuộn W
2
thì ở 1/2 cuộn W
2
còn lại cũng sẽ hình thành một điện áp như vậy và
được cộng với điện áp nguồn Ec để xác định điện áp ngược cho tranzito khóa. Trị số
117

điện áp ngược đặt trên tranzito khi đó là 2E
c
Hình 2.88: Giảm méo không đường thẳng trong chế độ AB
Tuy nhiên ở chế độ B, vì thiên áp ban đầu bằng không nên méo không đường
thẳng của điện áp ra lớn. Nguyên nhân là tính không đường thẳng ở đoạn đầu của
đặc tuyến vào tranzito khi dòng bazơ nhỏ, đó là hiện tượng méo gốc và được vẽ trên
I
B

t
T
1

T
2

U
BE

I
B

t
T
1

T
2

U

, R
2
(h.2.85). Đặc tuyến vào, của hai tranzito có chú ý đến thiên áp U
BO
vẽ chung trên đồ
thị hình 2.88.
Chọn U
BO
và các dòng I
Bo
, I
Co
không lớn lắm, nên thực tế chúng không ảnh hưởng
đến chỉ tiêu năng lượng của sơ đồ so với tầng làm việc ở chế độ B. Vì thế các công
thức đã dùng trong chế độ B đều đúng cho chế độ AB. '
c - Năng khuếch đại công suất đẩy kéo không có biến áp
Tầng công suất đẩy kéo có thể làm việc theo sơ đồ không biến áp ra, nhờ đó sẽ
giảm kích thước, trọng lượng, giá thành, nâng cao các chỉ tiêu chất lượng cũng như
dễ dàng trong việc dùng vi mạch.
Sơ đồ tầng ra không biến áp cho trên hình 2.89. Có hai phương pháp mắc tải và
tương ứng là hai phương pháp cung cấp điện áp một chiều ;
· Theo phương pháp thứ nhất (h.2.89a, c) tăng được cung cấp bằng hai nguồn E
c1

và E
c2
có điểm chung gọi là kiểu cung cấp song song, còn tải được mắc giữa điểm.
nối E và C của các tranzito và điểm chung nguồn cung cấp. tranzito T
1
, T

làm việc, T
2
khóa, còn ứng với 1/2 chu kỳ âm của tín hiệu thì ngược lại.
Nếu so sánh với sơ đồ tầng công suất có biến áp ra, thì thấy rằng trong hình
2.85 công suất ra là (U
cm
I
cm
)/2 gần bằng trị số
(
)
tcm
RnU
2
2
2/ . Nói khác đi, ở đây bằng
cách thay đổi hệ số biến áp, một cách tương đối đơn giản, ta có thể nhận được công
suất yêu cầu cho trước trên tải đã chọn. Còn trong các sơ đồ (h.2.89) điều đó khó
thực hiện vì công suất trên tải xác định bằng
(
)
tcm
RU 2/
2
Khả năng duy nhất để có công
suất yêu cầu với điện trở R
t
cho trước, trong trường hợp này là do U
cm
quyết định,

1
B
2
là U
B1B2
= + (1,1 ¸ 1,2)V và có hệ số nhiệt độ âm (-1mV/
0
C).
Việc duy trì đòng điện tĩnh I
BO
ổn định (ở chế độ AB) trong 1 dải nhiệt độ rộng
đạt được nhờ tác dụng bù nhiệt của cặp Đ
1
Đ
2
với hệ số nhiệt dương của dòng tĩnh T
1

và T
2
và nhờ sử dụng thêm các điện trở hồi tiếp âm R
1
, R
2
< R
t
. Ngoài ra, do điện trở
vi phân lúc mở của Đ
1
Đ

BE1
Điện trở ra r
CE
= 2/3r
CE’1.

của mạch hình (2.91b) là :
'
22
.
bbb
=
; r
BE
= 2r
BE2
; r
CE
= 1/2r
CE’2

Ở đây điện trở R đưa vào có tác dụng tạo 1 sụt áp U
R
» 0,4V điều khiển mở T
’
1
, T
’
2
lúc