Bộ KH & CN Bộ quốc phòng
Trung tâm KhKt - CnQs
Viện Rađa
mục lục

Lời nói đầu 3
Chơng I: Tổng quan về các bộ cộng / chia công suất 4
1.1. Khái quát chung 4
1.2. Các bộ cộng hốc cộng hởng 5
1.2.1. Bộ cộng hốc cộng hởng ống dẫn sóng HCN 7
1.2.2. Bộ cộng hốc cộng hởng hình trụ 13
1.3. Các bộ cộng lai và ghép chuỗi (Bộ cộng tổng hợp) 14
1.3.1. Bộ cộng lai (Bộ cộng Hybrid) 14
1.3.2. Bộ cộng ghép chuỗi 19
1.4. Các bộ cộng không cộng hởng-N đờng 20
1.4.1. Bộ cộng Wilkinson và đờng tia 20
1.4.2. Bộ cộng ống dẫn sóng hình nón 21
1.4.3. Bộ cộng Rucker 23
1.5. Các bộ cộng mức chip 24
1.6. Các bộ cộng trong không gian 25
1.7. Bộ cộng đa mức 27
1.8. Các kỹ thuật cộng khác 28
1.8.1. Bộ cộng ống sóng dẫn điện môi 28
1.8.2. Bộ cộng đẩy-kéo 29
1.8.3. Bộ cộng mạch cộng hởng CAP - mũ 30
1.8.4. Bộ cộng ống dẫn sóng planar 31
1.8.5. Bộ cộng phân bố 31
1.8.6. Cộng công suất hài 32
1.9. Kết luận 32
Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích

Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích
cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải.
Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ cộng/chia công suất

3
Lời nói đầu

Ngày nay khoa học kỹ thuật nói chung và kỹ thuật vô tuyến điện nói riêng
phát triển rất mạnh mẽ. Các thiết bị vô tuyến làm việc ở dải sóng siêu cao tần
trong các lĩnh vực nh: thông tin sóng ngắn, thông tin tiếp sức, thông tin vệ tinh,
truyền hình, truyền số liệu, rađa, chiến tranh điện tử, đã có những bớc tiến lớn
và có nhiều ứng dụng rộng rãi trong quân sự và đời sống. Trong khi đó, quân đội
ta hiện đang sử dụng phổ biến các thiết bị ở dải sóng siêu cao tần đã lạc hậu so
với thế giới. Một vấn đề đặt ra là phải cải tiến nâng cao chất lợng của các thiết
bị đó đáp ứng kịp thời yêu cầu của chiến tranh hiện đại. Cùng với sự ra đời của
nhiều linh kiện bán dẫn chất lợng cao làm việc ở dải sóng siêu cao tần, cho
phép bán dẫn hoá từng bộ phận, từng khối của thiết bị để nâng cao độ tin cậy,
giảm kích thớc trọng lợng, phải phù hợp với điều kiện gia công cơ khí ở nớc
ta để góp phần nâng cao tính sẵn sàng chiến đấu cho quân đội ta.
Trong kỹ thuật siêu cao tần một vấn đề hay gặp là thiết kế các bộ cộng/
chia công suất (Combiner/Splitter), nó có chức năng cộng /chia các nguồn phát

Do yêu cầu đòi hỏi ngày càng cao đối với các hệ thống rađa và các hệ
thống thông tin ở dải sóng centimét và dải milimét cần phải có các máy phát bán
dẫn công suất cao. Các hệ thống sóng milimét này có thể có anten nhỏ hơn, cung
cấp độ rộng dải tần lớn hơn và độ phân giải tốt hơn so với các hệ thống sóng siêu
cao tần. Hiện tại, đèn sóng chạy (TWT) vợt trội hơn các bộ khuếch đại và máy
phát bán dẫn về công suất đầu ra hoặc về hiệu suất (Tuy nhiên, các thiết bị bán
dẫn có độ tin cậy cao hơn, kích thớc và trọng lợng nhỏ hơn, đòi hỏi nguồn
điện áp thấp). Công suất đầu ra từ một thiết bị bán dẫn đơn sẽ đợc giới hạn chủ
yếu bởi các vấn đề về nhiệt và trở kháng. Để đáp ứng sự đòi hỏi của một số hệ
thống thì cần thiết phải cộng công suất để đạt đợc mức công suất cao. Các
phơng pháp cộng công suất đợc trình bày trên hình 1.1. Các phơng pháp này
chủ yếu đợc chia làm 4 loại [6]:
Các bộ cộng mức chip.
Các bộ cộng mức mạch.
Các bộ cộng không gian.
Các bộ cộng đa mức ( kết hợp 3 bộ cộng trên ).
Các bộ cộng mức mạch có thể đợc chia tiếp ra làm hai loại: bộ cộng cộng
hởng và không cộng hởng.
Các bộ cộng cộng hởng bao gồm kỹ thuật cộng trong hốc cộng hởng
hình chữ nhật hoặc trong hốc cộng hởng ống dẫn sóng hình trụ.

Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích
cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải.
Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ cộng/chia công suất

5


ỹ
thuật cộn
g
Bộ cộng
mức chip
Bộ cộng
mức mạch
Bộ cộng
không gian
Bộ cộng
đa mức
Bộ cộng khác:
- ống dẫn sóng
điện môi.
- Đẩy kéo.
- Hốc cộng
hởng chóp.
- Mạch phân bố
- Điều hoà.
Bộ cộng
hốc cộng hởng
Bộ cộng
không cộng hởng
Bộ cộng
hốc cộng
hởng
hình chữ
nhật
(HCN)
Bộ 6
Kurokawa đã phát triển lý thuyết mạch dao động và chỉ ra cấu hình mạch
dao động tạo đợc dao động ổn định không phụ thuộc vào vấn đề mode đa-điốt
[7]. Sau đó Harp và Stover đã chỉnh lại cấu hình bộ cộng bằng cách thay hốc ống
dẫn sóng cộng hởng hình chữ nhật bằng hốc ống dẫn sóng cộng hởng hình trụ
nhằm tăng thêm mật độ gá lắp để có thể cộng đợc số lợng điốt nhiều hơn trong
một thể tích nhỏ [8]. kỹ thuật cộng này đã đợc sử dụng để xây dựng các bộ
cộng công suất bán dẫn cho các ứng dụng khác nhau.
Các bộ cộng có thể đợc sử dụng nh một bộ dao động, bộ khuyếch đại
khoá-tiêm, hoặc bộ khuyếch đại ổn định.Trong trờng hợp các bộ khuyếch đại
khoá-tiêm thì dải tần khoá đã chuẩn hoá
0
2
f
f

có liên hệ một cách gần đúng với
hệ số khuếch đại công suất









+
f: là độ rộng băng khi khoá một bên;
+ P
0
: là công suất bộ dao động tự do;
+ P
L
: công suất tín hiệu khoá-tiêm.

Trong đa số các trờng hợp, Q
e
có giá trị thay đổi trong khoảng từ 20 đến
100 và








L
P
P
0
thay đổi từ 10 đến 20 dB. Do đó dải tần khoá thay đổi trong
khoảng từ 0,2 đến 3%.
Bộ cộng hốc cổng hởng có các u điểm sau:
- Hiệu suất cộng nói chung cao, vì các đầu ra công suất của các thiết bị sẽ
cộng trực tiếp không có tổn hao đờng dẫn.

Hình 1.2. Mặt cắt ngang và cấu hình bộ cộng ống dẫn sóng Kurokawa
Mỗi điốt đợc cắm ở một đáy của một đờng đồng trục. Đờng đồng trục
đã đợc ghép từ trờng tại thành bên của hốc ống dẫn sóng. Một đầu của đờng
đồng trục đợc tải bằng một bộ hấp thụ hình nêm nhằm làm ổn định dao động.
Để ghép phù hợp vào hốc ống dẫn sóng, các mạch đồng trục cần phải đặt vào vị
Điốt Tới tải

g
/4

g
/2
Hốc ống dẫn sóng
Bộ biến đổi

/4
Tới nguồn
thiên áp

g
/4

g
/2

g
/4

Hình 1.3. Mạch dung lợng 2 điốt của Kurokawa đã đợc thay đổi

Mạch tơng đơng đợc đơn giản hoá của bộ cộng gần tần số cộng hởng
của hốc đợc mô hình hoá nh hình 1.4. R, L, C dùng để mô tả hốc cộng hởng.
N
1
, N
2
, N
N
là các hệ số ghép giữa mỗi môdun đồng trục và hốc. R
0
mô tả điện
trở Eccosorb và dẫn nạp của linh kiện Y
D
. Đối với một hốc cộng hởng HCN thì
tần cộng hởng cho bởi:
222
,,
222
.
2
1






+


/4
/2
Phân bố biên
độ từ trờng
Bộ biến đổi /4
Thiên áp
Bộ hấp thụ
hình nêm
Hốc ống
dẫn sóng


-
-






Cửa sổ
điện cảm

g
/4

g
/4



thì 3 mode rơi vào dải từ 70GHz đến
120GHz mà trong dải này các điốt IMPATT có điện trở âm (xem bảng 1.1).
Giãn cách các mode xấp xỉ 20GHz. Nếu c = 3
g

thì sẽ có 6 mode và giãn cách
giữa các mode xấp xỉ 10GHz.
Bảng 1.1. Các tần số cộng hởng của một hốc cộng hởng băng-w Khi tăng độ dài hốc, giãn cách giữa các mode sẽ giảm và khi đó cùng
một lúc nhiều mode đợc kích thích, thì về thực chất sẽ làm giảm hiệu suất cộng.
Các môdun đợc ghép ở thành bên có thể đợc u tiên sắp xếp. Tuy nhiên, các
môdun ghép ở thành bên có thể đặt tuỳ ý sao cho kích thích chỉ ở mode mong
muốn.
n = 1 m = 0
c
p = 1 p = 2 p = 3 p = 4 p = 5 p = 6 p = 7 p = 8
c = 1,5
g


63,89 76,58 94 114 135,45 157,75 180,59 203,78
c = 3
g


R
0
R
0
-Y
1D
-Y
nD
N
1
:1
N
n
:1
Môdun ống dẫn sóng
đồng trụ ghép ngang
Điốt

Hốc cộng hởng
Bộ hấp thụ Eccosorb
.
.
.
.
.
.
Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích
cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải.
Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ cộng/chia công suất


0
là một thành phần cảm kháng do thanh
(post) trong ống dẫn sóng đợc kích thích bằng mode
0n
TE .
'
và
p1

,
p2

tính
cho các ảnh hởng ở chỗ nối ống dẫn sóng đồng trục.
Hình 1.5. Cấu trúc gắn điốt ống dẫn sóng đồng trục
Với mạch tơng đơng này, trở kháng Z1N2 nhìn vào mạch tại vị trí điốt
có thể đợc tính toán bằng 3 cửa khác đợc tải Z
2
, Z
3
và Z
4
. Tỉ số công suất R
đợc định nghĩa bằng R

2
l
1
l

3
l
4
l
Z1
Z2
Z3
Z4
2r
b. Nhìn từ cạnh.
Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích
cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải.
Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ cộng/chia công suất

W đã đợc thực hiện tạo ra công suất 20,5W ở 92,4GHz với hiệu suất cộng 82%.
Các điốt làm việc với độ rộng xung 100-ns và chu kỳ 0,5%. Mỗi điốt tạo ra xấp
Z1
Z2
Z1N1
Z1N2
Z
op

Z
o1

Z
o2

Y
2p

Y
1p

1
l

2
l

Y



b

Z1N3
Z1N4
A
class="bi x3d y1a6 wf h39"
Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích
cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải.
Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ cộng/chia công suất

13
rộng dải tần trên 3GHz bằng việc cộng 4 điốt với công suất đầu ra riêng rẽ từ
125mW đến 150 mW [5]. Các điốt đã đợc gắn trên các góc của hốc cộng hởng
HCN làm việc trong mode TE
101
.
1.2.2. Bộ cộng hốc cộng hởng hình trụ
Các giải pháp cộng này thờng đợc áp dụng ở dải sóng dm, cm và mm,
đặc biệt khi phải cộng nhiều điốt với nhau.
Bộ cộng hốc cổng hởng hình trụ đợc Harp và Stover đa ra đầu tiên [8].
Bộ cộng hốc cổng hởng hình trụ nh hình 1.8, bao gồm một số các môdun đồng
trục giống nhau trên thiết bị ngoại vi của hốc cộng hởng hình trụ.
đờng đồng
trục
Phần tử đầu
cuối Eccosorb
Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích
cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải.
Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ cộng/chia công suất

14
cũng tăng lên nhanh chóng. Ngợc lại, hốc cộng hởng HCN có thể bố trí nhiều
điốt bằng cách tăng chiều dài của hốc nhng giữ nguyên hai kích thớc kia. Kết
quả là số mode bậc cao trong hốc cộng hởng HCN sẽ tăng chậm hơn. Một giải
pháp kỹ thuật để giải quyết vấn đề này là sử dụng hốc cộng hởng mode bậc cao
để nhận đợc bộ cộng có hiệu suất cao [8].
- Đầu dò đồng trục vào-ra rất khó chế tạo ở tần số cao và nó có thể hạn
chế độ rộng dải tần và hiệu suất cộng nếu nó không đợc thiết kế và chế tạo
chính xác. Với các lí do trên thì mọi nỗ lực chỉ giới hạn trong việc thực hiện
đợc bộ cộng hốc cộng hởng hình trụ ở tần số sóng milimét. Một bộ cộng 4 và
8 điốt đã đợc thực hiện ở 37GHz với công suất đầu ra 3,6W và 5W liên tục một
cách tơng ứng [5].
1.3. Các bộ cộng lai và ghép chuỗi (Bộ cộng tổng hợp)
1.3.1. Bộ cộng lai (Bộ cộng Hybrid)
Các giải pháp cộng này thờng đợc áp dụng ở dải sóng cm và mm.
Không giống nh các bộ cộng cộng hởng đợc mô tả ở phần 1.2, bộ
cộng lai (Hybrid) có khả năng cho độ rộng dải tần lớn (lớn hơn 5%), do vậy việc
thiết kế bộ cộng có thể đạt đợc mà không phụ thuộc vào đặc tính lai. Bộ ghép
lai cũng cung cấp sự cách ly tốt giữa các nguồn, nh vậy sự ảnh hởng lẫn nhau


15
Trong nhiều trờng hợp, bộ cộng đợc hoạt động trong chế độ khoá- tiêm
để đồng chỉnh pha. Khi công suất đầu vào đợc đa tới cổng 1 thì công suất sẽ
đợc ghép nh nhau đối với cổng 2 và 3, còn cổng 4 đợc cách ly với cổng 1.
Nếu cổng 2 và 3 đợc tải bằng một cặp bộ khuếch đại phối hợp thì khi một tín
hiệu đợc đa tới cổng 1 sẽ đợc khuếch đại và đợc phản xạ lại từ các cổng 2,
3. Các sóng phản xạ sẽ đợc cộng thêm vào tại cổng 4 nhng bị triệt tiêu tại
cổng 1 do mối quan hệ pha giữa hai sóng phản xạ. Nh vậy, công suất đợc đa
tới cổng 1 sẽ đợc khuếch đại và đợc tích luỹ tại cổng 4.
Quá trình phân tích ở [5] đã chỉ ra rằng công suất đầu ra của một bộ cộng
ghép lai 3-dB đợc xác định bởi: (
)
(
)
2
10).cos.2(101
20/10/
0
DD

++
=
(1.3)
Góc pha đầu ra là:

(

()








+
++
==












)
10
(
2010
0
1012

Hình1.10. Đặc tính đầu ra của bộ ghép lai
Hình 1.11. Hiệu suất cộng công suất của bộ cộng ghép-lai
Nếu bộ cộng đợc sử dụng nh một bộ dao động hơn là một bộ khuếch
đại thì khi số lợng các nguồn đầu vào tăng lên, dẫn đến bộ cộng khó hoạt động
hơn nhiều ở điểm làm việc tối u với cùng tần số dao động. Do đó, một chế độ
làm việc khoá-tiêm hoặc ổn định sẽ phù hợp hơn để cộng một số lớn các nguồn
đầu vào dùng bộ ghép lai.
Bây giờ ta xem xét một bộ khuếch đại cộng lai đối xứng với K tầng. Số
các bộ khuếch đại riêng lẻ đòi hỏi là:
3.0
-3.0
-2.0
-1.0 0.0
1.0
2.0

20
10
0
Pha đầu ra - độ
90
0
80
0
70
0
60
0
50
0
40
0
30
0

=20
0
3.0
2.0
1.0
-3.0
-2.0
-1.0 0.0
1.0
2.0
3.0

60
0
70
0
80
0
50
60

70

80
90
100
Hiệu suất công công suất-%
Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích
cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải.
Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ cộng/chia công suất

17
N = 2
K
(1.6)
Công suất đợc cộng tại đầu ra của bộ cộng với mỗi môdun có hệ số
khuếch đại G
i
và công suất đầu ra P

h
>1) và có hệ số khuếch đại
môdun hữu hạn (G
i
< ), số tầng ghép lai có thể sử dụng để cộng là giới hạn.
Công suất đợc cộng không thể tăng lên một cách tuỳ tiện mà phải căn cứ vào
việc tăng số K. Điều này đa ra một giới hạn cho công suất đầu ra có
thể nhận đợc với phơng pháp này. Để minh hoạ cho điều này, ta định nghĩa
hiệu suất cộng công suất toàn phần là:









=


=

i
k
h
k
h
i
add

L=0.2dB
L=0.4dB
L=0.6d
B
G
i
=15dB
G
i
=6dB
0
1
2
3
4
5
20
40
60
80
100
Hiệu suất cộng - %
K- số tầng lai
Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích
cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải.
Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ cộng/chia công suất


Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích
cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải.
Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ cộng/chia công suất

19
- Giới hạn trên của tần số đối với bộ cộng ghép lai ống dẫn sóng là khoảng
140GHz do tổn hao của bộ ghép lai. Tuy nhiên, bộ ghép ống dẫn sóng điện môi
có thể đợc dùng lên đến tần số tới 300GHz.
- Nó có tổn hao đờng dẫn.
1.3.2. Bộ cộng ghép chuỗi
Các giải pháp cộng này thờng đợc áp dụng ở dải sóng dm, cm và mm.
Bộ cộng ghép chuỗi có cấu hình đợc thấy ở hình 1.13 [5]. Công suất đầu
ra từ các bộ dao động 1, 2, , N đợc ghép thông qua các bộ ghép định hớng
D
1
, D
2
, , D
n
đến đờng truyền chính. Nếu bỏ qua sự tổn hao, hệ số ghép cần
thiết cho thấy rằng: các tầng khác đợc cộng vào bằng cách nối đơn giản nguồn
mới vào tuyến sau tầng thứ N. Nhng ở tần số cao, việc kết hợp các bộ ghép
khác nhau và các bộ dịch pha khác nhau là rất khó.


H
ình 1.13. Bộ cộng ghép chuỗi
D
1
D
2
D
N
đầu ra
Bộ cách ly





Lai khe ngắn
-
3dB
Bộ cách ly
RF đầu vào
Bộ khuyếch đại IMPATT
Bộ khuyếch đại IMPATT
Bộ phối hợp
ghép lai
RF đầu ra
Lai khe ngắn
-

1.4.1. Bộ cộng Wilkinson và đờng tia
Bộ cộng/chia công suất theo kiểu Wilkinson đợc minh họa trên hình
1.15. Cổng đầu vào với trở kháng Z
0
đợc nối với đầu ra N đờng có trở kháng
đặc trng
0
, các đờng đó có độ dài là /4. Sự cách ly giữa N cổng đợc
thực hiện bằng cách là nối hình sao điện trở tới N cổng.

Hình 1.15. Bộ cộng N- đờng kiểu Wilkinson
Vấn đề với các điện trở cách ly Wilkinson là ở tần số cao nó không thể nối
tất cả các điện trở trong mạch planar. Để giải quyết vấn đề này ngời ta đã đa
Z
0
Z
d
Z
d
Z
d
0
ZN





trực tiếp trong ống dẫn sóng hình nón hoặc đợc gắn trong ống dẫn sóng HCN
sau đó đợc gắn tới ống dẫn sóng hình nón. Tín hiệu đầu vào từ bộ xoay vòng
(circulator) sẽ đợc ghép bằng một đầu dò ống dẫn sóng tới đờng hình nón. Khi
đó sóng TEM sẽ truyền lan xuống tới ống dẫn sóng hình nón và năng lợng của
nó đợc chia cho các môdun điốt. Mỗi môdun điốt làm việc nh một bộ khuyếch
đại phản xạ. Công suất đợc khuếch đại sau đó đợc cộng đồng pha tại ống dẫn
sóng hình nón và đi ngợc tới bộ mạch vòng. Bất kỳ tính không đồng nhất và
tính gián đoạn đều tạo ra các mode bậc cao, nó sẽ làm giảm hiệu suất cộng. Các
bộ lọc mode có thể đợc liên kết trong ống dẫn sóng hình nón bằng việc gia
công các khe đồng tâm phối hợp trở kháng ở chóp nón ngoài để nén các mode
bậc cao. Các khe đồng tâm lấp đầy bằng các vật liệu gây tổn hao.
Cấu hình này bao gồm nhiều đầu chuyển đổi khác nhau: từ ống dẫn sóng
HCN tới ống dẫn sóng đồng trục, từ đờng đồng trục tới ống dẫn sóng hình nón
và từ ống dẫn sóng hình nón tới ống dẫn sóng HCN. Các chuyển đổi này cần
phải đợc thiết kế tốt để duy trì hoạt động dải rộng và hạn chế tối thiểu kích
thích của các mode bậc cao.
Các thành phần trờng của các mode khác nhau trong ống dẫn sóng hình
nón có thể đợc tìm thấy bằng việc giải các phơng trình Maxwell và các
phơng trình Helmholtz trong hệ toạ độ cầu [5]. Mode trội hơn là mode TEM,
với độ dài bớc sóng của tần số cắt vô hạn thì các thành phần tồn tại của nó là:

jkre
r
V








jkre
r

=


sin
1
.
2
1
(1.10)
Trở kháng đặc trng của ống dẫn sóng hình nón có thể đợc định nghĩa từ
hai công thức (1.9) và (1.10):













=
2

mạch ra chung. Điện trở R
ổnđịnh
đợc nối vào lõi giữa của cáp đồng trục để
hạn chế tối thiểu sự mất ổn định. Tụ C
c
giữa đĩa ghép đầu ra và mỗi lõi giữa
của cáp đồng trục cho độ ghép cần thiết với tải chung R
L
.
Đầu ra công suất CW vợt quá 4W ở tần số 7GHz và 3W ở 9GHz đã đợc
chế tạo sử dụng các điốt 0,5W đến 1W [5].

Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích
cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải.
Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ cộng/chia công suất

24


C
c
Z
02
R

ổn địnhTụ rẽ mạch

Hình 1.18. Bộ cộng 5- đờng Rucke
r

R
L
Nguồn chung
thiên áp cho
các điốt
đầu ra
chung