Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Khi V
GS
= c cổn ẳng ực ngu ử di chuyển giữa cực âm
của nguồn điện V
qua kênh n- đến vùng thoát (cự của nguồn điện V
DD
) tạo ra
dòng điện thoát I
D
. Khi điện thế V
DS
càng lớn thì điện tích âm ở c g G càng nhiều (d
cổng G cùng điên thế với nguồn S) càng đẩy các điện tử trong kênh n- ra xa làm cho
vùng hiếm rộng thêm. Khi vùng hiếm vừa chắn ngang kênh thì kênh bị nghẽn và dòng
điện thoát I
D
đạt đến trị số bảo hoà I
DSS
.
Khi V
GS
càng âm, sự nghẽn xảy ra càng sớm và dòng điện bảo hoà I
D
càng .
Khi V
GS
dương (điều hành theo kiểu tăng), điện tích dương của cực cổng h
điện tử về mặt tiếp xúc càn vùng hiếm hẹp lại tức thông lộ g ra, điện trở th

- V
DD
- V
GG
+
n+
Điện tử tập trung
dưới sức hút nguồn
dương của cực c
ổ
ng
làm cho điện trở
thông lộ giảm
Điều
hành
theo
kiểu
tăng
Hình 26
+
0V (cự g nối th với c ồn), điện t
c dương
DD
ổn o
nhỏ
út các
ông g nhiều, rộn
ợp V
n nên tổng trở vào
lớ

DS
(volt)
I
D
(mA)
ư vậy, khi ho ống hệt JFET chỉ có tổng trở vào lớn hơn
và dòng rỉ I
GSS
JFET.
VI. OS ANCEMENT MOSFET:
E-MOSFET)
MOSFET loại tăng cũng có hai loại: E-MOSFET kênh N và E-MOSFET kênh P.
uồn S.
ình vẽ sau đây:
I
DSS
Điều hành
kiểu tăng
Điều hành
kiểu hiếm
2V
Hình 27
V
GS
= +2V
I
Dmax

GS
= +1V
V
GS
= +2V
V
GS
= +3V
V
DS
(volt)
I
DSS
Điều hành
kiểu tăng
28
DE-MOSFET kênh P
Điều hành
kiểu hiếm
-2V
V
GS
= -2V
I
Dmax
Đặc tuyến
truyền
I
D
(mA)

S
Thân n-
p+ p+
Nguồn
S
Cổng
G
Thoát
D
Tiếp xúc
kim loại
SiO
2
G
D
S
Thân U
G
D
S
Thân nối với
nguồn
Ký hiệu
E-MOSFET kênh P
Hìn
ân U
h 30
Th
GS
tăng lớn hơn V
GS(th)
, dòng điện thoát I
D
tiếp tục tăng
nhanh.
gười ta chứng minh được rằng:

rong đó: I
D
là dòng điện thoát của E-MOSFET
K là hằng số với đơn vị
DD
cũng không thể di chuyển nên không có dòng thoát I
D
(
dòng điện rỉ rất nhỏ chạy qua.
Thân p-
n+

S

G

D
SiO
2
- V +
DD

cấp.
Thí dụ: Một E-MOSFET kênh N có V
GS(th)
=3,8V và dòng điện thoát I
D
= 10mA khi
V
GS
= 8V. Tìm dòng điện thoát I
D
khi V
GS
= 6V.
Giải: trước tiên ta tìm hằng số K từ các thông số:
Hằng số K
Trang 109 Biên soạn: Trương Văn Tám
.
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
[]
[]
2
4
3
V
A
10.67,5
10.10
I
−
−


D

Thân p-
n+

S

D
2
G
SiO
- V
DD
+
- V
GG
+
n+
Thông lộ tạm thời
V
GS
≥ V
GS(th)

0
V

Dmax
Đặc tuy
tr
Đặc tuyến
ngõ
I A)
V
maxGS
D
(m
ra
ến
uyền
V
Trang 110 Biên soạn: Trương Văn Tám
.