1

BÀI GIẢNG TÓM TẮT MÔN : ĐIỆN TỬ 2
Người soạn : TS.Phạm Hồng Liên

Chương 1 : ĐÁP ỨNG TẦN SỐ THẤP CỦA MẠCH KHUẾCH
ĐẠI GHÉP RC

I. Đáp ứng tần số thấp của bộ khuếch đại dùng tranistor
:
1. Tụ điện bypass emitter : H.1_1
L
i
i
o->o
->oo
E
+
Vbb
C
i
Vcc
Cc2
Cc1
r
Rb
R
Re
Rc


=
)1(
1
//
*
1E
Rhib
hfe
Rbri
++
+
(có r
i
,có R
E1
)
i
i
'=
)2(
1
//
//
*
1Eib
ib
ib
Rh
hfe
rR

//
(1')
(khi có r
i
)

i
i'
=
)2(
1
hib
hfe
R
R
b
b
+
+

(khi không có r
i
)

i
i
'= )'2(
1
//
//

+
s
s

A
im
=-
'b
b
R
R
=-
)4(
1
hib
hfe
R
R
b
b
+
+
(không có r
i
,không có R
L
)
A
im
=-

1
'
E
ib
ib
b
ib
Rhib
hfe
rR
rR
R
rR
++
+
−=
(có r
i
, có R
E1
, không có R
L
)

A
im
=-
)4(
1
//

(có r
i
, có R
E1
và có cả R
L
)
)5(
1
1
EE
CR
=
ω

)6(
)'//(
1
2
bEE
L
RRC
==
ωω

( R'
b
thay đổi như trên)
A
io

ω

A
io

3

0

2. Tụ ghép C
c1
: H 1-7

i
L
L
i
i
->oo
+
Vbb
i
Vcc
Cc2
Cc1
r
Rb
R
Re
Rc

E
] (1) ( không có tụ C
E
)
R'
b
=R
b
//hie (1') (có tụ C
E
->
∞
hoặc R
E
= 0 )
Dạng hàm tryền cơ bản : A
i
=A
im
L
s
s
ω
+

(2)
A
im
=-
E

Rr
RR
R
+
•
+
'//
(3")
( không có tụ C
E
, có R
L
)
1
1
( ' )
L
i b C
r R C
ω =
+
(4)

3. Cacù tụ ghép cực nền (C
c1
) và tụ ghép collector (C
c2
) :
A
i
L
i
i
>
i
L
+
Vbb
i
Vcc
Cc2
Cc1
r
Rb R
Re
Rcic
i
l
L
i i
(1+
hfe)
Re
ib
L

A
im
=-
E
bi
LC
C
Rhib
Rr
RR
R
++
'//

(2)
)4(
)(
1
&)3(
)'(
1
2
2
1
1
cLCcbi
CRRCRr
+
=
+

≠
: 5

0

ω

2
6
2
4
2
2
2
2
1
4
1
2
2
2
1
2
ωωωω
ωω
ω
++

1
1
CcRr
f
bi
L
Cc
+Π
=
(3)

2)'(2
1
2
CcRr
f
bi
L
Cc
+Π
=
(4) II. Đáp ứng tần số thấp của bộ khuếch đại dùng FET
:
1. Tụ bypass cực nguồn :
L
i
->oo

µ
(1)
ii
ig
g
i
vv
rR
R
V ≈
+
='
(2) vì R
g
>>r
i

B1 :
Ebi
LL
CRr
ff
CE
)'(2
1
+Π
=

tính C
E


6

V'
I
=
ii
gi
g
VV
Rr
R
≈
+
(1)
Hàm truyền cơ bản :
Av=Avm
L
s
s
ϖ
+
(2)
Avm=-g
m
R// (3)
)]([
1
2
ddsLc

ω
ω
+
+
==
s
s
Avm
V
V
Av
i
L
(3) Avm=-g
m
R// (4)
R//=r
ds
//R
d
//R
L
(5) ;
ss
CR
1
1
=
ω
(6)

(8)

2. Tụ ghép cực máng :
L
i
->oo
->oo
>
i
L
+
Cc2
+
Cc1
Rd
VDD
Cs
Rs
+
-
Vi
r
R
RgVi
r
i
Vgs

Vi
r
R
Rg7

Vi
r
i
Vgs
g Vgs
m
>
i
L
+
Cc1
RL
Rd
rds
+
-
Rg

Av=Avm
L
s
s

rất nhỏ. Đối với FET méo tần số thấp chủ
yếu do C
s
gây ra.