Chào mừng cô và các bạn đang đến với bài
thuyết trình của nhóm

1


Thành viên nhóm 8:
VŨ DUY HẢI
LÊ TRÚC HÒA
HOÀNG XUÂN ÁI
NGUYỄN THANH BÌNH

2


Chủ Đề:
Nghiên cứu phương pháp Von-Ampe hòa tan với điện cực paste nanocacbon
biến tính bằng oxit bitmut để xác định hàm lượng vết cadimi (Cd), indi (In) và
chì (Pb)

3


Nội dung nghiên cứu

I

Tổng quan về phương pháp nghiên cứu

II


paste cacbon....



Giai đoạn hoà tan: Hoà tan chất phân tích khỏi bề mặt điện cực làm việc bằng cách quét thế theo một chiều
xác định (anot hoặc catot) đồng thời ghi đường Vonampe hoà tan bằng một kĩ thuật điện hoá nào đó.
+ Nếu quá trình hòa tan ở anot thì gọi là phương pháp Von-Ampe hòa tan anot (ASV)
+ Nếu quá trình hòa tan ở catot thì phương pháp được gọi là Von-Ampe hòa tan catot (CSV).

6


1.2. Các kỹ thuật ghi đường Von - Ampe hòa tan

 Von-Ampe quét thế tuyến tính (LC)
 Von-Ampe xung vi phân (DP)
 Von-Ampe sóng vuông (SWV),…
1.3. Ưu điểm của phương pháp Von - Ampe hòa tan

 Phương pháp SV có độ nhạy và độ tin cậy cao, có quy trình phân tích đơn giản, có thể
giảm thiểu được ảnh hưởng của các nguyên tố cản bằng cách chọn đúng các điều kiện thí
nghiệm: như nền điện phân, thế điện phân làm giàu, pH…

 Trong những nghiên cứu về độc học và môi trường, phương pháp SV có thể xác định
được các dạng tồn tại của các chất trong môi trường và có thể phân tích hiện trường vết
các chất.

7




9


3.

Giới thiệu chung về Cd, In và Pb

10


Cadimi, 48Cd

Indi, 49In

Chì, 82Pb

11


Ứng dụng
Cd




In




Các bệnh liên quan đến hô hấp

In



Indi tinh khiêt không độc. Nhưng hợp chất của

và thận, gan và thận, gây ung

indi có thế gây độc, ví dụ như triclorua indi khan

thư, các chứng loãng xương,…

(InCl3) là độc hại; photphua indi (InP) có thể

Pb



Gây tổn hại cho hệ thần kinh, gây ra
các chứng rối loạn não và máu….

gây ung thư…

12


Chương II: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN



1

Thế điện phân làm giàu

Edep

V

-1,2

2

Thời gian điện phân làm giàu

tdep

s

60 ÷ 120

3

Thời gian sục khí nitơ đuổi oxi

tN2

s

120


7

Thời gian nghỉ

trest

s

20

14


1.

NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO ĐIỆN CỰC LÀM VIỆC (Bi2O3-CNTPE)

 Quy trình chế tạo điện cực.
 Nghiên cứu cấu trúc bề mặt điện cực.
 Nghiên cứu ảnh hưởng của kích cở điện cực đến tính hiệu von-ampe hòa tan.
 Nghiên cứu ảnh hưởng của tỉ lệ trộn vật liệu điện cực.

15




Quy trình chế tạo điện cực.
0

Hình 1.5. Bề mặt điện cực Bi2O3-CNTPE đã đƣợc

lớp màng Bi.

phủ lớp màng Pb/Bi

19


Nghiên cứu ảnh hưởng của kích cở điện cực đến tính hiệu von-ampe hòa tan.

Kích cở
(đường kính) (mm)

1,8

2,2

2,5

3,0

3,2

3,5

4.0

Cd


Pb

0,77

0,91

1,39

2,28

3,05

1,61

2,59

Ip(µA)

Bảng 2: Ảnh hưởng của kích cỡ điện cực đến Ip của Cd, In, Pb

20


Hình 1.6. Phổ đồ DP-ASV của Cd, In và Pb ở các kích

Hình 1.7. Sự phụ thuộc Ip của Cd, In và Pb vào

cỡ bề mặt điện cực khác nhau

kích cỡ bề mặt điện cực khác nhau

a)

60:1:39

b)

58:3

c)

:39

58:5:37

Hình 1.8.Ảnh hưởng của tỉ lệ trộn
CNT: Bi2O3: Dầu parafin (theo khối
lượng)

23

d) 58:7:35

e) 57:8:35


2.

NGHIÊN CỨU ĐẶC TÍNH ĐIỆN HÓA CỦA ĐIỆN CỰC LÀM VIỆC (Bi2O3CNTPE)

2.1 Khoảng thế làm việc của nền