C u t o ấ ạ
Nguyên t c ho t đ ng ắ ạ ộ
Ba s đ c b n c a BJT ơ ồ ơ ả ủ
Transistor hai c c tính -BJTự
Đ c tuy n c a BJTặ ế ủ
M ch phân c c c b n cho BJTạ ự ơ ả
M ch khu ch đ i l p A dùng BJTạ ế ạ ớ
Transistor hai c c tính -BJTự
E
B
B
C
C
E
P
P
P+
N
N
N+

BJT là 1 lo i lkbd 3 c c có kh ạ ự ả
năng khu ch đ i ho c ho t đ ng ế ạ ặ ạ ộ
nh 1 khóa đóng m . Nó s d ng ư ở ử ụ
c hai lo i h t d n: đi n t , l ả ạ ạ ẫ ệ ử ỗ
tr ng. ố

BJT đ c c u t o t 2 l p tx P-ượ ấ ạ ừ ớ
N, các l p bán d n này có m t đ ớ ẫ ậ ộ
h t d n đa s không gi ng nhau. ạ ẫ ố ố
N+, P+ là l p bán d n có m t đ ớ ẫ ậ ộ


Khi E
1
= 0, E
2
!= 0, J
C
phân c c ự
ng c, vùng nghèo tăng, có dòng ượ
ng c Iượ
CBO.


Khi E
1
!= 0, E
2
!= 0, J
C
phân c c ự
ng c, JE phân c c thu n, đi n t ượ ự ậ ệ ử
t N+ phun qua P t o dòng Iừ ạ
E
, và l ỗ
tr ng t P phun qua N+ố ừ
.
Nguyên t c ho t đ ngắ ạ ộ
J
E
J

E
I
CBO
I
C
I
E
B
E C
E
2
E
1

Khi E
1
!= 0, E
2
!= 0, đi n t t N+ ệ ử ừ
phun qua P t o dòng Iạ
E
, và l tr ng ỗ ố
t P phun qua N+ừ tao dong Ị ̀
B.

n
N+
>> n
P
, 1 l ng nh đi n t ượ ỏ ệ ử

β : hê sô khuêch đai dong̣ ́ ́ ̣ ̀
I
C
= β I
B

Khi BJT đã đ c phân c c. ượ ự
Thêm ngu n tín hi u nh ngồ ệ ỏ uôn ̀
dong ì
s
nh hình v . ư ẽ

M c đ phân c c Jứ ộ ự
E
s thay đ i ẽ ổ
theo i
s
làm dòng đi n t E t i C ệ ử ớ
cũng thay đ i theo => iổ
C
thay đ i ổ
theo i
s
. i
b
~ i
s
va ì
c
= β i

B
E
C
E
1
i
s
I
C
I
E
B
E
C
E
2
E
1
R
E
R
C
R
L
Transistor hai c c tính -BJTự

Tín hi u vào c n khu ch ệ ầ ế
đ i đ c đ a vào 2 c c E,B.ạ ượ ư ự

Tín hi u ra đ c l y t 2 ệ ượ ấ ừ

E
1
R
C
R
B
V
IN
V
OUT
B
E
C
I
C
I
B

T 2.59 và 2.60 ừ
⇒
I
C
= α ( I
B
+ I
C
) + I
CBO
⇒
I

).

M ch có đ l i áp ạ ộ ợ ≈ 1 .
E
2
E
1
R
E
R
B
V
IN
V
OUT
G
B
E
C
Ba s đ c b n c a BJT ơ ồ ơ ả ủ
Transistor hai c c tính -BJTự

C chung
Đăc tuyên BJT (E chung ) ̣ ́
Transistor hai c c tính -BJTự

M ch kh o sát đ c tuy n V-A c a ạ ả ặ ế ủ
BJT ki u CEể
A