ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI

BÁO CÁO TỔNG KẾT
KẾT QUẢ THỰC HIỆN ĐỀ TÀI KH&CN
CẤP ĐẠI HỌC QUỐC GIA
Tên đề tài:

Nghiên cứu lý thuyết lượng tử các hiệu ứng âm-điện-từ
trong các hệ bán dẫn một chiều và hai chiều (siêu
mạng, hố lượng tử, dây lượng tử).

Mã số đề tài: QGTĐ . 12.01
Chủ nhiệm đề tài: GS.TS. NguyÔn Quang B¸u

Hà Nội , tháng 10 năm 2014


PHẦN I. THÔNG TIN CHUNG

1.1. Tên đề tài : : Nghiên cứu lý thuyết lượng tử các hiệu ứng âm-điện-từ trong các hệ
bán dẫn một chiều và hai chiều (siêu mạng, hố lượng tử, dây lượng tử).

1.2. Mã số: QGTĐ. 12.01
1.3. Danh sách chủ trì , thành viên tham gia thực hiện đề tài/dự án

TT Chức danh, học vị, họ và tên

Đơn vị công tác

Vai trò thực hiện
đề tài


ĐHKHTN

Ủy viên

5

TS.Hoàng Đình Triển

ĐHKHTN

Ủy viên

6

NCS.Nguyễn Văn Hiếu

ĐHKHTN

Ủy viên

7

NCS. Lê Thái Hưng

ĐHKHTN

Ủy viên

8

1.7.Những thay đổi so với thuyết minh ban đầu (nếu có)
(Về mục tiêu, nội dung, phương pháp, kết quả nghiên cứu và tổ chức thực hiện; Nguyên
nhân;Ý kiến của Cơ quan quản lý )
1.8. Tổng kinh phí được phê duyệt của đề tài, dự án: 350 triệu đồng.
PHẦN II. TỔNG QUAN KẾT QUẢ NGHIÊN CỨU

Nghiên cứu lý thuyết lượng tử các hiệu ứng âm-điện-từ trong các hệ bán dẫn một
chiều và hai chiều (siêu mạng, hố lượng tử, dây lượng tử).
Investigation of the Quantum Theory of the Acoustomagnetoelectric effects in
Semiconductor One- dimensional and Two-dimenional systems (Supperlattices,
quantum wells, quantum wires).
(Đề tài QGTĐ . 12.01 , Chủ trì : GS.TS. Nguyễn Quang Báu)
1. ĐẶT VẤN ĐỀ
Khởi đầu từ những thành công rực rỡ của vật liệu bán dẫn vào những thập niên 50-60 của
thế kỷ trước, đặc biệt tìm ra dị cấu trúc bán dẫn (semiconductor heterostructure) vào thập kỷ 70 đã
tạo tiền đề cho việc chế tạo hầu hết các thiết bị quang điện tử ngày nay. Tầm quan trọng của các
thiết bị được chế tạo trên cơ sở vật liệu dị cấu trúc của bán dẫn này được công nhận bởi giải
thưởng Nobel vật lý năm 2000 do công trình nghiên cứu cơ bản về công nghệ thông tin và truyền
thông. Các dị cấu trúc bán dẫn là cơ sở để tạo ra bán dẫn thấp chiều. Cấu trúc thấp chiều là cấu
trúc mà trong đó các hạt mang điện không được chuyển động tự do trong cả ba chiều mà bị giam
giữ. Chúng bao gồm: cấu trúc hai chiều (2D), trong đó các hạt mang điện chuyển động tự do theo
hai chiều; cấu trúc một chiều (1D), trong đó hạt mang điện chuyển động tự do theo một chiều và
hệ không chiều (0D) với sự giam giữ hạt mang điện theo cả ba chiều. Cấu trúc hệ thấp chiều trong
những thập niên gần đây được nhiều nhà vật lý quan tâm bởi những đặc tính mới ưu việt mà cấu
trúc 3 chiều (3D) không có được. Việc chuyển từ hệ 3D sang hệ thấp chiều đã làm thay đổi đáng
kể cả về mặt định tính lẫn định lượng nhiều tính chất vật lý. Các vật liệu mới với cấu trúc bán dẫn
thấp chiều nói trên đã giúp cho việc tạo ra các linh kiện, thiết bị dựa trên nguyên tắc hoàn toàn
mới và công nghệ hiện đại có tính chất cách mạng trong khoa học kỹ thuật. Đó là lý do tại sao các
cấu trúc trên được nhiều nhà vật lý quan tâm nghiên cứu.
Khi một sóng âm truyền dọc theo một vật dẫn có các electron dẫn thì do sự truyền năng

VỚI HỐ THẾ CAO VÔ HẠN
2.1 Toán tử Hamiltonian của hệ điện tử-phonon trong hố lượng tử với hố thế cao vô
hạn
Sử dụng công thức phổ năng lượng và hàm sóng của điện tử khi không có từ trường, toán
tử Hamiltonian của hệ điện tử- phonon âm trong hố lượng tử
(2.1)
H  H 0  H e ph ,
trong đó H 0 là năng lượng của các điện tử và phonon không tương tác

H 0    n ( p )an, p an, p  
 b b ,
 k k k
n, p

(2.2)

k

Và H e  ph là Hamiltonian tương tác điện tử phonon
H e ph 




' 


n , n , p , q




3


i(

f n, p
t

)ac  i

 an, p an, p

(2.4)

 an, p an, p , H  .
t

t

t

2.3 Biểu thức dòng âm điện phi tuyến trong hố lượng tử với hố thế cao vô hạn.
Dòng âm điện dọc theo chiều truyền sóng âm có dạng sau
j ac  
n


2e
  f dp ,

kBT

 n , p
 . Chúng tôi thu được dòng
p

)( B  B )  A2  I n,n ' exp(
2

n,n '

); A2 

 2 n2
2mL2 k BT

)(C  C ),

(2.6)

e 2 (2mkBT  )1/2

exp(
),
(2 )3 0cs mq
k BT

m n,n ' m(k  q )
D2
D2

,

1
2
;  n,n ' 
(n2  n '2 ).
8mkBT
2mL2

Với kB là hằng số Boltzmann, μ là thế hóa học, Kn(x) hàm Bessel bậc hai.
2.4 Kết quả tính số
Sử dụng phần mềm Matlab tính số cho hố lượng tử được chọn là AlGaAs/GaAs/AlGaAs và
cho các kết quả trong các Hình 2.1 , Hình 2.2 , Hình 2.3 , Hình 2.4 .

Hình 2.1: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của mật độ
dòng âm điện vào nhiệt độ và năng lượng Fermi với
q=3×1011s-1

Hình 2.2: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của mật độ
dòng âm điện vào tần số của sóng âm tại những giá
tri khác nhau của độ rộng hố lượng tử, với L=30nm
(đường liền nét), L=31nm (đường chấm), L=32nm

4


(đường nét đứt).

Hình 2.3: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của mật độ dòng
âm điện vào kích thức hố lượng tử tại những giá trị khác

n,n '

(n  1/ 2) 4 e2 nD 1/2
(
) ]( B  B ) 
kBT
0m

(3.1)

(n  1/ 2) 4 e2 nD 1/2
(
) ](C  C ),
kBT
0m

ở đây
A1 

(2 ) 2 e 2 cl4q2

0cs

B  (1 
C 
a 

exp(



 n ,n '  k
2k BT

 [2c  2a (b c)1/2  a ] 

); b 

(m n ,n '  mk )2
2mK BT


c

,

2
2
4 e2 nD 1/2
1
;  n,n '  (
) (n  n '); I n,n '   I n ,n ' (k z ) dz.
8mk BT
0m


5

b K5/2 [2(b c)1/2 ]
,
4c


4

6

23 độ
Hình 3.4: Đồ thị biểu diễnn sự
thuộc của xmật
[m-3phụ
]
10
dòng âm điện vào nồng độ Dpha tạp tại những giá trị
khác nhau của tần số sóng âm, với
q  11011 (s 1 ) (đường liền nét),
q  1.2 1011 (s 1 ) (đường chấm),

Hình 3.3: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của mật độ
dòng âm điện vào nhiệt độ và năng lượng Fermi với
q=3×1011s-1, nD=1023(m-3).

q  1.4 1011 (s 1 ) (đường nét đứt). Ở đây T=50K.

4. HIỆU ỨNG ÂM ĐIỆN TỪ LƯỢNG TỬ TRONG
HỐ LƯỢNG TỬ VỚI HỐ THẾ PARABOL
4.1. Biểu thức trường âm điện từ lượng tử trong hố lượng tử với hố thế parabol.
Bằng phương pháp phương trình động lượng tử chúng tôi thu được biểu thức giải tích
trường âm điện từ lượng tử trong hố lượng tử với thế parabol:

6



( k BT ) 2
k BT

 c 0   
   c 0 

(4.1)

  1   1 
 2 
 2  2  1 
1    
2
  2Si 
 Ci 
 cos 
  sin 
  Si 
  Ci 
   
  c 0   c 0 
 c 0 
 c 0    c 0 
 c 0    

1

4.2. Kết quả tính số .


1.5

1

0.5

0
0.5

-3

3.5

3
2.5
2
1.5
1
0.5
2

2.2

2.4
2.6
B(T)

2.8

3

x 10

10

Hình 4.1: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của trường
âm điện từ vào tần số sóng âm tại những giá tri khác
nhau của từ trường ngoài, với B  0.06(T ) (đường
liền nét), B  0.07(T ) (đường chấm), B  0.08(T )
(đường nét đứt). Ở đây T=270K
4

2

x 10

3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
1

3.2

-4

1.5



j

4e  m 2 k B T
(2 )  v s  q
2

6

I

n ',l ' 2
n ,l

D1 exp   F  B 

n ,l , n ',l '

2

32e  vl4 q2W  m 
 

 6 FabL2 v s
 

3/ 2

2


 2  3
 2  6
 1 K1 (1 )  3
 1 K 2 (1 )  8
 1 K 3 (1 )
1 K 0 (1 )  3
  
  
  


2
2
5


 2  3
 2  3
 2  6
  2 K1 ( 2 )  3
  2 K 2 ( 2 )  8
  2 K 3 ( 2 )
 2 K 0 ( 2 )  3
  
  
  






 n ',l ',n,l 
n
'

n

l
'

l
B

 2
2
2
2


k BT
2m  L x L y 
2mLx
2mLy








2

3

4
5
6
The length of the wire L (m)

7

8

9
x 10

-9

Hình 5.2. Sự phụ thuộc của dòng âm-điện vào kích
thước (Lx,Ly) của dây lượng tử (với n=0,±1,
n’=0,±1, l=1, l’=1).

Hình 5.1. Sự phụ thuộc của dòng âm điện vào chiều
dài của dây lượng tử (với n=0,±1, n’=0,±1, l=1,
l’=1).

8


x 10

Acoustic wave number wq (s-1)

3

-15

omegaq.L=60(nm)
omegaq.L=65(nm)
omegaq.L=73(nm)

6
4
2
0
-2
0

3.5
x 10

x 10

0.5

1

11

Hình 5.3. Sự phụ thuộc của dòng âm – điện vào tần
số sóng âm khi nhiệt độ của hệ thay đổi (với

3

2
  2 2 
 2m   F
Bn,l  
 I nn,',l l ' exp  

 e
5
2   vs mq   
n ,l ,n ',l '
 2m



  3e


 2m 3



 K3 (  )  3K 2 (  )  3K1 (  )  K 0 (  ) 
  


 2m 3
 


2



e  vl4q2 f 0W  2  4m 


6  FSvs
  

3/2

2
  2 2 
e  F  U nn,',l l ' exp  
Bn,l  
n ,l ,n ',l '
 2m





 e    5/2  K 5 (   )  3K 3 (   )  3K 1 (   )  K 1 (   )  

2
2
2
 2





   

6.2. Kết quả tính số

9

k
2

,


Các tính toán số được thực hiện cho dây lượng tử hình trụ với hố thế cao vô hạn
GaAs/AlAs.

Hình 6.1. Sự phụ thuộc của dòng âm-điện vào nhiệt
độ T của hệ ứng với các giá trị số sóng khác nhau.

Hình 6.2. Sự phụ thuộc của dòng âm-điện vào bán
kính ứng với các giá trị nhiệt độ khác nhau.

Hình 6.3. Sự phụ thuộc của dòng âm-điện vào bán
kính ứng với các giá trị số sóng q khác nhau.

Hình 6.4. Sự phụ thuộc của dòng âm-điện vào chiều
dài dây dẫn ứng với giá trị nhiệt độ khác nhau.


điện tử-phonon âm trong dây l-ợng tử hình trụ với hố thế cao vô hạn, trong dây l-ợng tử hình chữ
nhật với hố thế cao vô hạn , tr-ờng hợp tán xạ điện tử-phonon âm đ-ợc coi là trội , ln u tiờn đã
nhận đ-ợc biểu thức giải tích của dòng âm-điện trong dây l-ợng tử hình trụ với hố thế cao vô hạn,
trong dây l-ợng tử hình chữ nhật với hố thế cao vô hạn kể trên . Dòng âm-điện trong dây l-ợng tử
hình chữ nhật v dõy lng t hỡnh tr với hố thế cao vô hạn xuất hiện không những phụ thuộc phi
tuyến vào các thông số đặc tr-ng của dây l-ợng tử nh- chiều dài dây L, kích th-ớc hố thế (Lx và
Ly) (i vi dõy lng t ch nht) , bán kính dây R (i vi dõy lng t tr) mà còn phụ thuộc
phi tuyến mạnh vào nhiệt độ T của hệ, số sóng q và tần số sóng âm ngoài.
Biểu thức giải tích của dòng âm-điện phi tuyến nhận đ-ợc trong dây l-ợng tử hình chữ nhật
với hố thế vuông góc cao vô hạn đ-ợc tính số và vẽ đồ thị với dây l-ợng tử hình chữ nhật điển hình
GaAs/GaAsAl. Kết quả tính số và vẽ đồ thị cho thấy dòng âm-điện phụ thuộc mạnh và phi tuyến
vào nhiệt độ T của hệ, số sóng q, tần số sóng âm, kích th-ớc của dây l-ợng tử. Kết quả khảo sát sự
phụ thuộc của dòng âm-điện vào kích th-ớc của dây l-ợng tử (kích th-ớc của hố thế) cho thấy
dòng âm-điện phụ thuộc phức tạp vào kích th-ớc hố thế (Lx và Ly) của dây l-ợng tử hình chữ nhật.
C-ờng độ dòng âm-điện giảm phi tuyến theo chiều tăng của kích th-ớc hố thế. Kết quả khảo sát sự
phụ thuộc của dòng âm-điện vào tần số sóng âm ngoài cho thấy dòng âm-điện cũng phụ thuộc
mạnh và phi tuyến vào tần số sóng âm q và đạt giá trị cực đại khi tần số sóng âm có giá trị

q k n,l ,n',l ' hoặc q k n,l ,n',l ' (n n). Khi nhiệt độ T của hệ thay đổi, các đỉnh cực đại
này không dịch chuyển, nguyên nhân là do q k n,l ,n ',l ' không phụ thuộc vào nhiệt độ.Với
dây l-ợng tử có kích th-ớc lớn, dòng âm-điện đạt giá trị cực đại khi tần số sóng âm kích thích nhỏ
và ng-ợc lại.
Kết quả lý thuyết nhận đ-ợc cho hiệu ứng âm-điện l-ợng tử phi tuyến trong dây l-ợng tử
hình trụ với hố thế cao vô hạn đ-ợc tính số, vẽ đồ thị và bàn luận đối với dây l-ợng tử hình trụ
GaAs/AlAs. Kết quả tính số và đồ thị biểu diễn cho thấy dòng âm-điện phụ thuộc phi tuyến mạnh
vào các tham số nh- nhiệt độ T, bán kính và chiều dài của dây l-ợng tử hình trụ và dòng âm-điện
có một giá trị cực đại (đỉnh cực đại). Khi bán kính dây l-ợng tử hình trụ có kích th-ớc vào cỡ trên
10-6m thì kết quả này trở lại kết quả của dòng âm-điện trong các bán dẫn khối. Sự phụ thuộc của
dòng âm-điện ny vào chiều dài dây l-ợng tử sẽ giảm nhanh trong vùng L có giá trị nhỏ, khi L >
1,7.10-7 m giá trị dòng âm-điện gần nh- không đổi. Theo nhiệt độ T, dòng âm-điện ny giảm đáng

8) Nguyễn Văn Hiếu , Nguyễn Quang Báu.The University of Danang- Journal of Science and
Technology(Tạp chí Khoa học và công nghệ Đại học Đà Nẵng), số 6(79), (2014), pp.1-5
9) Nguyen Van Nghia , Nguyen Quang Bau, Nguyen Vu Nhan. Tạp Chí Nghiên cứu Khoa học
và Công nghệ Quân sự , N 31 (06-2014), tr.141-149
10) Nguyen Van Nghia ,Nguyen Vu Nhan , Nguyen Quang Bau, Dinh Quoc Vuong. Tạp Chí
Nghiên cứu Khoa học và Công nghệ Quân sự , N 32 (08-2014), tr.103-110
11) N.V.Hieu, N.Q. Bau and N.V.Nghia . Progress in Electromagnetic Research Symposium
Proceedings, Taipei , March 25-28 , 2013, pp.541-547
12) Nguyen Van Nghia, Nguyen Quang Bau, Nguyen Van Hieu and Nguyen Vu Nhan. Progress
in Electromagnetic Research Symposium Proceedings, Taipei , March 25-28 , 2013, pp.410415
13) N.Q.Bau and N.V.Hieu. Progress in Electromagnetic Research Symposium Proceedings,
Guangzhou, China, Aug. 25-28 , 2014, pp.1949-1953
14) Nguyen Van Nghia, Dinh Quoc Vuong, Nguyen Quang Bau . Proc. Natl. Conf. Theor. Phys.
, 37(2012),pp.1-6
15) Nguyen Van Nghia and Nguyen Quang Bau . Kỷ yếu Hội nghị Vật lý Chất rắn và Khoa học
Vật liệu toàn quốc lần thứ 8(SPMS-2013)-Thái Nguyên 4-6/11/2013

12


16) Nguyen Van Ngoc ,Nguyen Vu Nhan and Nguyen Quang Bau . Kỷ yếu Hội nghị Vật lý Chất
rắn và Khoa học Vật liệu toàn quốc lần thứ 8(SPMS-2013)-Thái Nguyên 4-6/11/2013
17) Nguyen Van Hieu , Nguyen Van Nghia and Nguyen Quang Bau. Kỷ yếu Hội nghị Vật lý
Chất rắn và Khoa học Vật liệu toàn quốc lần thứ 8(SPMS-2013)-Thái Nguyên 4-6/11/2013.
18) Nguyễn Quang Báu , Nguyễn Đình Nam . Natl. Conf. Theor. Phys. , 39(2014),p.39( Buon Ma
Thuot ,28-31 July 2014 )

19) Bui Dinh Hoi, Nguyen Thi Hang, Nguyen Quang Bau. Natl. Conf. Theor. Phys. ,
39(2014),p.39( Buon Ma Thuot ,28-31 July 2014 )
Tóm tắt kết quả :



b)Results obtained:
+New Scientific Contributions: 19 New Scientific Contributions (03 papers in the
International Journals(ISI) , 07 papers in the National Journals , 03 reports in the
International and 06 reports in National Physical Conferences )
+New books : 01
+Contribution to Training: 04 Doctors , 08 Masters, 11 Bacherlors

PHẦN III. SẢN PHẨM , CÔNG BỐ VÀ KẾT QUẢ ĐÀO TẠO CỦA ĐỀ TÀI
1. Sản phẩm khoa học công nghệ và đào tạo
1.1. Sản phẩm khoa học công nghệ
Tình trạng
(Đã in/chấp nhận in/xác
ISSN/ nhận sử dụngkết quả; có ghi
STT
Sản phẩm
ISBN địa chỉ và ghi nhận/ cảm ơn
sự tài trợ của ĐHQGHN
đúng quy định)
1 Công trình công bố quốc tế trên tạp chí thuộc danh mục ISI hoặc Scopus
1.1 Nguyen Quang Bau, Nguyen Van Hieu,
( ISSN Đã in/Cảm ơn sự tài trợ của
0374ĐHQGHN đúng qui định
Nguyen Vu Nhan « Calculations of
4884,
acoustoelectric current in a quantum well
Online
by using a quantum kinetic equation”.
ISSN


14


Ferroelectrics,Vol.15, May 2014, pp.39- 8489 )
44(2014)
Công trình công bố quốc tế trên tạp chí không thuộc danh mục ISI và Scopus

2
2.1
2.2
3 Công trình công bố trên tạp chí khoa học chuyên ngành trong nước
3.1 Nguyen Van Hieu, Nguyen Dinh Nam,
ISSN
Đã in/Cảm ơn sự tài trợ của
Nguyen Quang Bau. » The acoustoelectric 0866ĐHQGHN đúng qui định
current in a doped superlattice”. VNU –
8612
Journal of Science, Mathematics-Physics,
Vol.28, No.1S (2012), pp. 63-67.
3.2 Nguyen Van Nghia, Nguyen Dinh Nam,
ISSN
Đã in/Cảm ơn sự tài trợ của
Nguyen Quang Bau.” Calculations of the 0866ĐHQGHN đúng qui định
acoustoelectric current in a cylindrical
8612
quantum wire with an infinite potential”.
VNU –Journal of Science, MathematicsPhysics, Vol.28, No.1S (2012), pp. 103-108.
3.3 Nguyễn Văn Hiếu , Nguyễn Quang
ISSN- Đã in/Cảm ơn sự tài trợ của

Nguyen Vu Nhan.” Hiệu ứng Âm –Điện
1859-

15


3.7

4
4.1

4.2

4.3

5
5.1

5.2

lượng tử phi tuyến trong dây lượng tử hình 1043
chữ nhật với hố thế cao vô hạn”. Tạp Chí
Nghiên cứu Khoa học và Công nghệ
Quân sự , N 31 (06-2014), tr.141-149
Nguyen Van Nghia ,Nguyen Vu Nhan ,
ISSNNguyen Quang Bau, Dinh Quoc Vuong.” 1859Hiệu ứng Âm –Điện lượng tử phi tuyến
1043
trong dây lượng tử hình trụ với hố thế cao
vô hạn”. Tạp Chí Nghiên cứu Khoa học
và Công nghệ Quân sự , N 32 (08-2014),

acoustoelectric current in a Rectangular
quantum wire”. Proc. Natl. Conf. Theor.
Phys. , 37(2012),pp.1-6
Nguyen Van Nghia and Nguyen Quang
Bau.”The Acoustoelectric current in a
16

ĐHQGHN đúng qui định

Đã in/Cảm ơn sự tài trợ của
ĐHQGHN đúng qui định

Đã in/Cảm ơn sự tài trợ của
ĐHQGHN đúng qui định

Đã in/Cảm ơn sự tài trợ của
ĐHQGHN đúng qui định

Đã in/Cảm ơn sự tài trợ của
ĐHQGHN đúng qui định

Đã in/Cảm ơn sự tài trợ của
ĐHQGHN đúng qui định

Đã in/Cảm ơn sự tài trợ của


Rectangular Quantum wire with an infinite
potential GaAs in the presence of an
Electromagnetic wave.” Kỷ yếu Hội nghị

Magnetoresistance
in
doped
Superlattice” Natl. Conf. Theor. Phys. ,
39(2014),p.39( Buon Ma Thuot ,28-31
July 2014 )

Đã in/Cảm ơn sự tài trợ của
ĐHQGHN đúng qui định

5.6 Bui Dinh Hoi, Nguyen Thi Hang, Nguyen
Quang Bau .” Dependence of Hall
coefficient on Amplitude of an External
Electromafnetic Wave in a Compositional
Semiconductor Superlattice”. Natl. Conf.
Theor. Phys. , 39(2014),p.39( Buon Ma
Thuot ,28-31 July 2014 )

Đã in/Cảm ơn sự tài trợ của
ĐHQGHN đúng qui định

17

Đã in/Cảm ơn sự tài trợ của
ĐHQGHN đúng qui định

Đã in/Cảm ơn sự tài trợ của
ĐHQGHN đúng qui định



kinh phí tham
gia đề tài/dự án
(số tháng/số tiền)

Công trình công bố liên quan
(Sản phẩm KHCN, luận án, luận văn)

Nghiên cứu sinh
1

Lê Thái Hưng

12 tháng /
10 triệu

2

Nguyễn Văn Hiếu

12 tháng /
20 triệu

Luận án TS: Ảnh hưởng của phonon
giam cầm lên một số hiệu ứng cao tần
trong bán dẫn thấp chiều.(Đã Bảo vệ
2013)
Công trình 6.1
Luận án TS: Các hiÖu øng âm-điện-từ
trong các hệ b¸n dÉn thấp chiều.(Đã
Bảo vệ 2014)

chiều khi có mặt của sóng điện từ
mạnh(bức xạ laser) .(Sẽ bảo vệ 2015)
Công trình 3.1 ; 3.2

Học viên cao học
1

Đào Thu Hằng

Luận văn Th.S: Ảnh hưởng của sóng
điện từ mạnh lên hấp thụ sóng điện từ
yếu bởi điện tử giam cầm trong siêu
mạng pha tạp có kể đến hiệu ứng giam
cầm của phonon (trường hợp tán xạ
điện tử - phonon quang) .(Bảo vệ2012)

2

Đỗ Tuấn Long

Luận văn Th.S: Hấp thụ sóng điện từ
mạnh biến điệu theo biên độ bởi điện tử
giam cầm trong hố lượng tử .(Bảo
vệ2012)

3

Nguyễn Đức Huy

Luận văn Th.S: . Hấp thụ sóng điện từ

Luận văn Th.S: Lý thuyết lượng tử về
hiệu ứng âm-điện phi tuyến trong dây
lượng tử với hố thế hình chữ nhật cao
vô hạn.(Bảo vệ2013)

6

Trần Thị Duyên

7

Nguyễn Thị Thắm

Luận văn Th.S: Tính toán từ trở ngang
trong hố lượng tử với thế parabol.(Bảo
vệ2013)

8

Nguyễn Ngọc
Dung

Luận văn Th.S: Lý thuyết về hiệu ứng
âm-điện-từ trong dây lượng tử với hố
thế hình chữ nhật cao vô hạn .(Bảo
vệ2014)

Ghi chú:
- Gửi kèm bản photo trang bìa luận án/luận văn và bằng hoặc giấy chứng nhận
nghiên cứu sinh/thạc sỹ nếu học viên đã bảo vệ thành công luận án/luận văn;

10

Bài báo ISI/Scopus
Bài báo quốc tế không thuộc ISI/Scopus
Bài báo tạp chí trong nước
Báo cáo Hội nghị quốc tế
Báo cáo Hội nghị quốc gia
Sách chuyên khảo
Bằng sáng chế, giải pháp hữu ích
Kết quả khác hoặc minh chứng áp dụng
Đào tạo/hỗ trợ đào tạo NCS
Đào tạo thạc sĩ

02

Số lượng đã
hoàn thành
03

06
02
04
0

07
03
06
01

03

5
6
B
1

350
270

Kinh phí
thực hiện
(triệu
đồng)
350
270

10

10

56

56

14
350

14
350

Kinh phí


TÓM TẮT BẰNG TIẾNG ANH KẾT QUẢ CỦA ĐỀ TÀI/DỰ ÁN NGHIÊN CỨU

SUMMARY
Project Title: Investigation of the Quantum Theory of the Acoustomagnetoelectric effects
in Semiconductor One- dimensional and Two-dimenional systems (Supperlattices,
quantum wells, quantum wires).
Project Leader: Prof.Dr. Nguyen Quang Bau
Code Number: QG.TĐ . 12.01
Managing Institution: Hanoi University of Science
Vietnam National University , Hanoi
334 Nguyen Trai Road , Thanh Xuan Dist. , Hanoi.
Tel: (04)35583980 , Fax: (04)35584069
Cooperating Institution(s):
-

Hue University of Education

-

Da Nang University

-

Hanoi University of Education.

-

Academy of Defence force-Air force



GS.TS. Nguyen Quang Bau

2