ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI
TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN
----------------------

Trần Thị Ngọc Anh

CHẾ TẠO VÀ NGHIÊN CỨU MỘT SỐ TÍNH CHẤT VẬT LÝ
CỦA VẬT LIỆU ZnO PHA TẠP Ag

LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC

Hà Nội - 2015


ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI
TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN
----------------------

Trần Thị Ngọc Anh

CHẾ TẠO VÀ NGHIÊN CỨU MỘT SỐ TÍNH CHẤT VẬT LÝ
CỦA VẬT LIỆU ZnO PHA TẠP Ag

Chuyên ngành: Vật Lý Chất Rắn
Mã số: 60440104

LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC

NGƢỜI HƢỚNG DẪN KHOA HOC
TS. Phạm Nguyên Hải


1.2. Cấu trúc vùng năng lƣợng của ZnO với mạng lục giác Wurtzite ..................4
1.3. Tính chất quang của ZnO .............................................................................5
1.4. Độ dẫn điện của vật liệu ZnO ........................................................................6
CHƢƠNG 2. KỸ THUẬT THỰC NGHIỆM ...........................................................10
2.1. Chế tạo mẫu ZnO và ZnO:Ag .....................................................................10
2.1.1.

Chế tạo mẫu khối ZnO bằng phƣơng pháp phản ứng pha rắn ..........10

2.1.2.

Tạo màng bằng phƣơng pháp phún xạ sputtering .............................12

2.2. Các phƣơng pháp nghiên cứu tính chất mẫu ...............................................13
2.2.1.

Phƣơng pháp đo phổ nhiễu xạ tia X ..................................................14

2.2.2.

Phép đo phổ huỳnh quang .................................................................15

2.2.3.

Kính hiển vi lực nguyên tử ................................................................17

2.2.4.

Phổ tán xạ Raman ..............................................................................20


NaCl (phải) của ZnO.
Hình 1.3: Cấu trúc vùng năng lượng của ZnO với mạng lục giác Wurtzite.
Hình 2.1: Quy trình chế tạo mẫu khối ZnO và ZnO:Ag (1%, 2%, 4%).
Hình 2.2: Mẫu khối ZnO:Ag sau khi nung tại nhiệt độ 1200oC.
Hình 2.3: Nguyên lý hoạt động của hệ phún xạ sputtering
Hình 2.4: Hiện tượng nhiễu xạ trên các lớp nguyên tử của tinh thể.
Hình 2.5: Sơ đồ khối của hệ đo phổ huỳnh quang.
Hình 2.6: Sơ đồ đo của hệ đo AFM.
Hình 2.7: Sơ đồ hoạt động của kính hiển vi lực và đường cong đặc tuyến lựckhoảng cách của tương tác giữa mũi dò và mẫu.
Hình 2.8: Hình ảnh của mũi dò và bề mặt mẫu trong chế độ rung.
Hình 2.9: Hình ảnh mũi dò và mẫu trong chế độ không tiếp xúc.
Hình 2.10: Nguyên lý của phổ tán xạ Raman.
Hình 2.11: Sơ đồ khối của phép đo tán xạ Raman.
Hình 2.12: Nguyên lý của phép đo SEM.
Hình 2.13: Sơ đồ khối của phép đo SEM.
Hình 2.14: Sơ đồ phép đo hiệu ứng Hall.
Hình 2.15: Sơ đồ nguyên lý phép đo EDS.
Hình 2.16: a) electron thứ cấp ở lớp trong bị bắn phá bởi chùm electron của SEM;
b) electron lớp ngoài chuyển xuống mức thấp hơn, phát ra tia X.
Hình 2.17: Sơ đồ hệ đo phổ hấp thụ UV–VIS.
Hình 3.1: Phổ nhiễu xạ tia X của mẫu khối ZnO (a) và ZnO:Ag: 1% (b); 2% (c) và
4% (d) nung ở 600oC trong không khí.
Hình 3.2: Phổ nhiễu xạ tia X của mẫu khối ZnO (a) và ZnO:Ag: 1% (b); 2% (c) và
4% (d) nung ở 800oC trong không khí.
Hình 3.3:Phổ nhiễu xạ tia X của mẫu khối ZnO (a) và ZnO:Ag: 1% (b); 2% (c) và
4% (d) nung ở 1200oC trong không khí.
Hình 3.4: Hình ảnh SEM của mẫu khối ZnO (a) và mẫu khối ZnO pha tạp Ag: 1%
(b); 2% (c) và 4% (d) nung ở 1200oC.



Hình 3.22: Phổ hấp thụ của mẫu màng ZnO (a) và ZnO pha tạp Ag: 1% (b); 2% (c)
và 4% (d) phún xạ ở công suất 150W.


Hình 3.23: Phổ hấp thụ của mẫu màng ZnO (a) và ZnO pha tạp Ag: 1% (b); 2% (c)
và 4% (d) phún xạ ở công suất 175W.
Hình 3.24: Phổ XRD của mẫu màng ZnO (H1) và ZnO pha tạp Ag (H2: 1%, H3:
2%, H4: 4%) phún xạ ở công suất 175W trước và sau khi ủ nhiệt (a:
Chưa ủ nhiệt, b: ủ không khí, c: ủ khí O3/O2).
Hình 3.25. Ảnh AFM của màng ZnO:Ag (1%) trước khi ủ (a), ủ trong không khí (b)
và ủ trong khí khí O3/O2 (c)).
Hình 3.26: Ảnh AFM của màng ZnO:Ag (2%) trước khi ủ (a) và ủ trong khí O3/O2
(b).
Hình 3.27: Ảnh AFM của màng ZnO:Ag (4%) trước khi ủ (a), ủ trong không khí (b)
và ủ trong khí O3/O2 (c)).
Hình 3.28: Sự thay đổi màu sắc của các mẫu màng ZnO:Ag trước và sau khi ủ.
Hình 3.29: Phổ truyền qua của màng ZnO (H1) và màng ZnO:Ag (H2: 1%, H3:
2%, H4: 4%) phún xạ ở công suất 175W trước khi ủ (a) và sau khi ủ
trong không khí (b), ủ trong khí O3/O2 (c).
Hình 3.30: Phổ hấp thụ của mẫu màng ZnO (H1) và ZnO pha tạp Ag (H2: 1%, H3:
2%, H4: 4%) phún xạ ở công suất 175W trước và sau khi ủ nhiệt (a:
Chưa ủ nhiệt, b: ủ trong không khí, c: ủ trong khí O3/O2).


Danh mục bảng
Bảng 1.1: Điện trở suất của màng mỏng dẫn điện ZnO pha tạp chất do một số nhóm
nghiên cứu chế tạo bằng các phương pháp khác nhau.
Bảng 3. 1: Giá trị hằng số mạng tinh thể và kích thước trung bình tinh thể
Bảng 3.2: Giá trị độ rộng vùng cấm Eg của mẫu màng ZnO:Ag với các nồng độ
khác nhau (0, 1%, 2%, 4%) phún xạ ở các công suất 125W, 150W và

vùng dẫn. Để tăng độ dẫn điện, các nguyên tố nhóm III nhƣ B, Al, Ga hay In cũng
đƣợc sử dụng để pha tạp. Mặt khác, các ứng dụng trong quang điện tử yêu cầu phải
chế tạo bán dẫn ZnO loại p, trong khi giống nhƣ hầu hết các bán dẫn có độ rộng
vùng cấm lớn, việc tạo ra ZnO pha tạp loại p là khá khó khăn, do có sự bù trừ bởi
tạp thuần hoặc do khả năng hòa tan của tạp là thấp. Các nguyên tố thuộc nhóm I và
V nhƣ Na, Li, K, Au, Cu, Ag, N, P hay Sb có thể đƣợc dùng nhằm tạo ra bán dẫn
loại p. Tuy nhiên, thực tế cho thấy các sản phẩm tạo ra vẫn chƣa có tính ổn định
cao, cơ chế hình thành các tâm tạp chƣa rõ ràng, cần phải tiếp tục nghiên cứu sâu
hơn. Các nghiên cứu lý thuyết và thực nghiệm trong thời gian vừa qua cho thấy tạp
1


kim loại Ag làm tăng tính dẫn của màng tinh thể ZnO, có thể tạo ra tính dẫn loại n
hoặc loại p, tùy thuộc điều kiện chế tạo mẫu để tạo ra tạp Ag ở vị trí thay thế Zn hay
điền kẽ trong mạng tinh thể ZnO. Đây là tính chất đặc biệt của tạp Ag trong vật liệu
ZnO.
Từ những thực trạng trên, chúng tôi đã chọn vật liệu ZnO pha tạp Ag là đối
tƣợng nghiên cứu trong bản luận văn này nhằm chế tạo màng trong suốt có điện trở
suất thấp và cho ánh sáng trong vùng khả kiến truyền qua. Kết quả nghiên cứu đƣợc
trình bày trong luận văn bao gồm các phần sau:
 Chƣơng 1: Tổng quan một số tính chất của vật liệu ZnO và ZnO pha tạp Ag
 Chƣơng 2: Kỹ thuật thực nghiệm chế tạo vật liệu ZnO pha tạp Ag (các nồng
độ 0%, 1%, 2%, 4%) dạng khối và màng mỏng, cũng nhƣ các phƣơng pháp
đƣợc sử dụng để nghiên cứu tính chất vật lý của các vật liệu ZnO tạo đƣợc.
 Chƣơng 3: Kết quả và thảo luận tính chất của mẫu ZnO pha tạp Ag dạng
khối đƣợc chế tạo bằng phƣơng pháp gốm, mẫu màng ZnO pha Ag đƣợc tạo
ra bằng phƣơng pháp phún xạ magnetron RF khi thay đổi nồng độ Ag pha
tạp, công suất phún xạ (125W, 150W, 175W) và sự thay đổi tính chất của
màng ZnO pha Ag sau khi ủ nhiệt trong không khí và trong khí ozon ở nhiệt
độ 450 °C trong 2h.

cấu trúc lục giác Wurtzite, ở nhiệt độ cao, ZnO còn có thể tồn tại ở cấu trúc lập
phƣơng giả kẽm hoặc ở áp suất cao, nó có cấu trúc lập phƣơng tâm mặt giống tinh
thể NaCl (Hình 1.2).

Hình 1.2: Cấu trúc lập phương giả kẽm (trái) và cấu trúc lập phương tâm mặt kiểu
NaCl (phải) của ZnO.
1.2. Cấu trúc vùng năng lƣợng của ZnO với mạng lục giác Wurtzite
Cấu trúc vùng năng lƣợng của ZnO ở vùng dẫn có đối xứng Γ7, còn vùng hóa trị, do
ảnh hƣởng của tƣơng tác spin –quỹ đạo nên có cấu trúc suy biến bội ba và hàm sóng
của lỗ trống trong các vùng con này có đối xứng lần lƣợt là Γ9, Γ7 và Γ7 . Nhánh cao
nhất của vùng hóa trị có cấu trúc đối xứng Γ9, hai nhánh thấp hơn có cấu trúc đối
xứng Γ7. Chuyển dời Γ9
còn chuyển dời Γ7

Γ7 là chuyển dời cho phép với sóng phân cực

,

Γ7 là cho phép đối với mọi phân cực. Thông qua việc khảo

sát các kết quả thực nghiệm về phổ phát xạ, Thomas [7] đã xác định đƣợc ba vùng
hấp thụ exciton là A, B, C tƣơng ứng với ba vùng hóa trị nhƣ Hình 1.3. Từ các kết
quả về phổ phát xạ và hấp thụ, năng lƣợng liên kết của exciton đƣợc xác định là 60
meV. Giá trị này là lớn nhất trong các bán dẫn hợp chất IIb-VI.

4


C BA


không pha tạp, ZnO là bán dẫn loại n do trong mạng tồn tại các sai hỏng tự nhiên
nhƣ nút khuyết O và các nguyên tử Zn ở vị trí điền kẽ [2-4]. Các sai hỏng này đóng
vai trò nhƣ các tạp chất donor nông trong mạng tinh thể, khi bị kích thích sẽ cung
cấp điện tử cho vùng dẫn, tạo khả năng dẫn điện cho vật liệu. Tuy vậy, điện trở suất
của ZnO không pha tạp vẫn khá cao vì các sai hỏng nội tại có nồng độ thấp, khó có
thể ứng dụng làm các điện cực nên các nguyên tố đƣợc chọn lọc phù hợp để pha tạp
vào ZnO để tăng độ dẫn điện. Khi đó, vật liệu tinh thể ZnO sẽ có độ dẫn điện thay
đổi trong một dải rất rộng, từ vùng độ dẫn điện môi cho đến độ dẫn tƣơng tự kim
loại, tùy thuộc loại và nồng độ tạp chất pha vào mạng nền ZnO. Việc pha các tạp
chất vào trong tinh thể ZnO đóng vai trò then chốt trong việc kiểm soát tính chất
điện của màng. Khi pha tạp với nồng độ cao các nguyên tố: Al, Ga, In, Cu…, màng
ZnO trở thành bán dẫn loại n [4-5]. Khi pha tạp các nguyên tố: N, P, Ag,…, màng
ZnO mang tính chất của bán dẫn loại p mặc dù việc tạo ra bán dẫn loại p có độ dẫn
ổn định tƣơng đối khó khăn về mặt công nghệ. Thời gian qua, một số nhóm nghiên
cứu trên thế giới cũng nhƣ ở Việt Nam đã chế tạo thành công màng ZnO pha tạp với
điện trở suất nhỏ cỡ 10-4÷ 10-2 Ωcm [1-3, 5, 9, 11, 16] khá phù hợp cho việc sử dụng
làm điện cực trong suốt.

6


Tác giả

STT

Tạp

Điện trở

chất


3,2 x 10-3

Phún xạ sputtering RF

4

Houng and Huang [5]

Ag-Al

4.2 x 10-4

Sol-gel

5

R.K. Guptan, K.Ghosh,
P.K.Kahol [16]

Ag

3 x 10-3

Lắng đọng xung laze

6

D.R. Sahu [9]


khuyết O đã bù trừ rất mạnh các tâm acceptor, đặc biệt là trong môi trƣờng thiếu O
[8]. Các kết quả lí thuyết và thực nghiệm gần đây [17] cho thấy môi trƣờng giàu O
sẽ suy giảm việc hình thành các tâm sai hỏng thuần trong ZnO. Tuy nhiên, môi
7


trƣờng này cũng làm tăng năng lƣợng hình thành của các acceptor liên quan tới vị
trí thay thế O, ví dụ NO [10], so với môi trƣờng giàu Zn. Do vậy, các nhóm nghiên
cứu đang nỗ lực tìm kiếm các nguyên tố pha tạp thích hợp để giảm năng lƣợng hình
thành acceptor, đồng thời giảm sự hình thành các tạp sai hỏng thuần.
Nguyên tố Ag đƣợc biết là một chất có khả năng khử khuẩn, dẫn điện tốt, hệ
số hấp thụ quang học tƣơng đối thấp trong vùng nhìn thấy. Khi pha tạp Ag vào
trong mạng tinh thể ZnO (ZnO:Ag), nếu nguyên tử Ag thay thế vị trí của nguyên tử
Zn, nó sẽ tạo ra mức acceptor nông trong vùng cấm, cung cấp các lỗ trống và làm
cho ZnO có khả năng trở thành bán dẫn loại p. Tuy nhiên, ngoài vị trí thay thế Zn,
Ag còn có khả năng nằm ở vị trí điền kẽ hoặc thay thế O. Các phép tính toán từ
công trình của Saeed Masoumi [19] cho thấy năng lƣợng hình thành AgZn ở trạng
thái trung hòa (

) hay trạng thái tích điện (

) tƣơng ứng là -0,20 eV và

0,16 eV. Các năng lƣợng này thấp hơn rất nhiều năng lƣợng hình thành của các tạp
Agi (4,02 eV với tạp trung hòa, 1,67 eV cho tạp tích điện) hay AgO (7,14 eV cho tạp
trung hòa, 5,26 eV cho tạp tích điện). Kết quả này khá phù hợp với những kết quả
trƣớc đó của nhóm Yan [21]. Từ đó, ta có thể thấy nguyên tử Ag ƣu tiên chiếm giữ
vị trí nút mạng của Zn và trở thành tâm acceptor. Đây là một trong những lí do Ag
đƣợc chọn để pha tạp vào ZnO nhằm thu đƣợc bán dẫn loại p nếu định xứ đƣợc Ag
ở vị trí thay thế Zn thông qua sự khuếch tán ở nhiệt độ cao. Tuy nhiên, nếu Ag nằm

Nhằm khảo sát sự ảnh hƣởng của nồng độ Ag, mẫu ZnO pha Ag đƣợc chế
tạo với các tỉ lệ khối lƣợng Ag khác nhau: 0%, 1%, 2% và 4% bằng phƣơng pháp
phản ứng pha rắn (ép gốm) nung thiêu kết ở nhiệt độ cao. Cơ sở của phƣơng pháp
này là quá trình khuếch tán của các nguyên tử trong chất rắn ở nhiệt độ cao. Nếu
trạng thái ban đầu của hỗn hợp vật rắn bất đồng nhất về mặt thành phần hoá học thì
quá trình khuếch tán ở nhiệt độ cao sẽ làm cho chúng trở nên đồng nhất hơn. Các
phản ứng pha rắn thƣờng xảy ra chậm và phụ thuộc rất nhiều vào các yếu tố nhƣ
nhiệt độ, kích thƣớc hạt và khả năng tạo pha giữa chúng. Ƣu điểm của phƣơng pháp
này là đơn giản, không đòi hỏi nhiều thiết bị quá đắt tiền. Các vật liệu ban đầu đƣợc
sử dụng nhƣ sau:
-

Mẫu ZnO: 25g bột ZnO (độ sạch 99.99%, Merck).

-

Mẫu ZnO pha 1% Ag: 24,75g bột ZnO; 0,25g AgNO3 (độ sạch 99,8%,
Merck).

-

Mẫu ZnO pha 2% Ag: 24,50 g bột ZnO; 0,5g AgNO3.

-

Mẫu ZnO pha 4% Ag: 24,00 g bột ZnO; 1,0 g AgNO3.

Vật liệu AgNO3 đƣợc trộn vào 75ml cồn 90 độ, khuấy đều bằng máy khuấy từ tại
nhiệt độ 200oC trong 20 phút để AgNO3 hòa tan hoàn toàn. Sau đó bột ZnO đƣợc
trộn vào dung dịch AgNO3 hòa tan ở trên để khuấy tiếp trong 6 giờ bằng máy khuấy



Hình 2.2: Mẫu khối ZnO:Ag sau khi nung tại nhiệt độ 1200oC.
2.1.2. Tạo màng bằng phƣơng pháp phún xạ sputtering
Phƣơng pháp phún dòng xoay chiều có thể sử dụng để chế tạo các màng
mỏng bán dẫn hoặc kim loại có chất lƣợng cao. Cơ sở vật lý của các phƣơng pháp
phún xạ dựa trên hiện tƣợng va chạm của các hạt có năng lƣợng cao (các iôn khí trơ
nhƣ Ar, He,...) với các nguyên tử vật liệu trên bia thể rắn khi sử dụng một nguồn
điện xoay chiều với công suất lớn giúp tạo trạng thái plasma của vật liệu, làm bật
các nguyên tử này và lắng đọng chúng trên đế thủy tinh (hoặc thạch anh, Si, …) nhƣ
chỉ ra trên Hình 2.3. Thông thƣờng, các nguyên tử bị phún xạ khi đến lắng đọng
trên đế, năng lƣợng còn khoảng 1÷2 eV, cao hơn năng lƣợng của quá trình bốc bay
khoảng hai bậc. Năng lƣợng này đủ lớn giúp cho các nguyên tử lắng đọng sẽ tự
động sắp xếp và bám vào đế mẫu chắc hơn. Các ion hoặc nguyên tử, dƣới tác dụng
của khí mang có trong buồng mẫu và lực từ của nam châm điện, sẽ bay lên và hình
thành mạng tinh thể trên bề mặt đế đƣợc đặt ở phía trên. Chân không trong hệ phún
xạ RF đƣợc đặt khá cao cỡ 10-4-10-6 Pa. Do đó, các màng mỏng đƣợc chế tạo bằng
phƣơng pháp phún xạ thƣờng có độ đồng đều cao. Công suất của hệ phún xạ có thể
thay đổi giúp tạo các màng mỏng ở các điều kiện khác nhau.

Hình 2.3: Nguyên lý hoạt động của hệ phún xạ sputtering

12


Phƣơng pháp phún dòng xoay chiều RF rất hiệu quả trong việc chế tạo các màng
mỏng bán dẫn ôxit pha tạp nhƣ ZnO, SnO2, TiO2, ITO, …. với diện tích rộng và độ
đồng nhất cao. Phƣơng pháp phún xạ đƣợc dùng nhiều hơn phƣơng pháp bốc bay
nhiệt trong công nghệ chế tạo màng mỏng vì các vật liệu có nhiệt độ nóng chảy cao
hoặc vật liệu cách điện với tần số cao có thể đƣợc phún xạ từ các bia dạng rắn, đồng



Xác định hình thái bề mặt của mẫu để biết đƣợc sự thay đổi kích thƣớc hạt tinh
thể phụ thuộc vào công nghệ và điều kiện chế tạo mẫu, dựa vào ảnh chụp từ
kính hiển vi điện tử quét (SEM) và kính hiển vi vi lực nguyên tử (AFM).



Xác định các thành phần nguyên tố hóa học có trong mẫu sử dụng phổ tán sắc
năng lƣợng EDS.



Phổ tán xạ Raman để các định các mode dao động đặc trƣng của mạng tinh thể.



Xác định độ rộng vùng cấm, độ hấp thụ và truyền qua của màng mỏng ZnO
trong suốt sử dụng phép đo phổ hấp thụ và truyền qua của mẫu.



Xác định các tính chất điện của màng mỏng ZnO tạo đƣợc bằng phƣơng pháp
phún xạ tại các điều kiện khác nhau dựa phép đo hiệu ứng Hall.

2.2.1. Phƣơng pháp đo phổ nhiễu xạ tia X
Nhiễu xạ tia X là hiện tƣợng các chùm tia X nhiễu xạ trên các mặt tinh thể
của chất rắn do tính tuần hoàn của cấu trúc tinh thể tạo nên các cực đại và cực tiểu
nhiễu xạ. Xét 1 chùm tia X có bƣớc sóng λ chiếu tới một tinh thể chất rắn dƣới góc
θ nhƣ chỉ ra trên Hình 2.4. Do tinh thể có cấu trúc tuần hoàn, các tinh thể sẽ cách

thông số cấu trúc tinh thể (kiểu ô mạng, hằng số mạng,..), các pha cấu trúc tinh thể
có trong vật liệu và tỷ lệ nồng độ giữa các pha. Đồng thời từ bán độ rộng đỉnh phổ
nhiễu xạ ta có thể tính đƣợc kích thƣớc hạt trung bình của màng dựa vào công thức
Debye-Scherre [2]:

(2.4)

B: bán độ rộng vạch phổ tính theo radian
θB: góc nhiễu xạ
Trong luận văn này, các phép đo phổ nhiễu xạ tia X (XRD) đƣợc đo trên hệ máy
nhiễu xạ D5005 (Brucker, Đức) – tại Khoa Vật Lý, trƣờng Đại học Khoa học Tự
nhiên với điều kiện: bức xạ tia X từ nguồn anode Cu-Kα có bƣớc sóng λ = 1,54056
Å, cƣờng độ dòng điện 30 mA, điện áp 40 kV.
2.2.2. Phép đo phổ huỳnh quang

15


Phép đo phổ huỳnh quang là một phƣơng pháp rất chính xác và hiệu quả để
nghiên cứu chất bán dẫn. Phép đo phổ huỳnh quang giúp ta xác định đƣợc các mức
năng lƣợng trong vật liệu bán dẫn, các thông tin về xác suất chuyển dời điện tử có
bức xạ giữa các trạng thái. Phép đo đơn giản, không phá vỡ cấu trúc mẫu và không
cần sự chuẩn bị đặc biệt về mẫu. Trong phép đo phổ huỳnh quang, một mẫu bán dẫn
đƣợc kích thích quang làm cho các điện tử nhảy lên mức năng lƣợng cao hơn. Khi
các điện tử chuyển dời từ trạng thái kích thích về trạng thái cơ bản, chúng sẽ phát ra
các photon ứng với mức chênh lệch năng lƣợng đó. Mỗi photon lại ứng với một
sóng ánh sáng với bƣớc sóng xác định. Phổ huỳnh quang biểu diễn sự phụ thuộc của
cƣờng độ bức xạ vào bƣớc sóng. Phổ huỳnh quang với cấu trúc khối đo đƣợc mô tả
trên Hình 2.5:
Mẫu


16