Seminar và thảo luận nhóm về công
nghệ nano


Hello!

Nhóm 10

Ngô Mạnh Hùng – Trần Văn Hiệp
Đồng Xuân Minh – Đoàn Quang Sơn


ADS

It is time to change the status quo! Together we can make smarter, better, more affordable products
for the markets of today and tomorrow!
- If you are an LCD screen, LED or an OLED manufacturer we would love the opportunity to show you
how our technology can take your business to the next level!
- If you are in the business of making smart-phone or tablet computers we are excited about the
opportunity to help you make more affordable as well as higher performance products!
- If you are manufacturing or designing thin-film batteries our technology can help you to leapfrog
competition! We would appreciate the opportunity to explain how we could do this!
- If you are using high cost magnetron sputtering process we might be able to help you to reduce your

Clear Metals Inc.

equipment, material, labour as well as overall manufacturing costs! We would love to explore how we
could help your business!
Let’s talk!



năng đủ lớn lên bề
mặt bia (catot)

Trong các lớp nguyên

Năng lượng nguyên tử

tử xảy ra quá trình va

lớn hoặc bằng năng

chạm

lượng liên kết mạng

Nguyên tử thoát
khỏi bề mặt bia


Cơ chế phún xạ

- Phún xạ xuôi
- Phún xạ ngược

Có thể xảy ra theo 3 cơ chế :

- Năng lượng ion thấp
- Năng lượng ion trung bình
- Năng lượng ion cao



Kích thước bia
Kích thước chuông chân không
Khoảng cách từ bia đến đế
Áp suất , …


Hiệu suất phún xạ

Phụ thuộc năng lượng ion

Phụ thuộc vào bản chất của bia


Hiệu suất phún xạ

+
He
(4 đvnt)
Ar

Be(9)

Al(27)

Si(28)

Cu(64)

Ag(108)


0,42

2,05

3,3

1,0

+

(40 đvnt)
+
Xe
(135 đvnt)

Hiệu suất bắn phá magnetron cao áp 1 chiều bằng ion năng lượng 500 eV đối với
bia kim loại


Các yếu tố ảnh hưởng đến tốc độ lắng
đọng màng


Dòng và thế

◉ Tăng công suất phún xạ không ảnh
hưởng nhiều đến tốc độ lắng đọng

◉


Định luật phân bố cosin

Công thức :

Ii = Incos(Ɵ)
Trong đó:

In là số hạt nằm trên phương pháp tuyến với mẫu trong
1 đơn vị thời gian.

Ii là số hạt nằm trên phương hợp với phương pháp
tuyến 1 góc Ɵ.


Định luật phân bố cosin


Ưu và nhược điểm của phương pháp
phún xạ


Ưu điểm

1,

2,

3,



dạng, có thể thiết kế theo hình
dạng bề mặt đế


Nhược điểm

Tốc độ phún xạ nhỏ hơn nhiều tốc độ bốc bay chân không

Hiệu suất năng lượng thấp , hiệu suất sử dụng bia thấp

Bia khó chế tạo và đắt tiền , cần có bộ làm lạnh vì bia nóng lên do năng
lượng phún xạ tập trung lên bia

Các tạp chất nhiễm từ thành chuông, trong chuông hay từ anot có thể
nhiễm vào trong màng