1
Mục lục
Danh mục ký hiệu và chữ viết tắt 4
Danh mục các bảng 8
Danh mục các hình vẽ và đồ thị 9
Mở đầu 12
Chương 1 Tổng quan về COB LED công suất cao và các ứng dụng trong công
nghệ chiếu sáng 16
1.1 Lịch sử phát triển điôt phát quang (LED) 16
1.2 Cơ sở vật lý của LED 17
1.2.1 Sự hình thành chuyển tiếp pn - chuyển tiếp pn ở điều kiện cân bằng 17
1.2.2 Chuyển tiếp pn ở điều kiện không cân bằng 20
1.2.2.1. Chuyển tiếp pn phân cực thuận 20
1.2.2.2 Chuyển tiếp pn phân cực ngược 22
1.3 Tái hợp phát xạ và tái hợp không phát xạ 22
1.3.1 Tái hợp phát xạ 22
1.3.2 Tái hợp không phát xạ 23
1.4 Điôt phát quang (LED) 25
1.4.1 Cấu trúc 25
1.4.2 Nguyên lý hoạt động 26
1.4.3 Vật liệu chế tạo 27
1.4.4 Phương pháp công nghệ chế tạo LED 28
1.4.5 Ảnh hưởng của nhiệt độ đến các thông số của LED 29
1.4.5.1 Ảnh hưởng của nhiệt độ đến điện áp đặt vào 29
1.4.5.2 Ảnh hưởng của nhiệt độ đến quang thông 30
1.4.6 Phổ phát xạ 31
1.5 HPCOBLED (High Power Chip On Board Light Emitting Diode) 32
1.6 Ứng dụng 33
Kết luận chương 34
Kết luận chương 53
Chương 3 Nghiên cứu thiết kế, chế tạo và xây dựng hệ đo quang thông
HPCOBLED 54
3.1 Phương pháp đo quang thông sử dụng hệ đo quả cầu tích phân kết hợp
thiết bị đo phổ bức xạ và quang kế chuẩn 54
3.1.1 Nguyên lý của phương pháp ISSPM 54
3.1.2 Sơ đồ khối của phương pháp ISSPM 55
3.2 Thiết kế, chế tạo và xây dựng hệ đo 56
3.2.1 Thiết kế quả cầu tích phân 56
3.2.1.1 Các yêu cầu kỹ thuật của quả cầu tích phân 56
3.2.1.2 Xác định phần diện tích mở A
i
trên quả cầu tích phân 56
3.2.1.3 Thiết kế các tấm chắn sáng 57
3.2.2 Chọn đèn chuẩn phổ 59
3.2.3 Chọn thiết bị đo phổ bức xạ 60
3
3.2.4 Chọn quang kế chuẩn 60
3.2.5 Chọn nguồn DC 61
3.2.6 Chọn bộ ổn định nhiệt độ (TEC) 61
3.2.7 Xác định các thiết bị phụ trợ đo kiểm soát nguồn DC 61
3.3 Chế tạo quả cầu tích phân và các bộ phận đi kèm 61
3.3.1 Chế tạo quả cầu tích phân 61
3.3.2 Chế tạo các tấm chắn sáng 62
3.3.3 Lắng đọng lớp phủ phản xạ khuếch tán 62
3.3.3.1 Thực nghiệm 63
3.3.3.2 Xác định tỉ lệ dung dịch phun 63
3.3.3.3 Khảo sát ảnh hưởng của khoảng cách phun 65
3.3.3.4 Ảnh hưởng của áp suất phun 67
4.1.2 Mô hình Mark W.Hodapp không thể sử dụng đối với HPCOBLED 89
4.2 Mô hình HPCOBLED (High Power COB LED Model) 97
4
4.2.1 Giả thiết của mô hình HPCOBLED 98
4.2.2 Mô hình HPCOBLED 98
4.3 Đánh giá độ chính xác của mô hình HPCOBLED 99
4.4 Ứng dụng xác định quang thông của HPCOBLED theo nhiệt độ khi hệ đo
không sử dụng bộ điều khiển nhiệt độ (TEC) 101
4.4.1 Phương pháp xác định quang thông theo mô hình HPCOBLED ở Tc = 25
0
C
102
4.4.2 Chuẩn bị thực nghiệm 102
4.4.3 Thực nghiệm 103
4.4.4 Kết quả thực nghiệm và thảo luận 103
Kết luận chương 104
Kết luận 106
Danh mục các công trình 107
Bản quyền và sáng chế 107
Tài liệu tham khảo 109
Phụ lục 114
Dng hình hc
Dng hình hc
e
Electron
n t
E
c
Bottom of the conduction band energy
n
E
e
Electron energy
Nng cn t
E
Fn
Fermi level of the semiconductor n
Mc Fermi ca bán dn n
E
Fp
Fermi level of the semiconductor p
Mc Fermi ca bán dn p
E
g
Band gap energy
rng vùng cm
E
h
N
v
The effective density of states of
the valence band
N trng thái hiu dng trong
vùng hoá tr
p
Hole density
Nng l trng
R
a
Color rendering index
H s hoàn màu
R
Auger
Auger recombination rate
T tái hp Auger
R
th j-a
Thermal resistance from junction to to
ambient
Nhit tr t chuyn ti n môi
ng
6
j
Junction temperature
Nhi chuyn tip
T
sp
Solder point temperature
Nhi m hàn
V
Voltage
n áp
Frequency
Tn s
e
Radiant flux
ng bc x
Solid angle
Góc khi
Spectral sensitivity of the human eye
functions
H
7
CT
Color Temperature
Nhi màu
DC
DC supply
Ngun DC
DE
Droop effect
Hiu
EL
Electroluminescence
n hunh quang
EMS
Electromagnetic Spectrum
G
Green
Màu xanh lá cây
GPM
Goniophotometer Methhod
HPCOBLED
High Power Chip On Board
Light Emitting Diode
COBLED công sut cao
IR
Infra Red
IS
MOCVD
Metal Organic Chemical Vapor
Deposition
L ng hóa hc t p
ch
NIST
National Institute of Standards
and Technology (USA)
gia (USA)
NMIs
National Metrology Instituties
Các Ving quc gia
SSL
Solid State Lighting
Ngun sáng rn
R
Red
TEC
Thermo Electric Cooler
B làm lnh
UV
Ultra Violet
Bng 4.1 Kt qu kho sát s ph thuc quang thông vào nhi i vi HPCOBLED
90
Bng 4.2 Giá tr quang thông ca các HPCOBLED tính theo mô hình Mark (4.2). 92
B chênh lch nhi a các HPCOBLED. 97
Bng 4.4 S suy gim công sut ca các HPCOBLED theo nhi Tc. 99
Bng 4.5 Quang thông c tn nhit. 103
Bng 4.6 Quang thông ca các HPCOBLED ti nhi Tc=25 0C theo mô hình
HPCOBLED. 104
Danh mục các hình vẽ và đồ thị
10
Hình 1.1 Quá trình phát trin LED [78]. 16
Hình 1.2 S hình thành chuyn tip pn. 17
Hình 1.3 Gi ng ca chuyn tip pn u kin cân bng nhit [25]. 18
Hình 1. 4 Gi ng ca chuyn tip pn phân cc thun. 20
c tuyn I-V ca chuyn tic làm t các vt liu bán dn khác nhau. 21
Hình 1. 6 Gi ng chuyn tip pn phân cc. 22
Hình 1.7 Tái hn t - l trng [28]. 23
Hình 1.8 Các quá trình tái hp cn t và l trng 24
Hình 2.13 Dng hình h 52
Hình 3. khi h 55
Hình 3.2 V c tm chn sáng 1 57
11
c và v trí tm chn sáng 2 58
c và v trí tm chn sáng 3 58
Hình 3.5 Bn v tng th qu cng kính d = 1 m. 59
Hình 3.6 Hàm ph nhi f
1
ca quang k chun [62, 81]. 60
Hình 3.7 Bán c 62
Hình 3.8 Ph phn x khuch tán vi t l hp phn dung dch phun khác nhau 64
Hình 3.9 Ph phn x khuch tán vi khong cách phun khác nhau 66
Hình 3.10 nh chp hình thái b mt ca lp ph vi khong cách phun khác nhau 67
Hình 3.11 Ph phn x vi áp sut phun khác nhau 68
Hình 3.12 nh hình thái b mt ca lp ph các áp sut phun khác nhau 69
Hình 3.13 Ph phn x vi chiu dày lp ph khác nhau 70
Hình 3.14 Quy trình công ngh lng lp ph phn x khuch tán t vt liu BaSO
4
. 71
Hình 3.15 Bán qu cu tích phân sau khi lng lp phn x khuch tán. 71
Hình 3.16 H VMI-PR-001 sau khi hoàn thành lt. 72
Hình 3.17 V trí ln ph bên trong qu cu tích phân. 73
Hình 3.18 Kt qu hiu chun ph công sut. 74
Hình 3.19 Kt qu nh h th. 75
Hình 3.20 nh HPc g tn nhit TECMount 284. 77
Hình 3.21 Ph công sut ca HPCOBLED, (216A, S/N: 033). 79
th s ph thuc ca ph công sut vào nhi và dòng I
Hình 4.5 S suy gim quang thông khi nhi i vi các HPCOBLED 93
12
Hình 4.6 nh phân b nhit ca các HPCOBLED ti Tc = 25
0
C 94
Hình 4.7 Phân b nhit ca các HPCOBLED ti Tc = 55
0
C 95
Hình 4.8 Phân b nhit ca các HPCOBLED ti T
c
= 85
0
C 96
mt ct ngang ca mt HPCOBLED 97
t tr ca HPCOBLED (b). 98
th ph thuc ca quang thông vào nhi ca các HPCOBLED so sánh
gia giá tr thc nghim và giá tr tính theo mô hình HPCOBLED 100
th so sánh kt qu thc nghim, kt qu theo mô hình HPCOBLED 101
Hình 4.13 nh HPCOBLED g tn nhit 103
[17,27,30,39,45,46,52,66,69,73,76].
cá
.
f
[6,9,17,31,36,44,52,55,56,64,69,81,85-89].
LED nói chung và HPCOBLED
nói riêng.
,
các HPCOBLED .
Q
là,
HPCOBLED, các 25
0
C và
m
.
.
2.
f
các HPCOBLED.
3.
4. N
5
0
Phương pháp nghiên cứu
Ý nghĩa khoa học và thực tiễn
Ý nghĩa khoa học
P
n.
C
(380 ÷ 780)
15
thành công
N
Tc
16
Chương 1
Tổng quan về COB LED công suất cao và các ứng dụng trong
công nghệ chiếu sáng
1.1 Lịch sử phát triển điôt phát quang (LED)
Hình 1.1 Quá trình phát triển LED [78].
T hình 1.1 có th thy, quá trình phát trin LED có các mc phát trin quan trng sau
1970
1975
1980
1985
1990
1995
2000
2005
2010
nh quang
t
Edison
17
to thành công LED phát quang màu xanh lá cây t bán
dt hiu sut khong ~ 10% [66,75,77].
Có th thy, vic ch to thành công các LED phát ra các , xanh da tri và
xanh hu ht ph màu sc mà mi có th cm nhc.
ng, s phát trin c vt liu InGaN là ti ch to
LED ánh sáng trng. Tht vi Nhc nhn gii
ng Công ngh thiên niên k (Millennium Technology) cho phát minh LED ánh sáng
trng [75,77].
v
v
n t
Bán dn p
L trng
Tip xúc công ngh
Vùng n tích
không gian
18
n cân bng n tp cht donor và n l trng trong bán dn loi p cân bng nng
tp chy, n cn t và l trc biu din
theo biu thc sau [5,8,25].
n = N
d
(1.1)
p = N
a
(1.2)
d
là n tp cht donor và N
a
là n tp cht acceptor.
Ngoài các ht dn, trong bán dn tp cht còn cha các ht dn thiu s (các ht
dn), nói cách khác, trong bán dn loi n có cha mt s l trng vi nng
p
n
và trong bán dn loi p có cha mt s n t vi n n
p
. N ht ti trong
mt cht bán dn bt k có th nh t nh lut khng hiu dc
D E
Fn
E
Fp
này d
m
trên hình 1.3.
Hình 1.3 Giản đồ năng lượng của chuyển tiếp pn ở điều kiện cân bằng nhiệt [25].
T hình 1.3, có th nh th khuch tán theo biu thc sau:
E
c
E
Fi
diff
19
nhi ion hóa, n n t trong bán dn n u kin cân bng n
o
c xác
nh theo biu thc sau [25]:
(1.5)
vi Nc là nng trng thái hiu dng trong vùng dn, E
F
ng Fermi, E
(1.8)
, trong bán dn loi p, n l trng u kin cân bng p
o
nh
theo biu thc sau:
(1.9)
(1.12)
u kin cân bng, liên h gia chiu dày vùng n tích không gian trong các vùng bán
dn loi n và loc biu din theo biu thc sau [25]:
(1.13)
T các biu thc (1.13) và (1.12), chúng ta có th c các chin
tích không gian trong bán dn loi n và loi p ca chuyn tip pn [25]:
20
D dàng thy rng, chin tích không gian ca chuyn tic xác
tng các chin tích không gian trong bán dn loi n và loi p,
hay là:
L = L
n
+L
p
(1.16)
Thay các biu thc (1.14) và (1.15) vào biu thc (1.16), chi n tích
không gian ca chuyn tinh theo biu thc sau:
(1.17)
là hng s n môi ca bán dn.
Hình 1.3, y:
eV
min p.
Hay là, th khuch tán s gn b ng vùng c n tích e. Th
khuch tán này có th ng V
th
c nh theo biu
thc sau [25]:
V
bi
th
g
/e (1.19)
1.2.2 Chuyển tiếp pn ở điều kiện không cân bằng
1.2.2.1. Chuyển tiếp pn phân cực thuận
t mn áp V
f
vào chuyn tip pn vi ct lên bán dn p và cc âm
t lên bán dn n, ta nói rng chuyn tip pc phân cc thuu kin cân
bng ca chuyn tip pn s b phá v. ng ht vào s suy
gim mng V
f
và bng (V
bi
- V
f
), ng vi chiu cao rào th là e(V
bi
- V
f
p
E
c
E
Fi
E
Fn
diff
E
v
E
c
E
Fi
21
y, biu thc (1.17) có th c biu din li sau [25]:
(1.22)
tn tích mt ct ngang ca chuyn tip pn, D
n
và D
p
là các h s khuch
tán cn t và l trng,
và
(1.23)
-V ca các vt liu bán dn khác nhau ti nhi T = 300 c biu din trên
hình 1.5. Hình 1. 5 Đặc tuyến I-V của chuyển tiếp pn được làm từ các vật liệu bán dẫn khác nhau.
T hình 1.5, d dàng nhn thy, ng vi mi mt loi vt liu bán dn khác nhau có
ng khác nhau.
n áp (V)
Dòng (mA)
22
1.2.2.2 Chuyển tiếp pn phân cực ngược
Nt lên chuyn tip pn mc V
R
t lên trên bán
dn n và ct lên bán dn p, ta nói chuyn tip pn phân cc.
ng hp này, có th thng ngoài cùng ching khuch
tán và ng tng cng s dn chiu cao rào th i vi các ht d
bên mng eV
(1.25)
R
c.
y, khi chuyn tip pn phân cc thì chin tích không gian
ng hp này, theo biu thc (1.17) nh chin tích không
gian c vit l:
(1.26)
1.3 Tái hợp phát xạ và tái hợp không phát xạ
eV
t
e
Fn
E
v
E
c
E
Fi
23
nuôi. Các ht t tham gia vào quá trình tái hp khi có mn t trong
vùng dn n gn vi l trng trong vùng hóa tr. Trong quá trình tái hn t - l trng
kt hp to thành mt cp và mng c gii phóng. Ví d, mn
t nh x vùng dn có th tái hp vi mt l trng nh x nh
vùng hóa tr (hình 1.7). n s suy gim n ht t mô
t cho s suy gim n ht tm t tái h
bit, xác sut tái hp cn t - l trng t l vi n cp (hoc
y, R s t l vi tích n n t và l trng hay là R pn và R có th xác
nh theo biu thc sau [28]:
n honh vùng hóa tr.
T tái hp Auger R
Auger
c biu din bi các biu th28]:
(1.26)
(1.27)
n t
L trng
E
C
E
V
24
p
ca vt liu. Nguyên nhân là do t tái hp R
Auger
t l vi l ht ti.
H s ng trong khong (10
-28
÷ 10
-29
) cm
6
i vi các bán dn hp
cht A
III
B
V
[28].
C biu ding
cn t và l trng theo hàm s E(k) và có dng parabol gn cc tr (Hình 1.8). Do
cu trúc và phân b nguyên t khác nhau trong tinh th nên các trng ca
n t trong vùng dn và l trng trong vùng hóa tr phân b có các cc tr khác nhau
trong không gian E(k).
Hình 1.9 mô t quá trình tái hp cp n t - l trng trong mng
tinh th. Có th thy, quá trình tái hp cn t - l trng phát x photon (hình 1.9a) và
không phát x mà chuyn thành ng mng tinh th (hình 1.9b).
Hình 1.9 Quá trình tái hợp cặp điện tử - lỗ trống trong mạng tinh thể [28]
a) Quá trình tái hợp phát xạ ra photon
b) Quá trình tái hợp không phát xạ hình thành dao động mạng.
1.4 Điôt phát quang (LED)
Có th thy, m bn cht là mt chuyn tip pt mt
n áp thun thì chuyn tip pn s phát sáng. Theo các thông báo ca các tác gi trong
[28,70], hu hi là các chuyn tip pn có n pha tp cao kiu
t ngng photon phát ra xp x bng vùng c E
g
.
1.4.1 Cấu trúc
Mt cn hình ca LED c biu din trên hình 1.10.