TRƯỜNG ĐẠI HỌC KỸ THUẬT CÔNG NGHIỆP
KHOA ĐIỆN TỬ
Bộ môn: Kỹ thuật điện tử
NGÂN HÀNG CÂU HỎI THI KẾT THÚC HỌC PHẦN
HỌC PHẦN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ
(3 TÍN CHỈ)
DÙNG CHO ĐÀO TẠO BẬC ĐẠI HỌC THEO HỌC CHẾ TÍN CHỈ
CÁC NGÀNH KỸ THUẬT CƠ KHÍ, ĐỘNG LỰC, MÔI TRƯỜNG, SPKT CƠ KHÍ
THÁI NGUYÊN - 8/2007
TRƯỜNG ĐẠI HỌC
KỸ THUẬT CÔNG NGHIỆP
KHOA ĐIỆN TỬ
Bộ môn: Kỹ thuật điện tử
CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM
ĐỘC LẬP – TỰ DO – HẠNH PHÚC
Thái Nguyên, ngày 20 tháng 8 năm 2007
NGÂN HÀNG CÂU HỎI THI
KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ
Sử dụng cho hệ đại học theo các chuyên ngành: Kỹ thuật cơ khí, động lực, môi trường,
SPKT cơ khí.
1. NỘI DUNG ĐÁNH GIÁ THI KẾT THÚC HỌC PHẦN:
Sinh viên nắm được cấu tạo, nguyên lý làm việc của một số linh kiện điện tử và một số
ứng dụng của chúng trong các mạch điện tử. Nắm được nguyên lý cơ bản về khuếch đại, bộ
nguồn một chiều, chế độ khoá của các linh kiện điện tử trong chế độ xung, các phương tạo
và biến đổi dạng xung. Đại cương về đại số lôgíc, các phương pháp biểu diễn hàm lôgíc và
phương pháp tối giản hoá hàm lôgíc, các cổng lôgíc cơbản, các trigơ số, các mạch lôgíc dãy,
các mạch lôgíc tổ hợp,…
2. PHƯƠNG PHÁP ĐÁNH GIÁ
Thi kết thúc học phần: thi viết với thời lượng 90 phút, chấm điểm theo thang điểm 10.
3. NGUYÊN TẮC TỔ HỢP ĐỀ THI
Mỗi đề thi có 3 câu hỏi

1
(t) có dạng là 1 xung tam giác
đối xứng qua gốc 0 với biên độ ±U
1m
= ±5V, chu kỳ T
1
= 20ms.
Giả thiết R = 1kΩ; R
t
= 20kΩ >>R.
a) Phân tích nguyên lý hoạt động của sơ đồ khi có điện áp u
1
(t)
tác động trong 1 chu kỳ
b) Vẽ dạng u
2
(t) theo tác động u
1
(t) đã cho
c) Tính các tham số của điện áp u
2
(t) ở cả hai bán kỳ dương và âm: biên độ, độ rộng sườn
trước, sườn sau, độ rộng đỉnh
2. Cho mạch điện như hình 2, giả thiết các van D
1
, D
2
là lý
tưởng (R
thuận

(t) theo tác động u
1
(t) đã cho.
c) Tính các tham số của điện áp u
2
(t) ở cả hai bán kỳ dương và âm: biên độ, độ rộng sườn
trước, sườn sau, độ rộng đỉnh
3. Cho tầng khuếch đại điện áp tần số thấp mắc theo sơ đồ EC như hình 3
Biết:
E = +12V, R
1
= 22kΩ, R
2
= 4,7kΩ, R
3
= 2,7kΩ, R
4
= 1kΩ,
R
t
= 3,9 kΩ, β = 100, U
BE
= 0,6V
a) Xác định các giá trị dòng điện, điện áp 1 chiều trên các cực
của tranzito
b) Xác định giá trị điện trở tải 1 chiều và điện trở tải xoay chiều
của tầng khuếch đại
c) Vẽ đường tải 1 chiều và xác định vị trí điểm làm việc tĩnh P
4. Cho tầng khuếch đại điện áp tần số thấp mắc theo sơ đồ CC như hình 4, biết.
R

2
U
V
E
C
+
_
U
R
R
t
C
1
B
C
E
Hình 4
D
1
D
2
R
u
1
(t)
u
2
(t)
E
1

E = +12V, R
B
= 300kΩ, R
E
= 2,7kΩ, R
t
= 2,7 kΩ, β = 100,
U
BE
= 0,7V
a) Xác định các giá trị dòng điện, điện áp 1 chiều trên các cực
của tranzito
b) Xác định giá trị điện trở tải 1 chiều và điện trở tải xoay chiều
của tầng khuếch đại
c) Vẽ đường tải 1 chiều và xác định vị trí điểm làm việc tĩnh P
5. Cho mạch khuếch đại như hình 5, biết các tham số của mạch:
± E = ± 15V, điện áp ra bão hoà của IC là ± U
ramax
= ± 12V,
R
1
= 1,5kΩ, R
2
= 6,8kΩ, VR = 150kΩ, U
V
= 15mV
a) Thiết lập công thức tính
V
R
U

khi VR = 0÷150kΩ? Mạch làm
việc ổn định hơn khi VR = 0 hay VR = 150kΩ ? Vì sao?
c) Xác định khoảng giá trị của VR để IC làm việc không bị bão hoà?.
7. Cho mạch khuếch đại như hình 7, biết các tham số của mạch:
± E = ± 12V, điện áp ra bão hoà của IC là ± U
ramax
= ± 9V,
R
1
=3kΩ, R
2
= 6,8kΩ, R
3
= 1kΩ, R
4
= 20kΩ, VR = 150kΩ.
a) Thiết lập biểu thức quan hệ U
ra
theo U
V1
và U
V2
?
b) Khi U
V1
= 15mV, U
V2
= 20mV, xác định dải U
ramin
÷ U

1
U
V
U
V1
U
V2
R
1
R
2
R
4
VR
_
+
+E
-E
R
3
U
ra
Hình 7
U
2
U
3
R
R
_

3
là các xung điện áp có biên độ +5V xuất hiện
trong các khoảng thời gian 0≤ t≤ t
1
= 5ms, xác định biên độ
của điện áp ra lúc t
1
: U
ra
(t
1
)
c) Nếu giảm giá trị tụ C đi 10 lần C
’
= 0,47µF có có hiện tượng gì xảy ra đối với U
ra
(t)?
4.3. CÂU HỎI BÀI TẬP LOẠI 2 (4 ĐIỂM)
1. Cho các mạch lôgic có cấu trúc như hình 1 a) và b) với 2 đầu vào có các biến lôgic x
1
và
x
2
tác động, 1 đầu ra nhận được các hàm lôgic lần lượt là F
1
và F
2
.
a) Hãy tìm biểu thức của F
1

2
tương ứng.
a) Viết biểu thức lôgic đầy đủ của hàm F
1
và F
2
b) CMR khi tối giản F
1
và F
2
ta có F
1
= F
2

c) Tìm 1 dạng cấu trúc thứ 3 tương đương với
cấu trúc hình 2 a) để thực hiện hàm F
1
chỉ
từ các phần tử NAND 2 đầu vào. Tương
tự tìm 1 cấu trúc chỉ gồm các phần tử
NOR tương đương với hình 2 b) để thực
hiện hàm F
2
F
1
x
y
F
2

2
c) Tìm 2 cấu trúc tương đương với 2 cấu trúc
trên chỉ thực hiện các hàm G
1
(hoặc G
2
)
bằng các phần tử NAND (hoặc NOR) có
2 đầu vào.
5. Thiết kế bộ đếm nhị phân thuận (song song) môđun 5 dùng trigơ J-K
6. Thiết kế bộ đếm nhị phân thuận (song song) môđun 5 dùng trigơ T
7. Thiết kế bộ đếm nhị phân thuận (song song) môđun 5 dùng trigơ R-S
8. Thiết kế bộ đếm nhị phân thuận (song song) môđun 5 dùng trigơ D
9. Xây dựng mạch giải mã nhị phân sang mã “1 từ 5” dùng các cổng lôgic NAND 2 đầu vào
10. Xây dựng mạch giải mã nhị phân sang mã “ 1 từ 5” dùng các cổng lôgic NOR 2 đầu vào
11. Xây dựng mạch giải mã nhị phân sang mã “1 từ 5” dùng ma trận điốt
12. Xây dựng mạch dồn kênh 5 đầu vào thành 1 đầu ra dùng các cổng NAND 2 đầu vào.
13. Xây dựng mạch tách kênh 1 đầu vào thành 5 đầu ra dùng các cổng NOR 2 đầu vào.
THÔNG QUA BỘ MÔN
TRƯỞNG BỘ MÔN
THÔNG QUA HỘI ĐỒNG
KHOA HỌC GIÁO DỤC KHOA ĐIỆN TỬ
CHỦ TỊCH
ThS. Phạm Hồng Thảo TS. Nguyễn Hữu Công
G
1
A
B
G
2