1
Mạch Điện Tử 2
Đáp ứng tần số cao của mạch
khuếch đại ghép RC
2
Hiện tượng: Đáp ứng tần số của một
mạch kđ – Miền thời gian (1)
Nguồn dòng I
sin
3
Hiện tượng : Đáp ứng tần số của một
mạch kđ – Miền thời gian (2)
Ti me
0s 0. 5ms 1. 0ms
I ( I i n) I C( Q1)
- 4. 0mA
0A
4. 0mA
8. 0mA
Ti me
0s 5us 10us
I ( I i n) I C( Q1)
- 4. 0mA
0A
4. 0mA
8. 0mA
Tần số = 10KHz Tần số = 1MHz
4
Hiện tượng: Đáp ứng tần số của một
mạch kđ – Miền tần số (1)
Nguồn dòng I

phụ thuộc điện
dung nội
Dải giữa: có
thể bỏ qua ảnh
hưởng của
điện dung
7
Giải thích nguyên nhân
Điện tử bị bẫy ở
cực B khi khuếch
tán từ C qua E
Vùng nghèo hạt
dẫn => hình thành
điện dung CB

Điện dung BE, C
b’e
: 100 – 5000pF, do hiện tượng trễ và bẫy

Điện dung CB, C
b’c
: ~30pF, BJT cao tần: ~1pF, do điện tích trái đấu tích
tụ ở 2 bên mối nối C-B
Có thời gian trễ khi
lỗ trống khuếch tán
từ E qua C
8
Mô hình hybrid-pi của BJT
EQ
fe

1
ππ
β
≈
+
=
0=ce
v
i
c
i
i
Tần số cắt β: là tần số cắt 3dB của độ lợi dòng ngắn mạch ngỏ ra,
Giới hạn tần số cao f
T
: là tần số mà tại đó độ lợi dòng mạch CE bằng 1
fefeT
hfhff
ββ
≈−= 1
2
10
Mô hình CB (Common base) ở tần số cao
βα
fhf
fe
=
β
ωω
fe