LỜI CAM ĐOAN
Tôi xin cam đoan đây là công trình nghiên cứu của riêng tôi, do tôi thực hiện dưới sự
hướng dẫn khoa học của tập thể các thầy hướng dẫn. Các số liệu trong luận án này là trung
thực và chưa từng được tác giả khác công bố.
Hà Nội, ngày

tháng

TÁC GIẢ
TM. Tập thể hướng dẫn

i

năm


MỤC LỤC
Lời cam đoan
Mục lục
Danh mục các ký hiệu và chữ viết tắt
Danh mục cá hình vẽ và đồ thị
Lời cảm ơn
Mở đầu
CHƯƠNG 1. TỔNG QUAN VỀ DÂY VÀ CỘT NANO SILIC..............................1
1.1

Giới thiệu chung về dây và cột nano silic......................................................1

1.2

Tình hình nghiên cứu trên thế giới.................................................................5



3


2.1.1 Quy trình chế tạo dây nano silic sử dụng kỹ thuật quang khắc và ăn mòn
ướt.

…………………………………………………………………………..34
2.1.2 Quy trình chế tạo dây nano silic sử dụng kỹ thuật quang khắc và ăn mòn

ướt kết hợp với hiện tượng dính ướt............................................................................ 36
2.2

Quy trình chế tạo cột nano Silic...................................................................38

2.3

Các kỹ thuật sử dụng trong quy trình chế tạo và khảo sát đặc trưng dây và

cột nano silic
44
2.3.1 Kỹ thuật quang khắc và quay phủ............................................................44
2.3.2 Kỹ thuật phún xạ màng mỏng Ag............................................................45
2.3.3 Kỹ thuật hiển vi điện tử quét hiệu ứng trường.........................................46
2.3.4 Kỹ thuật đo phổ I-V................................................................................. 47
2.3.5 Kỹ thuật đo phổ phản xạ.......................................................................... 47
2.3.6 Kỹ thuật đo phổ huỳnh quang.................................................................. 48
2.3.7 Kỹ thuật đo phổ µ-Raman........................................................................48
CHƯƠNG 3. CHẾ TẠO DÂY NANO SILIC TRÊN CƠ SỞ CÔNG NGHỆ VI



4.1 Tập hợp đơn lớp hạt nano silica.................................................................. 62
4.1.1 Tập hợp đơn lớp hạt silica kích thước 50 nm...........................................63
4.1.2 Tập hợp 235nm, 295nm, 385 nm............................................................. 71
4.2

Thu nhỏ hạt silica bằng hơi HF...................................................................74

4.2.1 Thu nhỏ hạt silica 50nm...........................................................................74
4.2.2 Thu nhỏ hạt 235nm và 295 nm.................................................................77
4.3

Kết luận........................................................................................................83

CHƯƠNG 5.CHẾ TẠO CỘT NANO SILIC BẰNG PHƯƠNG PHÁP ĂN MÒN
HÓA HỌC HỖ TRỢ KIM LOẠI VÀ KHẮC HẠT NANO.............................................85
5.1

Chế tạo cột nano silic với hạt silica 295nm.................................................85

5.1.1 Khảo sát ảnh hưởng của bề dày lớp Ag....................................................85
5.1.2 Ăn mòn hóa học tạo cột nano Si.............................................................. 88
5.1.2.1 Khảo sát ảnh hưởng của thời gian ăn mòn.........................................88
5.1.2.2 Ảnh hưởng của quá trình ăn mòn ngang............................................90
5.2

Chế tạo cột nano silic với hạt silica 235nm.................................................91

5.2.1 Phún xạ Ag và lift-off.............................................................................. 92


7


Danh mục các ký hiệu và chữ viết tắt
AFM (Atomic Force Microscope): Ảnh hiển vi lực nguyên tử
BHF (Buffered HF): Dung dịch HF pha thêm NH4F theo tỷ lệ nhất định.
CMOS (Complementary Metal-Oxide-SEMiconductor): Phức hợp bán dẫn-ôxit-kim
loại.
CVD (Chemical Vapor Deposition): Lắng đọng hơi hóa học.
DRIE (Deep Reactive Ion Etching): Ăn mòn sâu ion hoạt hóa.
FET (Field Effect Transitor): Tran-zi-to hiệu ứng trường.
FTIR (Fourier Transformation Infrared): phổ hồng ngoại biến đổi Fourrier
MACE (Metal Assisted Chemical Etching): Ăn mòn hóa học hỗ trợ (xúc tác) bằng
kim loại.
MEMS (Micro Electro-Mechanical System): Hệ thống vi cơ điện tử.
RIE (Reactive Ion Etching): Ăn mòn ion hoạt hóa .
SC (Standard cleaning): Quy trình rửa phiến silic chuẩn.
SOI (Silicon On Insulator): Đế silic có lớp SiO2 mỏng nằm giữa đế silic và lớp silic
linh kiện.
SERS (Surface Enhance Raman Scattering): Tán xạ Raman bề mặt tăng cường.
SEM (Scanning Electronic Microscope): Hiển vi điện tử quét.
TEM ( transmission electron microscopy): Ảnh hiển vi điện tử truyền qua.
VLS (Vapor-Liquid-Solid): Hơi-Lỏng-Rắn.

8


Danh mục các bảng
Bảng 1.1. Sự thay đổi phương ăn mòn theo tỷ lệ HF:H2O2 và nhiệt độ dung dịch ăn

công bố năm 1964 [81]: a) Cột micro Si; b) Dây nano Si.
Hình 1.2.Thống kê số trích dẫn có từ “nanowires“ trên trang web of science [97].
Hình 1.3.Ảnh hiển vi lực nguyên tử (AFM) và hiển vi điện tử quét (SEM) dây nano
silic được ứng dụng làm áp điện trở [18].
Hình 1.4.Dây nano Silic được ứng dụng trong transitor hiệu ứng trường (FET) trong:
a) cảm biến sinh học [50]; b) cảm biến hóa học [8].
Hình 1.5.Ứng dụng dây nano silic trong pin mặt trời: (a) mô hình pha tạp kiểu lõi vỏ
tạo chuyển tiếp p-n cho dây nano Si; (b) ảnh SEM dây nano silic chế tạo bởi Erik C.
Garnett và các cộng sự năm 2008 [26].
Hình 1.6.Cột nano silic được ứng dụng để chế tạo siêu tụ điện [7]. Cột nano sau khi
chế tạo được oxi hóa để tạo thành lớp oxit bên ngoài các cấu trúc silic để tạo lớp điện môi,
sau đó W và Ni được phủ lên trên để tạo điện cực trên.
Hình 1.7.(a) Cột nano silic được phủ Ag phía trên nhằm tăng cường tán xạ Raman;
b) phổ Raman tăng cường có cường độ lớn hơn 5 bậc so với phổ Raman thường [40].
Hình 1.8.Các bước trong công nghệ quang khắc với chất cảm quang dương (a) và
chất cảm quang âm (b).
Hình 1.9.Quy trình công nghệ chế tạo dây nano Si<100> có kích thước 10 nm bằng
kỹ thuật quang khắc trên phiến silic có lớp oxit đệm để ăn mòn dừng (phiến SOI) (a-f);
Ảnh TEM mặt cắt ngang dây nano silic kích thước 10nm [96].
Hình 1.10.Quy trình công nghệ chế tạo dây nano silic với mặt nạ là dây nano kim
loại. Dây nano kim được chế tạo bằng phương pháp lắng đọng nghiêng và thu nhỏ bằng
chùm ion nghiêng [76].
Hình 1.11.Hình mô tả kỹ thuật giao thoa chùm laser (a). Các cấu trúc lớp cảm quang
có thể thu được sau khi hiện hình (b) [4]. Ảnh SEM dây nano chất cảm quang có kích
thước 72 nm, cách nhau 323nm (c).
Hình 1.12.Sơ đồ nguyên lý kỹ thuật khắc trực tiếp bằng chùm laser [54]
Hình 1.13.Dây nano silic kích thước 60nm được chế tạo bằng kỹ thuật khắc trực tiếp
bằng chùm laser [54].
Hình 1.14.Quy trình khắc bằng chùm điện tử.
Hình 1.15.Ảnh SEM của dây nano silic kích thước nhỏ hơn 10nm đã được chế tạo

cao[47].
Hình 1.30.Quá trình bay hơi của dung môi và sự hình thành dòng đối lưu bên trong
giọt chất lỏng nằm trên đế rắn dính ướt.
Hình 1.31.Ảnh SEM chụp dòng hạt bị kéo về đường tiếp xúc và xếp khít với nhau
trên đế rắn (a). Cơ chế xếp khit đề xuất bởi Denkov và các cộng sự năm 1993 [19].
Hình 1.32.Các kỹ thuật tập hợp hạt nano đơn lớp xếp khít: a) nhúng phủ; b)
Langmuir-Blodgett; c) lắng đọng điện di của các hạt keo nano, d) lắng đọng hạt nano trên
đế tích điện theo vùng; e) tập hợp các hạt trong các khuôn mẫu; f) quay phủ.
9


Hình 1.33.(a) Đơn lớp hạt xếp khít trên đế phẳng có phạm vi đối xứng lục giác gần.
Đơn lớp hạt xếp khít trong rãnh hẹp có phạm vi đối xứng theo toàn bộ chiều dài dải đơn
lớp hạt nano (b) [93].
Hình 1.34.Các bước trong kỹ thuật đóng băng (a-d). Ảnh SEM đơn lớp hạt 120 nm
không xếp khít trên đế [23].
Hình 1.35.Ảnh SEM các hạt được điền vào các lỗ trống tạo sẵn trên đế: một hạt
trong một khuôn (a); hai hạt trong một khuôn (b)[93].
Hình 1.36.Chế tạo đơn lớp hạt không xếp khít trên đế QCM dao động phủ Au [71].
Hình 1.37.Đơn lớp hạt xếp khít thực hiện bằng kỹ thuật quay phủ với nồng độ hạt
khác nhau: a) 30%; b) 20%; c)10% [19].
Hình 1.38.Ảnh SEM đơn lớp hạt silica sau khi quay phủ trong nền polymer (a) và
đơn lớp hạt silica không xếp khít sau khi tẩy lớp polymer [39].
Hình 1.39.Ảnh SEM đơn lớp hạt polystyren không xếp khít được ăn mòn trong
plasma ôxi đối với hạt 400nm. Ảnh chụp từ trên xuống (a); Ảnh chụp nghiêng (b) [80].
Hình 1.40.Ảnh SEM hạt silica sau khi được thu nhỏ bằng ăn mòn ion hoạt hóa. Ảnh
chụp từ trên xuống (a); Ảnh chụp nghiêng mẫu (b) [14].
Hình 1.41.Quy trình công nghệ chế tạo đơn lớp hạt không xếp khít bằng kỹ thuật kéo
dãn (a), với các hạt đối xứng dạng lục giác (b) và tứ giác (c) [91].
Hình 1.42.Cơ chế ăn mòn silic trong dung dịch HF/H2O2 với sự xúc tác của kim loại

Ag.
Hình 2.7.Ảnh quang học hệ thí nghiệm trong quá trình tập hợp với đế có thể thay đổi
được góc nghiêng và chiếu bức xạ hồng ngoại (a). Ảnh chụp phóng đại hình dạng giọt chất
lỏng trên đế silic (b).
Hình 2.8.Các bước ăn mòn SiO2 trên đế silic theo cơ chế hơi và lắng đọng.
Hình 2.9.Cốc teflon dùng để ăn mòn thu nhỏ hạt silica
Hình 2.10.Quá trình tạo cột nano silic được vẽ trong 3 chiều: (a) Lưới kim loại sau
khi được tạo, (b) Ăn mòn trong dung dịch HF/H2O2 và (c) cột nano silic thu được sau khi
tẩy kim loại (Ag).
Hình 2.11.Các thiết bị chính dùng cho quang khắc để tạo dây nano silic trong phòng
sạch tại viện ITIMS: máy quang khắc (a); b) máy quay phủ.
Hình 2.12.Máy phún xạ ca-tốt được sử dụng để lắng đọng lớp kim loại trong phòng
sạch viện ITIMS, trường ĐHBKHN.
Hình 2.13.Thiết bị chụp ảnh hiển vi điện tử quét hiệu ứng trường (FESEM) tại viện
AIST, trường ĐHBKHN.
Hình 2.14.Hệ đo đáp ứng I-V dây nano silic tại viện AIST, trường ĐHBKHN.
Hình 2.15.Hệ đo đặc trưng phản xạ của cấu trúc cột nano silic tại khoa Vật lý,
trường KHTN thuộc trường ĐHQGHN.
Hình 2.16.Hệ đo phổ huỳnh quang dùng để đo tính chất huỳnh quang của cấu trúc
cột nano silic tại khoa Vật lý, trường KHTN thuộc trường ĐHQGHN
Hình 2.17.Hệ đo phổ µ-Raman dùng để đo đặc trưng tán xạ Raman của cấu trúc cột
nano silic tại viện Vật lý kỹ thuật, trường ĐHBKHN.
11


Hình 3.1.a) Chùm tia UV nhiễu xạ tại rìa dây Cr. b) Ảnh quang học của dây polymer
cảm quang sau khi hiện hình.
Hình 3.2.Ảnh quang học cấu trúc dây cảm quang hiện hình chưa bị biến dạng với
thời gian ăn mòn SiO2 là 5 phút (a), bắt đầu bị biến dạng sau 6 phút (b).
Hình 3.3.Ảnh SEM mảng dây SiO2 sau khi tẩy lớp cảm quang trên thang toàn đế với

c
x


Hình 3.14.Ảnh SEM chụp dây nano gắn với điện cực dùng để đặt đầu điện cực đo
đáp ứng I-V với độ phóng đại 140 lần, điện áp chụp 5kV(a). Ảnh SEM với độ phóng đại
6000 lần tại phần dây gắn với pad điện cực. Điện áp chụp ảnh SEM là 5kV.
Hình 3.15.Đáp ứng I-V của dây nano silic trong dải điện áp ±3,5V.
Hình 4.1.Minh họa kỹ thuật nhỏ giọt theo góc nhìn ngang (a); và theo góc nhìn từ
trên xuống (b).
Hình 4.2.Hình minh họa sức căng bề mặt tạo ra lực mao quản kéo hai hạt nano silica
dạng cầu nhúng trong dung môi khi gần nhau.
Hình 4.3.Ảnh SEM của lớp hạt silica trong trường hợp bốc bay dung môi khi không
chiếu bức xạ hồng ngoại (a) và có bức xạ hồng ngoại (b). Ảnh đa lớp hạt silica (c) và đơn
lớp hạt silica với (d). Ảnh nhỏ trong hình d) là ảnh phóng đại thể hiện tính đối xứng dạng
lục giác. Thanh tỷ lệ trong (a,b) là 10 µm; trong (c,d) là 100nm.
Hình 4.4.Trật tự gần trong các “đô-men” hạt nano silica 50nm có dạng đối xứng lục
giác.
Hình 4.5.Hình vẽ các dải hạt gồm các vùng đơn lớp và đa lớp xen kẽ khi không có
chiếu xạ (a) và khi có chiếu bức xạ hồng ngoại (b).
Hình 4.6.Ảnh SEM vùng hạt sắp xếp tại độ phóng đại 600 lần với giá trị PIR: a)
80W; b) 180 W; c) 250 W. Thanh tỷ lệ là 10 µm. Điện áp chụp là 5kV.
Hình 4.7.Sự phụ thuộc của tỷ lệ diện tích vùng đơn lớp hạt nano silica vào PIR.
Hình 4.8.Quá trình tự tập hợp hạt silica ở các góc nghiêng khác nhau: a) β = 15o; b)
β = 30o; c) β = 45o; d) β = 60o; e) β = 75o. Ở góc nghiêng β = 30o, đơn lớp hạt thể sự liên
tục với diện tích lớn nhất. Thanh tỷ lệ là 10 µm.
Hình 4.9.Đồ thị phụ thuộc tỷ lệ vùng đơn lớp vào góc β.
Hình 4.10.Ảnh SEM vùng đơn lớp xếp khít với độ phóng đại 10.000 lần (a) và
phóng đại 40.000 lần (b). Đồ thị phân bố kích thước hạt dựa trên ảnh SEM (c).
Hình 4.11.Ảnh SEM phóng đại 1700 lần mẫu hạt đa lớp được tập hợp trên đế nằm

Hình 4.22.Ảnh SEM chụp mẫu đơn lớp hạt silica 235nm trước khi nung ủ với độ
phóng đại 40000 lần, cho thấy các nhóm hạt xếp khít nhất có sự liên kết khá chặt chẽ với
nhau.
Hình 4.23.Ảnh SEM mặt cắt ngang đế silic có đơn lớp hạt silica đã ăn mòn thu nhỏ
bằng hơi HF với khoảng thời gian
Hình 4.24.Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của đường kính hạt nano silica theo thời
gian ăn mòn bằng hơi HF.
Hình 4.25.Hình vẽ mô tả lớp HF/H2O lắng đọng xuống mặt đế silic và ăn mòn phần
dưới hạt nano silica.
Hình 4.26.Ảnh SEM chụp mẫu tại ăn mòn bằng hơi HF với nhiệt độ đế: 25oC tại
tâm(a) và rìa mẫu(b); 90oC tại tâm (c) và rìa mẫu (d); 150oC tại tâm (e) và rìa mẫu (f). Các
ảnh được chụp với điện áp 5kV.
Hình 5.1.Ảnh SEM với độ phóng đại 10000 lần của đơn lớp hạt silica: xếp khít ban
14


đầu (a); không xếp khít sau khi ăn mòn 120s bằng hơi HF (b); sau khi được phủ Ag chụp

15


từ trên xuống (c); sau khi phủ Ag nhìn trên xuống (d). Thang kích thước trong bốn hình là
1µm. Điện áp đo là 5kV.
Hình 5.2.Ảnh SEM với độ phóng đại 5000 lần, lớp Ag bị bong sau khi rung siêu
âm(a); lưới Ag trên đế silic sau khi rung siêu âm không bị bong (b). Điện áp chụp 5kV.
Hình 5.3.Các vi cấu trúc silic xuất hiện sau khi ăn mòn trong HF/H2O2 sau thời gian
15 phút (a) và 30 phút (b). Ảnh phóng đại 40000 lần chụp với điện áp 5kV.
Hình 5.4.Ảnh SEM mặt cắt phóng đại 40000 lần của đơn lớp hạt silica sau khi phún
xạ Ag.
Hình 5.5.Ảnh SEM phóng đai 10000 lần chụp mặt cắt ngang mẫu cột nano silic với

Hình 5.17.Ảnh SEM mặt cắt cột nano silic thu được sau khi ăn mòn trong dung dịch
HF/H2O2 trong 15 phút(a); 30 phút (b) với độ phóng đại 20000 lần và 60s (c) với độ phóng
đại 30000 lần..
Hình 5.18.Ảnh SEM một số cấu trúc cột nano silic tương đối đều và đẹp được chế
tạo với hạt silica 235nm: a) Ảnh mặt cắt với độ phóng đại 5000 lần; b) Ảnh mặt cắt với độ
phóng đại 10000 lần; c) Ảnh chụp trên xuống với độ phóng đại 10000 lần.
Hình 5.19.Ảnh quang học mẫu cột nano silic phát huỳnh quang trong vùng ánh sáng
khả kiến với laser kích thích tại bước sóng 325nm.
Hình 5.20.Phổ huỳnh quang thu được trên silic khối (đế silic phẳng) (a) và cột nano
silic (b) với laser kích thích 325nm.
Hình 5.21.Phổ huỳnh quang của cột nano silic trước (a) và sau (b) khi xử lý trong
HF1%.
Hình 5.22.Ảnh TEM trường sáng cấu trúc cột nano silic với độ phóng đại 100000
lần (a). Phổ tán sắc năng lượng tia X (EDX) đo trên hai cột nano silic (b).
Hình 5.23.Phổ Raman đo trên cấu trúc cột nano silic.
Hình 5.24.Ảnh hiển vi điện tử quét truyền qua (STEM) với độ phóng đại 100000 lần
của cột nano silic với lớp silic xốp bên ngoài.
Hình 5.25.Phổ huỳnh quang mẫu cột nano silic trước (a) và sau (b) khi tẩy lớp silic
xốp bên ngoài cột nano silic.
Hình 5.26.Phổ huỳnh quang của cột nano silic phụ thuộc vào chiều cao cột nano
silic: a) 596nm; b) 1190nm; c) 1785nm và d) 2380nm.
Hình 5.27.Phổ huỳnh quang của cột nano silic phụ thuộc vào thời gian ăn mòn thu
nhỏ hạt nano silica: a) 175nm; b)126nm; c) 103nm.
Hình 5.28.Ảnh quang học đế silic phẳng (a) và đế silic đã ăn mòn tạo cột nano silic
(b).
Hình 5.29.a) Hình vẽ ba chiều cấu trúc cột nano silic (chiều cao h) với phương chiếu
và thu ánh sáng phản xạ tạo một góc 45o so với phương thẳng đứng (a). b) Hình vẽ hai
chiều từ trên xuống để xác định kích thước (D) và khoảng cách cột (L).
Hình 5.30.Phổ phản xạ tuyệt đối theo bước sóng trên đế silic phẳng phủ Ag (a); trên
đế silic phẳng (b); cột nano silic chế tạo bằng hạt nano silica sau khi ăn mòn thu nhỏ bằng

acetylsalicylic).
Hình 5.40.Phổ tán xạ Raman của aspirin phủ trên với lớp Ag 60nm với: a) đế silic
phẳng phủ Ag (x30 lần) với công suất laser 1,25mW; b) Mẫu bột với công suất laser
25mW; c) Mẫu cột nano silic phủ Ag với công suất laser 1,25mW.

xvii


LỜI CẢM ƠN
Trong suốt quá trình thực hiện luận văn này, NCS đã mang ơn nhiều người. Đây là
dịp để tỏ lời cảm ơn những cá nhân cũng như tập thể đã giúp đỡ NCS trong ba năm thực
hiện luận án tiến sĩ tại Viện ITIMS.
Đầu tiên, NCS xin gửi lời cảm ơn chân thành tới Ban giám hiệu trường đại học Hàng
hải Việt Nam, nơi đã tạo điều kiện cho NCS được dự tuyển và thực hiện luận án này!
Luận án này được hoàn thành nếu không có sự giúp đỡ tận tình của các thầy hướng
dẫn. Trước tiên, NCS xin gửi lời cảm ơn chân thành tới PGS. TS. Chu Mạnh Hoàng đã
giúp đỡ NCS những ngày đầu khi quay trở lại làm nghiên cứu sau quãng thời gian dài kể từ
khi tốt nghiệp cao học; kế đến là những những uốn nắn chân tình khi NCS đi chệch trên
con đường khoa học nhờ kinh nghiệm nghiên cứu lâu năm của mình. Nhờ sự chỉ bảo của
PGS. TS. Chu Mạnh Hoàng, NCS bắt đầu có những kỹ năng viết báo quốc tế. Tiếp đến em
xin giành lời cảm ơn chân thành tới thầy GS. TS. Vũ Ngọc Hùng với những hướng dẫn về
lý thuyết trong quá trình thực hiện và viết luận văn.
Tiếp theo, NCS muốn gửi lời cảm ơn tới Ban lãnh đạo cùng các thành viên của ngôi
nhà ITIMS thân yêu, nơi đã giúp NCS có những kiến thức khoa học về khoa học vật liệu,
tạo điều kiện để NCS có thể bước vào và làm các thí nghiệm liên quan tới luận án của
mình với tâm lý thoải mái nhất. Đặc biệt, tôi gửi lời cảm ơn tới TS. Nguyễn Văn Toán,
PGS. TS Nguyễn Văn Duy đã tạo điều kiện để NCS có thể làm việc trong phòng sạch.
Luận án này sẽ không thể hoàn thành nếu thiếu sự giúp đỡ, tạo điều kiện cùng những
trao đổi thú vị của TS. Nguyễn Hữu Dũng, tại viện AIST, trường ĐHBKHN với các phép
đo FESEM trên hệ JEOL JSM-7600F (Mỹ). NCS cũng xin gửi lời cảm ơn tới TS. Nguyễn

3. Đối tượng và phạm vi nghiên cứu
Đối tượng nghiên cứu đầu tiên của đề tài là cấu trúc dây nano silic đơn tinh thể có bề
rộng, chiều dày có thể khống chế chính xác, và có tỷ lệ cạnh cao nằm ngang trên đế silic.
Đối tượng nghiên cứu thứ hai là các cấu trúc cột nano silic có trật tự theo dạng đối
xứng lục giác định hướng vuông góc với đế Si với kích thước, khoảng cách và chiều cao có
thể điều khiển được.
Việc khảo sát và nghiên cứu công nghệ chế tạo các cấu trúc dây và cột nano giới hạn
theo hướng “trên-xuống” trên cơ sở công nghệ vi cơ điện tử.
4. Phương pháp nghiên cứu
Trong luận án này, phương pháp nghiên cứu chủ yếu là phương pháp thực nghiệm.
Các cấu trúc dây và cột nano silic được chế tạo dựa trên công nghệ vi cơ điện tử dựa
trên các quy trình đã được đề xuất. Các cấu trúc được nghiên cứu chế tạo tại Phòng thí
nghiệm Công nghệ Vi hệ thống và cảm biến thuộc Viện Đào tạo Quốc tế về Khoa học Vật
liệu (ITIMS), trường đại học Bách khoa Hà Nội.
16