Download miễn phí Đồ án Nghiên cứu tổng quan về kỹ thuật chuyển mạch trong tổng đài ALCATEL 1000 E10
MỤC LỤC
PHẦN I
KỸ THUẬT CHUYỂN MẠCH SỐ
CHƯƠNG I. KỸ THUẬT ĐIỀU CHẾ XUNG MÃ PCM 3
1. Giới thiệu 3
2. Nguyên lý PCM 3
3. Lấy mẫu 4
4. Lượng tử hoá (Quanlization) 6
5. Mã hoá 8
6. Ghép kênh phân chia theo thời gian (TDM): (Time Division Multiplexing) 11
7. Nhóm ghép khênh cơ sở PCM 13
CHƯƠNG II: KỸ THUẬT CHUYỂN MẠCH SỐ 15
I. Giới thiệu về tổng đài số 15
I. Đặc điểm chuyển mạch số 16
II. Nguyên lý chuyển mạch số 16
1. Trường chuyển mạch thời gian tín hiệu số T (Time Switch): 18
2. Trường chuyển mạch không gian tín hiệu số (S) 22
3. Trường chuyển mạch kết hợp 26
5. Cấu trúc module và phát triển dung lượng 32
6. Đồng bộ trong chuyển mạch số: 33
7. Điều khiển và phòng vệ trường chuyển mạch: 37
PHẦN II
KHÁI QUÁT VỀ TỔNG ĐÀI ALCATE 1000E10
CHƯƠNGI: GIỚI THIỆU CHUNG VỀ TỔNG ĐÀI ALCATEL 1000 E10 39
I. Vai trò vị trí 39
1. Vị trí 39
Hình 18 Vị trí Alcatel 1000 E10 trong mạng thoại 40
2. Các giao tiếp ngoại vi 42
3. Các dịch vụ được cung cấp 42
4. Các thông số kỹ thuật 46
II. Cấu trúc tổng thể của tổng đài Alcatel 46
1. Cấu trúc chức năng tổng thể 46
2. Bộ cơ sở thời gian (BT) 48
3. Ma trận chuyển mạch chính 49
4. Bộ điều khiển trung kế PCM (URM) 49
5. Quản lý thiết bị phụ trợ (ETA) 49
6. Bộ xử lý cuộc gọi (MR) 50
7. Khối quản lý cơ sở dữ liệu phân tích và cơ sở dữ liệu thuê bao (TR) 51
8. Khối tính cước và đo lượng lưu thoại (TX) 51
9. Khối quản lý ma trận chuyển mạch (GX) 51
10. Khối phân phối bản tin (MQ) 52
11. Mạch vòng thông tin (Token Ring) 52
12. Chức năng vận hành và bảo dưỡng (OM) 52
13. Cấu trúc phần cứng 53
14. Phần mềm (ML) 54
15. Dự phòng 54
16. Cấu trúc phòng vệ 56
CHƯƠNG II: TRƯỜNG CHUYỂN MẠCH TRONG TỔNG ĐÀI ACALTEL 1000E10 59
I. Hệ thống ma trận chuyển mạch (CCX) 59
1. Vai trò của CCX 59
2. Tổ chức của CCX 59
3. Hoạt động của CCX 61
II. Chọn lựa và khuyếch đại chọn lựa nhánh (SAB) 61
1. Giới thiệu 61
3. SMX (Trạm điều khiển ma trận) 66
4. Phân giao tiếp lệnh 67
5. Phần giao tiếp đường ma trận 67
6. Ma trận đấu nối có chức năng là chuyển mạch bất kỳ một kênh nào với bất kỳ một kênh ra nào 68
7. Bảng ma trận RCMT 69
8. Phòng vệ đấu nối 71
THUẬT NGỮ VIẾT TẮT 75
http://s1.liketly.com/flash/edoc/jh2i1fkjb33wa7b577g9lou48iyvfkz6-swf-2013-12-27-do_an_nghien_cuu_tong_quan_ve_ky_thuat_chuyen_mach.yYP8KfFrqy.swf /tai-lieu/de-tai-ung-dung-tren-liketly-51245/Để tải bản Đầy Đủ của tài liệu, xin Trả lời bài viết này, Mods sẽ gửi Link download cho bạn sớm nhất qua hòm tin nhắn.Ai cần download tài liệu gì mà không tìm thấy ở đây, thì đăng yêu cầu down tại đây nhé:
Nhận download tài liệu miễn phí
Tóm tắt nội dung tài liệu:
chuyển mạch thời gian và xác định tiếp điểm chuyển mạch không gian cần thực hiện Đóng/Mở cho cuộc kết nối.
Tại trưởng chuyển mạch thời gian tín hiệu số T, phương pháp điều khiển trường chuyển mạch là phương pháp điều khiển đầu ra (SWRR).
Tại trường chuyển mạch không gian tín hiệu số, cách điều khiển là cách điều khiển theo cột, tiếp điểm chuyển mạch 1/A1 cần được điều khiển đóng trong thời điểm khe thời gian TS43.
TS8
TS43
CM - A1
CM – A2
SM – A2
CM – A2
SM – A3
CM – B2
CM – B3
TS43
CM – B1
43
Chuyển mạch không gian
tín hiệu số
B1
B2
Các bộ chuyển mạch thời gian số
B3
2
2
2
1
1
1
3
3
3
Hình 16: Cấu trúc của chuyển mạch ghép
Quá trình thiết lập tuyến nối qua chuyển mạch ghép T –S được thực hiện như sau:
+ Ghi thông tin địa chỉ cần thiết vào các bộ nhớ điều khiển CM:
Tại ngăn nhớ số 43 của CM – A1 bộ điều khiển ghi thông tin là 8 (địa chỉ ngăn nhớ số 8 của RAM tin).
Tại ngăn nhớ số 43 của CM – B1 bộ điều khiển ghi thông tin địa chỉ là 1 (địa chỉ tiếp điểm số 1 của B1).
+ Ghi thông tin thoại vào bộ nhớ tin SM: Việc ghi thông tin thoại vào bộ nhớ tin được thực hiện đồng bộ với tuyến PCM đầu vào, vì vậy tại thời điểm của khe thời gian tín hiệu số TS8 nội dung thông tin thoại đó sẽ được ghi vào ngăn nhớ số 8 của SM – A1.
+ Đọc thông tin thoại từ bộ nhớ tin SM và điều khiển đấu nối qua trường chuyển mạch không gian:
Bộ điều khiển chuyển mạch đọc lần lượt các ngăn nhớ của bộ nhớ điều khiển CM – A1 (đồng bộ với tuyến PCM đầu ra). Đến thời điểm của khe thời gian 43, bộ điều khiển đọc đến ngăn nhớ số 43 thu được thông tin địa chỉ là 8, từ thông tin này bộ điều khiển sẽ đọc tại ngănm nhớ số 8 của bộ nhớ tin SM – A1. Như vậy, tại đầu ra của bộ nhớ tin SM – A1 vào thời điểm của khe thời gian TS43 ta có nội dung thông tin thoại của khe thời gian TS8 đầu vào. Cũng tại thời điểm khe thời gian TS43, ở trương chuyển mạch không gian tín hiệu số S, bộ điều khiển đọc đến ngăn nhớ số 43 của CM – B1 nhận được thông tin là 1, nhờ thông tin địa chỉ này mà bộ điều khiển sẽ đưa tín hiệu điều khiển tiếp điểm chuyển mạch 1 đóng. Vì vậy, tại đầu ra B1 của chuyển mạch không gian tín hiệu số vào thời điểm TS43 chúng ta có nội dung thông tin thoại TS8 của đầu vào A1. Ta nói rằng đã thực hiện được tuyến nối TS8 – A1 với TS 43 – B1.
* Nhận xét: Qua phân tích trường chuyển mạch ghép T – S trên, ta thấy rằng dung lượng của trường chuyển mạch có tăng lên đáng kể, nhưng trường chuyển mạch ghép T – S vẫn xảy ra tổn thất nội, cụ thể: Nếu tại đầu vào TS8 – A1 đã có nhu cầu thiết lập tuyến nối với TS43 – B1 thì cũng vào thời điểm đó không thể thiết lập được tuyến nối giữa TS12 – A2 hay TS7 – A3 tới TS43 – B1 mặc dù các khe thời gian còn lại vẫn rỗi, bởi vì vào thời điểm đó tiếp điểm 1/hàng 1 đã đóng thì các tiếp điểm cùng hàng không thể đóng vào thời điểm TS43 được nữa.
Để khắc phục hiện tượng tổn thất nội, người ta cần trang bị thêm tầng chuyển mạch T hay S nữa. Chúng ta sẽ có cấu trúc chuyển mạch ghép như: T – S – T, S-T-S, T-S-S-T, … trong thực tế trường chuyển mạch T- S – T là được dùng phổ biến nhất và được dùng nhiều trong tổng đài số hiện nay.
* Trường chuyển mạch kết hợp T – S – T:
Ta xét trường chuyển mạch kết hợp gồm ba tuyến PCM đầu vào là: A1, A2, A3, và ba tuyến PCM đầu ra: C1, C2, C3. Trường chuyển mạch này có ba tầng chuyển mạch, tầng chuyển mạch thời gian tín hiệu số đầu vào, tầng chuyển mạch không gian tín hiệu số và tầng chuyển mạch thời gian tín hiệu số đầu ra (hình vẽ). Trong đó tầng chuyển mạch thời gian tín hiệu số đầu vào gồm các bộ nhớ tin và địa chỉ: SM – A1, CM – A1; SM – A2, CM – A2,SM – A3,CM – A3. Phương pháp điều khiển chuyển mạch thời gian tín hiệu số đầu vào là phương pháp điều khiển đầu ra (SWRR).
Tầng chuyển mạch không gian tín hiệu số là một ma trận chuyển mạch 3 x 3, có ba bộ nhớ điều khiển đấu nối: CM – B1, CM – B2, CM- B3.
Tầng chuyển mạch thời gian tín hiệu số đầu ra gồm các bộ nhớ tin và địa chỉ: SM – C1, CM – C1, SM – C2, CM – C2, SM – C3, CM – C3. Phương pháp điều khiển tầng chuyển mạch này là phương pháp điều khiển đầu vào (RWSR).
Sm - C1
Sm - C2
Sm - C3
cm - C2
cm - C3
cm - B3
cm - B2
cm - B1
124
Sm - A3
Cm - A3
Sm - A1
Sm - A1
Ts 124
Ts 45
Các bộ chuyển mạch
thời gian số đầu vào
Các bộ chuyển mạch
thời gian số đầu ra
Trường chuyển mạch không gian số
Hình 17:Trường chuyển mạch ghép không gian – thời gian – không gian (T– S - T)
* Nguyên lý hoạt động của trường chuyển mạch ghép T - S- T:
Giả sử cần thiết lập tuyến nối giữa TS10 – A2 với TS 45 – C1, Quá trình điều khiển chuyển mạch được thực hiện như sau:
Để ghi được các thông tin địa chỉ vào các bộ nhớ điều khiển, trước hết bộ điều khiển chuyển mạch phải tiìm chọn được một khe thời gian trung gian rỗi trên đường PCM trung gian giữa chuyển mạch T đầu vào với chuyển mạch S và giữa chuyển mạch S với chuyển mạch T đầu ra. Giả sử bộ điều khiển chuyển mạch đã xác định được khe thời gian trung gian rỗi TS124 trên đường PCM trung gian, bộ điều khiển trung tâm sẽ thực hiện:
+ Ghi các thông tin địa chỉ cần thiết vào các bộ nhớ điều khiển CM.
- Tại bộ nhớ điều khiển CM – A2, bộ điều khiển thực hiện ghi vào ngăn nhớ 124 nội dung thông tin địa chỉ ngăn nhớ số 10 của bộ nhớ tin SM – A2.
- Tại bộ nhớ điều khiển CM- B1, bộ điều khiển thực hiện ghi vào ngăn nhớ số 124 nội dung thông tin địa chỉ của tiếp điểm chuyển mạch số 2/hàng1 (tiếp điểm chuyển mạch cần đống vào thời điểm TS124).
- Tại bộ nhớ điều khiển CM – C1, bộ điều khiển thực hiện ghi vào ngăn nhớ số 124 nội dung thông tin địa chỉ của ngăn nhớ số 45 của bộ nhớ tin SM – C1.
+ Ghi thông tin thoại vào bộ nhớ tin SM – A2.
Quá trình ghi thông tin thoại vào bộ nhớ tin được thực hiện lần lượt (đồng bộ với tuyến PCM đầu vào), đến thời điểm của khe thời gian TS10, tại bộ nhớ tin SM – A2, bộ điều khiển sẽ thực hiện ghi thông tin thoại vào ngăn nhớ số 10.
+ Đọc thông tin thoại từ bộ nhớ tin SM – A2 và điều khiển đấu nối qua trường chuyển mạch không gian, ghi thông tin thoại vào SM – C1.
Bộ điều khiển chuyển mạch đọc lần lượt các ngăn nhớ của bộ nhớ điều khiển CM – A2 (đồng bộ với tuyến PCM đầu vào). Đến thời điểm của khe thời gian trung gian TS124 bộ điều khiển đọc đến ngăn nhớ số 124 thu nhận được thông tin địa chỉ ngăn nhớ số 10 của bộ nhớ tin SM – A2. Từ thông tin địa chỉ này bộ điều khiển sẽ đọc tại ngăn nhớ số 10 của bộ nhớ tin SM – A2. Như vậy tại đầu ra của bộ nhớ tin SM – A2, vào thời điểm khe thời gian TS 124 có nội dung thông tin thoại của khe thời gian TS10 đầu vào SM – A2. Đồng thời cũng vào thời điểm khe thời gian TS124 đó, tại trường chuyển mạch không gian tín hiệu số S bộ điều khiển đọc đến ngăn nhớ số 124 của CM – B1 nhận được thông tin địa chỉ của tiếp điểm số 2/hàng1, nhờ thông tin địa chỉ này bộ điều khi
