1
CÂU HỎI TRẮC NGHIỆM MÔN ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT_NEW
Chương 1: Mở đầu
1. Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, năng lượng thất thoát trong thời gian khởi dẫn là
a.
swoffSWON
tIVW
6
1
=
b.
swonSWON
tIVW
6
1
=
c.
swonSWON
tIVW
3
1
=
d.
swoffSWON
tIVW
3
1
=
2. Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, năng lượng thất thoát trong thời gian khởi ngưng là
a.
swoffSWOFF

( )
swoffswonSW
ttIVW += .
6
1
c.
( )
swoffswonSW
ttIVW += .
2
1
d.
( )
swoffswonSW
ttIVW += .
4. Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, công suất tiêu tán trong một chu kỳ giao hoán là
a.
( )
fttVIP
swoffswonSW
+=
3
1
b.
( )
fttVIP
swoffswonSW
+=
2
1

d.
fttIVP
swoffswonFFT
)(
6
1
maxmax
+=
6. Transistor công suất (BJT) được xem như là một công tắc bán dẫn có khả năng chịu được
dòng điện lớn nên điện tính trong vùng phát phải thật lớn nên
a. Transistor được thiết kế độ rộng vùng phát hẹp để giảm điện trở nền ký sinh
b. Transistor có cấu trúc xen kẻ (interdigitated structure) của nhiều cực nền và cực phát
c. Transistor có điện trở cực phát rất nhỏ
d. Cả ba câu trên đều đúng
7. Phát biểu nào sau đây thì đúng về đặc tính của transistor (BJT) công suất
a. Độ lợi dòng lớn còn tuỳ thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng nhỏ độ lợi
càng nhỏ
b. Độ lợi dòng lớn còn tuỳ thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng lớn độ lợi
càng lớn
c. Ngoài hiện tượng huỷ thác do phân cực nghịch còn có hiện tượng huỷ thác thứ cấp do
transistor hoạt động ở điện thế và dòng lớn
d. Cả ba câu trên đều đúng
8. Công suất thất thoát khi Transistor công suất (BJT) khi dẫn bảo hoà sẽ là
a.
( )
T
t
IVIVP
on
BBEbhCMCEbhON

off
BBEbhCMCEbhOFF
+=
b.
T
t
IVP
off
rCCOFF
=
2
c.
( )
T
t
IVIVP
off
BCEbhCMCEbhOFF
+=
d.
T
t
IVP
on
CMCCOFF
=
10. Năng lượng thất thoát tổng cộng của Transistor công suất (BJT) khi giao hoán là
a.
( )
swoffswonCMCEMSW

++=
d.
( )
fWPPP
SWOFFONT
++=
12. Phát biểu nào sau đây đúng cho cấu trúc của mosfet công suất
a. Có cấu trúc xen kẻ của các tiếp giáp n-p để cấp dòng lớn
b. Có cấu trúc kênh dẫn theo hình chữ V nên còn gọi là vmosfet để cấp dòng lớn
c. Có diện tích tiếp xúc của vùng hiếm nhỏ để cấp dòng lớn
d. Cả ba câu trên đều đúng
13. Phát biểu nào sau đây đúng cho đặc tính của mosfet công suất
a. Điện trở giữa cực D và S khi dẫn nhỏ (vài chục
Ωm
)
b. Tổng trở vào rất lớn, điện thế cực đại V
GS
cở vài chục volt
c. Thời gian đáp ứng trên dãy nhiệt độ rộng, thời gian giao hoán nhanh (> 100kHz)
d. Cả ba câu trên đều đúng
14. Phát biểu nào sau đây đúng về sự khác biệt của mosfet so với BJT công suất
a. Tần số làm việc thấp so với BJT công suất
b. Đáp ứng tần số nhỏ hơn BJT công suất
c. Đặc tuyến có trị số tới hạn tối đa, không có hiện tượng huỷ thác thứ cấp so với BJT
công suất
d. Thực hiện mạch thúc khó hơn BJT công suất
15. Công suất tổn hao của mosfet công suất khi dẫn sẽ là
a.
T
t

t
RIP
off
DSonDOFF
2
=
b.
T
t
RIP
on
DSonDOFF
2
=
c.
T
t
IVP
on
DRDSOFF max
=
d.
T
t
IVP
off
DRDSOFF max
=
17. Năng lượng tổn hao của mosfet công suất sẽ là
a.

( )
SWOFFONSW
WPPP ++=
c.
( )
fWWP
SWoffSWonSW
+=
d.
( )
fWPPP
SWOFFONSW
++=
19. Công suất tổn hao tổng cộng của mosfet công suất là
a.
SWOFFONT
PPPP ++=
b.
T
t
IVP
on
DDST
=
c.
T
t
IVP
off
DCDT

23. Phát biểu nào đúng cho SCS (silicon controlled switch)
a. Có cấu tạo giống như SCR nhưng cực G kích xung âm để điều khiển đóng
b. Có cấu tạo giống như GTO nhưng cực G kích xung dương để điều khiển đóng
c. Có cấu tạo giống như SCR nhưng có hai cực G kích xung âm và xung dương để điều
khiển đóng hoặc ngắt
d. Các phát biểu trên đều đúng
24. Phát biểu nào đúng cho việc điều khiển đóng ngắt SCS (silicon controlled switch)
a. Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn V
AK
âm và cho xung kích đi vào cực G
K
, nếu muốn SCS
ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực G
A
b. Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn V
AK
dương và cho xung kích đi vào cực G
A
, nếu muốn
SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực G
K
c. Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn V
AK
dương và cho xung kích đi vào cực G
K
, nếu muốn
SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực G
A
d. Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn V
AK

b. Tần số làm việc cao (vài kHz)
c. Thời gian giao hoán ngắt bé (khoảng 0,15
s
󽝮
)
d. Các phát biểu trên đều đúng
29. Trong các linh kiện sau đây loại nào không phải là linh kiện công suất.
a. BJT b. TRIAC
c. UJT d. MOSFET
30. Trong các linh kiện sau đây loại nào không có khả năng điều khiển công suất.
a. MOSFET b. TRIAC
c. SCR d. DIAC
31. Linh kiện nào sau đây là SCR.
c dba
32. Linh kiện nào sau đây là TRIAC
c dba
33. Linh kiện nào sau đây là GTO
ba c d
34. Linh kiện công suất là linh kiện có:
a. Có hình dạng và kích thước lớn b. Dễ ghép với nhôm tản nhiệt.
c. Làm việc với dòng lớn, áp lớn d. Cả ba câu trên đều đúng
35. Mạch điều khiển công suất làm việc với điện áp lớn cần sử dụng linh kiện nào sau:
5
a. SCR b. MOSFET
c. Diode d. IGBT
36. Cấu tạo TRIAC có số tiếp giáp P-N :
a. 3 b. 4
c. 5 d. 6
37. Cấu tạo SCR có số lớp chất bán dẫn là:
a. 3 b. 4

tương đương nhỏ.
b. Khi mở cho dòng chảy qua hay khi khóa thì điện trở tương đương không thay đổi.
c. Khi mở cho dòng chảy qua thì có điện trở tương đương nhỏ, khi khóa thì điện trở
tương đương lớn.
d. Cả ba câu kia đều sai.
45. Dòng điện rò :
a. Có giá trị rất nhỏ, vài µA.
b. Có giá trị nhỏ, vài mA.
c. Là dòng điện chảy qua phần tử khi phần tử phân cực thuận, có giá trị nhỏ, vài A.
d. Là dòng điện chảy qua phần tử khi phần tử phân cực nghịch, có giá trị nhỏ, vài mA.
46. Diode là phần tử bán dẫn công suất cấu tạo bởi :
a. 1 lớp tiếp giáp p-n b. 3 lớp tiếp giáp p-n
c. 2 lớp tiếp giáp p-n d. 5 lớp tiếp giáp p-n
47. Điện trường nội E
i
trong diode :
a. Có chiều hướng từ vùng p sang vùng n.
b. Có chiều hướng từ vùng n sang vùng p.
c. Có chiều phụ thuộc vào phân cực thuận hay phân cực nghịch.
d. Tất cả đều sai.
48. Diode dẫn dòng điện từ anode sang catot khi :
a. Phân cực ngược.
b. Phân cực thuận.
6
c. Điện trở tương đương của diode lớn.
d. Cực dương của nguồn nối với catot, cực âm của nguồn nối với anode.
49. SCR cấu tạo từ :
a. 4 lớp bán dẫn. b. 5 lớp bán dẫn.
c. 2 lớp bán dẫn. d. 3 lớp bán dẫn.
50. Tín hiệu điều khiển SCR :

tục.
d. Tất cả đều sai.
55. Khi SCR đã được kích mở dẫn dòng :
a. Kích 1 xung dương vào cực điều khiển để SCR ngưng dẫn.
b. Kích 1 xung âm vào cực điều khiển để SCR ngưng dẫn.
c. Kích 1 xung dương vào cực điều khiển để SCR dẫn tiếp tục.
d. Xung kích mất tác dụng điều khiển.
56. Khi SCR đã được kích mở dẫn dòng, để SCR ngưng dẫn :
a. Giảm dòng anode – catot về dưới mức dòng duy trì.
b. Đảo chiều điện áp trên anode – catot ngay lập tức.
c. Giảm dòng anode – catot về dưới mức dòng duy trì hoặc đặt điện áp ngược lên SCR
sau 1 thời gian phục hồi.
d. Tất cả đều sai.
57. Đặc tính Volt – Ampe của Triac bao gồm :
a. 2 đoạn đặc tính ở góc phần tư thứ 1 và thứ 3.
b. 2 đoạn đặc tính đối xứng qua gốc tọa độ.
c. 2 đoạn đặc tính ở góc phần tư thứ 2 và thứ 4.
d. 2 đoạn đặc tính ở góc phần tư thứ 1 và thứ 3 và đối xứng nhau qua gốc tọa độ.
58. Triac là linh kiện bán dẫn có khả năng :
a. Dẫn dòng theo cả 2 chiều.
b. Ứng dụng trong mạch công suất điều chỉnh điện áp DC.
c. Tương đương với 2 SCR đấu song song.
d. Tương đương với 2 SCR đấu ngược chiều nhau.
59. Triac thì:
a. Giống như 2 diode ghép song song.
7
b. Giống như 2 SCR ghép song song nhưng ngược chiều nhau.
c. Giống như 2 SCR ghép song song.
d. Giống như 1 SCR.
60. Triac :

c. Xuất hiện khi điện áp anode 2 là dương so với anode 1.
d. Câu b thì đúng.
67. SCR sẽ bị đánh thủng khi :
a. Dòng kích cực cổng cực đại.
b. Điện áp đặt trên anode-catot là âm.
c. Điện áp đặt trên anode-catot là dương.
d. Điện áp đặt trên anode-catot là âm hơn giá trị điện áp ngược cực đại.
68. Diac là linh kiện đóng ngắt bằng :
a. Dòng điện thường trực.
b. Hiệu ứng trường.
c. Điện áp ngược đặt lên các tiếp giáp P-N.
d. Xung điện có độ rộng bé.
69. Thời gian phục hồi của diode công suất khi diode đang dẫn đột ngột chuyển sang trạng thái
ngưng là do
a. Diode có công suất lớn, thời gian này bằng không
b. Diode có thời gian chuyển tiếp do sự phục hồi của các hạt tải trong nối pn
c. Diode có điện thế giảm từ thuận đến nghịch
d. Diode có dòng giảm từ I
F
đến trị số tối thiểu nào đó tuỳ theo loại diode
70. Thời gian chuyển tiếp của diode là thời gian
a. Diode có dòng giảm từ I
F
đến trị số tối thiểu nào đó tuỳ theo loại diode
8
b. Diode có điện thế giảm từ thuận đến nghịch, số hạt tải còn di chuyển trong vùng hiếm
làm cho dòng điện thay đổi từ trị số 0 đến I
RM
c. Diode có dòng giảm từ trị số 0 đến trị số I
RM

73. Dòng I
A
của SCR được tính theo công thức nào sau đây
a.
( )
( )
21
211
1
󽝢󽝢
󽝢
+−
++
=
CBOCBOG
A
III
I
b.
( )
( )
21
212
1
󽝢󽝢
󽝢
−+
++
=
CBOCBOG

A
III
I
74. Cách làm tăng dòng I
A
để làm SCR từ trạng thái ngưng sang trạng thái dẫn. Phát biểu nào sau
đây là đúng
a. Tăng điện thế Anot
→
làm tăng dòng rỉ I
CBO
→
làm xảy ra hiện tượng huỷ thác
( )
1
21
→+
󽝢󽝢
b. Tăng dòng I
G
để các transistor (mạch tương đương) nhanh chóng đi vào trạng thái dẫn
bảo hoà
c. Tăng nhiệt độ các mối nối bên trong SCR, hay tăng tốc độ tăng thế dv/dt tạo dòng nạp
cho điện dung mối nối pn.
d. Các phát biểu a, b, c đều đúng
75. Để tác động cho SCR đang dẫn chuyển sang trạng thái ngưng, cách nào sau cách là đúng
a. Cắt bỏ nguồn cung cấp
b. Dùng một bộ phận có điện trở thật nhỏ mắc song song với SCR để tạo dòng I
A
<I

I
D
=6A, V
DS
=100V, t
swno
=100ns, t
swoff
= 200ns, tần số giao hoán 4kHz. Công suất thất thoát
tổng cộng của mosfet là
f =4kHz
in
+
-
Vcc
R
Q1
a. 3,3[W] b. 6,7[W] c. 0,8[W] d. 5,4[W]
79. Cho mạch điện như hình vẽ. Diode dẫn với dòng
AI
D
30=
,
VV
F
1.1=
,
mAI
R
3,0=

83. MCT là linh kiện công suất được chế tạo dựa trên đặc tính
a. Tác động nhanh của Mosfet và dòng lớn của SCR
b. Khả năng chịu dòng lớn của BJT và điều khiển điện áp lớn của Mosfet
c. Điều khiển điện áp lớn của Mosfet và dòng lớn của SCR
d. Tác động nhanh của của BJT và dòng lớn của Mosfet
84. MCT là linh kiện công suất được chế tạo nhằm khắc phục nhược điểm của
a. Mosfet và GTO
b. BJT và Mosfet
c. Mosfet và IGBT
d. SCR và Mosfet
85. Công suất trung bình khi sử dụng linh kiện IGBT cung cấp cho tải R trong thời gian dẫn là
a.
T
t
R
V
P
ON
L
s
L








=

s
L








=
2
d.
T
t
R
V
P
ON
L
s
L









= 1/6( V
CEmax
.I
cmax
)( t
swon
+ t
swoff
)T
sw
d. P
sw
= 1/3( V
CEmax
.I
cmax
)( t
swon
+ t
swoff
)f
sw
87. Triac được xem như 2 SCR mắc đối song nhưng chỉ khác là
a. Triac còn có thể kích được dòng đi ra cực G nhưng mạch 2 SCR thì không
b. Triac còn có thể kích được dòng đi vào cực G nhưng mạch 2 SCR thì không
c. Triac còn có thể kích được áp đi ra cực G nhưng mạch mạch 2 SCR thì không
d. Triac có thể kích được áp đi vào cực G nhưng mạch 2 SCR thì không
88. Mạch 2 SCR mắc đối song thường được sử dụng hơn mạch sử dụng Triac vì
a. Công suất lớn hơn và tạo xung điều khiển dễ
b. Công suất lớn hơn và tạo xung điều khiển khó

c. Cấp xung dương vào cực khiển
d. Cấp xung âm vào cực khiển
95. Để điều khiển ngắt MCT ta điều khiển bằng cách
11
a. Cấp dòng cho cực khiển
b. Cấp áp cho cực khiển
c. Cấp xung dương vào cực khiển
d. Cấp xung âm vào cực khiển
96. Trong các mạch công suất để dễ điều khiển đóng ngắt thường chọn
a. Linh kiện điều khiển bằng xung âm
b. Linh kiện điều khiển bằng xung dương
c. Linh kiện điều khiển bằng áp
d. Linh kiện điều khiển bằng dòng
97. Linh kiện công suất nào sau đây hiện được chế tạo có dòng cao nhất
a. BJT
b. GTO
c. MOSFET
d. IGBT
98. Linh kiện công suất nào sau đây hiện được chế tạo có dòng cao nhất
a. BJT
b. GTO
c. SCR
d. IGBT
99. Linh kiện công suất nào sau đây hiện được chế tạo chịu được áp ngược cao nhất
a. BJT
b. GTO
c. MCT
d. IGBT
100. Linh kiện công suất nào sau đây hiện được chế tạo chịu được áp ngược cao nhất
a. BJT

a. Xung đưa vào ngược chiều để triệt tiêu dòng qua Anot
b. Xung đưa vào ngược chiều để triệt tiêu dòng qua Katot
c. Áp đưa vào ngược chiều để triệt tiêu dòng qua Anot
d. Áp đưa vào ngược chiều để triệt tiêu dòng qua Katot
107. IGCT được chế tạo với mục đích
a. Làm giảm trị số điện dung mạch cổng đến trị số nhỏ nhất
b. Làm giảm trị số cảm kháng cực cổng đến trị số nhỏ nhất
c. Làm tăng trị số điện dung mạch cổng đến trị số nhỏ nhất
d. Làm tăng trị số cảm kháng cực cổng đến trị số nhỏ nhất
108. IGCT là linh kiện công suất có tính năng vượt trội so với các linh kiện công suất khác đó
là
a. Làm giảm nhanh trị số dòng điện qua cực cổng
b. Làm giảm nhanh trị số hiệu điện thế qua cực cổng
c. Làm tăng nhanh trị số dòng điện qua cực cổng
d. Làm tăng nhanh trị số hiệu điện thế qua cực cổng
109. linh kiện nào sau đây là IGCT
a. b. c d.
110. Linh kiện nào sau đây là Diode Schottkey.
a. b. c. d.
111. Linh kiện nào sau đây là SCS.
a. b. c. d.
112. Diode Schottkey có tần số làm việc như thế nào so với tần số làm việc của diode
thường:
a. Cao hơn. b. Thấp hơn. c. Bằng nhau d. Bằng không
113. Diode Schottkey thường được làm từ các chất bán dẫn nào sau đây:
a. . GaAs b. Ge c Si d. GaAl
114. Điện áp rơi Diode Schottkey nằm trong khoảng nào sau:
a. 0,3V - 0,5V b. 1V - 3V c. 0,2V - 0,3V d. 0,6V – 0,8V
115. Điện áp rơi Diode chỉnh lưu công suất thường có giá trị trong khoảng nào sau:
a. 1V - 3V b. 0,3V - 0,5V c. 0,2V - 0,3V d. 0,6V – 0,8V

α
t
󽝸
0
v
󽝱
󽝱
2
π
t
󽝸
0
2π
v
π
t
󽝸
0
2π
v
v
π
t
󽝸
0
2π
v
α
t
󽝸

3
v
t
󽝸
0
0
α
α
α
v
t
󽝸
α
1
α
2
α
3
v
t
󽝸
0
0
α
α
α
v
t
󽝸
α

a. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra liên tục
b. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra không liên tục
c. Chỉnh lưu cầu điều khiển đối xứng tải R-L dòng ra liên tục
d. Chỉnh lưu cầu điều khiển đối xứng tải R-L dòng ra không liên tục
14. Nguồn áp xoay chiều dạng sin
tsinv
iac
󽝱
1002220=
[V] mắc nối tiếp với một tải điện trở
Ω= 2R
và một diode lý tưởng như hình vẽ. Dòng trung bình qua diode lấy gần đúng là
TAIVs Viac
T1 D1
a. 59 [A] b. 49 [A] c. 70 [A] d. 99 [A]
15. Mạch chỉnh lưu bán kỳ bằng diode như hình vẽ, với
tsinv
iac
󽝱
1002220=
[V] mạch có tần
số xung ra:
D1
T1
TAIVs Viac
a. Bằng tần số xung xoay chiều b. Gấp 2 lần tần số xung vào
c. Gấp 3 lần tần số xung vào d. Tất cả đều sai
16. Trong sơ đồ hình vẽ tải R, diode D1sẽ dẫn ở các thời điểm.
D1
T1

v
t
󽝸
16
.
TAIVs Viac
T1 D1
a. 0 đến
󽝱
b.
󽝱
đến 2
󽝱
c. 2k
󽝱
đến (2k+1)
󽝱
d. (2k+1)
󽝱
đến 2
󽝱
(k+1)
18. Trong sơ đồ hình sau tải R+L, diode D1 sẽ dẫn ở các thời điểm.
TAIVs Viac
T1 D1
a. 0 đến
󽝱
b. 2k
󽝱
đến (2k+1)

b. 2k
󽝱
đến (2k+1)
󽝱
c. (2k+1)
󽝱
đến 2
󽝱
(k+1) d. Các câu a, b, c đều sai
21. Trong sơ đồ hình sau điện áp trung bình trên tải R là:
ac
D2
TAI
V
T2 D1
Viac
a.
󽝱
2
M
AV
V
V =
b.
󽝱
M
AV
V
V =
c.

TAI
V
T2 D1
Viac
a. 15 V b. 100 V c. 135V d. 175 V
24. Trong sơ đồ hình sau nếu có điện áp vào V
m
= 150 (V) , tải R = 10 ohm thì điện áp ngược
cực đại trên diode là :(lấy gần đúng )
ac
D2
TAI
V
T2 D1
Viac
a. 424 V b. 300 V c. 212 d. 150 V
25. Trong sơ đồ hình sau tải R, diode D2 dẫn trong các thời điểm
ac
D2
TAI
V
T2 D1
Viac
a. 0 đến
󽝱
b.
󽝱
đến 2
󽝱
c. 2k

27. Trong sơ đồ hình sau tải R+L, diode D2 dẫn trong các thời điểm
ac
D2
TAI
V
T2 D1
Viac
a. 0 đến
󽝱
b.
󽝱
đến 2
󽝱
c. 2k
󽝱
đến (2k+1)
󽝱
d.(2k+1)
󽝱
đến 2
󽝱
(k+1)
28. Trong sơ đồ hình sau tải R+E, diode D1 dẫn trong các thời điểm
18
ac
D2
TAI
V
T2 D1
Viac

TAI
V
T2 D1
Viac
a. I
D1
= I
D2
b. I
D1
> I
D2
c. I
D1
< I
D2
d. Phụ thuộc vào tải
31. Trong sơ đồ hình sau, để chọn diode cho mạch ta dựa vào:
ac
D2
TAI
V
T2 D1
Viac
a. Dựa vào điện áp nguồn b.U
Rmax
, I
Dmax
c. Dựa vào tải d. Tất cả đều đúng
32. Trong sơ đồ hình sau điện áp ngược trên mỗi diode là:

=
33. Trong sơ đồ hình sau điện áp trung bình trên tải là:
19
D2
D1
TAI
D4
iac
D3
V
a.
󽝱
2
M
AV
V
V =
b.
󽝱
M
AV
V
V =
c.
󽝱
M
AV
V
V
2

m
= 150 (V) , tải R = 10 ohm thì điện áp ngược
max trên diode là :(lấy giá trị gần đúng )
D2
D1
TAI
D4
iac
D3
V
a. 150 V b. 212 V c. 300 V d. 424 V
37. Trong sơ đồ hình sau nếu có điện áp vào U
m
= 150 (V) , tải R = 10Ω thì dòng qua mỗi diode
là :(lấy gần đúng )
20
D2
D1
TAI
D4
iac
D3
V
a. 6,75 A b. 10 A c. 13,5 A d. 4.77A
38. Trong sơ đồ hình sau diode D1 dẫn cùng lúc với:
D2
D1
TAI
D4
iac

D3
V
a. 0 đến
󽝱
b.
󽝱
đến 2
󽝱
c. 2k
󽝱
đến (2k+1)
󽝱
d. (2k+1)
󽝱
đến 2
󽝱
(k+1)
42. Trong sơ đồ hình sau tải R+L, diode D4 dẫn trong các thời điểm
D2
D1
TAI
D4
D
iac
D3
V
a. 0 đến
󽝱
b.
󽝱

D2
D1
TAI
D4
iac
D3
V
a. Phụ thuộc giá trị vào R
b. Phụ thuộc giá trị vào E
c. Dẫn từ 2k
󽝱
+
󽝲
đến (2k+1)
󽝱
-2
󽝲
d. Dẫn từ (2k+1)
󽝱
đến 2(k+1)
󽝱
45. Trong sơ đồ hình sau điện áp ngược cực đại đặt lên mỗi diode là:
22
D2
D1
TAI
D4
iac
D3
V

TAI
D4
iac
D3
V
a. 0 đến
󽝱
b.
󽝱
đến 2
󽝱
c. 2k
󽝱
đến (2k+1)
󽝱
d. (2k+1)
󽝱
đến 2
󽝱
(k+1)
47. Trong sơ đồ hình sau tải R, diode D4 dẫn trong các thời điểm
D2
D1
TAI
D4
iac
D3
V
a. 0 đến
󽝱

D4
iac
D3
V
a. 1,13A b.0,79A c.2,25A d.7,95A
50. Mạch chỉnh lưu cầu 1 pha không điều khiển như hình sau, điện áp thứ cấp máy biến áp có giá
trị đỉnh đỉnh là Vpp = 25V, tải thuần trở R = 10 Ohm thì dòng điện trung bình qua mỗi diode
là :
D2
D1
TAI
D4
iac
D3
V
a.0.4A b.0,79A c.7,9A d.4A
51. Mạch chỉnh lưu cầu 1 pha không điều khiển như hình sau, điện áp thứ cấp máy biến áp có giá
trị đỉnh đỉnh là Vpp = 25V, tải thuần trở R = 10 Ohm thì điện áp ngược cực đại trên mỗi
diode là :
D2
D1
TAI
D4
iac
D3
V
a.17,68V b.35,36V c.50V d.25V
52. Mạch chỉnh lưu cầu 1 pha không điều khiển như hình sau, điện áp thứ cấp máy biến áp có giá
trị đỉnh đỉnh là Vpp = 25V, tải thuần trở R = 10 Ohm thì công suất chỉnh lưu trung bình của
mạch là :

55. Cho sơ đồ chỉnh lưu 1 pha nửa chu kỳ dùng diode như như vẽ. Điện áp xoay chiều phía thứ
cấp MBA là
tsinv
iac
󽝱
1002220=
(V) Tải thuần trở R = 10 Ohm. Giá trị dòng điện trung
bình qua diode là :
D1T1
ViacVs TAI
a.19,8A b.9,9A c.4,95A d.19,4A.
56. Cho sơ đồ chỉnh lưu 1 pha nửa chu kỳ dùng diode như như vẽ. Điện áp xoay chiều phía thứ
cấp MBA là
tsinv
iac
󽝱
1002220=
(V) Tải thuần trở R = 10 Ohm. Công suất chỉnh lưu
trung bình trên tải là :
D1T1
ViacVs TAI
a. 490W b.9,9Wc.980W d.860W.
57. Cho sơ đồ chỉnh lưu 1 pha nửa chu kỳ dùng diode như như vẽ. Điện áp xoay chiều phía thứ
cấp MBA là
tsinv
iac
󽝱
1002220=
(V) Tải thuần trở R = 10 Ohm. Nhiệt lượng trung bình
tỏa ra trên tải trong 1 chu kỳ là :

tsinv
iac
󽝱
1002220=
(V) Tải thuần trở R = 200 Ohm. Giá trị dòng
điện chỉnh lưu trung bình là :
ac
D2
TAI
V
T2 D1
Viac
a. 1,56 A b.3,11 A c. 0,99 A d.0,5 A
61. Cho sơ đồ chỉnh lưu 1 pha 2 nửa chu kỳ hình tia dùng diode như hình vẽ. Điện áp xoay chiều
phía thứ cấp MBA là
tsinv
iac
󽝱
1002220=
(V) Tải thuần trở R = 200 Ohm. Giá trị trung
bình dòng điện qua mỗi diode là :
ac
D2
TAI
V
T2 D1
Viac
a. 1,56 A b.3,11 A c.0,99 A d.0,5 A
62. Cho sơ đồ chỉnh lưu 1 pha 2 nửa chu kỳ hình tia dùng diode như hình vẽ. Điện áp xoay chiều
phía thứ cấp MBA là