Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
CHƯƠ
TRANSISTOR TRƯỜNG ỨNG
(FIELD EFFECT TRANSISTOR)
Chúng ta đã khảo sát qua transistor thường, được gọi là transistor lưỡng cực vì sự
dẫn đ ện của nó dựa vào hai loại hạt tải đ ện đa số trong vùng phát và hạt tải
điện thiểu số trong vùng nền. Ở transistor NPN, hạt tải điện đa số là điện tử và hạt tải
điện iểu số là lỗ trống trong khi ở
transistor PNP, hạt tải điện đa số là lỗ trống và hạt tải
điện thiểu số là điện tử.
Điện trở õ vào của B hìn từ cực E hoặc cực B) nhỏ, từ v Ω đến vài
KΩ, trong lúc điện trở ngõ đèn chân không rất lớn, gần như vô hạn. Lý do là ở
BJT, nối nền phát luôn luôn được phân cực thuận trong lúc ở đèn chân không, l
ưới khiển
luôn luôn được phân cực n ịch so với Catod. Do đó, ngay từ lúc transistor BJT mới ra
đời, người ta đã nghĩ đến việc phát triển m sistor mới. Điều này dẫn đến sự ra
đời c a transistor trường ứng.
a phân biệt hai loại transistor trường ứng:
− Transistor trường ứng loại nối: Junction FET- JFET
− Transistor trường ứng loại có cổng cách điện: Isulated gate FET-IGFET hay
-
pha ít tạp chất dùng làm thông lộ (kênh) nối liền vùng n ng thoát. Một vùng p-
nằm phía dưới thông lộ là thân và một vùng p nằm phía trên thông lộ. Hai vùng p và p-
nối chung với nhau tạo thành c c cổng của JF

NG 6
i iện: hạt tải đi
th
ng JT (n ài trăm
vào của
gh
Nếu so sánh với BJT, ta thấy: cực thoát D tương đương với cực thu C, cực nguồn S tương
với cực phát E và cực cổng G tương đương với cực nền B.
Hình 1
Thân p- (được nối với cổng)
N+ N+
Vùng Vùng Vùng
nguồn thoát
cổng
P
p+ p+
n-
n
S D
G
Tiếp xúc kim loại
Kênh p-
D
S
G
n+ n+
p-
p

dù ũng thông dụng hơn JFET kênh P với cùng một
lý sá FET kênh N, với JFET kênh P, các tính chất cũng tương
tự.
II. ẠT ĐỘNG CỦA J
hi chưa phân cực, do nồng độ chất pha không đồng đều trong JFET kênh N nên ta
thấy vùng hiếm rộng ở thông l n- và th p ở vùng thoát và nguồn n+.
ET kênh N tương đương với transistor NPN.
ương đương với transistor PNP.
D
S
G
D
S
G
C
E
B
C
E
B
JFET
Kênh N
JFET
K
BJT
NPN
PNP
BJT
ênh P
≈
Hình 4

Trang 93 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử

Bây giờ, nếu ta mắc cực nguồn S và cực cổng G xuống mass, nghĩa là điện thế
V
GS
=0V. Điều chỉnh điện thế V
DS
giữa cực thoát và cực nguồn, chúng ta sẽ khảo sát dòng
điện qua JFET khi điện thế V
DS
thay đổi.
ì vùng thoát n+ nối với cực dương và vùng cổng G nối với cực âm của nguồn điện
V
DS
nên nối PN ở vùng thoát được phân cực nghịch, do đó vùng hiếm ở đây rộng ra (xem
hình

p
G
V
DS
Nối P-N ở vùng
thoát được phân
c
ựcnghịch
Hình 5
P Gate
Thân P- (Gate)
Kênh n-
n+ thoát
Vùn ếm ng
I
D
Dòn n tử r à
đi ra khỏi vùn
I
S
Dòng điện tử từ
nguồn S đi vào
thông lộ
ời khỏi thông lộ v
g thoát
g điệ
g hi rộ
Hình 6
Trang 94 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử

I (mA)
D
I
DSS
V
DS
(volt)
V
GS
= 0V
V
P
(Pinch-off voltage) 0
Dòng điện bảo hòa thoát
đổi không tuyến tính
nguồn
Vùng tuy
ở động thay
Vùng bảo hòa
Vùng điện tr
≈
ến tính
vùng dòng
đi