Bộ KH & CN Bộ quốc phòng
Trung tâm KhKt - CnQs
Viện Rađa

Đề tài độc lập cấp Nhà nớc:
Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích
cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần
và công nghệ gia công mạch dải.

III. Thuyết minh kỹ thuật và hớng dẫn sử dụng
bộ chuyển mạch điốt pin dải sóng cm 11
IV. Thuyết minh kỹ thuật và hớng dẫn sử dụng
bộ khuếch đại tạp thấp dải sóng cm 16
V. Thuyết minh kỹ thuật và hớng dẫn sử dụng
bộ dao động siêu cao tần dải sóng cm 20

VI. Thuyết minh kỹ thuật và hớng dẫn sử dụng
bộ trộn tần cân bằng dải sóng cm 24

VII. Thuyết minh kỹ thuật và hớng dẫn sử dụng
bộ cộng/chia công suất dải sóng cm.27
VIII. Thuyết minh kỹ thuật và hớng dẫn sử dụng
bộ lọc dải dải sóng cm 29
IX. Thuyết minh kỹ thuật và hớng dẫn sử dụng
khối khuếch đại cao tần dải rộng () rađa 556 33
X. Thuyết minh kỹ thuật và hớng dẫn sử dụng
khối thu cao tần rađa -37 cải tiến 35 i. thuyết minh kỹ thuật và hớng dẫn sử dụng
bộ chuyển mạch điốt pin dải sóng m
I.1. Thuyết minh kỹ thuật
Máy thu của đài rađa cảnh giới 556 sử dụng bộ khuếch đại cao tần là
khối . Ưu điểm của khối là có hệ số khuếch đại cao, độ nhạy cao
và ngỡng đầu vào khá lớn. Trong rađa cảnh giới 556 công suất lọt trung bình
sau đèn cặp nhả điện là tơng đối lớn, phụ thuộc vào chất lợng đèn cặp nhả


khoảng 15 mA thì các điốt sẽ có điện trở qúa nhỏ và bởi thế cho nên tín hiệu cao
tần từ 1 đa đến phân nhánh định hớng sẽ không bị suy giảm. Đồng thời
cũng bằng chính điện áp ấy thì Đ4 và Đ6 sẽ đóng lại hay nói cách khác là nó có
điện trở qúa lớn, không cho tín hiệu đi qua.
Để tăng khả năng phân tách giữa các kênh, các điốt đợc nối với nhau
bằng những đoạn mạch dải có độ dài /4. Nhng dây này có tính chất là cứ /4
thì ở đầu ra của nó có điện trở lớn nhất (ví dụ Đ6), đầu vào có điện trở nhỏ nhất
và nh vậy sẽ tạo ra một bộ suy giảm tín hiệu. Khi thay đổi cực tính của tín hiệu
điều khiển các Đ3 và Đ5 sẽ đóng, còn Đ4 và Đ6 mở. Đầu 1 ngắt khỏi sơ đồ và
tín hiệu từ đấy sẽ không đi tiếp nữa, lúc này trở R3 sẽ mắc vào đầu vào của
đờng thứ nhất. Đờng E1 và E2 sẽ làm tăng độ suy giảm của kênh đóng.
Điốt Đ1 và Đ2 là điốt loại 2A510A đấu song song với đầu vào 1. Hai
điốt này đấu ngợc cực nhau và hoàn thánh chức năng hạn chế hai nửa chu kỳ.
L1, L2 và L3 là các cuộn cảm dùng để bù khử trở kháng của kênh đang
đóng (điện dung của Đ1 và Đ2, điện dung của các điốt đang đóng) để nhận đợc
hệ số sóng đứng nhỏ nhất. Tụ điện C1 và C4 để tách tín hiệu cao tần trong mạch
một chiều, còn C2, C3 và C5 là tụ phân áp. Phân nhánh định hớng đợc chế tạo
bằng đoạn dây dải rộng có trở kháng 50 (E3 ữ E6). Liên hệ với bên ngoài sử
dụng tụ C6 ữ C8.
Để tạo đợc đặc tính kỹ thuật cần thiết trong dải tần cho phép phân nhánh
định hớng có cấu trúc 2 nhánh độ dài dây dải của nhánh thứ nhất và nhánh thứ
hai, nghĩa là độ dài giữa C6, C7 và C7, C8 bằng /4. Nh vậy là một hớng này
tín hiệu đi đồng pha, còn nhánh kia thì ngợc pha, hay nói cách khác là nó chỉ
cho tín hiệu đi qua một hớng nhất định. Các giá trị danh định của điện dung
chọn từ điều kiện sao cho suy giảm ở mức 20 dB.
ở nhánh mà tín hiệu đi ng
ợc pha sẽ mắc một điện trở R4 = 50. Tín hiệu
đi qua nhánh đồng pha đến đầu ra.
3. Chỉ tiêu kỹ thuật của bộ hạn chế chuyển mạch:

E1
Po r t
P1
Por t
P2
R
R4
R=50 Ohm
C
C6
C=1.08 pF
C
C7
C=3.16 pF
C
C8
C=1.08 pF
R
R2
R=25 Ohm
R
R3
R=50 Ohm
C
C4
C=100 pF
C
C5
C=4700 pF
PIN

PIN
D1

H×nh 2: S¬ ®å m¹ch ®iÖn bé chuyÓn m¹ch h¹n chÕ. I.2. Hớng dẫn sử dụng
Thao tác sử dụng bộ chuyển mạch hạn chế rất đơn giản không kèm theo
một thao tác điều chỉnh phụ nào. Quy trình đa bộ chuyển mạch hạn chế vào sử
dụng đợc thực hiện theo các bớc sau:
1. Tháo khối ra khỏi tuyến thu của đài;
2. Tháo mảng 1X1 ra khỏi khối ;
3. Lắp bộ chuyển mạch hạn chế vào vị trí của mảng 1X1;
4. Nối đầu ra 3 của bộ chuyển mạch hạn chế với đầu vào 1 của mảng
14;
5. Hàn 2 dây cấp điện áp điều khiển cho bộ chuyển mạch hạn chế;
6. Lắp dây cáp đầu vào 1 và đầu vào tạo giả 2 của bộ chuyển mạch hạn
chế;
7. Lắp khối vào tuyến thu của đài;
8. Kiểm tra điều chỉnh tuyến thu phát đài rađa 556 theo thuyết minh hớng
dẫn sử dụng của đài. Tiến hành kiểm tra đánh giá độ nhạy máy thu, đo hệ
số tạp theo thuyết minh hớng dẫn sử dụng của đài rađa 556.

Hình 3: Sơ đồ vị trí của bộ khuếch đại cao tần dải rộng trong khối .
Trong phơng án cải tiến này chúng tôi thay thế mảng 14 trong khối
của đài rađa 556 bằng bộ khuếch đại transistor trờng tạp thấp GaAs
MESFET. Tính năng chiến kỹ thuật của bộ khuếch đại tạp thấp đợc xây dựng
dựa trên tính năng kỹ thuật của mảng 14 để có thể thay thế 1/1. Bộ khuếch
đại tạp thấp đợc thiết kế chế tạo dựa trên các linh kiện bán dẫn trờng GaAs
FET có u điểm là hệ số tạp rất nhỏ (F < 3dB trong khi đó hệ số tạp của đèn
Mảng
1X1
Mảng 14
(KĐ cao tần dải rộng)
Mảng
1KT3
+12V
Uđk
Đầu ra Đầu vào

sóng chạy F < 6-7 dB), có hệ số khuếch đại cao, kết cấu gọn nhẹ, cấp nguồn đơn
giản (+12V).
4. Nguyên lý làm việc của bộ khuếch đại tạp thấp sóng m:
Có nhiều phơng pháp thiết kế chế tạo Bộ KĐ tạp thấp, sau đây là 2 phơng
pháp phổ biến nhất:
Thiết kế bộ KĐ sử dụng các tham số tán xạ S của các linh kiện bán dẫn,
tính toán các mạch phối hợp trở kháng đầu vào/ đầu ra và giữa các tầng.
Tầng đầu tiên đợc thiết kế tối u hoá về hệ số tạp.
Thiết kế bộ KĐ sử dụng các mođun khuếch đại, chỉ cần tính toán mạch
phối hợp vào, ra và tính toán các chế độ nguồn sao cho tổn hao phản hồi ở
đầu vào là nhỏ nhất.
Thiết kế bộ khuếch đại phải đảm bảo hệ số khuếch đại và hệ số tạp trong

51
3
2
Y1 5 030 012
3
4
2
2
SO DO NGUYEN LY MACH KHUECH DAI TAP THAP
C
C9
C=27 pF {t}
L
L3
L=2.5 nH {t}
C
C8
C=21.06 pF {t}
L
L7
L=36 nH {t}
L
L5
L=14.4 nH {t}
L
L4
L=54.45 nH {t}
L
L6
L=48.24 nH {t}

C
C10
C=4700 pF
L
L1
C
C4
C=100 pF
C
C6
C=2.2 nF
C
C2
C=4700 pF
R
R1
R=170 Ohm
R
R2
R=170 Ohm
C
C3
C=4700 pF
C
C5
C=100 pF
C
C7
C=2.2 nF
L
III. thuyết minh kỹ thuật và hớng dẫn sử dụng
bộ chuyển mạch điốt pin dải sóng cm
III.1. Thuyết minh kỹ thuật
1. Chức năng:
Tuyến thu cao tần rađa
-37 cũ gồm 5 kênh, ở mỗi kênh khuếch đại cao tần
dùng đèn YB-99 có đầu vào-ra là ống sóng có kích thớc (72x10) mm. Đèn YB-99
có hệ số khuếch đại cao, hệ số tạp thấp, độ nhạy cao và ngỡng đầu vào. Nhợc
điểm của các loại đèn này là: cấu trúc phức tạp, cồng kềnh, tiêu thụ nguồn lớn, sử
dụng nhiều loại nguồn và đặc biệt chịu ảnh hởng lớn về nhiệt.
Trong rađa -37 công suất lọt trung bình sau đèn cặp nhả điện là tơng đối
lớn, khoảng P = 80mW ữ300mW (liên tục), phụ thuộc vào chất lợng đèn cặp nhả
điện. Để đa đợc bộ khuếch đại tạp thấp vào thay đèn YB-99 vấn đề đợc đặt ra là
phải bảo vệ đợc bộ khuếch đại tạp thấp không bị đánh thủng bởi công suất lọt, cần
đa thêm vào bộ hạn chế công suất làm việc nh một bộ chuyển mạch cao tần.
Bộ hạn chế công suất thụ động và tích cực đợc đa vào giữa hộp phóng điện
và bộ khuếch đại tạp thấp để hạn chế công suất lọt của xung phát dò sang bảo vệ bộ
khuếch đại tạp thấp.
2. Nguyên lý làm việc của bộ chuyển mạch hạn chế điốt PIN dải sóng cm:
Có nhiều phơng pháp thiết kế chế tạo bộ bảo vệ này, đó là:
- Thiết kế bộ bảo vệ thụ động sử dụng điốt PIN và điốt varactor thực hiện trong
ống sóng. Điốt PIN có u điểm là khả năng chịu điện áp lớn hơn điốt varactor


Hình 5: Sơ đồ khối bộ hạn chế công suất.

Bộ hạn chế đợc thiết kế bao gồm các phần: chia đôi công suất, cộng công
suất, bộ hạn chế thụ động trên cơ sở bộ lọc dải thông và cuối cùng là bộ hạn chế
Tới bộ KĐTT
Sau đèn
cặp
nhả điện
Xung điều khiển

Chia đôi

Cộng
Bộ hạn chế thụ
động làm trên
bộ lọc dải thông
Bộ hạn
chế tích
cực

tích cực. Công suất lọt lớn sau đèn cặp nhả điện đợc chia đôi, tại mỗi nhánh có
điốt hạn chế thụ động nhằm mục đích hạn chế công suất lọt, sau đó ta cộng công
suất của 2 nhánh này lại.

MLIN
TL27
L=10.5 mm
W=0.3 mm
Subst =" M Sub1"
MLI N
TL10
L=30 m m
W=0. 3 mm
Subst =" M Sub1"
MLIN
TL9
L=30 m m
W =0. 3 m m
Su b s t = " M Sub 1 "
MLIN
TL24
L=9. 45 m m
W =4. 852 m m
Subst =" M Sub1"
MLI N
TL25
L=9. 45 m m
W=4. 852 m m
Subst =" M Sub1"
MLIN
TL3 2
L=4 m m
W =4. 852 m m
Su b s t = " M Sub 1 "

MLIN
TL34
L=9. 45 m m
W=4. 852 m m
Subst =" M Sub1"
MLIN
TL3 5
L=9. 45 m m
W =4. 852 m m
Su b s t = " M Sub 1 "
MLIN
TL31
L=9. 45 m m
W=4.852 mm
Subst =" M Sub1"
MLI N
TL36
L=9. 45 m m
W=4. 852 mm
Subst =" M Sub1"
MLIN
TL3 7
L=9. 45 m m
W =4. 852 m m
Su b s t = " M Sub 1 "
C
C1 2
C=10 pF
C
C1 0

Layer Type[ 1] =signal
Cond[ 2] =1. 0E+50
T[ 2] =36e- 3 m m
Cond[ 1] =1. 0E+50
T[ 1] =36e- 3 m m
TanD=9e- 4
H=1. 57 m m
Er =2 . 2
Dielectric-i : ER[i], H[i], TAND[i]
M etal-i : T[i], CO ND[i], TYPE[i]
Metal-2
Metal-1
Die lec t r ic - 1
VI A2
V1 0
W =100 m m
Rho=1. 0
T=0. 2 m m
H=1. 57 m m
D=0. 5 m m
VI A2
V9
W =100 m m
Rho=1. 0
T=0. 2 m m
H=1. 57 m m
D=0. 5 m m
VI A2
V3
W =100 m m

VI A2
V7
W=100 m m
Rh o = 1 . 0
T=0. 2 m m
H=1. 57 m m
D= 0 . 5 m m
VI A2
V8
W=100 m m
Rh o = 1 . 0
T=0. 2 m m
H= 1 . 5 7 m m
D= 0 . 5 m m
MSUB
M Sub2
Rough=0 m m
TanD=9e- 4
T=36e- 3 m m
Hu=10 m m
Cond=1. 0E+50
Mur=1
Er =2 . 2
H=1. 57 m m
MSub
M L4CTL_V
CL in 1
ReuseRLG C=no
RL G C_ F ile =
Layer [ 4] =1

V2
W =100 m m
Rho=1. 0
T=0. 2 m m
H=1. 57 m m
D=0. 5 m m
MSUB
MSub1
Rough=0 m m
TanD=9e- 4
T=36e- 3 m m
Hu = 1 0 m m
Cond=1. 0E+50
Mur=1
Er =2 . 2
H=1. 57 m m
MSub
MLIN
TL2 2
L=9. 45 m m
W=4. 852 m m
Subst =" M Sub1"
MLI N
TL21
L=9. 45 m m
W=4. 852 m m
Subst =" M Sub1"
MLIN
TL1 9
L=9. 45 m m

W 2=2. 775 m m
W 1=2. 775 m m
Subst =" M Sub1"
MLI N
TL15
L=6. 426 m m
W=2. 775 m m
Subst =" M Sub1"
MCURVE
Cu r v e3
Radius=3. 643 m m
Angle=180
W=2. 775 m m
Subst =" M Sub1"
MTEE
Tee4
W 3=4. 852 m m
W 2=2. 775 m m
W 1=2. 775 m m
Subst =" M Sub1"
MTEE
Tee3
W3=4.852 mm
W2=2.775 mm
W1=2.775 mm
Subst =" M Sub1"
M CURV E
Cu r v e 2
Radius=3. 643 m m
Angle=180

R
R4
R= 1 5 M O h m
C
C3
C=0. 35 pF
C
C1
C=0. 35 pF
R
R3
R=15 M O hm
C
C2
C=10 pF
Ter m
Ter m 1
Z=50 O hm
Nu m = 1H×nh 6: S¬ ®å m¹ch ®iÖn bé chuyÓn m¹ch ®ièt PIN d¶i sãng cm III.2. Hớng dẫn sử dụng
Thao tác sử dụng khối chuyển mạch điốt PIN rất đơn giản không kèm theo
một thao tác điều chỉnh phụ nào. Quy trình đa khối chuyển mạch điốt PIN vào sử
dụng đợc thực hiện theo các bớc sau:
1. Lắp dây cáp đầu ra của bộ chuyển mạch điốt PIN: Dùng dây cáp cao tần 2
đầu N, một đầu nối vào đầu ra bộ chuyển mạch điốt PIN, một đầu nối vào

bộ khuếch đại tạp thấp dải sóng cm
IV.1. Thuyết minh kỹ thuật
1. Chức năng của bộ khuếch đại tạp thấp:
Máy thu của đài rađa -37 sử dụng bộ khuếch đại cao tần là đèn sóng chạy
YB-99. Ưu điểm của YB-99 là có hệ số khuếch đại cao, độ nhạy cao và ngỡng đầu
vào khá lớn. Nhợc điểm chính của loại đèn này là: cấu trúc phức tạp, cồng kềnh,
tiêu thụ nguồn lớn, đòi hỏi cấp nhiều loại nguồn và đặc biệt chịu ảnh hởng lớn của
chế độ nhiệt. Trong phơng án cải tiến này chúng tôi đa ra việc thay thế sóng
chạy YB-99 của đài rađa -37 bằng bộ khuếch đại transistor trờng tạp thấp GaAs
MESFET. Tính năng chiến kỹ thuật của bộ khuếch đại tạp thấp đợc xây dựng dựa
trên tính năng kỹ thuật của đèn sóng chạy YB-99 để có thể thay thế 1/1. Bộ khuếch
đại tạp thấp đợc thiết kế chế tạo dựa trên các linh kiện bán dẫn trờng GaAs FET
có u điểm là hệ số tạp rất nhỏ (F < 3dB trong khi đó hệ số tạp của đèn sóng chạy F
< 6-7 dB), có hệ số khuếch đại cao, kết cấu gọn nhẹ, cấp nguồn đơn giản (+12V).
2. Nguyên lý làm việc của bộ khuếch đại tạp thấp:
Có nhiều phơng pháp thiết kế chế tạo bộ KĐ tạp thấp, sau đây là 2 phơng
pháp phổ biến nhất:
Thiết kế bộ KĐ sử dụng các tham số tán xạ S của các linh kiện bán dẫn, tính
toán các mạch phối hợp trở kháng đầu vào/ đầu ra và giữa các tầng. Tầng đầu
tiên đợc thiết kế tối u hoá về hệ số tạp.
Thiết kế bộ KĐ sử dụng các mođun khuếch đại, chỉ cần tính toán mạch phối
hợp vào, ra và tính toán các chế độ nguồn sao cho tổn hao phản hồi ở đầu
vào là nhỏ nhất.
Thiết kế bộ khuếch đại phải đảm bảo hệ số khuếch đại và hệ số tạp trong
toàn bộ dải tần. Hệ số tạp của bộ khuếch đại cao tần tạp thấp sẽ quyết định hệ số
tạp toàn bộ tuyến thu.
Sơ đồ nguyên lý của bộ KĐ tạp thấp vẽ ở hình 7.
Bộ khuếch đại tạp thấp sóng cm đợc thiết kế theo phơng pháp thứ hai, sử
dụng 2 modul khuếch đại cao tần.Tầng 1 dùng bán dẫn KĐ ATF -13336, có hệ số
KĐ: 13 dB, hệ số tạp nhỏ hơn 1.5 dB. Tầng 2 dùng modul KĐ MGA-86576, có hệ
+5V
+5V
-5V
RF_OUTPUT
RF_INPUT
R
R3
R=22 kOhm
R
R2
R=10 kOhm
R
R1
R=5 kOhm
L
L3
L
L5
L
L4
C
C11
C=1.0 nF
C
C10

C3
C=10 pF
C
C2
C=10 pF
Term
Term1
Z=50 Ohm
Num=1
sp_hp_ATF-13336_19921201
SNP1
Noise Frequency="{2.00 - 14.00} GHz"
Frequency="{2.00 - 16.00} GHz"
Bias="Fet: Vds=2.5V Id=20mA"H×nh 7: S¬ ®å nguyªn lý cña bé K§TT
IV.2. Hớng dẫn sử dụng
Thao tác sử dụng khối khuếch đại tạp thấp rất đơn giản không kèm theo
một thao tác điều chỉnh phụ nào. Quy trình đa khối khuếch đại tạp thấp vào sử
dụng thay thế khối YB-99 đợc thực hiện theo các bớc sau:
1. Tháo đèn sóng chạy YB-99 ra khỏi tuyến thu của đài.
2. Lắp bộ khuếch đại tạp thấp vào vị trí của đèn sóng chạy YB-99.
3. Lắp dây cáp đầu ra của bộ khuếch đại tạp thấp: Dùng dây cáp cao tần 2
đầu N, một đầu nối vào đầu ra bộ khuếch đại tạp thấp, một đầu nối vào
đầu vào RF của bộ trộn tần.
4. Lắp dây cáp đầu vào của bộ khuếch đại tạp thấp: Dùng dây cáp cao tần 2
đầu N, một đầu nối vào đầu vào bộ khuếch đại tạp thấp, một đầu nối vào
đầu ra bộ chuyển mạch điốt PIN sau đèn cặp nhả điện.
5. Lắp dây cấp nguồn +12V cho bộ khuếch đại tạp thấp (trớc khi lắp phải

2. Nguyên lý làm việc của bộ VCO dải sóng 10cm
Bộ VCO dải sóng 10cm đợc thiết kế, chế tạo trên mạch dải sử dụng
transistor lỡng cực (bipolar) và điốt biến dung varactor, mô đun khuếch đại,
cùng các linh kiện nh tụ chip, trở chip, cuộn cảm. Để giảm ảnh hởng việc kéo
trên VCO bằng tải bên ngoài, ta sử dụng một bộ khuếch đại đệm. Bộ khuếch đại
đệm cho công suất ra lớn hơn công suất ra của bản thân tầng dao động, trong khi
độ phân cách ngợc thêm vào sẽ làm giảm sự kéo tải. Các bớc thiết kế bộ dao
động VCO nh sau:
1/ Thiết kế bộ dao động để hoạt động trong dải tần mong muốn và trở
kháng phù hợp, đó là 50;
2/ Thiết kế bộ khuếch đại đệm với đầu vào/ ra phối hợp với 50, cần chú
ý đến độ ổn định (ta có thể sử dụng môđun khuếch đại);
3/ Nối ghép 2 mạch và điều chỉnh mạch phối hợp liên kết giữa 2 tầng để
có đáp ứng mong muốn.
Để điều hởng bộ dao động ta sử dụng phơng pháp điều hởng bằng điốt
varactor (bằng cách thay đổi điện áp cấp cho điốt varactor).
Phơng pháp điều hởng bằng điốt varactor chỉ có thể điều hởng trong
dải tần hẹp (10-15%). u điểm của điều hởng bằng điốt varactor là nhanh, và
thực tế điều chế không đòi hỏi công suất lớn.
Sơ đồ nguyên lý của bộ dao động VCO dải sóng 10cm đợc vẽ ở hình 8.
Bộ dao động VCO đợc thực hiện trên mạch dải kiểu Duroid Roger 5880.
Các tham số kỹ thuật của mạch dải:

- Hằng số điện môi:
r
=2.2
- Độ dày tấm điện môi: h=1.59 mm (62 miles)
- Độ dày lớp dẫn : t =70 àm
Bộ VCO đợc thiết kế chế tạo dới dạng bán dẫn tạo dao động MFR -
2369. Các điện trở R1, R2 và R3 xác định chế độ làm việc của bán dẫn MFR -

+12, 0ữ15
1,2 +5V
N BB-3 00
-12V
U_Varactor
+12V
1
3
4
2
R
R9
R=10 Ohm
L
L1
L=85.0 nH
L
L2
L=50.0 nH
L
L3
L=10.0 nH
C
C4
C=47.0 pF
C
C5

R=10 kOhm
Amplifier2
D1
Por t
RF_OUT
C
C11
C=2.2 nF
C
C12
C=100 pF
L
L4
R
R10
R=110 Ohm
Amp lifie r2
T1
R
R6
R=68 Ohm
R
R8
R=36 Ohm
R
R7
R=68 Ohm
R
R5
R=100 Ohm

hồ kiểm tra mức điện áp).
4. Kiểm tra điều chỉnh tuyến thu phát đài rađa - 37 theo thuyết minh
hớng dẫn sử dụng của đài.
5. Tiến hành kiểm tra đánh giá độ nhạy máy thu, đo hệ số tạp theo thuyết
minh hớng dẫn sử dụng của đài rađa - 37.

VI. thuyết minh kỹ thuật và hớng dẫn sử dụng
bộ trộn tần cân bằng dải sóng cm

VI.1. Thuyết minh kỹ thuật
Ngay từ khi xuất hiện các hệ thống thu phát vô tuyến, các bộ tách sóng
tinh thể và các bộ trộn tần đã đóng 1 vai trò hết sức quan trọng. Đầu thế kỷ 20,

- Độ phân cách LO-RF, dB: 40
- Độ phân cách LO-IF, dB: 40
Sơ đồ mạch điện bộ trộn tần cân bằng ở hình 9.
RF_OUTPUT
MCUR V E
Curve1
Radius=11.153 mm
Angle=60
W=0.463 mm
Subst="MSub1"
Term
Term2
Z=50 Ohm
Num=2
C
C2
C=150 pF
L
L3
L=180 nH
C
C3
C=68 pF
L
L1
L=410 nH
L
L4
L=180 nH
C

Subst="MSub1"
MCUR V E
Curve5
Radius=11.153 mm
Angle=60
W=0.463 mm
Subst="MSub1"
ML IN
TL1
L=0.935 mm
W=0.463 mm
Subst="MSub1"
MCUR V E
Curve4
Radius=11.153 mm
Angle=60
W=0.463 mm
Subst="MSub1"
MT E E
Tee4
W3=0.935 mm
W2=0.463 mm
W1=0.463 mm
Subst="MSub1"
MCUR V E
Curve3
Radius=11.153 mm
Angle=60
W=0.463 mm
Subst="MSub1"