NGUYỄN THỊ THU HUYỀN
BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO
TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI
---------------------------------------
NGUYỄN THỊ THU HUYỀN
KHOA HỌC VÀ KỸ THUẬT VẬT LIỆU PHI KIM
NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VẬT LIỆU CÓ CẤU HÌNH DÂY NICOP/CU VÀ
MÀNG NICOP/ NHỰA ACRYLON NITRYL BUTADIEN (ABS) CÓ HIỆU
ỨNG TỪ TỔNG TRỞ KHỔNG LỒ (GAINT MAGNETOIMPEDANCE GMI) BẰNG PHƯƠNG PHÁP MẠ HÓA HỌC
LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC
KHOA HỌC VÀ KỸ THUẬT VẬT LIỆU PHI KIM
KHOÁ 2009 - 2011
Hà Nội - Năm 2011
Luận văn thạc sĩ
Nguyễn Thị Thu Huyền
LỜI CẢM ƠN
Luận văn này được thực hiện tại Bộ môn Công nghệ Điện hoá và Bảo vệ Kim
loại, Trường Đại học Bách khoa Hà Nội. Để hoàn thành được luận văn này tôi đã
nhận được rất nhiều sự động viên, giúp đỡ của nhiều cá nhân và tập thể.
Trước hết, tôi xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc đến người thầy của tôi, TS. Mai
(Gaint Magnetoimpedance-GMI) bằng phương pháp Mạ hóa học’’ là công trình
nghiên cứu của riêng tôi, số liệu nghiên cứu thu được từ thực nghiệm và không sao
chép.
Học viên
Nguyễn Thị Thu Huyền
2
Luận văn thạc sĩ
Nguyễn Thị Thu Huyền
MỤC LỤC
LỜI CẢM ƠN
LỜI CAM ĐOAN
MỤC LỤC
DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU, CÁC CHỮ VIẾT TẮT
DANH MỤC CÁC BẢNG BIỂU
DANH MỤC CÁC HÌNH
MỞ ĐẦU
CHƯƠNG 1. TỔNG QUAN
1
2
3
5
6
2.1.2.1 Quy trình chuẩn bị mẫu nền đồng................................................................51
2.1.2.2. Quy trình chuẩn bị mẫu nhựa......................................................................52
3
Luận văn thạc sĩ
Nguyễn Thị Thu Huyền
2.2. CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN TÍCH.......................................................................52
2.2.1. Phương pháp phân tích bề mặt bằng kính hiển vi điện tử quét (SEM)..............52
2.2.2. Phương pháp cấu trúc bằng nhiễu xạ tia X (X - Ray Diffraction - XRD) ........55
2.2.3. Phương pháp thành phần hoá học bằng phổ kế tán sắc năng lượng (X – ray
energy dispersive spectroscope - EDX).......................................................................57
2.2.4. Các phương pháp phân tích từ tính....................................................................58
2.2.4.1. Từ kế mẫu rung-VSM (Vibrating Sample Magnetometer).........................58
2.2.4.2. Hệ đo từ tổng trở khổng lồ (Giant Magneto Impedance-GMI) .................60
2.2.5. Phép đo đường cong phân cực...........................................................................61
CHƯƠNG 3: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN
65
3.1. NGHIÊN CỨU CÁC ĐẶC TÍNH CỦA HỆ NICOP/CU.........................................65
3.1.1. Xác định chiều dày lớp mạ phương pháp hiển vi quang học.............................65
3.1.2. Xác định khả năng chống ăn mòn bằng phương pháp đường cong phân cực ...68
3.1.3. Phân tích bề mặt mẫu bằng phương pháp hiển vi điện tử quét (SEM) ..............72
3.1.4. Phân tích thành phần hóa học các mẫu mạ bằng phổ kết tán sắc năng lượng
(EDX)...........................................................................................................................73
3.1.5. Phân tích cấu trúc tinh thể bằng phổ nhiễu xạ tia X ..........................................76
SEM (Scanning Electron Microscope) – Kính hiển vi điện tử quét
EDX (Energy Dispersive X-ray Spectroscopy) - Phổ tán sắc năng lượng hay phổ tán
sắc năng lượng tia X.
XRD (X -Ray Diffraction Spectrum) - Phổ nhiễu xạ tia Rơnghen (tia X)
VSM (Vibrating Sample Magnetometer) - Từ kế mẫu rung
5
Luận văn thạc sĩ
Nguyễn Thị Thu Huyền
DANH MỤC CÁC BẢNG BIỂU
Trang
Bảng 1.1. Khối lượng mất mát của lớp phủ Co,Ni và hợp kim Co-Ni trong
thời gian mài mòn
40
Bảng 2.1. Các bước chuẩn bị mẫu đồng
51
Bảng 2.2. Các bước chuẩn bị mẫu nhựa
52
Bảng 3.1. Kết quả chiều dày và khối lượng riêng của lớp mạ
Bảng 3.8. Kết quả lực kháng từ và đặc trưng GMI của hệ màng NiCoP từ
tính
92
6
Luận văn thạc sĩ
Nguyễn Thị Thu Huyền
DANH MỤC CÁC HÌNH
Hình 1.1. Đồ thị tỷ số ∆ Z/Z phụ thuộc vào từ trường ngoài một chiều Hdc,
công thức tính toán tỷ số GMI [ ∆ Z/Z(%)] và độ nhạy từ trường ( ξ )
Trang
13
Hình 1.2. Cấu trúc domain của dây VDH bao gồm lớp vỏ và lõi
16
Hình 1.3. Đường cong GMI phụ thuộc vào tần số của mẫu băng từ vô định
hìnhvà nano tinh thể
21
28
Hình 1.10. (hình a) Sự thay đổi của điện trở suất theo nhiệt độ ủ đối với
mẫu hợp kim Finemet Fe-Si-B-Nb-Cu dạng dây (wire) và dạng băng
(ribbon); (hình b) sự phụ thuộc của tỷ số GMI ( ∆Z / Z ) vào từ trường
ngoài trong mẫu dây VĐH nền Co đo ở các chiều dài khác nhau
29
Hình 1.11. Đường cong từ trễ của dây VĐH nền Co: (hình a) dây VĐH có
hệ số từ giảo dương, (hình b) dây VĐH có hệ số từ giảo âm,(hình c) dây
VĐH có hệ số từ giảo rất nhỏ
30
Hình 1.12. Cấu trúc của vật liệu dây từ 2 lớp dạng MF; với F =NiCoP và
M= Cu
31
Hình 1.13. Sự phụ thuộc của ∆Z / Z vào từ trường ngoài của (hình a) dây
32
7
Luận văn thạc sĩ
44
Hình 1.20. Sự phụ thuộc của thành phần hóa học của lớp phủ hợp kim
NiCoP vào tỉ lệ kim loại (Co2+/(Co2++Ni2+))
45
Hình 1.21. Sự phụ thuộc của tốc độ mạ vào tỉ lệ kim loại
(Co2+/(Co2++Ni2+)) trongdung dịch mạ
45
Hình 1.22. Sự phụ thuộc của tốc độ mạ, hàm lượng Co và P trong hợp kim
NiCoP vào nồng độ NaH2PO2
46
Hình 1.23. Sự phụ thuộc của tốc độ mạ, hàm lượng Co và P trong hợp kim
NiCoP vào nồng độ chất tạo phức (Na3C6H5O7 . 2H2O)
46
Hình 1.24. Sự phụ thuộc của tốc độ mạ, hàm lượng Co và P trong hợp kim
NiCoP vào nhiệt độ cuả bể mạ
47
Hình 1.25. Sự phụ thuộc của logv (tốc độ mạ) vào nhiệt độ của bể mạ
56
Hình 2.4.Cấu tạo phổ kế tán sắc năng lượng EDS
57
Hình 2.5. Sơ đồ khối thiết bị từ kế mẫu rung VSM
59
Hình 2.6. Sơ đồ nguyên lý đo của hiệu ứng GMI
61
Hình 2.7. Sơ đồ mạch đo điện hoá-phân cực
61
Hình 2.8. Xác định điện trở phân cực Rp
62
Hình 2.9. a) Đồ thị E - i; b) Đồ thị E - Ln|i|
64
Hình 3.1. Ảnh hiển vi quang học của các mẫu mạ NiCoP/Cu ở các dung
dịch có nồng độ khác nhau
trong lớp mạ NiCoP trên nền đồng
73
Hình 3.8. Phổ XRD của các mẫu mạ ứng với nồng độ Co2+ khác nhau
trong dung dịch: Mẫu NiCoP/Cu-1: 0mol/l; Mẫu NiCoP/Cu-2:
0,0075mol/l; Mẫu NiCoP/Cu-3: 0,015mol/l; Mẫu NiCoP/Cu-4:
0,0225mol/l; Mẫu NiCoP/Cu-5: 0,03mol/l
75
Hình 3.9. Đường cong từ hóa của các mẫu NiCoP/Cu mạ ở các
77
dung dịch khác nhau
9
Luận văn thạc sĩ
Nguyễn Thị Thu Huyền
Hình 3.10. Sự phụ thuộc Hc vào nồng độ CoSO4 trong dịch mạ
77
Hình 3.11. Đồ thị GMI phụ thuộc vào từ trường ngoài đo cùng tần số hệ
dây micro NiCoP/Cu khi mạ ở các dung dịch khác nhau
Hình 3.17. Phổ EDX của các mẫu mạ trên nền nhựa ABS ứng với nồng
độ Co2+ khác nhau trong dung dịch
87
Hình 3.18. Ảnh hưởng của nồng độ CoSO4 tới thành phần các nguyên tố
trong lớp mạ NiCoP trên nền nhựa ABS
88
Hình 3.19. Phổ XRD của các mẫu mạ trên nền nhựa ứng với nồng độ Co2+
khác nhau trong dung dịch
89
Hình 3.20. Đường cong từ hóa của các mẫu NiCoP/ABS mạ ở các
90
dung dịch khác nhau
Hình 3.21. Sự phụ thuộc Hc vào nồng độ CoSO4 trong dịch mạ
91
Hình 3.22. Đồ thị GMI phụ thuộc vào từ trường ngoài đo cùng tần số
màng NiCoP khi mạ ở các dung dịch khác nhau
91
10
11
Luận văn thạc sĩ
Nguyễn Thị Thu Huyền
- So sánh hiệu ứng từ tổng trở khổng lồ trong hai loại vật liệu dạng dây và
màng với thành phần cấu trúc lớp vật liệu từ giống nhau.
4. Phương pháp nghiên cứu
Nghiên cứu đã sử dụng các phương pháp khoa học và chính xác để xác định
một số tính chất lớp vật liệu từ NiCoP tạo thành trên các nền vật liệu khác nhau, sử
dụng các phương tiện hiện đại như hiển vi điện tử quét (SEM), phổ tán sắc năng
lượng (EDX) phổ nhiễu xạ tia X để xác định thành phần, cấu trúc của lớp vật liệu
từ. Nghiên cứu cũng đã dùng phép đo từ kế mẫu rung VSM và từ tổng trở khổng lồ
GMI để khảo sát tính chất từ của các hệ vật liệu.
12
Luận văn thạc sĩ
Nguyễn Thị Thu Huyền
CHƯƠNG 1. TỔNG QUAN
1.1 VẬT LIỆU CÓ HIỆU ỨNG TỪ TỔNG TRỞ KHỔNG LỒ (GMI)
1.1.1 Hiệu ứng từ tổng trở khổng lồ GMI
1.1.1.1. Khái niệm về hiệu ứng GMI
Hiệu ứng từ tổng trở khổng lồ (Giant magneto-impedance-GMI) được định
dòng điện xoay chiều với tần số là ƒ chạy dọc theo mẫu được xác định theo công
thức sau [15]:
Z=
E Z ,0 l
2πaH ϕ , 0
= (R + iX ) = Rdc
Trong đó: k = (1+i)/ δ ,
ka J 0 (ka )
2 J 1 (ka )
(1.2)
J0 và J1 là các hàm Bessel, a là bán kính
của dây, tại tần số cao ( ka >> 1 ) biểu thức hàm Bessel được tính gần đúng:
⎛ a ⎞
R ≈ X ≈ Rdc ⎜ ⎟
⎝ 2δ ⎠
(1.3)
δ là độ thấm sâu được tính bằng công thức:
δ = c(4π 2σµ p f )−1/2 =
2ρ
(∆Z / Z ) Mã
∆H
(1.6)
1.1.1.2. Lý thuyết từ học về hiện tượng GMI
Hiệu ứng từ tổng trở khổng lồ (GMI) là một dạng khác của hiệu ứng cảm
ứng từ và được biết đến như là sự thay đổi mạch tổng trở Z của vật dẫn có từ tính
dưới tác dụng của từ trường ngoài H và dòng điện tần số cao. Cơ chế hiệu ứng GMI
mang bản chất điện từ và có thể được giải thích bằng lý thuyết điện động lực học cổ
điển. Theo L.V. Panina bản chất điện từ của hiệu ứng MI là sự kết hợp giữa hiệu
ứng bề mặt và sự phụ thuộc của độ thẩm từ hiệu dụng ( µ eff) của dây dẫn và từ
trường tương ứng với sự chuyển động vòng của các momen từ trong cấu trúc
domain đặc biệt [33].
Tổng trở cao tần Z của dây dẫn từ tính dưới tác động của từ trường ngoài (H)
được xác định bởi hai thông số đặc trưng cơ bản là độ thẩm từ hiệu dụng µ eff và tần
số của dòng điện (f), được tính theo biểu thức sau:
Z = A.
f .µ eff ( f , H )
(1.7)
với A là hệ số tỷ lệ, Z= X 2 + R 2 và: X là phần ảo; R là phần thực
1/ 2
Như vậy khi làm việc ở một tần số nhất định thì Z tỷ lệ với µ eff
. Còn khi
làm việc ở một từ trường nhất định, do µ eff thường giảm theo tần số nhanh hơn so
với của tần số f nên nói chung Z giảm khi tần số tăng. Tuy nhiên cần chú ý là tuy Z
Trong đó:
µdw : là độ từ thẩm do quá trình dịch vách (domain wall)
µrot : là độ từ thẩm do quá trình quay vectơ từ độ
Khi từ trường tăng thì µdw(H) giảm do thành phần từ độ trong mỗi domain
giảm khi moment từ hướng theo từ trường ngoài. Ngược lại µ rot(H) tăng cùng với
từ trường sau đó giảm nếu từ trường tăng nữa bởi vì moment từ được ghim theo
hướng từ trường ngoài.
Ở vùng tần số thấp quá trình dịch vách domain ở lớp vỏ chiếm ưu thế hơn so
với quá trình quay vectơ từ độ ở domain lõi. Ở tần số cao quá trình dịch vách bị dập
tắt bởi dòng xoáy (dòng Fuco), khi này đóng góp vào độ thẩm từ hiệu dụng µ eff chỉ
16
Luận văn thạc sĩ
Nguyễn Thị Thu Huyền
do quá trình quay vectơ từ độ trong domain lõi của dây dẫn dưới tác dụng của từ
trường ngoài một chiều.
Có thể tính toán sự thay đổi của µ t dưới tác dụng của từ trường ngoài Hext
bằng việc xem xét mô hình giản đơn domain. Trong hệ trục toạ độ vuông góc cho ta
thấy quá trình quay từ độ được dùng để miêu tả µ t = µ t(Hext). Từ trường ngoài Heff
và dòng điện i tác dụng dọc theo trục của dây. Trục dễ từ hoá làm với phương
ngang một góc bằng θ k và Ht là từ trường ngang sinh ra bởi dòng điện. Năng lượng
tự do để làm vectơ từ độ quay đi một góc θ từ trục dễ từ hoá được cho bởi biểu
thức sau:
E = K.sin2 θ -MsHext.sin( θ + θ k )-MsHtcos( θ + θ k )
(1.9)
Nguyễn Thị Thu Huyền
trên bề mặt của dây dẫn và giảm mạnh khi đi sâu vào bên trong lõi của dây dẫn và
người ta gọi hiện tượng này là hiệu ứng bề mặt.
Đặc trưng của hiệu ứng bề mặt người ta đưa ra đại lượng δ độ thấm sâu
được tính theo công thức (1.4) và được định nghĩa là khoảng cách từ bề mặt đến vị
trí mà mật độ dòng điện giảm còn gần 30% so với bề mặt.
Trong đó: δ là độ thấm sâu bề mặt, µ là độ từ thẩm của vật liệu, trong vật liệu
độ từ thẩm phụ thuộc vào tần số và dòng điện xoay chiều, độ lớn của từ trường
ngoài. Sự phụ thuộc mạnh của độ từ thẩm µ vào từ trường ngoài của vật liệu từ
mềm thể hiện hiệu ứng GMI. Khi thấm sâu vào vật liệu một lớp δ thì mật độ dòng
điện giảm đi e lần và có thể coi dòng điện chỉ tập trung ở chiều dầy δ trên bề mặt
dây dẫn. Khi thay đổi thì tổng trở của dây dẫn thay đổi theo và chiều dầy δ càng nhỏ
thì dòng điện chủ yếu tập trung phân bố trên một lớp rất mỏng ở bề mặt dây dẫn.
Từ công thức trên có thể thấy chiều sâu thấm từ phụ thuộc vào tần số góc ω
của dòng xoay chiều, điện trở suất ρ và độ thẩm từ µ . Trong vật liệu phi từ, độ
thẩm từ µ không phụ thuộc vào tần số dòng xoay chiều và từ trường ngoài một
chiều, nó tiến gần tới độ từ thẩm của chân không µ o=4. π .10-7H/m. Ngược lại,
trong vật liệu sắt từ, µ phụ thuộc vào tần số dòng xoay chiều, độ lớn của từ trường
xoay chiều, hướng và độ lớn của từ trường một chiều, biến dạng cơ học và nhiệt độ.
Trong dây từ, hiệu ứng GMI xảy ra ở tần số cao khi trong mẫu có dòng điện
xoay chiều i = Ioej.ω.t, từ trường một chiều tác dụng theo chiều dọc của dây. Ở tần số
mà chiều dày của lớp từ trở nên có thể so sánh được với chiều sâu lớp thấm từ δ thì
tổng trở của dây dẫn tỷ lệ với tần số dòng xoay chiều và độ thẩm từ ngang µ t
(transverse permeability) dây từ.
Hiệu ứng GMI ở tần số cao có thể giải thích thông qua sự phụ thuộc từ
trường của độ từ thẩm ngang tương ứng với hướng của dòng xoay chiều trong mẫu
và hiệu ứng bề mặt. Bởi vì dòng xoay chiều có xu hướng tập trung ở gần bề mặt vật
dẫn, tổng trở Z thay đổi theo sự phân bố của dòng và hình dạng vật dẫn.
thuộc vào vật liệu mà chỉ phụ thuộc vào điện trở suất ρ của vật liệu và từ trường
ngoài ảnh hưởng rất ít đến vật liệu. Như vậy tổng trở luôn tăng khi tăng tần số của
dòng điện, ở đây không xuất hiện hiệu ứng MI. Ngược lại đối với dây dẫn là vật liệu
từ mềm tốt (vô định hình nền Co và nano tinh thể nền Fe) có độ từ thẩm rất lớn
µ~100000, lực kháng từ HC ~1-5A/m và thay đổi rất mạnh theo từ trường và tần số
(giảm mạnh khi tăng từ trường và tần số). Như vậy sự có mặt của từ trường ngoài
và từ trường ngang do dòng cao tần làm từ hóa vật dẫn từ mềm đến gần trạng thái
bão hoà tức là độ từ thẩm µ giảm tiến đến 1 và ở một tần số này có nghĩa là tổng trở
của dây dẫn từ mềm giảm mạnh. Đây chính là nguồn gốc của hiệu ứng GMI.
19
Luận văn thạc sĩ
Nguyễn Thị Thu Huyền
1.1.1.3. Các thông số ảnh hưởng đến hiệu ứng GMI
Như đã biết độ từ thẩm hiệu dụng µ là hàm của tần số ω và từ trường ngoài
Hext. Đối với các vật dẫn phi từ µ ∼ 1, khi từ trường tác động độ thấm từ gần như
không đáng kể, có thể bỏ qua. Do đó, tổng trở của chúng chỉ thay đổi theo tần số.
Nhưng đối với các vật liệu từ mềm có độ từ thẩm rất lớn (µ ∼ 104), thì độ từ thẩm
thay đổi mạnh theo từ trường và tần số, kéo theo sự thay đổi mạnh tổng trở Z khi từ
trường và tần số thay đổi. Như vậy, hiệu ứng GMI phụ thuộc mạnh vào sự thay đổi
của độ từ thẩm theo tần số của dòng điện chạy qua dây dẫn và từ trường ngoài một
chiều đặt vào
a) Tần số dòng điện xoay chiều
Tổng trở Z của một vật dẫn hình trụ được tính theo công thức [11,15]:
Z= RdckaJ0(ka)/2J1(ka)
nano tinh thể [10] ( xem hình 1.3).
Hình 1.3. Đường cong GMI phụ thuộc vào tần số của mẫu băng từ vô định hình
và nano tinh thể [10]
b) Từ trường ngoài một chiều
Các nghiên cứu lý thuyết đã chỉ ra rằng hiệu ứng GMI liên hệ đến hiệu ứng
bề mặt (đại lượng đặc trưng cho hiệu ứng bề mặt là độ thấm sâu δ). Ở tần số cao, độ
thấm sâu δ nhỏ, dòng điện chỉ phân bố trên một lớp rất mỏng ở bề mặt dây dẫn có
nghĩa là dòng điện bị cản trở mạnh (tổng trở lớn) và ngược lại. Lý thuyết và thực
nghiệm cho thấy δ phụ thuộc vào tần số dòng điện chạy qua dây dẫn, tính chất từ
của vật liệu và từ trường ngoài đặt vào vật dẫn theo biểu thức sau [34]:
δ =
2ρ
(1.4)
µω
Mối liên hệ giữa độ thấm sâu bề mặt δ, độ từ thẩm µ và từ trường ngoài Hext
được thể hiện trên hình 1.4. Khi từ trường ngoài Hext tăng thì độ từ thẩm µ giảm dẫn
tới độ thấm sâu bề mặt tăng và ngược lại.
Ngoài ra, với sự có mặt đồng thời của từ trường ngoài một chiều Hdc đặt vào
và từ trường xoay chiều Hac do dòng điện cao tần sinh ra, quá trình từ hoá (quá trình
dịch vách đômen và quá trình quay vectõ từ ðộ) trong vật dẫn từ thay ðổi, từ ðó dẫn
21
Luận văn thạc sĩ
thẩm µ và làm tăng Z. Giá trị lớn nhất của µ đạt được khi trường ngoài đạt giá trị
cân bằng với trường dị hướng Hk, tại điểm đó trở kháng Z đạt giá trị cực đại. Nếu
tiếp tục tăng Hext tới điểm mà quá trình quay của vectơ từ hóa chiếm ưu thế sẽ làm µ
giảm tới một hằng số có giá trị rất nhỏ và Z sẽ giảm tương ứng với µ. Vì thế biểu đồ
thay đổi tổng trở theo sự phụ thuộc từ trường ngoài ∆Z/Z (H) sẽ thể hiện các đặc
trưng dạng một pic (single peak) hoặc hai pic (double peak) như trình bày trong
hình 1.5.
22
Luận văn thạc sĩ
Nguyễn Thị Thu Huyền
Hình 1.5a. Quá trình từ hóa bởi sự quay từ độ bão hòa xung
quanh theo từ trường hướng trục có dạng đặc trưng một pic [17]
Hình 1.5b. Quá trình từ hóa bởi sự quay từ độ bão hòa xung quanh theo từ
trường hướng trục và uốn cong vách từ độ có dạng đặc trưng hai pic [17]
1.1.1.4. Một số ứng dụng công nghệ
Như đã phân tích ở trên, do có độ nhạy từ trường cao hiệu ứng GMI có rất
nhiều ứng dụng mà đầu tiên phải kể đến là để chế tạo các thiết bị cảm biến. Hoặc
trong chế tạo các thiết bị điện tử như đầu thu ăngten, điều khiển và đo lường tự
động, các phần tử nhớ (vật liệu có chu trình trễ hình chữ nhật), thiết bị dò mìn, bom,
thủy lôi [12]. Đặc biệt gần đây người ta đã kết hợp sensor từ GMI với công nghệ
sóng bề mặt SAW (surface acoustic wave ) để tạo ra các sensor từ không dây có độ
nhạy cao, nhiều khi lên tới 100nT và dải thông lớn hơn 10MHz. Các thiết bị này có
nhiều ứng dụng trong thực tiễn như sensor đo độ mòn và áp suất lốp xe [12].
Cảm biến lực
Hình 1.6. Một số ứng dụng của vật liệu có hiệu ứng từ tổng trở khổng lồ (GMI)
24
Copyright: Tài liệu đại học ©