1
BÀI GIẢNG TÓM TẮT MÔN : ĐIỆN TỬ 2
Người soạn : TS.Phạm Hồng Liên

Chương 1 : ĐÁP ỨNG TẦN SỐ THẤP CỦA MẠCH KHUẾCH
ĐẠI GHÉP RC

I. Đáp ứng tần số thấp của bộ khuếch đại dùng tranistor
:
1. Tụ điện bypass emitter : H.1_1
L
i
i
o->o
->oo
E
+
Vbb
C
i
Vcc
Cc2
Cc1
r
Rb
R
Re
Rc

L

)1(
1
//
*
1E
Rhib
hfe
Rbri
++
+
(có r
i
,có R
E1
)
i
i
'=
)2(
1
//
//
*
1Eib
ib
ib
Rh
hfe
rR
rR

(1')
(khi có r
i
)

i
i'
=
)2(
1
hib
hfe
R
R
b
b
+
+

(khi không có r
i
)

i
i
'= )'2(
1
//
//
hib

s

A
im
=-
'b
b
R
R
=-
)4(
1
hib
hfe
R
R
b
b
+
+
(không có r
i
,không có R
L
)
A
im
=-
)'4(
1

E
ib
ib
b
ib
Rhib
hfe
rR
rR
R
rR
++
+
−=
(có r
i
, có R
E1
, không có R
L
)

A
im
=-
)4(
1
//
////
1

, có R
E1
và có cả R
L
)
)5(
1
1
EE
CR
=
ω

)6(
)'//(
1
2
bEE
L
RRC
==
ωω

( R'
b
thay đổi như trên)
A
io
=A
im

io

3
0
2. Tụ ghép C
c1
: H 1-7

i
L
L
i
i
->oo
+
Vbb
i
Vcc
Cc2
Cc1
r
Rb
R
Re
Rc

i
b
L
i

=R
b
//hie (1') (có tụ C
E
->
∞
hoặc R
E
= 0 )
Dạng hàm tryền cơ bản : A
i
=A
im
L
s
s
ω
+

(2)
A
im
=-
E
bi
Rhib
Rr
+
'//
(3) ( không có tụ C

'//
(3")
( không có tụ C
E
, có R
L
)
1
1
( ' )
L
i b C
r R C
ω =
+
(4)

3. Cacù tụ ghép cực nền (C
c1
) và tụ ghép collector (C
c2
) :
A
i

A
im
L
ω


L
+
Vbb
i
Vcc
Cc2
Cc1
r
Rb R
Re
Rcic
i
l
L
i i
(1+hfe)
Re
ib
L
i
>
ib
fe
Cc2
h
hie
r

Rr
RR
R
++
'//

(2)
)4(
)(
1
&)3(
)'(
1
2
2
1
1
cLCcbi
CRRCRr
+
=
+
=
ωω

Trường hợp
21
ωωω
==
o

2
6
2
4
2
2
2
2
1
4
1
2
2
2
1
2
ωωωω
ωω
ω
++
+
+
=
L
(7)

4. nh hưởng kết hợp của các tụ ghép và tụ bypass :
L
i
i


2)'(2
1
2
CcRr
f
bi
L
Cc
+Π
=
(4) II. Đáp ứng tần số thấp của bộ khuếch đại dùng FET
:
1. Tụ bypass cực nguồn :
L
i
->oo
o->o
Rd
VDD
Cs
Rs
+
-
Vi
Cc2
r

+
='
(2) vì R
g
>>r
i

B1 :
Ebi
LL
CRr
ff
CE
)'(2
1
+Π
=

tính C
E

B2 :
CECvCc
LLL
fff
10
1
21
==