78 79

Lưu ý:

 Mỗi sinh viên hãy tự trả lời câu hỏi và làm bài tập trực tiếp vào tài liệu này. Không
được sao chép bài của người khác. Nếu sao chép phần nào, hoặc chọn nhiều phương án
trả lời trong một câu hỏi thì xem như phần bài đó bị loại bỏ.

 Đối với phần câu hỏi trắc nghiệm, SV làm bài hãy suy nghĩ thật kỹ trước khi chọn
bằng cách khoanh tròn vào một trong các phương án: a, b, c, v. v . . . hoặc đánh dấu 
vào ngay trước một phương án đúng nhất, và giải thích ngắn gọn vào phần trống bên
cạnh hoặc phía dưới mỗi câu hỏi. Đối với các bài tập, hãy ghi lời giải vào ngay phần để
trống tương ứng ở mỗi bài tập.

 Tài liệu tham khảo:
- Bài giảng Cấu kiện điện tử. 2001 [ Dư Quang Bình ].
- Fundamentals of Linear Electronics Integrated and Dicrete. 1998.
[James Cox ].
- Địa chỉ liên hệ khi cần: Thầy Dư Quang Bình, 0905894666,
 05113894666, hoặc: e-mail:

 Thời hạn hoàn thành và nộp bài tập: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
tại bm: Điện tử, khoa Điện tử-Viễn thông, Trường Đại học Bách Khoa Đà Nẵng – 54
Nguyễn Lương Bằng, Quận Liên Chiểu, Tp Đà Nẵng. (Không chấp nhận sự chậm trễ).


3. Các BJT được phân loại thành . . . .
a. các dụng cụ PPN và PIN. b. NPN và PNP.
c. các dụng cụ NNP và PPN. d. dạng N và dạng P. 4. Ký hiệu mạch của transistor PNP là . . . . 3.2. Cấu tạo của BJT.
5. Có bao nhiêu tiếp giáp PN trong BJT?
a. 0. b. 1. c. 2. d. 3. e. 4. 6. Loại vật liệu nào là vùng base của transistor PNP?
a. dạng P. b. dạng N c. dạng base. d. dạng PN. 7. So với vùng collector và emitter, vùng base của BJT là . . . .
a. rất dày. b. rất mõng. c. rất mềm. d. rất cứng. 8. Trong một BJT, dòng base là . . . . . . . . . . . khi được so với hai dòng collector và emitter . . .
a. nhỏ. b. lớn. c. nhanh. d. chậm. 9. Một BJT có cấu tạo để vùng base của nó rất mõng và . . . .
a. được pha tạp đậm. b. được pha tạp như vùng collector.
c. được pha tạp loãng. d. được pha tạp như vùng emitter.
C
. d. I
B
= I
E
+ I
C
. 13. Tỷ số của dòng collector và dòng base được gọi là . . . . . . . .
a. rho b. pi c. omega d. beta e. alpha. 3.3. Chuyển mạch bằng BJT.
14. Khi một chuyển mạch bằng BJT đang dẫn bảo hoà, thì V
CE
xấp xĩ bằng . . . . . . . .
a. V
CC
; b. V
B
; c. 0,2V; d. 0,7V. 15. Khi một chuyển mạch bằng BJT đang dẫn, thì dòng collector sẽ được giới hạn bởi . . . . . .
a. dòng base; b. điện trở tải; c. điện áp base; d. điện trở base. 16. Khi một chuyển mạch bằng BJT ngưng dẫn, thì V
21. Hệ số khuyếch đại điện áp của mạch khuyếch đại bằng BJT bằng . . . . . .
a. V
B
/V
E
; b. V
in
/ V
out
; c. V
out
/ V
in
; d. V
CC
/ V
C
. 22. Điện áp phân cực tại collector (V
C
) của mạch khuyếch đại hoạt động ở chế độ A xấp xĩ bằng . . . . . .
a. V
CC
; b. một nửa V
CC
; c. 0V; d. 0,2V.

/ V
c
; b. A
v
= V
B
/ V
E
; c. A
v
= r
c
/ r
e
; d. A
v
= R
L
x

. 3.7. Phép đo trở kháng vào và ra.
27. Trở kháng vào của một mạch khuyếch đại bằng transistor có thể đo được bằng cách sử dụng . . . . .
a. đồng hồ đo điện trở [ohmmeter]; b. đồng hồ đo trở kháng;
c. máy vẽ đặc tuyến; d. điện thế kế mắc nối tiếp với máy tạo sóng. 28. Trở kháng ra của một mạch khuyếch đại bằng transistor có thể đo được bằng cách sử dụng . . . . . .
34. Giá trị điện áp trên collector của transistor ở hình 3.40a, là bao nhiêu ?
a. 0,2V; b. 0,7V; c. 7,5V; d. 15V. 83

35. Điện áp trên collector của transistor ở mạch hình 3.40b là bao nhiêu ?
a. 0,2V; b. 0,7V; c. 7,5V; d. 15V. 36. Mức điện áp DC trên collector của transistor ở mạch hình 3.41, là bao nhiêu ?
a. 0,2V; b. 0,7V; c. 7,5V; d. 15V. 37. Điện áp DC trên cực base của transistor ở mạch hình 3.41, là bao nhiêu ?
a. 0,2V; b. 0,7V; c. 7,5V; d. 15V.

38. Điện áp tín hiệu trên collector của transistor ở mạch hình 3.41, là bao nhiêu ?
a. 50mVpp; b. 0,2Vpp; c. 7,5Vpp; d. 15Vpp. 39. Nếu tụ đầu ra (C
2
) ở hình 3.41, hở mạch, thì mức điện áp tín hiệu trên collector của transistor là bao
nhiêu ?
a. 50mVpp; b. 0,2Vpp; c. 7,5Vpp; d. 15Vpp.

K. Bài tập.
7. Khi tín hiệu vào ở mạch ở hình 3.43, là 5V, thì giá trị  cần thiết để làm cho transistor bão hoà là bao
nhiêu ?
8. Trong mạch hình 3.43, giả sử dòng collector là 4mA, và dòng vào là 0,5mA, nếu tăng dòng vào lên 1mA,
thì dòng collector sẽ bằng bao nhiêu ?
9. Nếu điện áp "mở" [on] tại đầu vào được cho là 3,7V, thì trị số điện trở vào lớn nhất có thể sử dụng để
nhận được sự bão hoà ở mạch hình 3.43 là bao nhiêu ? (
min
= 50).
10. Hãy tính các trị số yêu cầu dưới đây đối với mạch ở hình 3.44JC. ( = 80).
V
B
= . . . . . . . . . . V
C
= . . . . . . . . . . 11. Cần phải thay đổi giá trị điện trở R
b
(775k) ở mạch hình 3.44JC để tạo ra điện 14. Trong mạch hình 3.45JC, nếu R
b
= 600k và
beta bằng 200, thì giá trị nào của R
c
sẽ thích
hợp cho phân cực điểm giữa (V
c
= 7,5V) ? 15. Trong mạch hình 3.45JC, nếu R
b
là 800k và R
c
là 4,7k, thì beta cần thiết để cho phân cực điểm giữa
(V
c
= 7,5V) là bao nhiêu ?

18. Nếu tụ điện C
2
hở mạch, thì hệ số khuyếch đại điện áp của mạch hình 3.46JC, bằng bao nhiêu ?
A
v
= . . . . . .

86

19. Đối với mạch ở hình 3.47JC, hãy tính:
V
c
= . . . . ; V
B
= . . . . ; V
E
= . . . . ; V
CE
= . . . . ;
z
in
= . . . . ; z
out
= . . . . . ; V
out

c
= . . . . ; V
B
= . . . . ; V
E
= . . . . ; V
CE
= . . . . ;
z
in
= . . . . ; z
out
= . . . . . ; V
out
= . . . . ; A
v
= . . . . .

4.2. Phân cực phân áp.
4. Trong mạch phân cực phân áp, tại sao điện áp tại điểm nối của R
b1
và R
b2
được xem là độc lập với dòng
base của transistor ?
a. dòng base không chảy qua R
b1
hoặc R
b2
;
b. dòng base nhỏ so với dòng chảy qua R
b1
và R
b2
;
c. chỉ có dòng emitter ảnh hưởng đến dòng chảy qua R
b1
và R
b2
;
d. tụ nối tầng (tụ ghép tầng) chặn dòng base chảy qua mạch phân áp. 5. Trong các mạch khuyếch đại phân cực phân áp, sự chênh lệch điện áp giữa emitter và base luôn luôn
bằng . . . . .
a. 0V; b. 0,2V; c. 0,7V; d. 2V.

88

10. Điện trở động của tiếp giáp base - emitter là được mắc . . . . . .
a. nối tiếp với điện trở tín hiệu ở nhánh base;
b. song song với điện trở tín hiệu ở nhánh base;
c. song song với điện trở tín hiệu ở nhánh emitter;
d. nối tiếp với điện trở tín hiệu ở nhánh emitter. 11. Trở kháng ra của mạch khuyếch đại emitter chung sẽ bằng . . . . . .
a. điện trở collector; b. điện trở tải;
c. điện trở collector mắc song song với điện trở tải; d. beta lần điện trở collector. 4.4. Các thay đổi ở mạch khuyếch đại phân cực phân áp.
12. Kiểu mạch khuyếch đại phân cực phân áp nào có trở kháng vào cao nhất ?
a. được rẽ mạch tụ toàn bộ; b. phân tách điện trở emitter;
c. không được rẽ mạch tụ; d. tất cả các ý trên. 13. Kiểu mạch khuyếch đại phân cực phân áp nào có trở kháng ra cao nhất ?
a. được rẽ mạch tụ toàn bộ; b. phân tách điện trở emitter;
c. không được rẽ mạch tụ; d. tất cả các ý trên. 14. Kiểu mạch khuyếch đại phân cực phân áp nào có hệ số khuyếch đại cao nhất ?
a. được rẽ mạch tụ toàn bộ; b. phân tách điện trở emitter;
c. không được rẽ mạch tụ; d. tất cả các ý trên.
89

4.6. Mạch khuyếch đại phân cực hồi tiếp kiểu điện áp.
19. Các mạch khuyếch đại phân cực hồi tiếp kiểu điện áp thực tế thích hợp cho làm việc với . . . .
a. các tín hiệu tần số cao; b. các nguồn cung cấp điện áp thấp;
c. các mạch cần trở kháng vào rất cao; d. các mạch cần trở kháng ra rất thấp.
20. Trở kháng vào của mạch khuyếch đại phân cực hồi tiếp kiểu điện áp bị ảnh hưởng bởi . . . .
a. giá trị công suất trên điện trở collector; b. hệ số khuyếch đại điện áp của bộ khuyếch đại;
c. giá trị điện trở của điện trở hồi tiếp; d. cả (b) và (c).
4.7. Mạch khuyếch đại nhiều tầng ghép RC.
21. Tại sao cần phải biết trở kháng vào của mỗi tầng trong một bộ khuyếch đại nhiều tầng ?
a. do trở kháng vào toàn mạch là tích của trở kháng vào của mỗi tầng;
b. do hệ số khuyếch đại điện áp của một tầng bị tác động bởi trở kháng vào của tầng tiếp theo ;
c. do trở kháng vào của một tầng là điện trở tải của tầng trước; d. cả (b) và (c).
22. Một trong những ưu điểm chính của việc sử dụng các tụ ghép giữa các tầng là gì ?
a. các tụ ghép cho phép mạch khuyếch đại nhiều tầng truyền các tín hiệu DC;
b. các tụ ghép tầng cho phép các mạch phân cực trong mổi tầng độc lập nhau;
c. các tụ ghép tầng rẽ mạch điện trở emitter nên làm tăng hệ số khuyếch đại;


27. Nếu trở kháng vào của tầng thứ hai là 1k, thì tụ ghép nối giữa tầng thứ nhất và tầng thứ hai sẽ có X
c
vào khoảng . . . . . đối với tần số thấp nhất sẽ được khuyếch đại.
a. 1; b. 10; c. 100; d. 1k; e. 10k. 4.9. Các bộ khuyếch đại ghép trực tiếp.
28. Các mạch khuyếch đại ghép trực tiếp có ưu điểm hơn các mạch khuyếch đại ghép RC là ở chổ chúng có
thể khuyếch đại . . . . . .
a. các mức tín hiệu lớn hơn; b. các tín hiệu tần số cao;
c. các mức tín hiệu nhỏ hơn; d. các tín hiệu tần số thấp. 29. Trong thực tế các bộ khuyếch đại ghép trực tiếp có thể dễ bị ảnh hưởng với vấn đề . . . . . .
a. về hệ số khuyếch đại; b. về độ bảo hoà; c. về độ trôi DC; d. về trở kháng. 4.10. Sai hỏng của các mạch bằng transistor.
30. Điện áp đo được trên collector của Q
1
trong mạch hình 4.24JC, vào khoảng 20VDC,
a. mạch đúng chức năng; b. tụ C
2
bị ngắn mạch; c. tụ C
2
bị hở mạch; d. điện trở R
1
bị hở mạch.


33. Hệ số khuyếch đại điện áp tín hiệu (A
v
) của Q
2
ở mạch hình 4.24JC, gần bằng hai lần hệ số khuyếch đại
tính được,
a. mạch đang đúng chức năng; b. tụ C
3
hở mạch;
c. tụ C
3
bị ngắn mạch; d. tụ C
5
bị hở mạch.
34. Hệ số khuyếch đại điện áp tín hiệu của Q
1
ở mạch hình 4.24JC, gần bằng 3,
a. mạch đúng chức năng; b. tụ C
4
hở mạch; c. tụ C
4
bị ngắn mạch; d. tụ C
2
hở mạch. 91

2. Cho mạch ở hình 4.26JC, hãy tính
V
c
= . . . . ; V
B
= . . . . ; V
E
= . . . . ; V
CE
= . . . . ;
z
in
= . . . . ; z
out
= . . . . . ; v
out
= . . . . ; A
v
= . . . . .

92

4. Mức tín hiệu lớn nhất để có thể cung cấp tại đầu vào của mạch ở hình 4.27JC, trước khi tín hiệu ra bắt
đầu bị xén là bao nhiêu ?

5. Nếu tần số làm việc thấp nhất là 100Hz, hãy chọn trị số cho C
1
, C
2
, và C
3

v
= . . . . .


= . . . . ; V
E
= . . . . ; V
C
= . . . . ;
A
v
= . . . . .; z
in
= . . . . ; z
out
= . . . . .
Toàn bộ mạch:
A
v
= . . . . .; z
in
= . . . . ; z
out
= . . . . .

94

8. Nếu tần số làm việc thấp nhất là 1kHz, hãy chọn các giá trị cho C
1
, C
2
, C
3
, C
4
, và C
5
trong mạch ở hình
4.29JC,
C
1
= . . . . ; C
2
= . . . . ; C
3
= . . . . ; C
4
= . . . . .; C
5
= . . . . ;

= . . . . ;
A
v
= . . . . .; z
in
= . . . . ; z
out
= . . . . .

Toàn mạch:
z
in
= . . . . ; z
out
= . . . . . ; A
v
= . . . . .


; d. cả b và c.

2. Mạch khuyếch đại collector chung có thể sử dụng kiểu phân cực . . . . . . . .
a. emitter; b. hồi tiếp điện áp collector ; c. phân áp ; d. cả a và c.

3. Cấu hình collector chung có . . . . . .
a. trở kháng vào cao và trở kháng ra thấp; b. trở kháng vào thấp và trở kháng ra bằng R
c
;
c. trở kháng vào cao và trở kháng ra bằng R
c
; d. ngoài các trường hợp trên.

4. Hệ số khuyếch đại điện áp của mạch collector chung là . . . . .
a. lớn hơn 1; b. đúng bằng 1; c. hơi nhỏ hơn 1; d. bằng với

.

5.2. Hệ số khuyếch đại dòng điện và công suất.
5. Hệ số khuyếch đại công suất của một mạch có thể tính được bằng phép nhân. . . . .
a. beta với hệ số khuyếch đại điện áp; b. bình phương dòng tải với điện áp tải;
c. hệ số khuyếch đại điện áp với hệ số khuyếch đại dòng; d. công suất vào và công suất ra.

6. Cấu hình BJT nào cho sự khuyếch đại công suất ?
a. emitter chung; b. base chung; c. collector chung; d. tất cả các ý trên.

5.3. Cặp Darlinhton.
7. Cặp Darlington thay cho transistor thông thường trong mạch collector chung sẽ . . . . . . .
a. làm tăng trở kháng vào của mạch; b. cho phép mạch điều khiển tải điện trở thấp hơn;
c. thay đổi điện áp phân cực emitter bằng 0,7V; d. tất cả các ý trên.

.

96

5.6. So sánh các cấu hình của mạch khuyếch đại.
14. Cấu hình emitter chung có . . . . .
a. trở kháng vào cao và trở kháng ra thấp; b. trở kháng vào thấp và trở kháng ra bằng R
c
;
c. trở kháng vào trung bình và trở kháng ra bằng Rc; d. ngoài các trường hợp trên.

15. Khi BJT được mắc theo cấu hình base chung, thì mạch có khả năng cung cấp . . . . .
a. hệ số khuyếch đại điện áp và công suất; b. hệ số khuyếch đại dòng điện và công suất;
c. hệ số khuyếch đại dòng điện, điện áp và công suất; d. chỉ có hệ số khuyếch đại điện áp.

16. Khi BJT được mắc theo cấu hình collector chung, thì mạch có khả năng cung cấp . . . . . .
a. hệ số khuyếch đại điện áp và công suất; b. hệ số khuyếch đại dòng điện và công suất;
c. hệ số khuyếch đại dòng điện, điện áp và công suất; d. chỉ có hệ số khuyếch đại điện áp.

17. Khi BJT được mắc theo cấu hình emitter chung, thì mạch có khả năng cung cấp . . . . .
a. hệ số khuyếch đại điện áp và công suất; b. hệ số khuyếch đại dòng điện và công suất;
c. hệ số khuyếch đại dòng điện, điện áp và công suất; d. chỉ có hệ số khuyếch đại điện áp. 5.7. Nguồn dòng điện.
18. Ký hiệu nào sau đây là ký hiệu của nguồn dòng điện ? 19. Một nguồn dòng hằng 10mA cung cấp cho tải 1k, mức điện áp trên tải là bao nhiêu ?
a. 1V; b. 5V; c. 10V; d. 20V

c. transistor bị ngắn mạch tại tiếp giáp base - emitter; d. mạch đang làm việc đúng chức năng.
97

24. Điện áp trên base ở mạch hình 5.21JC, đo được là 1,2VDC. Sai hỏng có nhiều khả năng xảy ra nhất đối
với mạch là gì ?
a. beta của transistor thấp; b. tụ điện ghép ở đầu ra bị ngắn mạch;
c. transistor bị ngắn mạch tại tiếp giáp base - emitter; d. mạch đang làm việc đúng chức năng. 25. Tín hiệu ra ở mạch hình 5.21JC, dao động trên mức 6VDC. Sai hỏng có nhiều khả năng xảy ra nhất đối
với mạch là gì ?
a. beta của transistor thấp; b. tụ điện ghép ở đầu ra bị ngắn mạch;
c. transistor bị ngắn mạch tại tiếp giáp base - emitter; d. mạch đang làm việc đúng chức năng.
26. Mức tín hiệu vào ở mạch hình 5.22JC, được đặt ở mức 0. Điện áp trên collector của Q
1
và Q
2
đo được là
12V. Sai hỏng có nhiều khả năng xảy ra nhất đối với mạch là gì ?
a. transistor Q
1
hở mạch; b. transistor Q
2
hở mạch;
c. nguồn dòng bị hỏng; d. mạch làm việc bình thường.

98

O. Bài tập.
1. Cho mạch ở hình 5.23JC, hãy tính các trị số tại điểm làm việc
tĩnh Q:
V
B
= . . . . ; V
E
= . . . . ; V
C
= . . . . ;
V
CE
= . . . . ; I
E
= . . . . . ;
3. Đối với mạch ở hình 5.23JC, hãy tính hệ số khuyếch đại dòng điện (A
i
), và hệ số khuyếch đại công suất
(A
p
).
4. Cho beta của Q
1
là 150 và beta của Q
2
bằng 30.

của cặp Darlington ở hình 5.24JC, là bao nhiêu ?

= 40) 6. Hãy tính các giá trị của z
in
, z
out
, và A
v
cho mạch hình 5.25JC. (cho

Q1
= 90 và

Q2
= 40).
cung cấp bởi nguồn tín hiệu
2V
pp
(không tải) có trở kháng nội là
2k. (cho

Q1
= 90 và

Q2
= 40). 100

10. Hãy tính các mức điện áp phân cực DC:
V
B
, V
E
, V

12. Hãy tính điện áp trên collector, base, và emitter
của cả ba transistor trong mạch ở hình 5.29JC.

13. Hãy tính hệ số khuyếch đại điện áp của đầu ra đơn và hệ số khuyếch đại điện áp vi sai cho mạch ở hình
5.29JC.


D2.2 Dựa theo bài tập D2.1, hãy thiết kế mạch khuyếch đại để cho độ dao động đối xứng lớn nhất. Tính các
trị số của R
1
và R
2
.
ĐS: R
1
= 4,5k, R
2
= 36k.


= 150, V
BE
= 0,7V,
R
E
= 100, và R
C
= 1k.
ĐS: R
1
= 1,71k; R
2
= 12k.