LỜI CẢM ƠN Lời đầu tiên em xin chân thành cảm ơn thầy giáo TS. Bạch Gia Dương, người trực
tiếp hướng dẫn em làm khoá luận tốt nghiệp và tạo những điều kiện tốt nhất cho em trong
thời gian học tập và nghiên cứu tại trung tâm nghiên cứu Điện tử - Viễn thông, trường Đại
học Công Nghệ. Em xin cám ơn các thầy, cô giáo giảng dạy tại trường Đại học Công
Nghệ, Đại học Quốc gia Hà Nội đã trang bị cho em những kiến thức quý báu.
Xin cảm ơn gia đình và bạn bè, những người luôn bên em, động viên và tạo những
điều kiện tốt nhất để em có được điều kiện học tập và nghiên cứu.
Vũ Tuấn Anh
LỜI CAM ĐOAN
Tôi xin cam đoan, đây là công trình nghiên cứu khoa học của riêng tôi. Các số liệu
và kết quả nêu trong luận văn là trung thực và chưa từng được công bố trong bất cứ công
Chương 2 - TỔNG QUAN VỀ KỸ THUẬT SIÊU 23
2.1. Giới thiệu chung 23
2.2. Lý thuyết đường truyền và giản đồ Smith 23
2.2.1. Mô hình tương đương tham số tập trung của đường truyền 24
2.2.2. Biểu đồ Smith 28
2.3. Mạch dải siêu cao tần 36
2.3.1 Giới thiệu 36
2.3.2. Tham số S 42
2.3.3. Các kỹ thuật phối hợp trở kháng 45
2.3.4. Khuếch đại 47
Chương 3 - MÃ NHẬN BIẾT CHỦ QUYỀN QUỐC GIA ICAO 50
3.1. Hệ thống thông tin, dẫn đường, giám sát và quản lý không vận 50
3.1.1. Giới thiệu 50
3.1.2. Hệ thống mạng viễn thông hàng không 52
3.1.3. Hệ thống dịch vụ không vận 53
3.2. Hệ thống radar giám sát không vận 68
2
3.2.1. Tổng quan về hệ thống radar 68
3.2.2. Hệ thống radar giám sát sơ cấp (Primary Surveillance Radar – PSR) 68
3.2.3. Hệ thống radar giám sát thứ cấp (Secondary Surveillance Radar – SSR) 69
3.2.3. Hệ thống giám sát phụ thuộc tự động (ADS-B) 76
Chương 4 – CÁC KẾT QUẢ THỰC NGHIỆM 79
4.1. Chế tạo bộ tổ hợp tần số băng L 79
4.2.1. Chế tạo VCO 79
4.2.2. Chế tạo bộ tổ hợp tần số 81
4.2. Chế tạo bộ khuếch đại siêu cao tần 88
4.3. Chế tạo bộ phát mã ICAO 96
4.3.1. Phát mã ICAO sử dụng DSP56307EVM 96
4.3.2. Phát mã ICAO sử dụng vi điểu khiển PSOC 98
Hình 1.5. Cấu trúc của 1 bộ so pha số 14
Hình 1.6. Giản đồ xung lối vào/ra (IN/OUT) khi chưa bắt chập. 15
Hình 1.7. Giản đồ xung lối vào/ra (IN/OUT) khi tần số 2 lối vào bằng nhau. 15
Hình 1.8. IC ADF411x. 16
Hình 1.9. Sơ đồ chức năng của họ IC ADF 411x. 17
Hình 1.10. Các thông số về khoảng cách của 2 loại IC 20 chân gầm
và 16 chân rết 18
Hình 1.11. Tầng lối vào chuẩn. 19
Hình 1.12. Tầng lối vào RF. 20
Hình 1.13. Bộ chia A và B. 20
Hình 1.14. Sơ đồ nguyên lý đã được đơn giản hoá và giản đồ xung của
bộ tách sóng pha/tần số 21
Hình 1.15. Giản đồ thời gian của việc chốt dữ liệu. 22
Hình 1.16. Mạch MUXOUT 22
Hình 2.1. Phổ tần số của sóng điện từ. 23
Hình 2.2. Dây dẫn song song và sơ đồ tương đương. 24
Hình 2.3. Họ vòng tròn đẳng điện trở. 29
Hình 2.4. Họ vòng tròn đẳng điện kháng. 30
Hình 2.5. Vòng tròn đẳng điện kháng phía trên trục hoành. 30
Hình 2.6. Vòng tròn đẳng điện kháng phía dưới trục hoành 31
Hình 2.7. Vòng tròn đẳng điện trở và điện kháng trên cùng một đồ thị. 31
Hình 2.8. Họ vòng tròn đẳng | |. 32
Hình 2.9. Giản đồ Smith chuẩn . 34
Hình 2.10. Biểu diễn điểm bụng và điểm nút của sóng đứng trên giản đồ Smith 36
Hình 2.11. Các loại mạch vi dải. 37
Hình 2.12: Các dạng đường truyền sóng 38
Hình 2.13. Sơ đồ mạch tương đương. 39
Hình 2.14. Đường truyền vi dải. 42
Hình 2.15. Sơ đồ đo. 43
Hình 2.16. Sơ đồ xác định
Hình 4.9. Kết quả trên máy phân tích phổ - tần số 1040MHz 85
Hình 4.10. Kết quả trên máy phân tích phổ - tần số 1050MHz 85
Hình 4.11. Kết quả trên máy phân tích phổ - tần số 1060MHz 86
Hình 4.12. Kết quả trên máy phân tích phổ - tần số 1070MHz 86
Hình 4.13. Kết quả trên máy phân tích phổ - tần số 1080MHz 87
Hình 4.14. Kết quả trên máy phân tích phổ - tần số 1090MHz 87
Hình 4.15. Kết quả trên máy phân tích phổ - tần số 1100MHz 88
Hình 4.16. Sơ đồ khối bộ khuếch đại siêu cao tần công suất 45W 89
Hình 4.17. Sơ đồ nguyên lý nhánh 1 của bộ khuếch đại công suất 45W 89
Hình 4.18. Kết quả mô phỏng tham số S
11
, S
21
của nhánh 1 90
Hình 4.19. Kết quả mô phỏng tỉ số sóng đứng vswr(s
11
) của nhánh 1 90
Hình 4.20. Kết quả mô phỏng tham số S
22
của nhánh 1 91
Hình 4.21. Kết quả mô phỏng tỉ số sóng đứng vswr(s
22
) của nhánh 1 91
Hình 4.22. Sơ đồ nguyên lý nhánh 2 92
Hình 4.23. Kết quả mô phỏng tham số S
22
, S
21
của nhánh 2 93
Hình 4.24. Kết quả mô phỏng tỉ số sóng đứng vswr(s
6
MỤC LỤC CÁC BẢNG BIỂU
Bảng 1.1. Bít điều khiển lựa chọn chốt dữ liệu 21
Bảng 3.1. Các dịch vụ cảnh báo và thông tin chuyến bay chuẩn 54
Bảng 3.2. Các trường chuẩn trong gói thông tin dịch vụ cảnh báo không vận 55
Bảng 3.3. Chức năng các chế độ sử dụng trong tín hiệu thăm dò chế độ A/C 71
Bảng 3.4. Vị trí các xung trong tín hiệu trả lời chế độ A/C 72
Bảng 3.5. Thứ tự các nhóm xung 73
Bảng 4.1. Sự phụ thuộc tần số vào điện áp của VCO. 79 7
BẢNG CÁC KÝ HIỆU VIẾT TẮT
Ký hiệu
Tiếng Anh
Tiếng Việt
ADS-B
Automatic Dependent Surveillance
Broadcast
Hệ thống giám sát phụ thuộc tự
động-Quảng bá
ATC
Air Traffic Controller
Hệ thống điều khiển không vận
ATM
Air Traffic Management
IFF
Identification Friend or Foe
Nhận biết địch-ta
LPF
Low Pass Filter
Bộ lọc tần số thấp
PLL
Phase Locked Loop
Vòng bám pha
PPM
Pulse Position Modulation
Điều chế vị trí xung
PSR
Primary Surveillance Radar
Hệ thống giám sát sơ cấp
SLM
Standard Length Message
Bản tin có độ dài chuẩn
SLS
Side-Lode Suppression
Xung triệt tiêu thùy bên
SSR
Secondary Surveillance Radar
Hệ thống giám sát thứ cấp
VCO
Voltage Controlled Ossillator
Bộ dao động điều khiển bằng
điện áp
hàng hải” thuộc chuyên đề 1-3 của đề tài trọng điểm cấp nhà nước (mã số:
KC.01.12/06-10). Cơ quan chủ trì là trường Đại học Công Nghệ, Đại học Quốc Gia Hà
Nội, TS. Bạch Gia Dương là chủ nhiệm đề tài. 9
Chương 1 - MẠCH VÒNG BÁM PHA VÀ BỘ TỔ HỢP
TẦN SỐ
1.1. Mạch vòng bám pha
[1],[6]
1.1.1. Giới thiệu chung
Bộ tạo dao động siêu cao tần chiếm một vai trò rất căn bản trong các hệ thống
thông tin vì có khả năng tạo ra các sóng tham chiếu sử dụng trong việc điều chế và giải
điều chế…Trong các hệ thống như vậy, tính chính xác và ổn định của các bộ tạo dao
động luôn phải được quan tâm nhằm đảm bảo chất lượng của hệ thống.
Cho đến nay đã có nhiều phương pháp để tăng tính ổn định của bộ tạo dao
động, trong đó đáng chú ý là kỹ thuật vòng bám pha PLL (Phase Locked Loop) và kỹ
thuật tổng hợp số trực tiếp DDS (Direct Digital Synthesis). Mỗi kỹ thuật đều có những
điểm mạnh và yếu riêng. Kỹ thuật DDS là một hệ thống hở, sử dụng máy tính số và
các bộ DAC (Digital to Analog Converter) để tạo ra các tín hiệu mong muốn. Đây là
kỹ thuật tổng hợp tần số trực tiếp. Kỹ thuật này có ưu điểm nổi bật là thời gian thiết
Khi không có tín hiệu vào PLL, sự chênh lệch điện áp V
e
(t) ở lối ra của bộ so
sánh pha bằng không. Điện áp V
d
(t) ở lối ra của bộ lọc tần thấp cũng bằng không. Bộ
dao động điều khiển bằng điện áp VCO hoạt động ở tần số định f
0
gọi là tần số dao
động trung tâm. Khi có tín hiệu đưa vào hệ thống PLL, bộ so pha sẽ so pha và tần số
của tín hiệu lối vào với pha và tần số của VCO và tạo ra một điện áp sai số V
e
(t) tỉ lệ
với sự lệch pha và chênh lệch tần số của tín hiệu lối vào và VCO, tức là phản ánh sự
khác nhau về pha và tần số của 2 tín hiệu. Điện áp sai số này được lọc rồi đưa vào lối
vào điều khiển của VCO. Điện thế điều khiển V
d
(t) thúc đẩy tần số của VCO thay đổi
theo hướng giảm bớt sự khác nhau về tần số giữa tín hiệu f
0
và tín hiệu lối vào. Khi tần
số lối vào f
s
tiến dần đến tần số f
0
, do tính chất hồi tiếp của PLL sẽ thúc đẩy VCO
đồng bộ hoặc bắt chập với tín hiệu lối vào. Sau khi chập, tần số VCO sẽ bằng tần số
của tín hiệu lối vào, tuy nhiên vẫn có độ chênh lệch về pha nào đó. Sự chênh lệch về
pha này là cần thiết để tạo ra điện áp sai V
e
s
(t)
Điện áp điều khiển VCO
Lọc tần số thấp VCO
So sánh pha
11
PLL có thể bẳt chập một tín hiệu vào gọi là dải bắt chập (capture range). Dải bắt chập
bao giờ cũng nhỏ hơn giải giữ chập.
Ta có thể dùng một cách khác để miêu tả hoạt động của PLL là bộ so sánh pha
thực chất là mạch nhân và trộn tín hiệu vào với tín hiệu VCO. Sự trộn này tạo tần số
tổng và tần số hiệu f
s
± f
0
. Khi mạch ở trạng thái chập thì hiệu tần số f
s
– f
0
= 0, do đó
tạo ra thành phần một chiều. Bộ lọc tần số thấp loại bỏ thành phần tần số tổng f
s
+ f
với dấu âm. Sau đó, VCO thay đổi tần số với hệ số góc
bằng nghịch đảo của hệ số khuếch đại lối vào VCO (1/K
0
) và đi qua giá trị V
0
khi ω-
1
=ω
0
mạch bám sát tín hiệu vào cho đến khi tần số tín hiệu vào đạt đến ω
2
tương ứng
với biên trên của khoảng giữ chập. Khi đó hệ mất bám, điện thế V
d
tụt xuống V
0
và tạo
ra tần số dao động tự do của VCO (hình 1.2a).
Nếu ta lại cho tần số tín hiệu vào quét theo chiều hướng giảm dần thì quá trình
lặp lại nhưng đảo ngược so với trước (hình 1.2b) mạch bắt chập lại với tín hiệu ở ω
3
tương ứng với biên trên của dải bắt chập và bám sát theo tín hiệu vào cho đến khi tần
số của tín hiệu vào bằng ω
4
tương ứng với biên độ của dải giữ chập.
Như vậy là dải bắt chập của hệ là (ω
1
,ω
3
số chuyển đổi của VCO quyết định, do đó ta thường đòi hỏi VCO có đặc tính chuyển
điện áp sang tần số ở mức độ tuyến tính cao. Hình 1.2. Đặc trưng chuyển tần số - điện áp của PLL.
Hình 1.3. Sự phụ thuộc của tần số VCO vào điện áp.
Hình 1.3 biểu diễn đường đặc trưng sự phụ thuộc tần số phát của VCO vào điện
áp điều khiển V
d
ở đây f
max
và f
min
là tần số của máy phát VCO tương ứng với tần số
góc ω
2
và ω
4
. Khi đó dải giữ chập của hệ là: Δf
L
= f
max
- f
min
V
d
(V)
V
S
ω
S
2ω
L
2ω
C
ω
C
ω
2
ω
0
ω
4
ω
3
ω
0
ω
1
Dải bắt chập
Dải giữ chập
V
0
V
0
V
dễ dàng bằng các bộ vi xử lý.
Sơ đồ chức năng bộ tổ hợp tần số được trình bày trên hình 1.4. Hình 1.4. Sơ đồ chức năng bộ tổ hợp tần số dùng mạch vòng bám pha.
Tần số lối ra của bộ chia N - đếm/định thời lập trình hoá – bám pha với tần số
chuẩn được lấy từ lối ra của một dao động thạch anh. Hệ số chia N có thể thay đổi
được nhờ mã điều khiển tần số (fequency control code). Bộ so sánh pha sẽ so sánh pha
giữa tần số lối ra của VCO qua bộ chia N với tần số chuẩn tạo ra từ dao động thanh
anh f
ref
qua bộ chia R, điện áp sai số ở lối ra tách sóng pha, qua bộ lọc tần thấp (LPF –
low pass filter) chuyển thành điện áp một chiều biến đổi chậm V
d
được đưa vào điều
khiển VCO làm cho tần số lối ra của bộ chia N bám pha với tần số chuẩn. Như vậy ta
sẽ có tần số lối ra của VCO là: f
VCO
=N/R.f
ref
.
Do đó chỉ cần thay đổi hệ số chia N, R thì ta sẽ tạo được các tần số khác nhau ở lối ra
của VCO.
Sau đây là những thành phần cơ bản của một bộ tổ hợp tần số kiểu PLL. Do
bộ tổ hợp tần số kiểu PLL dựa trên nguyên lý PLL là cơ bản, nên những thành phần
vòng bám pha PLL cũng được giới thiệu.
1.2.1. Bộ so pha
Bộ chia N
được giữ ở mức này cho tới khi có sườn xung lên đầu tiên ở -IN.
- Nếu tần số lối vào +IN thấp hơn nhiều so với tần số lơi vào -IN thì ta sẽ có điều
ngược lại.
Hình 1.5. Cấu trúc của 1 bộ so pha số.
Trong đó: Delay: Bộ trễ
U1, U2: Các trigơ D
U3: bộ AND
U4: Bộ đảo
Khi hệ thống PLL đang ở trạng thái giữ chập về tần số nhưng vẫn có một chút
sai khác về pha thì ta có giản đồ xung như hình 1.7. 15
Hình 1.6. Giản đồ xung lối vào/ra (IN/OUT) khi chưa bắt chập.
Hình 1.7. Giản đồ xung lối vào/ra (IN/OUT) khi tần số 2 lối vào bằng nhau.
Khi 2 lối vào +IN và -IN có pha gần như nhau thì tần số lối ra và +IN sớm pha
hơn -IN thì ở lối ra ta sẽ nhận được một chuỗi các xung dương. Các xung này sẽ điều
khiển VCO khiến cho 2 tín hiệu +IN và -IN đạt đến trạng thái đồng pha với nhau.
1.2.2. Các bộ chia tần
Trong một bộ tổng hợp tần số hợp tần số kiểu số nguyên (Integer N), độ phân
giải tần số của lối ra được xác định bằng tần số tham chiếu đưa vào bộ so pha. Chẳng
hạn, nếu ta cần độ rộng giải là 200KHz (như trong hệ thống GSM) thì khi đó tần số
tham chiếu đưa vào bộ so pha phải là 200KHz. Tuy nhiên, để có được một nguồn phát
0
.
1.2.4. Bộ dao động điều khiển bằng điện áp (VCO)
Từ nguyên lý của vòng bám pha có thể thấy rằng sự khác nhau về tần số giữa
máy phát VCO và tín hiệu lối vào của mạch tách sóng pha tạo thành một hiệu điện áp.
Điện áp này qua mạch lọc tần số thấp tạo thành điện áp điều khiển tác động vào máy
phát VCO và thực hiện điều chỉnh dịch tần số của máy phát sao cho trùng khớp với tần
số của tín hiệu vào. Với lập luận trên thì điện áp này đóng vai trò điện áp điều khiển
tác động vào máy phát VCO làm thay đổi tần số phát f
0
. Một yêu cầu rất quan trọng
đặt ra đối với VCO là sự phụ thuộc của tần số vào điện áp điều khiển phải rất tuyến
tính.
1.3. Giới thiệu về họ IC ADF411x
[16]
Để tổ hợp tần số ở băng L một bộ tổ hợp tần số dùng mạch vòng bám pha PLL
dựa trên vi mạch ADF411x của hãng Analog Devices đã được nghiên cứu, thiết kế và
chế tạo thành công.
1.3.1. Họ IC ADF411x
Trung tâm của bộ tổ hợp tần số là một vi mạch ADF4113 thuộc họ ADF411x.
Vi mạch này có chức năng tạo ra dao động sóng mang của các thiết bị thu và phát vô
tuyến. Thành phần gồm có một bộ tách pha/tần số PFD (phase frequency detector)
được số hoá với độ ồn thấp, một bộ tạo dòng chính xác, một bộ chia chuẩn khả trình
R(14 bít), hai bộ chia khả trình A(6 bít) và B(13 bít), một bộ chia trước mô-đun kép
(P/P+1). Các thiết bị hoạt động với nguồn cung cấp 2.7V-5.5V và có thể ở trạng thái
tiêu tốn ít năng lượng khi không sử dụng. Để tạo thành một vòng bám pha PLL hoàn
R
SET
là: I
CPmax
= 23,5/Rset. Vì vậy, do R
SET
=4.7KΏ , I
CPmax
= 5 mA .
2. CP : Charge Pump Output. Khi cho phép chân này cung cấp
± I
CP
tới bộ lọc vòng,
bộ lọc sẽ điều khiển VCO ngoại vi.
3. CPGND : Charge Pump Ground. Nối đất cho bơm nạp.
4. AGND : Analog Ground. Nối đất cho bộ chọn trước thang tỷ lệ.
5. RF
IN
B : Complementary Input to the RF Prescaler. Lối vào bổ sung RF của bộ
chọn trước thang tỷ lệ. Điểm này có tách riêng ra để nối đất với một tụ vòng có giá trị
nhỏ 100 pF.
6. RF
IN
A : Input to the RF Prescaler. Lối vào RF bộ chọ trước thang tỷ lệ. Tín hiệu
đầu vào nhỏ này được liên kết từ VCO.
7. AV
DD
: Analog Power Supply. Nguồn nuôi tương tự. Ở dải từ 2.7V†5.5V. Những tụ
tách tín hiệu tương tự nối đất coi như chân này đóng. AV
khiển.
14 . MUXOUT: Bộ ghép bội lối ra này sẽ cho phép tách xung đồng bộ (Lock Detect),
scaled RF, hoặc scaled Reference Frequency truy cập với thiết bị ngoại vi.
15 . DV
DD
: Digital Power Supply. Nguồn nuôi số. Dải điện áp từ 2.7V đến 5.5V.
Những tụ tách tín hiệu số nối đất coi như chân này đóng. DV
DD
phải có giá trị giống
như AV
DD
.
16 . V
P
:
Charge Pump Power Supply. Nguồn bơm nạp này có thể lớn hơn hoặc bằng
V
DD
. Trong hệ thống V
DD
= 3V, V
p
có thể là 6V và được dùng để điều khiển một
VCO với một dải chọn lên đến 6V.
1.3.3. Mô tả chức năng mạch điện
1.3.3.1. Tầng lối vào chuẩn
Trên hình 1.11 là tầng lối vào chuẩn của IC ADF411x. Ở trạng thái bình thường
thì khoá 1 và khoá 2 ở trạng thái đóng, khoá 3 ở trạng thái mở. Khi thiết lập chế độ
: Tần số ở lối ra của bộ dao động được điều khiển bằng điện áp.
P: Hệ số chia của bộ chia trước.
B: Hệ số chia của bộ chia B 13 bít (3†8191).
A: Hệ số chia của bộ chia A 6 bít (0†63).
f
REFIN
: Tần số chuẩn.
R: Hệ số chia của bộ chia R 14 bít (1÷16383).
Hình 1.13. Bộ chia A và B.
1.3.3.5. Bộ chia R
Bộ chia R thực hiện chia tần số chuẩn để làm xung nhịp cho lối vào của bộ tách
sóng pha/tần số. Hệ số chia cho phép từ 1 tới 16383.
1.3.3.6. Bộ tách sóng pha/tần số
Bộ tách sóng pha/tần số lấy 2 tín hiệu vào là tần số ở lối ra của bộ chia R và lối
ra của bộ chia N (N=BP+A), thực hiện so sánh pha và tần số của hai tín hiệu đó để tạo
ra tín hiệu tỉ lệ với kết quả so sánh. Sơ đồ nguyên lý đã được đơn giản hoá của bộ tách
21
sóng pha/tần số như được chỉ ra trên hình 1.14. Bên trong bộ tách sóng pha/tần số có
một phần tử trễ khả trình dùng để điều khiển độ rộng của xung. Xung này đảm bảo
rằng không có miền chết trong hàm truyền PFD và giảm thiểu nhiễu pha. Hình 1.14. Sơ đồ nguyên lý đã được đơn giản hoá và giản đồ xung của
bộ tách sóng pha/tần số.
1.3.3.7. Thanh ghi dịch 24 bít
Các IC họ ADF411x cung cấp một thanh ghi dịch 24 bít sử dụng cho việc đặt
Chốt khởi tạo
22
Hình 1.15. Giản đồ thời gian của việc chốt dữ liệu.
1.3.3.8. Bộ ghép kênh lối ra và bộ tách xung đồng bộ
Bộ ghép kênh lối ra của họ ADF4110 cho phép sử dụng truy cập nhiều điểm
trên vi mạch. Trạng thái của MUXOUT được điều khiển bởi M
3
, M
2
và M
1
trong chức
năng khoá. Hình 1.16 biểu diễn tầng MUXOUT dưới dạng sơ đồ khối.
Hình 1.16. Mạch MUXOUT
MUXOUT có thể lập trình theo hai kiểu tách xung đồng bộ: tách xung đồng bộ
số và tách xung đồng bộ tương tự. Loại tách xung đồng bộ số thì có tính năng động
cao. Khi LDP trong khoá bộ đếm R được đặt bằng 0, bộ tách xung đồng bộ số được
đặt ở mức cao khi lỗi pha trên ba chu kì tách pha (Phase Detect) liên tục là nhỏ hơn 15
ns. Với LDP được thiết lập bằng 1, năm chu kì liên tục nhỏ hơn 15 ns được yêu cầu
tách xung đồng bộ và sẽ vẫn ở mức cao cho tới khi lỗi pha lớn hơn 25 ns được tách
trên bất kì chu kì PD kế tiếp. Kênh N bộ tách xung đồng bộ tương tự được mở hết cỡ,
có thể được điều khiển bởi một điện trở kéo lên tới 10 kΩ. Khi xung đồng bộ được
tách lối ra này sẽ ở mức cao trong một dải xung hẹp.
Hình 2.1. Phổ tần số của sóng điện từ.
Trong ứng dụng thực tế, dải tần của vi ba còn được chia thành các băng tần nhỏ
hơn như
- UHF (Ultra High Frequency): f = 300 MHz ÷ 3 GHz
- SHF (Super High Frequency): f = 3 GHz ÷ 30 GHz
- EHF (Extremely High Frequency): f = 30 GHz ÷ 300 GHz
2.2. Lý thuyết đường truyền và giản đồ Smith
[2],[4],[5]
giản đồ
Smith
Khi nghiên cứu đường truyền đối với các tín hiệu tần thấp, ta thường coi các
đường dây nối (hay đường truyền) là ngắn mạch. Điều này chỉ đúng khi kích thước
10
-1
10
-2
10
-6
10
-3
10
2
10
3.10
8
3.10
11
3.10
9
3.10
10
3.10
14
Copyright: Tài liệu đại học ©