Nhóm 6_KHMT3-K6 Hà Nội, năm 2012
TRƯỜNG ĐẠI HỌC
CÔNG NGHIỆP HÀ NỘI
KHOA CÔNG NGHỆ THÔNG TIN
LỚP KHOA HỌC MÁY TÍNH 3-K6
Nhóm 6_KHMT3-K6 Hà Nội, năm 2012
BÀI TẬP LỚN MÔN HỌC
KIẾN TRÚC MÁY TÍNH
Nhóm 6 :
Phân tích nguyên lí
làm việc của bộ nhớ
RAM chuẩn DDRAM.
Nhóm 6_KHMT3-K
6
Hà Nội, năm 2012
Thµnh viªn trong nhãm.

NguyÔn Minh HiÖp.

TrÇn Duy H¶i.

Phan Duy H¶i.

§Æng ThÞ HiÒn.
Nhóm 6_KHMT3-K
6
Hà Nội, năm 2012
NỘI DUNG BÁO CÁO BÀI TẬP LỚN

Giới thiệu về RAM


ph©n biÖt RAM thµnh 2 lo¹i:
-
- SRAM (Static RAM) : Ram tÜnh.
-
- DRAM (Dynamic RAM) : Ram ®éng.
Nhóm 6_KHMT3-K
6
Hà Nội, năm 2012
H×nh ¶nh minh ho¹

Nhóm 6_KHMT3-K
6
Hà Nội, năm 2012
Th«ng tin vÒ DDRAM
1. Định nghĩa
2. Phân loại
Nhóm 6_KHMT3-K
6
Hà Nội, năm 2012
1. §Þnh nghÜa
DDR được dựa trên thiết kế SDRAM( Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên
động đồng bộ - Synchronous Dynamic Random Access Memory), tức
là sử dụng tín hiệu xung nhịp để đồng bộ hóa mọi thứ. DDR là viết tắt
của Tốc độ dữ liệu gấp đôi - Double Data Rate , tức truyền được hai
khối dữ liệu trong một xung nhịp .
Nhóm 6_KHMT3-K
6
Hà Nội, năm 2012
2. Ph©n lo¹i
DDRAM Phân thành 3 loại:

của DDRAM được phát triển
từ 2 thế hệ trước.
Nhóm 6_KHMT3-K
6
Hà Nội, năm 2012
Nguyªn lý lµm viÖc cña DDRAM.
 

  !
"  !#$%
& $ '(
) *+ '(
, + '(
/ 0123+ '(
4 *56 7'8+ '(

Nhóm 6_KHMT3-K
6
Hà Nội, năm 2012
1. Tr×nh tù khëi t¹o cho DDRAM
SDRAM.
Quá trình khởi tạo DDR SDRAM
bao gồm 21 bước được thể hiện
một cách ngắn gọn trong
hình vẽ dưới đây
Cấu hình các tham số hoạt động
Bao gồm hai thanh ghi nội bộ,
đăng ký chế độ (MR),
và đăng ký chế độ mở rộng (EMR).
Nhóm 6_KHMT3-K

cho sử dụng trong
tương lai và phải được
thiết lập để trống.
Thiết lập BA1 = 0 và BA0 = 1.
Nhóm 6_KHMT3-K
6
Hà Nội, năm 2012
2. Ho¹t ®éng cña DDRAM.
Khi CKE (clock cho phép)là cao DRAM được
cho là ở trạng thái hoạt động,lệnh đọc và viết
có thể diễn ra. Nếu CKE là mức thấp nhất,
DDR SDRAM clock và đầu vào bộ đệm đều bị
tắt
Nhóm 6_KHMT3-K
6
Hà Nội, năm 2012
3. Ho¹t ®éng cña CKE
CKE là tổng thể chuyển đổi on-off cho DRAM.
Khi CKE là mức thấp nhất, tất cả đầu vào,
bao gồm clock, bị vô hiệu. Đây là trạng thái
nguồn thấp nhất trong đó thiết bị có thể vận
hành. Bộ nguồn này được qui định trong
bảng dữ liệu ở IDD2P nếu tất cả các bank
đang sạc sẵn và IDD3P nếu bất kỳ bank nào
đang hoạt động.
Nhóm 6_KHMT3-K
6
Hà Nội, năm 2012
4. Kích hoạt nguồn
Đầu tiên phải đầu tiên phải được lựa chọn

6. §äc Bé Nguån
Nguồn điện để đọc dữ liệu
giống như ghi dữ liệu
Trong ví dụ này, liên tiếp được
mở ra với một lệnh ACT và bốn
chu kỳ sau đó, truyền hàng loạt
4 lần READ (hai clock) được
bắt đầu vào các cột trong hàng đó.
Sau khi đọc được đầy đủ,
hàng được đóng lại với một lệnh
Precharge và trình tự khởi động lại.
Nhóm 6_KHMT3-K
6
Hà Nội, năm 2012
7. Làm tươi bộ nguồn.
Pin bộ nhớ của DDR SDRAM lưu trữ dữ liệu
thông tin bị tiêu hao qua thời gian và phải nạp điện lại.
Quy trình này được gọi là làm tươi.
Thao tác làm tươi thường được phân phối đồng đều
qua thời gian.
Nhóm 6_KHMT3-K
6
Hà Nội, năm 2012
8. Gi¶m c«ng suÊt bé
nguån.
Hầu hết các hệ thống vận hành ở tần số clock
khác nhau hoặc điện áp hoạt động hơn so với
định nghĩa trong bảng dữ liệu nên mỗi một
nguồn điện thành phần phải giảm công suất
đến điều kiện hệ thống thực tế.