CÁC Ý NIỆM
VỀ PHÉP THỬ NGHIỆM GIA TỐC
1. Mở ñầu
Thử nghiệm gia tốc là nén thời gian và tăng tốc cơ chế hỏng hóc trong một khoảng
thời gian thử nghiệm hợp lý ñể ñánh giá cơ chế hỏng hóc của sản phẩm. Phương tiện duy
nhất ñể có ñược gia tốc thời gian là tạo stress lên chế ñộ hỏng hóc tiềm tàng. ðây là
hỏng hóc về ñiện và cơ học. Hình 1 minh họa ý niệm về thử nghiệm gia tốc. Hỏng hóc
xuất hiện khi yếu tố
stress vượt quá sức
bền của sản phẩm.
Sức bền trong sản
phẩm thường phân
bố và giảm cấp dần
theo thời gian.
Stress kích thích
yếu tố lão hóa
(trong hình 1 thì ñó
chính là vùng giao nhau giữa phân bố ñộ bền và phân bố stress) và tạo khả năng xuất hiện
hỏng hóc trong thời gian ngắn nhất.
ðiều này cho phép dùng một số lượng mẫu thử ít hơn và gia tăng khả năng tìm ra
hỏng hóc. Thử nghiệm stress làm gia tăng yếu tố không tin cậy và giúp phát hiện nhanh
hỏng hóc. Các thử nghiệm gia tốc tuổi thọ thường giúp tạo dự báo. Dự báo thuờng bị
giới hạn với số mẫu thử bé, nên là sai khi ứng dụng kết quả này vào thử nghiệm tuổi thọ
cho toàn bộ khối lượng sản phẩm. Rất khó ñể thiết kế và thực nghiệm một cách hiệu quả
khi chưa tìm ra ñủ số lượng hỏng hóc cần thiết, ño lường ñược tất cả các bất ñịnh trong
dự báo. Yếu tố stress ñôi khi không hiện thực, ñiều may mắn là khi gia tăng mức stress
thì thường tạo ra yếu tố bất thường trong hỏng hóc, nhất là khi tuân thủ các chỉ dẫn cần
thiết.
2. Hướng dẫn chung nhất nhằm ngăn ngừa yếu tố bất thường trong hỏng hóc từ
=
(1)
Thử nghiệm gia tốc ñược thiết kế ñể tạo hỏng hóc trong một khung thời gian ngắn,
nên tuổi thọ trong ñiều kiện bình thường dài hơn nhiều lần so với tuổi thọ trong ñiều kiện
gia tốc, nên A luôn rất lớn hơn 1. Thí dụ, một thừa số gia tốc là 100 cho thấy là 1 giờ
trong ñiều kiện môi trường gia tốc tăng cường thì bằng 100 giờ trong ñiều kiện hoạt ñộng
bình thường. Thừa số gia tốc ñuợc mô tả ở ñây mô tả yếu tố nén thời gian. Thừa số gia
tốc còn ñặt theo thừa số về thay ñổi tham số. Ứng dụng quan trọng nhất là dùng ước
lượng yếu tố nén thời gian thử nghiệm bằng thừa số gia tốc thời gian.
Các thừa số gia tốc thường ñược mô hình hóa. Thí dụ, một số chế ñộ hỏng hóc bị ảnh
hưởng của nhiệt ñộ, thí dụ các quá trình hóa học và khuếch tán, con ñược gọi là tốc ñộ
phản ứng Arrhenius ñược cho bởi:
−
=
TK
E
BRate
B
a
exp
(2)
trong ñó:
B = hằng số ñặc trưng cho cơ chế hỏng hóc của sản phẩm và ñiều kiện thử nghiệm
K
ế
t h
ợ
p ph
ươ
ng trình 1, 2, và 3
ñể
có th
ừ
a s
ố
gia t
ố
c nhiêt
ñộ
1) cơ chế cơ nhiệt (thí dụ, gãy ñóng gói, kết nối ohmic, tính toàn vẹn của bond/lead,
vấn ñề tản nhiệt chưa ñúng, yếu tố mõi của kim loại, v.v, )
2) cơ chế cơ nhiệt không liên quan ñến ẩm (e.g., metal interdiffusion, intermetallic
growth problems such as Kirkendall voiding, electromigration, MOS gate wear-out, etc.),
3) cơ chế cơ nhiệt có liên quan ñến ẩm (thí dụ, ảnh hưởng ñiện tích bề mặt, ảnh hưởng
rò ion, dendrite growth, chì bị ăn mòn, ăn mòn do ñiện, v.v, ), và
4) cơ chế cơ học (thí dụ, mechanical attachments, package integrity, mõi, etc.).
Kết hợp các thử nghiệm gia tốc này ñòi hỏi phải có stress ñúng cho từng cơ chế
hỏng hóc. Các thử nghiệm thường gặp nhất là chu trình nhiệt (Temperature Cycle), tuổi
thọ vận hành ở nhiệt ñộ cao (HTOL: High-Temperature Operating Life), nhiệt có tăng
cường ẩm ñộ (THB: Temperature-Humidity-Bias), và rung ñộng, ñược trình bày trong
phần dưới ñây. Chu trình nhiệt tăng cường cơ chế cơ nhiệt; HTOL tăng cường cơ chế hóa
- nhiệt không có hơi nước; THB nhấn mạnh cơ chế hóa nhiệt có liên quan ñến hơi ẩm; và
rung ñộng nhấn mạnh các yếu tố hỏng hóc cơ học. Hơn nữa, nhiều linh kiện trong quá
trình sản xuất còn phải chịu nhiều yếu tố stress khác. Thí dụ, linh kiện dán bề mặt phải
chịu quá trình solder-reflow. Như thế, ñể cung cấp một qui trình thẩm tra thực tế trước
khi thử nghiệm ñộ tin cậy trong thử nghiệm với stress, linh kiện cần ñược xử lý sơ (pre-
conditioning) ñể kích thích yếu tố stress này. Trường hợp linh kiện SMT, dùng thử
nghiệm sơ bộ về solder-reflow, với ñặc tính thường dùng như JESD22-A113.
5. Mô hình gia tốc tuổi thọ dùng nhiệt ñộ cao
Trong thử nghiệm tuổi thọ dùng nhiệt ñộ cao, linh kiện ñược ñưa lên nhiệt ñộ cao
trong một thời gian dài. Thường giả sử là yếu
tố chủ ñạo về nhiệt gia tốc cơ chế hỏng hóc
tuân theo quan hệ Arrhenius. Mô hình
Arrhenius trong phương pháp HTOL ñược vẽ
ở hình.2. Hàm Arrhenius rất quan trọng, nó
không chỉ ñược dùng trong ñộ tin cậy ñể mô
hình cơ chế tốc ñộ hỏng hóc có liên quan ñến
ñịnh mức là 40°C.
Lời giải:
Nhiệt ñộ mối nối cao hơn 15°C, nên nhiệt ñộ hiện tại và nhiệt ñộ thử nghiệm là :
T
Use
= 15°C+40°C = 55°C
T
Stress
=15°C+110°C = 125°C
Theo hình 2, thừa số gia tốc là
A
T
= exp{(0.7 eV/8.6173 × 10–5eV/°K)× [1/(273.15 + 55) –1/(273.15 + 125) °K]}
= 77.6
Từ phương trình 1, thời gian thử nghiệm ñể kích thích tuổi thọ 10 năm (87,600 hours) là:
Test Time = Life Time/AT = 87600/77.6 = 1,129 hours
5.1 Ước lượng năng luợng kích hoạt
Thử nghiệm ñược thực hiện nhằm xác ñịnh năng lượng kích hoạt cho cơ chế hỏng
hóc. Trường hợp này, linh kiện ñược thử nghiệm ñộc lập với ít nhất hai nhiệt ñộ khác
nhau. Lý tưởng nhất, nên dùng nhiều hơn ba giá trị nhiệt ñộ, kết quả ñược vẽ trên trục ñồ
thị semi-log, rồi dùng phương pháp khớp dữ liệu bình phương - tối thiểu. Thí dụ, quá
trình nghiên cứu ñộ tin cậy trong hình 6.8 trong ñó dùng ñồ thị semilog ñể biểu diễn mô
hình tuyến tính hóa trong hình 2. Tức làm nếu ta vẽ (MTTF: Mean-Time-To-Failure) trên
trục semilog theo 1/T, rồi tùy theo phương trình ñộ dốc của E
a
/K
B
, và năng lượng kích
hoạt có thể ñược xác ñịnh như mô tả trong thí dụ dưới ñây.
Use
=125°C
T
Stress
=200°C
A
T
= Exp {(1.133 eV/8.6173×10
–5
eV/°K)×[1/(273.15+125) –1/(273.15+200) °K]}
= 187.6
Từ phương trình 1,
MTTF (tại 125°C) = MTTF (tại 200°C)×A
T
= 10400×187.7 = 1.951×10
–6
giờ.
ðáp số hơi khác so với hình 6.8 do yếu tố sai số làm tròn.
6. Mô hình gia tốc chu kỳ công tác dùng nhiệt -ẩm ñộ cao Trong THB, linh kiện thử nghiệm ñược ñặt trong môi trường stress nhiệt ñộ cao có ẩm ñộ
trong thời gian thử nghiệm. Thí dụ, thử nghiệm THB thường dùng là thử nghiệm 1000
giờ trong ñiều kiện nhiệt ñộ 85°C và ẩm ñộ tương ñối 85%. Một trong những mô hình
thông dụng nhất là mô hình Peck 1989 (xem phần phụ lục 3) cho ở hình 3. Một biến thể
ñược cung cấp trong chương 14, phần 5.2. Trong ñó, bao gồm quan hệ giữa yếu tố tuổi
thọ và nhiệt ñộ (mô hình Arrhenius) và quan hệ giữa tuổi thọ và ẩm ñộ (mô hình Peck),
sau cho tích của hai thừa số riêng biệt này là thừa số gia tốc chung cho toàn hệ thống.
T
=exp{(0.7eV/8,6173×10
–5
eV/°K)×([1/(273,15+25) –1/(273,15 + 110)°K]} = 421,8
Thừa số gia tốc ẩm ñộ giống như phần ñầu của bài toán, tức là:
A
TH
= 421,8 ×7,43 = 3132,2
Thời gian thử nghiệm HAST tương ñương với 10 năm là
HAST
test time
= (87.600 giờ/3.132) = 28 giờ
Ban ñầu khi Peck ñề nghị mô hình này,
ông ta ñã quan sát báo cáo về ñiều kiện
tuổi thọ-nhiệt ñộ, trong ñiều kiện
85°C/85%RH của linh kiện ñóng võ
epoxy. Ông nhận ñược nhiều sự ñồng thuận
về mô hình này. Các giá trị dữ liệu khớp
với trị ñịnh mức của E
a
từ 0.77 ñến 0.81 và
trị danh ñịnh của m từ 2.5 ñến 3.0. Một
nghiên cứu của Texas Instruments (xem
phụ lục 4) về giám sát PEM về tuổi thọ-ẩm
ướt cho thấy năng lượng kích hoạt vào
khoảng 0.9 eV. Các xu hướng trên cho thấy
năng lượng kích hoạt càng cao thì tương
ứng với việc cải thiện ñộ tin cậy cho chất
bán dẫn.
2.5
=122.
Trong 10 năm, linh kiện sẽ có 2×365×10 = 7300 chu kỳ
Như thế, theo hình 4, số chu kỳ cần thiết ñể mô phỏng là
N
Stress
= N
Use
/A
TC
= 7300/122 = 60 chu kỳ
8. Mô hình gia tốc rung ñộng
Trong phương pháp này, linh kiện ñược gắn trên một bàn rung và phải chịu rung
ñộng ngẫu nhiên hay rung ñộng
dạng sin. Dạng rung ñộng ngẫu
nhiên thường ñược dùng nhiều
theo mức mật ñộ phổ công suất
(PSD: Power Spectral Density)
(xem hình 5). Hình mô tả dạng
PSD thử nghiệm liên hệ với từng
môi trường sử dụng. Hàm PSD
mô tả phân bố năng lượng của
rung ñộng theo tần số. Thời gian
nén ñược thực hiện liên quan ñến
mức PSD dùng thử nghiệm hay khi sử dụng. Có thể ước lượng ñược thời gian nén sau khi
thiết lập mức và dạng của mật ñộ phổ. Mô hình nén thời gian truyền thống (MIL-STD
810E) là mô hình theo luật lủy thừa. Chương 14 trình bày một dạng khác của mô hình
này. Khi ứng dụng mô hình này, thì cần hiểu ñược cơ chế hỏng hóc, do trong môi trường
rung ñộng dạng ngẫu nhiện, ñể chế ngự ñược cộng hưởng tác ñộng lên tuổi thọ mõi của
/Hz, thì mức Level 1 là 0.03 G
2
/Hz. Do ñó
A
V
= (W
Stress
/W
Use
)
Mb
= (0.12/0.03)
4
= 256.
Trong 10 năm, linh kiện sẽ chịu ảnh hưởng của mức rung ñộng Level 1 là vào khoảng:
87.600 ×0,01 = 876 hours.
Từ ñó, theo hình 6, số chu kỳ thử nghiệm ñể mô phỏng là
T
Stress
=T
Use
/A
V
= 876/256 = 3.5 giờ
9. Mô hình gia tốc chuyển dịch ñiện tử
Chuyển dịch ñiện tử (electromigration) là cơ chế hỏng hóc có nguyên nhân là yếu tố
dẫn ñiện vi ñiện tử với ñiều kiện mật ñộ cao của dòng hay là sự kết hợp của nhiệt ñộ cao
và mật ñộ dòng ñiện. Chế ñộ hỏng hóc thường gặp nhất là hở ñường dẫn ñiện. Cơ chế
hỏng hóc này ñến từ mật ñộ dòng ñiện lớn tạo nên dòng ñiện tử dày ñặc trong ñường dẫn
lượng vừa phải E
a
= 0.5 eV và n = 2.0.
Lời giải:
ðầu tiên, thừa số gia tốc nhiệt ñộ là:
A
T
= exp{(0.5eV/8,6173×10
–5
eV/°K)×[1/(273.6+100) –1/(273.6 + 185)°K]}= 17.9
Mật ñộ dòng ñiện là
Ac= (3 ×105A/cm
2
/2× 105A/cm
2
)
2
= 2.25
Tích số tạo thừa số gia tốc dịch chuyển ñiện tử
A
J
=A
T
A
c
= 17,9 ×2,25 = 40.3
Trị MTTF trong ñiều kiện sử dụng ñược ước lượng là:
MTTF
Use
=MTTF
thiết kế phần thử nghiệm gia tốc này, ñầu tiên phải ước lượng thời gian kéo dài thực tế
của thử nghiệm. Thí dụ, ta ñịnh mục tiêu là thử nghiệm sẽ kéo dài trong 1000 giờ cho
các thử nghiệm HTOL và THB, và với khoảng 100 chu kỳ nhiệt ñộ. Sau khi ñã ñịnh
ñược thời gian này, ta cần ước lượng về kích thước thống kê có ý nghĩa tại mức tin cậy
90%. Ta giả sử là mỗi thử nghiệm ñược dùng cho các chế ñộ hỏng hóc khác nhau. Tức
là, mỗi thử nghiệm nằm trong một phần của chế ñộ hỏng hóc. Kế hoạch phân phối vị trí
ñuợc mô tả trong phần 2, trong ñó các dạng chế ñộ hỏng hóc THB-, TC-, và HTOL lần
lượt ñược thiết lập với 20%, 30%, và 50% trong ñộ tin cậy tổng. Dùng kế hoạch này thì
400 FITs lần lượt ñược chia ra thành 80, 120, và 200 FITs cho các thử nghiệm THB, TC,
và HTOL. Từ ñây, dùng mỗi một số chi bình phương. ðiều này ñược mô tả chi tiết
trong phần 4.6 trong ñó kích thước mẫu N ñược cho bởi
N(HTOL) = χ2(90%, 2Y+2)/2λAt
Thí dụ, các giá trị TC là:
Y=0 hỏng hóc (failures)
χ2(90%,2) = 4.605
λ = 120 FITs = 1.2 ×10
–7
hỏng hóc/ giờ
A = 122 (lấy từ thí dụ 9.4)
t = 100 chu kỳ ×24 giờ = 2400 giờ thử nghiệm tương ñương
Như thế,
N= 4.605/(2×1.2×10
–7
×122×2400) = 66 linh kiện
Tiếp tục dùng hướng này cho các thử nghiệm khác, ta có kết quả ñược tóm tắt trong
bảng 1.
11. Thử nghiệm tăng cường từng bước
Thử nghiệm stress từng
bước là một dạng thử
theo. Thí dụ, nếu quá trình thay ñổi, cần thực hiện nhanh so sánh giữa quá trình củ và
mới. ðộ chính xác ñược tăng cường khi thay ñổi về tham số ñược dùng ñề so sánh.
Trong các trường hợp khác thì dùng thông tin về tai biến.
• Cơ chế hỏng hóc và yếu ñiểm trong thiết kế nhận dạng ñược tùy theo giới hạn của vật
liệu. Thông tin về chế ñộ hỏng hóc là cơ hội ñể tăng cường ñộ tin cậy. Việc sửa chữa
ñuợc thực hiện tiếp theo và cho phép so sánh với các thử nghiệm trước ñó ñể ñưa ra ñược
các biện pháp sửa chữa hiệu quả nhất.
• Phân tích dữ liệu cung cấp thông tin chính xác về phân bố stress trong ñó cho phép có
ñược trị trung bình về hỏng hóc do stress và ñộ lệch chuẩn của stress. ðiều này cho phép
ñưa ra các ước lượng về MTTF tại mức trung bình của hỏng hóc do stress.
11.1 Stress nhiệt ñộ từng bước (Temperature Step-Stress :TSS)
ðây là phương pháp stress
nhiệt ñộ thường dùng nhất.
Trong TSS thì các dữ liệu về tai
biến ñược dựng thành biểu ñồ
xác suất chuẩn theo tỉ lệ phần
trăm về hỏng hóc tích lũy
(CDF) vẽ theo 1/nhiệt ñộ (ñộ
°K). Dữ liệu ñược vẽ theo
phương pháp này là do CDF là
hàm của 1/T. ðiều này sẽ ñược
minh họa trong phần 9.12.1, thí
dụ 10. Hình 9 là thí dụ cho
dạng ñồ thị này. Dữ liệu này
(xem thí dụ 8) là kết quả của hai phép thực nghiệm về TSS, một thử nghiệm dùng các
bước 10-giờ và thử nghiệm còn lại dùng bước 150 giờ. Trong hình 9, ñiểm stress trung
bình (nơi 50% phân bố hỏng hóc) là 139°C và 225°C. Do ñiểm này là ñiểm stress trung
bình, nên chúng cũng ñồng thời cung cấp ước lượng về MTTF cho bước thời gian. Thí
dụ, ñiểm này ñược dùng ñể ước lượng năng lượng kích hoạt của chế ñộ hỏng hóc (xem
thí dụ 8). Do dữ liệu về stress theo bước ñã ñược thực hiện theo các bước thay ñổi, nên
Mức chính xác của dữ liệu ñược cải thiện dùng yếu tố hiệu chỉnh nhiệt ñộ stress theo
bước 1/T (Temperature Step-Stress). Nếu stress-theo bước tăng ñủ lớn, thường thì không
cần hiệu chỉnh nữa. Trong thử nghiệm này bước stress cách khoảng là 30°C, là các biên.
Như thế, thì hiệu chỉnh cải thiện mức chính xác.
Xét dữ liệu TSS 10 giờ. ðầu tiên, hiệu chỉnh ñiểm dữ liệu 150°C. Linh kiện nhận 10 giờ
chịu nhiệt ñộ 150°C, nhưng chúng ñã chịu trước ñó 10 giờ tại 120°C. Dựa vào thí dụ 1,
thì thừa số gia tốc nằm giữa 120°C và 150°C với Ea bằng 0.56 là
A
T
= exp{(0.56 eV/8.6173×10
–5
eV/°K)×[1/(273.15+120)–1/(273.15+150)]°K} = 3.23
Như thế, linh kiện hỏng tại ñiểm 150°C ñã nhận ñược 10 giờ tại 120°C và hiện nay là 10
giờ tại 150°C trước khi bị hỏng. Tổng thời gian chịu ñựng là
10 + 10/3.23 = 13.1 giờ tại 150°C.
Tuy nhiên ñể vẽ lại một cách chính xác dữ liệu này tại ñiểm hỏng hóc 10 giờ, tìm kiếm
nhiệt ñộ tại 10 giờ thì tương ñuợng với 13.1 giờ phơi ở 150°C.
Muốn thực hiện, giải phương trình 9.4 ñể tìm nhiệt ñộ T2 theo ñộ C.
Tức là:
T
2
(°C) = [(0.000086173/E
a
)×ln(t1/t2)+ 1/(T1+ 273.15)]
–1
– 273.15
Chèn vào ñó các giá trị thích hợp, thì yếu tố hiệu chỉnh nhiệt ñộ là
T
12. Mô tả phân bố tuổi thọ theo hàm stress
Thực ra nên minh họa việc gắn mô hình stress và trong phân bố tuổi thọ. Có thể dùng cả
dạng theo luật lủy thừa hay theo hàm Arrhenius. Các yếu tố này ñuợc gắn vào trong hàm
CDF hay PDF theo dạng phân bố log-normal. Xem xét nhiệt ñộ Arrhenius và mô hình
nhiệt ñộ trong hình 2 và 6. Thời gian hỏng hóc ñuợc viết theo dạng tuyến tính và lặp lại ở
ñây vì lý do thuận tiện. Từ hình 2, thì ñó là:
TK
E
CtLn
B
a
f
+=)( (9.7)
theo hình 6, thì:
)()( WMbLnCtLn
f
−
=
(9.8)
Ta ñánh giá thời gian hỏng hóc bất cứ lúc nào dùng phương pháp thực nghiệm. ðối với
phân bố log-normal, tham số này ñược áp dụng vào thời gian trung bình của hỏng hóc, t
f
= t
50
. ðiều này cho phép thay trực tiếp vào hàm phân phối log-normal trong hình 8.14.
Chèn hàm Arrhenius vào số liệu PDF, thì
+−
−
Π
=
)(
)(
2
1
2)(
1
),(
T
TK
E
CtLn
Exp
tT
Ttf
t
B
a
t
σ
σ
Exp
tT
Ttf
t
t
σ
σ
(9.10)
Tương tự, chèn mô hình Arrhenius vào hàm phân bố tích lủy (CDF:Cumulative
Distribution Function) (dùng hàm sai số có dạng hình 8.15), ta có:
t
B
a
σ
(9.11)
và dùng mô hình rung ñộng thì
(
)
−−
+=
)(2
)()(
1
TK
E
CtLn
B
a
B
a
f
%50
%50
)( +=+= (9.13)
Ở ñây, tìm các giá trị hằng số từ việc khớp giá trị MTTF theo stress. Hơn nữa, ta cũng
khớp ñược dữ liệu từ giá trị phần trăm thứ 16 trong phân bố theo stress như mô tả sau:
TK
E
CtLn
B
a
f
%16
%16%16
)( += (9.14)
ðiều này cho mô hình của sigma dựa trên luật lão hóa vật lý và tự thân của dữ liệu là
TK
E
CtLntLnT
B
a
−−−
+=
)2,2(2
)0082,0ln(482,7)87600ln(
1
2
1
),( erfTtF
(9.16)
hay
497,0
)2,2(2
0139,0
1
2
−
+= erferfF
Như thế, trong mức stress này thì 49.7% phân bố lường trước trong 10 năm. (Chú ý:
Trong ñộ lệch nói trên, thì giá trị hàm sai biệt tìm từ bảng hay dùng hàm Excel với trị =
erf(0.00447). Nếu mức stress ñược giảm ñi theo thừa số 2, thì W= 0.0041 G
2
/Hz. Phần
trăm hỏng hóc lường trước trong 10 năm giảm xuống còn
F(87600,0.0041) = 10.27%.
▼Thí dụ 9.10 Quan hệ giữa stress và ñộ lệch thời gian chuẩn
Bài toán:
Cung cấp mô hình CDF của phân phối stress nhiệt ñộ và tìm quan hệ giữa ñộ lệch chuẩn
của stress, σ
T
+−
−
+=
S
a
B
TT
erf
E
K
TT
erfTtF
σ
σ
2
11
1
2
1
2
11
1
2
1
),(
05,3000202,0
1062,8
3,1
5
==
−
x
eV
t
σ
13. Tóm tắt
Chương này mô tả phương pháp thử nghiệm gia tốc. Mục tiêu chung trong thử
nghiệm gia tốc là yếu tố gia tốc về thời gian và thông tin dự báo về ñộ tin cậy của sản
phẩm. Tuy nhiên, mục tiêu xa hơn chưa thảo luận là yếu tố tăng trưởng ñộ tin cậy thông
qua thử nghiệm và sửa chữa chế ñộ hỏng hóc. ðiều này sẽ ñược thảo luận trong chương
kế.
Thư mục
1. Nelson,W., Accelerated Testing,Wiley, New York, 1990.
2. Feinberg, A. A., “The Reliability Physics of Thermodynamic Aging,” Recent Advances
in Life-Testing and Reliability, edited by N. Balakrishnan, CRC Press, Boca Raton, FL.
3. Peck, D. S., “Comprehensive Model for Humidity Testing Correlation,” International
Reliability Physics Symposium, 1986, pp. 44-50.
4. Tam, “Demonstrated Reliability of Plastic-Encapsulated Microcircuits for Missile
Applications,” IEEE Transactions on Reliability,Vol. 44, No. 1, 1995, pp. 8-13.
5. Denson, W. K., “A Reliability Model for Plastic-Encapsulated Microcircuits,” Institute
of Environmental Sciences Proceedings, 42nd Annual Meeting, 1996, pp. 89-96.
6. Black, J. R., “Metallization Failures in Integrated Circuits,” Technical Report, RADC-
TR-68-43 (Oct. 1968).