Email: [email protected]
By Khát Vọng Sống
Email: [email protected]
Website : WWW.BeautifuLife.Cwahi.net
A. Câu hỏi phần BJT.
3.1. Giới thiệu về BJT.
1. Ba điện cực của BJT là gì ?
a. phát [emitter], gốc [base], góp [collector].
c. nguồn [source], cổng [gate], máng [drain].
Website: WWW.BeautifulLife.Cwahi.net
b. T
1
, T
2
, T
3
.
d. emitter, gate, collector.
2. Mũi tên trong ký hiệu mạch của BJT luôn luôn chỉ vào loại vật liệu nào ?
a. dạng P; b. dạng N; c. dạng base;
3. Các BJT được phân loại thành . . . .
a. các dụng cụ PPN và PIN. b. NPN và PNP.
c. các dụng cụ NNP và PPN. d. dạng N và dạng P.
4. Ký hiệu mạch của transistor PNP là . .b . .
3.2. Cấu tạo của BJT.
5. Có bao nhiêu tiếp giáp PN trong BJT?
d. dạng PN.
a. 0. b. 1. c. 2. d. 3. e. 4.
6. Loại vật liệu nào là vùng base của transistor PNP?
a. dạng P. b. dạng N c. dạng base.
d. dạng PN.

CC
; b. V
B
;
c. 0,2V; d. 0,7V.
15. Khi một chuyển mạch bằng BJT đang dẫn, thì dòng collector sẽ được giới hạn bởi . . . . . .
a. dòng base;
b. điện trở tải; c. điện áp base; d. điện trở base.
16. Khi một chuyển mạch bằng BJT ngưng dẫn, thì V
CE
xấp xĩ bằng . . . . . .
a. V
CC
; b. V
B
; c. 0,2V;
3.4. Trang số liệu và các thông số của BJT.
d. 0,7V.
17. Ba thông số quan trọng của BJT là beta, công suất tiêu tán lớn nhất, và . . . . . . . .
a. rho nhỏ nhất; b. pi nhỏ nhất; c. dòng collector nhỏ nhất; d. dòng giử nhỏ
nhất.
18. Thông số h
fe
sẽ bằng với . . . . . . . . của transistor.
a. alpha; b. beta;
nhất.
3.5. Mạch khuyếch đại bằng transistor.
c. dòng collector lớn nhất; d. dòng giử nhỏ
19. Khi mạch khuyếch đại bằng BJT được phân cực đúng để hoạt động ở chế độ A, thì . . . . . . .
a. tiếp giáp base - emitter được phân cực thuận và tiếp giáp base - collector được phân cực ngược;

a. 0
o
; b. 90
o
; c. 180
o
; d. 270
o
.
26. Công thức chung để tính hệ số khuyếch đại điện áp của mạch khuyếch đại phân cực base là . . .
. . .
a. A
v
= V
CC
/ V
c
; b. A
v
= V
B
/ V
E
; c. A
v
= r
c
/ r
e
; d. A

c. 5k ;
d. điện trở cao.
32. Khi đầu que âm của một ohmmeter được nối đến cực base và đầu que dương được nối đến cực
emitter của một transistor NPN, thì giá trị điện trở đo được là bao nhiêu ?
a. 0 ;
b. điện trở thấp;
c. 5k ;
d. điện trở cao.
33. Điện trở đo được giữa hai cực collector và emitter của một transistor tốt là bao nhiêu ?
a. 0 ;
b. điện trở thấp;
c. 5k ;
d. điện trở cao.
34. Giá trị điện áp trên collector của transistor ở hình 3.40a, là bao nhiêu ?
a. 0,2V; b. 0,7V; c. 7,5V;
35. Điện áp trên collector của transistor ở mạch hình 3.40b là bao nhiêu ?
d. 15V.
a. 0,2V; b. 0,7V; c. 7,5V; d. 15V.
Email: [email protected] Website: WWW.BeautifulLife.Cwahi.net
36. Mức điện áp DC trên collector của transistor ở mạch hình 3.41, là bao nhiêu ?
a. 0,2V; b. 0,7V; c. 7,5V; d. 15V.
37. Điện áp DC trên cực base của transistor ở mạch hình 3.41, là bao
nhiêu ?
a. 0,2V; b. 0,7V; c. 7,5V;
d. 15V.
38. Điện áp tín hiệu trên collector của transistor ở mạch hình 3.41, là bao nhiêu ?
a. 50mVpp; b. 0,2Vpp; c. 7,5Vpp; d. 15Vpp.
39. Nếu tụ đầu ra (C
2
) ở hình 3.41, hở mạch, thì mức điện áp tín hiệu trên collector của transistor

= β I
B
= 0.8 mA
IE = IB + IC = 0.81 mA
Vì E nối đất nên V
E
= 0 
V
CE
= V
C
= V
2
– V
R2
= V
2
– I
C
R
2
= 10 – 0.8*6 = 5.2 V
Email: [email protected] Website: WWW.BeautifulLife.Cwahi.net
2. Nếu dòng base là 30 A và dòng collector là 4mA, thì giá trị của dòng emitter là bao nhiêu?
I
E
= I
B
+ I
C

CC
– 0.2, nhưng nhỏ nên ta không xét)
V
Rb
= I
B
*R
b
= 0.08*10 = 0.8 V
 V
BB
= V
Rb
+ V
BE
= 0.8 + 0.7 = 1.5 V
7. Khi tín hiệu vào ở mạch ở hình 3.43, là 5V, thì giá trị cần thiết để làm cho transistor bão hoà
là bao nhiêu ?
I
B
= ( V
BB
– V
BE
)/R
b
= (5 – 0.7)/10
4
= 0.43 mA
I

B
= I
C
/β = 4/50 = 0.08 mA
Suy ra giá trị điện trở có thể sử dụng là R
b
= (VBB – V
BE
)/IB = (3.7 – 0.7 )/(0.08*10
3
) = 37.5 kΩ
10. Hãy tính các trị số yêu cầu dưới đây đối với mạch ở hình 3.44JC. ( = 80).
VB = VBE + VE = 0.7 V
V
C
= V
CC
– V
Rc
= 20 – I
C
R
c
VC = 13.4 V
= 20 – βI
B
Rc = 20 – 80*(20 – 0.7)*3300 / 775000
= 13.4 V
Email: [email protected] Website: WWW.BeautifulLife.Cwahi.net
11. Cần phải thay đổi giá trị điện trở R

cực điểm giữa (Vc = 7,5V)
Ta có : V
Rc
= V
CC
– V
C
= 15 – 7.5 = 7.5 V
 I
C
= V
Rc
/ R
c
= 7.5/3300 = 2.272 mA
 I
B
= I
C
/β = 2.272/120 = 0.0189 mA
 R
b
= (V
CC
– V
B
)/I
B
= (15 - 0.7)/(0.0189*10
-3

– V
Rc
= 15 - 14.97 =0.03 V
14. Trong mạch hình 3.45JC, nếu R
b
= 600k và beta bằng 200, thì giá trị nào của R
c
sẽ thích hợp
cho phân cực điểm giữa (Vc = 7,5V) ?
Ta có : I
B
= (15 – 0.7)/600000 = 0.0238 mA I
C
= βI
B
= 200*0.0238 = 4.76 mA
Vậy giá trị R
c
là : R
c
= (V
CC
– V
C
)/I
C
= (15 – 7.5)/4.76*10
-3
= 1.57 kΩ
15. Trong mạch hình 3.45JC, nếu R

B
)/R
b
= (15 – 0.7)/1.43*10
6
= 0.01 mA
 I
C
= βI
B
= 150*0.01 = 1.5 mA
 I
E
= I
B
+ I
C
= 1.5 + 0.01 = 1.51 mA
Vậy : r
e
' = 25mV/I
E
= 25/1.51 = 16.6 Ω
Zin = Rb// βr
e
= (1.43*10
6
*150*16.6) / (1.43*10
6
+ 150*16.6) = 2486 Ω

2
hở mạch, thì hệ số khuyếch đại điện áp của mạch hình 3.46JC, bằng bao nhiêu
?
A
v
= 300
C
2
hở mạch thì r
c
= R
c
= 5 kΩ
 A
V
= 5*10
3
/ 16.6 = 300
19. Đối với mạch ở hình 3.47JC, hãy tính:
V
c
= 6.42 V; V
B
= 0.7 V; V
E
= 0 ; V
CE
= 6.42 V; z
in
= 2096 Ω; z

*6*10
3
= 8.58 V
Vậy : V
C
= V
CC
– V
Rc
= 15 – 8.58 = 6.42 V
V
E
= 0 V  V
CE
= V
C
– V
E
= 6.42 V
V
B
= V
BE
+ V
E
= 0.7 V
r
e
= 25mV/(I
B

20. Đối với mạch hình 3.48JC, hãy xác định:
V
c
= 7V ; V
B
= 0.7V ; V
E
= 0V ; V
CE
= 7V ; z
in
= 1596Ω; z
out
=4 kΩ; V
out
= 4.8V ; A
v
=120
Email: [email protected]
Giải tương tự bài 19
C. Câu hỏi phần mạch BJT.
4.1. Giới thiệu.
Website: WWW.BeautifulLife.Cwahi.net
1. Tại sao cần phải ổn định mạch khuyếch đại bằng BJT để chống lại sự thay đổi ở beta ?
a. do beta thay đổi theo nhiệt độ, b. do beta thay đổi theo sự thay đổi ở các tụ ghép tầng;
c. do beta khác nhau trong các BJT cùng loại; d. cả a và c.
2. Giá trị beta điển hình của một transistor có thể xem xét là . . . . . . . . .
a. + 50% và - 50%;
100%.
b. +50% và - 100%; c. + 100% và - 50%; d. + 100% và -

collector tại điểm tĩnh có thể tính gần đúng bằng cách chia điện áp emitter cho . . . . .
a. điện trở ở nhánh base; b. điện trở ở nhánh emitter; c. điện trở ở nhánh collector; d. điện trỏ
của tải.
7. Trong các mạch khuyếch đại phân cực phân áp, điện áp collector được tính bằng cách . . . . . . .
a. nhân dòng collector với điện trở collector; b. nhân dòng collector với điện trở tải;
c. cộng điện áp base với điện áp emitter; d. trừ sụt áp trên điện trở collector khỏi điện
áp nguồn.
4.3. Các tham số tín hiệu của mạch phân cực phân áp.
8. Mạch phân cực phân áp độc lập với beta, nhưng phải trả giá cho sự không phụ thuộc với beta là
gì ?
a. làm giảm độ ổn định; b. trở kháng ra thấp;
c. suy giảm hệ số khuyếch đại điện áp; d. cả b và c.
Email: [email protected] Website: WWW.BeautifulLife.Cwahi.net
Email: [email protected] Website: WWW.BeautifulLife.Cwahi.net
9. Khi tính trở kháng vào, hai điện trở base (R
b1
và R
b2
) xuất hiện dưới dạng . . . . . với các linh
kiện khác.
a. nối tiếp; b. nối tiếp / song song; c. song song; d. nối tiếp ngược
chiều nhau.
10. Điện trở động của tiếp giáp base - emitter là được mắc . . . . . .
a. nối tiếp với điện trở tín hiệu ở nhánh base; b. song song với điện trở tín hiệu ở nhánh
base;
c. song song với điện trở tín hiệu ở nhánh emitter; d. nối tiếp với điện trở tín hiệu ở nhánh
emitter.
11. Trở kháng ra của mạch khuyếch đại emitter chung sẽ bằng . . . . . .
a. điện trở collector; b. điện trở tải;
c. điện trở collector mắc song song với điện trở tải; d. beta lần điện trở collector.

phân áp.
4.6. Mạch khuyếch đại phân cực hồi tiếp kiểu điện áp.
19. Các mạch khuyếch đại phân cực hồi tiếp kiểu điện áp thực tế thích hợp cho làm việc với . . . .
a. các tín hiệu tần số cao; b. các nguồn cung cấp điện áp thấp;
c. các mạch cần trở kháng vào rất cao; d. các mạch cần trở kháng ra rất thấp.
Email: [email protected] Website: WWW.BeautifulLife.Cwahi.net
20. Trở kháng vào của mạch khuyếch đại phân cực hồi tiếp kiểu điện áp bị ảnh hưởng bởi . . . .
a. giá trị công suất trên điện trở collector; b. hệ số khuyếch đại điện áp của bộ khuyếch
đại;
c. giá trị điện trở của điện trở hồi tiếp; d. cả b và c.
4.7. Mạch khuyếch đại nhiều tầng ghép RC.
21. Tại sao cần phải biết trở kháng vào của mỗi tầng trong một bộ khuyếch đại nhiều tầng ?
a. do trở kháng vào toàn mạch là tích của trở kháng vào của mỗi tầng;
b. do hệ số khuyếch đại điện áp của một tầng bị tác động bởi trở kháng vào của tầng tiếp theo ;
c. do trở kháng vào của một tầng là điện trở tải của tầng trước; d. cả b và c.
22. Một trong những ưu điểm chính của việc sử dụng các tụ ghép giữa các tầng là gì ?
a. các tụ ghép cho phép mạch khuyếch đại nhiều tầng truyền các tín hiệu DC;
b. các tụ ghép tầng cho phép các mạch phân cực trong mổi tầng độc lập nhau;
c. các tụ ghép tầng rẽ mạch điện trở emitter nên làm tăng hệ số khuyếch đại; d. cả b và c.
23. Hệ số khuyếch đại điện áp toàn bộ của mạch khuyếch đại nhiều tầng sẽ bằng với . . . . . . . .
a. tổng trở kháng vào của mổi tầng; b. tích hệ số khuyếch đại điện áp của mổi
tầng;
c. hệ số khuyếch đại điện áp của tầng đầu tiên; d. hệ số khuyếch đại điện áp của tầng cuối
24. Tr
a. tổng trở kháng vào của mổi tầng;cùng.ở kháng vào của toàn bộ mạch khuyếch đại nhiều tầng sẽ
bằng với . . . . . . . .b. tích tr
d. tr
ở kháng ra của toàn bộ mạch khuyếch đại nhiều tầng sẽ bằng với . . . . . . . .
b. tích tr
d. trnc. trở kháng vào của tầng đầu tiên;25. Tra. tổng trở kháng ra của mổi tầng;ở

31. Điện áp đo được trên collector của Q
2
ở mạch hình 4.24JC, là
13,8VDC,
d. điện trở R
1
bị hở
a. mạch đang làm việc đúng chức năng;
emitter;
c. tụ C
5
bị ngắn mạch;
b. transistor Q2 bị hở mạch giữa collector và
d. điện trở R
8
bị ngắn mạch.
32. Điện áp DC tại điểm nối của hai điện trở R
4
và R
5
ở mạch hình 4.24JC, bằng 0V.
a. mạch đang làm việc đúng chức năng; b. transistor Q
1
bị ngắn mạch giữa collector và
emitter;
c. tụ C
4
hở mạch; d. điện trở R
2
bị ngắn mạch.

= 10.25 V; V
B
= 3,8 V; V
E
= 3.1 V; V
CE
= 7,15 V; z
in
= 5,85 kΩ; z
out
= 2 kΩ; V
out
= 30mV
p-p
;
A
v
= 1,5
Ta có : V
B
= V
CC
R
b2
/(R
b1
+ R
b2
) = 18*8/(30 + 8) = 3,8 V
 V

e
= 25mV/I
E
= 25/3,875 =
6,45 Ω
Vậy r
e
= r'
e
+ R
e
= 6.45 + 800 = 806.45 Ω
 Zin = r b//(βr
e
) = 6316*100*806,45 / (6316 + 100*806,45)
= 5,85 k Ω ( CHO β = 100 )
Z
out
= R
c
= 2 kΩ
Ta có : r
c
= R
c
//R
L
= 3*2/(3 + 2) = 1,2 kΩ
 AV = rc/re = 1200 / 806.45 = 1,5
 Vout = AV Vin = 1,5*20mVp-p = 30mVp-p

b
//(βr
e
) = 6316*100*6,45 / (6316 + 100*6,45) =
584 Ω
A
V
= r
c
/r
e
= 1200 / 6.45 = 186
V
out
= A
V
V
in
= 186*20mV
p-p
= 3,72 V
p-p
3. Cho mạch ở hình 4.27JC, hãy tính,
V
c
=10.25 V; V
B
= 3,8 V; V
E
= 3.1 V; V

E
bị nối tắt bởi tụ C
 Z
in
= r
b
//(βr
e
) = 6316*100*106,45 / (6316 + 100*106,45) = 3,9 kΩ
AV = rc/re = 1200 / 106.45 = 11,3
V
out
= A
V
V
in
= 11,3*20mV
p-p
= 226 mV
p-p
Email: [email protected] Website: WWW.BeautifulLife.Cwahi.net
4. Mức tín hiệu lớn nhất để có thể cung cấp tại đầu vào của mạch ở hình 4.27JC, trước khi tín hiệu
ra bắt đầu bị xén là bao nhiêu ?
5. Nếu tần số làm việc thấp nhất là 100Hz, hãy chọn trị số cho
C
1
, C
2
, và C
3

L
X
C2
= 300 Ω  C
2
= 1/(
200Л*300 ) = 5,3
µ
F
C
3
nối tiếp R
e
 X
C1
= 10 Ω  C
3
= 1/(
6. Cho mạch ở hình 4.28JC, hãy tính:
V
c
= . . . . ; V
B
= . . . . ; V
E
= . . . . ; V
CE
= . . . . ; z
in
= . . . . ; z

= 2*3,3 = 6,6 V
 V
C
= V
CC
– V
Rc
= 12 – 6,6 = 5,4 V
 V
CE
= V
C
– V
E
= 5,4 – (-0,7) = 6,1 V
Ta có : r
b
= R
b1
= 2 kΩ
Điện trở nội tiếp giáp : r'
e
= 25mV/I
E
= 25/2= 12,5 Ω
Vậy r
e
= r'
e
+ R

/ 312,5 = 6,8
 V
out
= A
V
V
in
=
6,8*50mV
p-p
= 340mV
p-p
7. Hãy xác định các trị số yêu cầu dưới đây cho mạch ở hình
4.29JC,
tầng 1:
V
B
= 4,8 V ; V
E
= 4,1 V; V
C
= 8,8 V ; A
v
=6,1; z
in
= 3,8 kΩ;
z
out
= 1 kΩ
tầng 2:

8. Nếu tần số làm việc thấp nhất là 1kHz, hãy chọn các giá
trị cho C
1
, C
2
, C
3
, C
4
, và C
5
trong mạch ở hình 4.29JC,
C1 = 0,42
µ
F;
C
4
= 17,7
µ
F;
C2 = 1,6
µ
F;
C
5
= 65,2
µ
F;
C3 = 1,6
µ

µ
F
C
5
nối tiếp r
e2
 X
C5
= 2,2Ω  C
5
= 1/( 2000Л*2,4 ) = 65,2
µ
F
9. Hãy tính các trị số yêu cầu dưới đây đối với mạch ở hình 4.30JC,
tầng 1:
V
B
= 0V ; V
E
= - 0,7V ; V
C
= 3,8V ; A
v
= 1,7 ;
z
in
= 360 kΩ ; z
out
= 6 kΩ
tầng 2:V

cc
; d. cả b và c.
2. Mạch khuyếch đại collector chung có thể sử dụng kiểu phân cực . . . . . . . .
a. emitter;
b. hồi tiếp điện áp collector ;
c. phân áp ;
d. cả a và c.
3. Cấu hình collector chung có . . . . . .
a. trở kháng vào cao và trở kháng ra thấp;
b. trở kháng vào thấp và trở kháng ra bằng
Rc;
Email: [email protected] Website: WWW.BeautifulLife.Cwahi.net
c. trở kháng vào cao và trở kháng ra bằng Rc; d. ngoài các trường hợp trên.
4. Hệ số khuyếch đại điện áp của mạch collector chung là . . . . .
a. lớn hơn 1; b. đúng bằng 1; c. hơi nhỏ hơn 1; d. bằng với .
5.2. Hệ số khuyếch đại dòng điện và công suất.
5. Hệ số khuyếch đại công suất của một mạch có thể tính được bằng phép nhân. . . . .
a. beta với hệ số khuyếch đại điện áp; b. bình phương dòng tải với điện áp tải;
c. hệ số khuyếch đại điện áp với hệ số khuyếch đại dòng; d. công suất vào và công suất ra.
6. Cấu hình BJT nào cho sự khuyếch đại công suất ?
a. emitter chung;
trên.
5.3. Cặp Darlinhton.
b. base chung; c. collector chung;
d. tất cả các ý
7. Cặp Darlington thay cho transistor thông thường trong mạch collector chung sẽ . . . . . . .
a. làm tăng trở kháng vào của mạch; b. cho phép mạch điều khiển tải điện trở thấp
hơn;
c. thay đổi điện áp phân cực emitter bằng 0,7V; d. tất cả các ý trên.
8. Nếu cặp Darlington được lắp bằng hai transistor với mổi transistor bằng 40, thì mạch

14. Cấu hình emitter chung có . . . . .
a. trở kháng vào cao và trở kháng ra thấp;
R
c
;
Website: WWW.BeautifulLife.Cwahi.net
b. trở kháng vào thấp và trở kháng ra bằng
c. trở kháng vào trung bình và trở kháng ra bằng Rc; d. ngoài các trường hợp trên.
15. Khi BJT được mắc theo cấu hình base chung, thì mạch có khả năng cung cấp . . . . .
a. hệ số khuyếch đại điện áp và công suất;
suất;
b. hệ số khuyếch đại dòng điện và công
c. hệ số khuyếch đại dòng điện, điện áp và công suất; d. chỉ có hệ số khuyếch đại điện áp.
16. Khi BJT được mắc theo cấu hình collector chung, thì mạch có khả năng cung cấp . . . . . .
a. hệ số khuyếch đại điện áp và công suất; b. hệ số khuyếch đại dòng điện và công
suất;
c. hệ số khuyếch đại dòng điện, điện áp và công suất; d. chỉ có hệ số khuyếch đại điện áp.
17. Khi BJT được mắc theo cấu hình emitter chung, thì mạch có khả năng cung cấp . . . . .
a. hệ số khuyếch đại điện áp và công suất; b. hệ số khuyếch đại dòng điện và công
suất;
c. hệ số khuyếch đại dòng điện, điện áp và công suất; d. chỉ có hệ số khuyếch đại điện áp.
5.7. Nguồn dòng điện.
18. Ký hiệu nào sau đây là ký hiệu của nguồn dòng điện ? d
19. Một nguồn dòng hằng 10mA cung cấp cho tải 1k , mức điện áp trên tải là bao nhiêu ?
20. Một nguồn dòng hằng 10mA cung cấp cho tải 1k . Nếu thay đổi điện trở tải là 2k , thì dòng
chảy qua tải là bao nhiêu ?
a. 1mA; b. 5mA; c. 10mA; d. 40mA.
5.8. Mạch khuyếch đại vi sai.
21. Một mạch khuyếch đại vi sai được thiết kế với nguồn dòng hằng 10mA, nguồn cung cấp 12V,
và điện trở ở nhánh collector (R

2
đo được là 12V. Vấn đề có nhiều khả năng xảy ra nhất đối với mạch là gì ?
a. transistor Q
1
hở mạch; b. transistor Q
2
hở mạch; c. nguồn dòng bị hỏng; d. mạch làm việc bình
thường.
27. Mức tín hiệu vào ở mạch hình 5.22JC, được đặt ở mức 0. Điện áp trên collector của Q
1
đo được
là 12V và điện áp trên Q
2
đo được là 0,2V. Vấn đề có nhiều khả năng xảy ra nhất đối với mạch là
gì ?
a. transistor Q
1
hở mạch; b. transistor Q
2
hở mạch; c. nguồn dòng bị hỏng; d. mạch làm việc bình
thường
28. Mức tín hiệu vào ở mạch hình 5.22JC, được đặt ở mức 0. Điện áp trên collector của Q
1
và Q
2
đo được là 6V. Vấn đề có nhiều khả năng xảy ra nhất đối với mạch là gì ?
a. transistor Q
1
hở mạch; b. transistor Q
2

của mạch ở hình 5.23JC. CHO β = 100
Email: [email protected]
zin = . . . . ; zout = . . . . . ; Av = . . . . .
ta có : R
1
//R
2
= 1*0,8/(1 + 0,8) = 0,444 kΩ
r
e
= R
3
//R
L
= 100*50/(100 + 50) = 37,5 Ω
r
b
= R
1
//R
2
//R
int
= 364 Ω
Website: WWW.BeautifulLife.Cwahi.net
vậy : Z
in
= (R
1
//R

L
iin = Vin/Zin
 A
i
= i
out
/i
in
= A
v
Z
in
/R
L
= 1*396/50 = 7,9
 Ap = Voutiout/VinZin = AvAi = 7,9
4. Cho beta của Q
1
là 150 và beta của Q
2
bằng 30. của cặp Darlington ở hình 5.24JC, là bao
nhiêu ?
β = β
Q1
*β
Q2
= 150*30 = 4500
5. Cho mạch
ở hình
5.25JC, hãy

+ R
2
) = 18*2,2/(2 + 2,2) = 9,4 V
V
EQ1
= V
BQ1
– VBEQ1 = 9,4 – 0,7 = 8,7
V
VCQ1 = VCC = 18 V
V
BQ2
= V
EQ1
= 8,7 V
VEQ2 = VBQ2 – VBEQ2 = 8,7 – 0,7 = 8 V
V
CQ2
= V
CQ1
= 18 V
I
E
= V
EQ2
/R
3
= 8/25 = 320 mA
6. Hãy tính các giá trị của z
in

= 90, và
Q2
= 40).
Tương tự bài 3 A
i
= i
out
/i
in
= A
v
Z
in
/R
L
= 1*1024/25 = 41
A
p
= V
out
i
out
/V
in
Z
in
= A
v
A
i

out
= V
rms
R
L
/(R
int
+ R
L
) = 8,7 mV
P = V
out
2
/R
L = 3,05
µ
W
Mạch (b) :
Zint = (R1//R2)//(βr
e
) = 2,42 kΩ
Vin = VrmsZin/(Zin + Rint) = 0,387 V
V
out
= A
v
V
in
= 0,387 V ( mạch C chung)
P = V

b2
/(R
b1
+ R
b2
) = 15*18/(90 + 18) = 2,5 V
V
E
= V
B
– V
BE
= 2,5 – 0,7 = 1,8 V
I
E
= V
E
/R
e
= 1,8/1800 = 1 mA
V
C
= V
CC
– V
Rc
= 15 – 1*6,8 = 8,2 V
V
CE
= V

CE
= 2*6,4 = 12,8 V
12. Hãy tính điện áp trên collector, base, và emitter của cả ba transistor trong mạch ở hình 5.29JC.
Mạch khuyếch đại vi sai
Q
1
: sụt áp trên điện trở 10kΩ là V = (15 – (- 15))*10/(10 + 18) = 10,7 V
 V
B1
= V + V
EE
= 10,7 – 15 = - 4,3 V
VE1 = VB1 – V
BE
= - 4,3 – 0,7 = - 5 V
V
C1
= V
E2
= V
E3
V
B2
= V
B3
= 0 V ( nối đất )
Email: [email protected]
 VC1 = VE2 = VE3 = 0 – 0,7 = - 0,7 V
Website: WWW.BeautifulLife.Cwahi.net
I

r
c
= R
c
= 3,3 kΩ
re = 25 mV/IE = 25Ω
 A
v
= r
c
/r
e
= 132 ( đối với đầu ra đơn )
Đối với đầu ra cân bằng thì : V
out
của đầu ra cân bằng bằng 2 lần V
out
của đầu ra đơn nên
A'
v
= 2A
v
= 264