Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
- Khi chưa áp V
EE
vào cực phát E (cực phát E để hở) thỏi bán dẫn là một điện trở
với nguồn điện thế V
BB
, được ký hiệu R
BB
và gọi là điện trở liên nền (thường có trị số từ
4 KΩ KΩ). Từ mô hình tương đương ta th y Diod được dùng để diễn tả nối P-N
giữa vùng P và vùng n
-
. Điện trở R
B1
và R
B2
diễn t điện trở của thỏi bán dẫn n
-
. Như vậy:
đến 10 ấ
ả
0I
2B1BBB
E
RRR
=
+=
điện thế tại điểm A là: Vậy
0 .V
BB
>η=

lớn dần, dòng
điện
theo chiều dương (d
dương dần). Khi V
E
có trị số
V
=V +V
n và bắt đầu dẫn
điện mạnh.
iện thế V
E
=0,5V + η V
B2B1
=V
P
được gọi là điện thế đỉnh (peak-point voltage) của
UJT.

điện trở
âm
- Bây giờ, ta cấp nguồn V
EE
vào cực phát và nền B
1
(cực dương nối về cực phát).
Khi V
EE
=0V (nối cực phát E xuống
I

I
V
0
lũng
Đỉnh
Thung
V
E
V
P
I
E
I
V
0
V
V
Hình 26
Trang 141 Biên soạn: Trương Văn Tám
.
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Khi V
E
=V
P
, nối P-N phân cực thuận, lỗ trống từ vùng phát khuếch tán vào vùng n
-

và di chuyển đến vùng nền B
1

giảm.
Khi I
E
đủ lớn, điện trở liên nền R
BB
chủ yếu là R
B2
. Kết thúc vùng điện trở âm là vùng
thung lũng, lúc đó dòng I
E
đủ lớn và R
B1
quá nhỏ không giảm nữa (chú ý là dòng ra cực
nền B
1
) gồm có dòng điện liên nền
B
cộng với dòng phát I
E
) nên V
E
không giảm mà bắt
đầu tăng khi I
tăng. Vùng này được gọi là vùng bảo hòa.
P
ủa cực phát E để t UJT hoạt động trong vùng
điện trở âm. Dòng điện thung lũng I
V
là dòng điện tối đa của I
E

Thí dụ trong mạch sau đây, ta xác định trị số tối đa và tối thiểu của R
E
EB1
BB
+V
B1
R
+
-
V
V
EB1
I
E
0
V
EB1
I
E
0 I
P
I
V
V
V
V
P
V
BB
> V

−=
∆
∆
−=

Và
V
VBBVBB
minE
I
V
IV0
VV
I
V
R
V
−
=
−
−=
∆
∆
−=
−

Như vậy:
P
PBB
E

=
+
=η
Tỉ số này cũng được định nghĩa khi cực phát E
để hở.
iện thế đỉnh V
P
và dòng điện đỉnh I
P
. V
P
giảm khi nhiệt độ tăng vì điện thế
ngưỡng của nối PN giảm khi nhiệt độ tăng. Dòng I
giảm khi V tăng.
- Điện thế thung lũng V
và dòng điện thung lũng I . Cả V và I đều tăng khi V
BB

hơn và V
BB
ở 10V. Trị số thông thường của V
Esat
là 4 volt (lớn
hơn nhiều so với diod thường).
Ổn định nhiệt cho đỉnh: Điện thế đỉnh V
P
là thông số quan trọng nhất của UJT. Như
đã thấy, sự thay đổi của đi đỉnh V
P
chủ yếu là do điện thế ngưỡng của nối PN vì tỉ

=10mA hay
ện thế
đổ .
ng các
ho m ở

Trang 143 Biên soạn: Trương Văn Tám
.
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử

Khi nhiệt độ tăng, điện trở liên nền R
BB
tăng nên điện thế liên nền V
B2B
o cho sự tăng của V
1
tăng. Chọn
R
2
sa
B2
N. Trị của R
2

được
B1
bù trừ sự giảm của điện thế ngưỡng của nối P
chọn gần đúng theo công thức:
BB
BB

R2
E
Hình 28
BB
330
V
B2
C1 .1
R1
E
R2
B1
V
V
R
10K
+12V
E
22
V
E
t
V
C1
0
C
1
nạp C
1
xã (rất nhanh)

* Dùng UJT tạo xung kích cho SCR

- Bán kỳ dương nếu có xung đưa vào cực cổng thì SCR dẫn điện. Bán kỳ âm SCR
ngưng.
- Điều chỉnh góc dẫn của SCR bằng cách thay đổi tần số dao động của UJT.
VIII. PUT (Programmable Unijunction Transistor).
Như tên gọi, PUT giống như một UJT có đặc tính thay đổi được. Tuy vậy về cấu
tạo, PUT khác hẳn UJT E
ỉnh V
P
, UJT bắt đều dẫn điện. Tụ C
1
phóng nhanh qua UJT và điện trở R
1
. Điện thế
hai đầu tụ (tức V
E
) giảm nhanh đến điện thế thung lũng V
z
330
B1
470uF
110V/50Hz
SCR
100K
20K
+

Cấu tạo Ký hiệu Phân cực
R
B2
GK
R
A
V
I
AK
V
A
AA
R
K
V
B1
Hình 31
Trang 145 Biên soạn: Trương Văn Tám
.