TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM HÀ NỘI 2
KHOA VẬT LÝ NGUYỄN THỊ PHƯƠNG CHẾ TẠO, NGHIÊN CỨU CẢM BIẾN TỪ
DỰA TRÊN MẠCH CẦU WHEATSTONE
CÓ CẤU TRÚC CÁC NHÁNH DÀI KHÓA LUẬN TỐT NGHIỆP ĐẠI HỌC
HÀ NỘI – 2015
TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM HÀ NỘI 2
KHOA VẬT LÝ
trình làm thc nghim.
Tip theo, em xin ct c các thy, các cô ci h
phm Hà Nng dy, dìu dt và cung cp cho em nhng nn tng khoa
hc t kin thn nhng kin thc chuc
hành, thc nghim trong sut bc qua.
Cui cùng, em xin gi nhng li tp nhn b mn bè
nh, kp th
khóa lun mt cách tp.
Hà N
Sinh viên
Nguyn Th
LỜI CAM ĐOAN
ng kt qu nghiên cu khoa hc trong khóa lun là
hoàn toàn trung thc công b bi bt k i
ngun tài lic trích dn rõ ràng.
1.2 Nhiu cm bin 6
1.3 Cm bi ng bng hiu ng t - n tr d ng (AMR) 8
1.3.1 Hiu ng t - n tr d ng 9
1.3.2 Mch cn tr Wheatstone 11
CHƯƠNG 2: PHƯƠNG PHÁP THỰC NGHIỆM 14
to cm bin 14
2.1.1 X lý b mt mu 14
2.1.2 Ch to mt n và hc cha cm bin 15
2.1.3 Phún x to màng 19
2.1.3.1 Thit b phún x catot 19
2.1.3.2 Phún x tn tr 22
2.1.3.3 Phún x tn cc 23
o sát tính cht ca cm bin 23
2.2.1 Kho sát tính cht t ca cm bin 23
2.2.2 Kho sát tính cht t - n tr ca cm bin 25
CHƯƠNG 3: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 27
vit ca cm bin dng mch cu Wheatstone 27
3.2 Tính cht ca cm bin 29
3.3 Tính cht t - n tr ca cm bin 30
3.3.1 30
DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ
Hình 1.1 minh ha hiu n t thuc trên các vt liu
multiferoics kiu t gin 4
Hình 1.2: Liên kt t n trong vt liu t i s phân cn
c gây ra bi t t hóa bng ngoài 5
Hình 1.3 th hin ngun gc vt lý ca AMR 9
Hình 1.4: Giá tr n tr i ph thuc vào góc gin ng
c hóa 11
Hình 1.5: Mch cn tr Wheatstone 11
Hình 2.1: Bung x lý mu 14
Hình 2.2: Cu to chung ca mt máy ct laser 16
Hình 2.3: Máy ct laser VLS3.60 17
Hình 2.4: H mask ca cm bin 1× 3mm: Vi (a)là mt n n tr, (b)là mt
n n cc, (c) hình dng cm bin hoàn thin 18
Hình 2.5: Mt n ca các cm bin 19
Hình 2.6: Nguyên lý ca quá trình hình thành màng mng bng phún x catot 20
Hình 2.7: Thit b phún x catot 21
Hình 2.8n tr ca mch cu c phún x to
màng Ta/NiFe/Ta 22
Hình 2.9: Cm bic sau quá trình phún x n cc 23
MỞ ĐẦU
1. Lí do chọn đề tài
Trên th gii có rt nhiu loi cm bin da trên các hiu ng khác nhau
c s d ng thp yu là các cm bin da trên
hiu ng quang và t m bing t siêu dn, si
quang hc, cm bin da trên hiu n - t, cm n t (Flux-Gate),
hiu ng Hall Mc dù các cm bin hong da trên các hiu ng khác nhau
m biu da trên nguyên tc và phân tích hiu n th
li ra t cm bin i ph thu ca t ng tác dng lên
cm bin. Mi loi cm biu m c
m riêng tùy thuc vào mvà phm vi trong tc ng dng.
Tuy vy, các cm bic khá cng knh và gp phi các
loi nhiu n tín hiu. Ngoài ra, mt s cm bin hong t
i có cu trúc dp khá phc tm bin da trên
hiu ng Spin-Vic tn hóa qui trình
công ngh, gim chi phí ch to mà vi ca cm bi
t ng thc tiêu nghiên cu ca nhóm. Li dng tính cht t
mm ca vt liu NiFe và tính nh nhit rt tt ca mch cu Wheatstone,
chúng tôi ch to các cm bi ng thp dng mch cu Wheatstone vi
cp Ni
80
Fe
20
da trên hiu ng t - n tr d ng. Các
cm bin ch to gic tng các loi nhic bit là nhiu
nhit qu t s tín hiu/nhiu ca cm bin s ln. Vng nghiên
cu này, các ni dung nghiên cc thc hin trong khóa lun bao gm:
- Ch to, kho sát tính cht t ca cm bin.
- Ch to cm bin vi b dày màng khác nhau, kho sát tìm ra b dày
3
CHƯƠNG 1
TỔNG QUAN
1.1 Các loại cảm biến đo từ trường phổ biến
1.1.1 Cảm biến dựa trên hiệu ứng Hall
Hiu ng Hall c phát hiEdwin Hall khi ông
c ti hc Jonhs Hopkins Baltimore, Maryland [2]. Khi cho
mn chy qua mt vt dn là cht bán dt trong t ng
ngoài, hai mi din vuông góc vi chin s xut hin chênh lch
n áp trên vt liu này.
n tích chuyng trong vt d i ng ca t ng
ngoài, chúng s chu tác dng ca lng vuông góc vi chiu dòng
n và t ng ngoài:
. [ x ]
H
F q E q v B
q in tích ca n t (q = 1.6 × 10
-19
C )
là t chuyng ca electron
R
H
là n tr Hall
I, B là n và t ng
T là chiu dày tm vt liu.
1.1.2 Cảm biến dựa trên hiệu ứng từ - điện
Hiu ng n - t c d
[12].Thut ng n - tt d
t ch s liên kt gia pha st t và sc xây dng bi
rng hiu n - t có th c trong vt li
2
O
3
. S
phân cc cm ng bi t ng ca Cr
2
O
3
c quan sát l
1960 bi Astrov [3]. Hiu n - t c quan sát thy trên các vt
liu tn tng thi c hai pha st t và sn. Hiu n - t c chia
thành hiu n t thun (direct magnetoelectric effect) và hiu n t
nghch (converse magnetoelectric effect) (hình 1.3u ng thun là
hiu ng vt liu b phân cn (Pt trong t ng ngoài
(Hc li hiu ng nghch là hiu ng mô men t ca vt liu b i
(M) khi chu tác dng cng ngoài (E).
ng ti mc tiêu ng dng ch to cm bi ng, hiu ng
(a)
(b) 6
n t thun t ra có nhi do kh i trc tip t ng
thành tín hin áp li ra.
1.2 Nhiễu cảm biến
Tín hiu li ra ca cm bin luôn b ng bi các nhân t ca môi
, tn s , nhng ng này gi chung là
nhiu. Nhiu là s i ngu nhiên tín hiu li ra ca cm bin khi giá tr
bng 0. Mt thông s quan tr m bin là t s tín hiu trên
nhiu (signal/noise).
Viu da trên 3 loi ch yu là nhiu tn s 1/f, nhiu nhit
và nhing tnh bi:
Vi
y
nhiu, là di thông tn s, n
c
là s ht tn,
f tn s k
B
là hng s Boltzmann, T là nhi ca mu, L là chiu dài ca
mu, e n.
vùng tn s thp (f < 300Hz), nhiu ch yu là nhiu tn s 1/f, tn s
cao (trên 1kHz) nhiu ch yu là nhiu nhi trình v mt
s loi nhiu cm bing gp:
t
2
= 4k
B
(1.5)
Di tn nhii thông voltage-gain-squared ca h thng
hay mi vi bt k hàm chuyi mng nào A(f) có 1 di tn nhiu
truyn i A
0
và di tn:
* Nhiễu lượng tử:
n chy qua mt rào th thì s xut hin nhing t, vì s
g dòng qua mt giá tr trung bình gây ra bi s bin t và l
trc phát ra. Dòng nhinh:
I
sh
2
= 2qI
DC
B (1.7)
q n tích
I
DC
là dòng DC trung bình
B là di nhiu.
* Nhiễu 1/f:
Nhiu 1/f gây ra bi s dn do s tip xúc không hoàn ho
gia 2 lp vt liu. Nó xy ra bt kì ch nào khi 2 vt tip xúc vi nhau. Nhiu
Barkhausen là hi n tích bi i không liên tc trong m t
thông các vt liu st t khi t i liên tc. Ngun phát
Barkhausen b ng ln bi s i cu trúc vi mô ca vt liu t và
ng sut. Gc biu ng ph thuc vào
n th bên trong bi các vách domain t khi chúng di chuyn qua vt liu.
T công thc (1.4), ta thy nn tr ca cm bin c i thì nhiu
nhit t ci. tn s thp, ngun nhiu ch yu là nhiu 1/f (do t ng
gây ra nhiu tc biu din bi công thc:
V
2
1/f
c
) R
2
I
2
(1.9)
là hng s hing thun t (hng s Hooge)
N
c
là s ht ti gây nhiu trong cm bin
I n qua cm bin và f là tn s
c t s SNR ln nht có th, cm bin phi hong phía trên
1/f trong ch nhiu nhing xy ra tn s i vi van-
spin, trên 100 MHz i vi tip xúc xuyên ng tn s cao v
mn có th c s d nhn bit ht t c nh c gn
vào t sinh hc, cung c nhy sinh hc ci cho cm bin.
1.3 Cảm biến đo từ trường bằng hiệu ứng từ - điện trở dị hướng (AMR)
vào góc gia t và chiu cn. Ngun gc vt lý ca hiu ng
t - n tr ph thuc vào liên kt spin qu o.
th hin ngun gc vt lý ca AMR.
n t bao quanh mi hi
hình dng ph thung ca momen t và s bin dng ca các
n t ng tán x cn t dng
tinh th. Ta có th gii thích s ph thun tr ca vt dng
ca momen t vi chiu t ng
vuông góc vi chiu c o chuyng cn
t nm trong mt phng cy ch tn ti mt mt ct nh
i vi tán x cn t, dn ti vt dn tr nhc li, khi t
ng áp vào song song vi chin thì qu o chuyng cn 10
t ng vuông góc vi chiu cn, và mt ci vi tán
x cn t n ti vt dn tr cao (xem hình 1.3) [8].
gii thích hiu ng t - n tr d ng (AMR) trong màng mng ca
vt liu t, gi nh rng, t hóa trong màng st t u trng thái
bão hòa
, khi có s ng ca t ng ngoài s ng ca
R
R
R
RR
bd
l
bd
l
R
pp
pn
n,0
l
p
R
,0
n,0
R
12
Khi ta cp mn th V
in
vào trong mn, ta có:
i tác dng cng ngoài, do s a hiu ng t - n tr
d n tr nên s to ra s i n tr thành phn ca mch
(
. S bii này dn ti s i cn th l
(1.13):
c biu din s
(1.14)
(1.12) 13
T công thc (1.14) chúng ta thy s n tr ca hai nhánh lin
k trong mch cu t trit tiêu nhau nên mch cu có th dùng làm mch n nh
nhi và ch to các thit k c bit khác. Mch cc ng
dng nhic ci sc bit là trong các mn t
kháng, n cm, n dung trong mch xoay chiu (AC). Trong
mt s b u khi, mch cu Heaviside (mt dng khác ca mch
cu Wheatstone) c s d u khing quay ct ng
CHƯƠNG 2
PHƯƠNG PHÁP THỰC NGHIỆM
2.1 Phương pháp chế tạo cảm biến
2.1.1 Xử lý bề mặt mẫu
Hình 2.1: Bung x lý mu.
Hình 2.1 là bung x lý m thc hin thao tác làm sch
b mt mu. Các thao tác làm sch và sy khô mc thc hin trong
bung x lý mu. Bung x lý mu bao gm: Súng xì khô, các hóa cht ty ra
c DI. Ngoài ra, b sy khô mu
các nhi khác nhau, ma thao tác này
toàn dung môi trên b m SiO
2
.Các thông s có th tùy chnh gm nhi
ct, t gia nhit.Yêu ci vi hotplate trong quá trình nung mu là
nhi luôn luôn phi gi nh cho phép sai s ± 1C [4].
ch to cm bi Si có ph lp oxi hóa SiO
2
dày t
0.5- m bo n gi và màng vt liu. c khi lng
c làm sch qua các quy trình sau:
Rung siêu âm trong axeton 5 loi b ht cht bn và cht h
. 15
Rung siêu âm trong cn 5 loi b ht dung dch axeton còn bám
.
Lu trong dung d làm sch hoàn toàn dung dch cn.
16 Hình 2.2: Cu to chung ca mt máy ct laser.
Bung cng cha hot ch t ch c bit có kh
i ánh sáng bng phát x ng b to ra laser. Khi mt
photon ti va chm vào hot cht này thì s t photon khác bt
ng vi photon ti. Mt khác bung cng có hai
mt chn u, mt mt phn x toàn phn vi các photon khi bay ti, mt
kia cho mt phn photon qua mt phn phn x li làm cho các photon va chm
liên tc vào hot cht laser nhiu ln to m photon ln. Vì th
c khui lên nhiu ln. Tính cht ca laser ph thuc vào hot cht
vào hot ch phân loi laser.
làm vic ca mt máy cng ca hin th
cao, các electron di chuyn t mng thp lên mng cao.
mng cao, mt s electron s ru nhiên xung mng
thp, bc x hc gi là photon. Các ht photon này s ta ra nhiu
ng khác nhau t mt nguyên t va phi các nguyên t khác, kích thích
electron các nguyên t ng tip, sinh thêm các photon cùng tn s,
ng bay, to nên mt phn ng dây chuyn khu i
dòng ánh sáng. Các ht photon b phn x qua li nhiu ln trong vt liu nh
u sut khui ánh sáng, mt s photon ra ngoài nh có
ti mu ca vt li