Giáo trình Linh Kiện Điện Tử

* Mạch tương đương của FET với tín hiệu nhỏ:
Người ta có thể coi FET như một tứ cự có dòng điện và điện thế ngõ vào là v
gs
và
i
g
. Dòng điện và điện thế ngõ ra là v
ds
và i
dc
i
g
v
gs
v
ds
i
d

Hình 39
Do dòng
ig
rất nhỏ nên FET có tổng trở ngõ vào là:
g
gs
i

∂
∂
+
∂
∂
=
Người ta đặt:

i
g
D
∂
=
và

i
1
D
∂
=

v
Q
GS
m
∂
vr
Q
DSo
∂


với E-MOSFET, do tổng trở vào r
π
rất lớn, nên tron
ỏ r
π
v
gs
D
S
r
π
g
m
v
gs
r
0
v
ds
i
d
Hình 40
G
Trang 116 Biên soạn: Trương Văn Tám
.
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
G D
i
d

ới đặc tuyến truyền tại điểm điều hành Q
Hình 41
Q
V
GS
(volt)
I
D
(mA)
Độ dốc tại điểm I
D
= I
DSS
là g
mo
∆V
GS
∆
I
D
V
GS(off)
I
DSS
Độ dốc tại điểm Q là:
)t(gs
)t(d
GS
D
GS


2
GS
DSS
V
V
1I
⎥
⎤
⎢
⎢
⎣
⎡
−=
)off(GS
D
I
⎥
⎦
Hình 42
d
=
Trang 117 Biên soạn: Trương Văn Tám
.
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Ta suy ra:
2
GS
DSS
D

m
V
V
1
V
I2
g
rị số của g
m
khi V
GS
= 0volt (tức khi I
D
=I
DSS
) được gọi là g
mo
.
ậy:
T
)off(GS
DSS
mo
V
I2
g
V
−=
ừ đó ta thấy:
⎥

: Điện thế phân cực cổng - nguồn làm JFET hay DE-MOSFET ngưng.
ừ công thức:
: là điện dẫ i tín hiệu nh
T
2
)off(GS
GS
DSSD
V
V
1II
⎥
⎥
⎦
⎤
⎢
⎢
⎣
⎡
−=
⎥
⎥
⎦
⎤
⎢
⎢
⎣
⎡
−=
1

D
theo V
GS
của E-MOSFET khác với JFET và
DE-MOSFET nên điện dẫn truyền của nó cũng khác.
ừ công thức truyền của E-MOSFET

Ta có:
D
tại điểm điều hành Q. g
mo
được xác định từ các thông số I
DSS
và
ấp.
X. ĐIỆN DẪN TRUYỀN CỦA E-MOSFET.
Do c
T
[]
2
)th(GSGSD
VVKI −=

[]
[
]
2
)th(GSGS
GSGS
D

D
: Dòng diện phân cực cự
Trang 118 Biên soạn: Trương Văn Tám
.
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Ta thấy g
m
tùy thuộc vào dòng điện thoát I
D
, nếu gọi g
m1
là điện dẫn truyền của E-
MOSFET ứng với dòng thoát I
D1
và g
m2
là điện dẫn truyền của E-MOSFET ứng với dòng
thoát I
D2
Ta có:
1D1m
KI2g =
và
2D2m
KI2g =
nên:
1D
2D
1m2m
I


V
GS(th)
0
V
GS
(volt)

XI. TỔNG TRỞ VÀO VÀ TỔNG TRỞ RA CỦA FET.
Hình 43
- Giống như ở BJT, người ta cũng dùng hiệu ứng Early để định nghĩa tổng trở ra của
FET (ở vùng bảo hòa, khi V
DS
tăng, dòng điện I
D
cũng hơi tăng và chùm đặc tuyến ra
cũng hội tụ tại một điểm gọi là điện thế Early).
Nếu gọi V
A
là điện thế Early ta có:
FET cuûa ratrôû Toång : r
o
D
A
o
I
V
r =

−


XII. CMOS TUYẾN TÍNH (LINEAR CMOS).
một E-MOSFET kênh N mắc như hình sau
đây t
hật ra nó được cấu trúc như sau:
i ta có thể bỏ cả r
o
ngườ

H

Nếu ta có một E-MOSFET kênh P và
a được một linh kiện tổ hợp và được gọi là CMOS (Complementary MOSFET).
T
v

d
Hình 45 (b)
v
gs
G
D
S
g
m
v
gs
v
ds
i
d
Hình 45 (c)
G
G
1
S
1
D
1
G
2
2
S
2
D
v