Bài 6 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Trường (FET)
47
BÀI 6 : MẠCH KHUẾCH ĐẠI DÙNG
TRANSISTOR TRƯỜNG (FET)Điểm đánh giá CBGD nhận xét và ký tên
Chuẩn bị
Lý thuyết
Báo cáo
kết quả TN

Kiểm tra

Kết quả PHẦN I : CÁC CÂU HỎI CHUẨN BỊ Ở NHÀ
Căn cứ vào kiến thức đã học ở các môn Điện Tử 1, ĐIện Tử 2, Phần Cơ Sở Lý Thuyết gợi ý
của Giáo Trình Hướng Dẫn Thí Nghiệm Điện Tử Tương Tự, và cũng nhằm mục đích hiểu kỹ
tiến trình thí nghiệm, kiểm chứng bằng thực nghiệm những kiến thức lý thuyết đã học, sinh
viên phải chuẩn b
ị trước ở nhà những kiến thức sau đây trước khi vào Phòng Thí Nghiệm
:

I.1. Cho mạch điện cùng các trị số như Hình 6-1. Giả thiết dòng điện I
S
mong muốn là

OUT
C1
Cs
T1
JFET-N
D
G
S
IN
+20V
R1
15M
R2
2.2M
Bài 6 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT)
48

I.2. Cho mạch điện cùng các trị số như Hình 6-2. Giả thiết MOSFET hoạt động tại
I
D
=I
DSS
/2 và I
DSS
= 6mA, V
GSoff
(hay V
P
) = -6V. Xác định V
GS


I.3. Cho mạch điện cùng các trị số như Hình 6-3. Giả thiết r
d
= ∞ , I
DSS
= 8mA, V
P
= -4V,
V
GSQ
= -0.94V. Xác định A
v
, Z
i
, Z
o
.


1.3K
OUT
C2
IN
Rg
1M
T1
JFET-N
D
G
S
Cs
OUT
Rd1.2K
C1
Rs
200
+16V
Bài 6 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Trường (FET)
49
2. Tính giá trị A
v
, Z
i
, Z
o
:


Không cấp điện thế nuôi cho cực cổng của JFET.
Ghi giá trị dòng và thế trên transistor trường :
V
GS
= ……………………., V
DS
= ……………………., I
D
=
…………………….

Giải thích đặc điểm khác biệt giữa transistor trường FET (yếu tố điều khiển bằng
thế) và transistor lưỡng cực BJT (yếu tố điều khiển bằng dòng).
…………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………
Ngắt J3 , nối J1, J2 để phân cực thế cho cổng của JFET
Chỉnh biến trở P1 từng bước để có điện áp điều khiển V
GS
như bảng A6-1. Đo điện
áp V
DS
, tính dòng I
Db. Xác định giá trị điện thế nghẽn V
P
(punch off) = ………………… (V) II.1.2 KHẢO SÁT CHẾ ĐỘ XOAY CHIỀU AC:
II.1.2.1 Ngắt J3, nối J1, J2 , Chỉnh P2 để dòng qua T1 ~ 1mA

Bảng 6-2
Thông số cần đo Trị số điện áp vào V
IN
(p-p) = 100 mV
V
OUT

Độ lợi điện áp A
v
=
p)-IN(p
p)-OUT(p
V
VĐộ lệch pha ΔΦ


IN1
=100mV
- Tháo dây tín hiệu khỏi chân IN, Biên độ tín hiệu từ lối ra máy phát xung
(không tải) . V
IN2
= ……………
- So sánh biên độ xung trong hai trường hợp, tính sự mất mát biên độ (%) do
ảnh hưởng điện trở vào của sơ đồ.
ΔV (%) = …………………… II.1.2.3 Khảo sát đáp ứng tần số:

Giữ cố định biên độ điện áp tín hiệu vào V
IN (p-p)
= 100mV. Thay đổi tần số .
Biên độ đỉnh - đỉnh V
OUT(p-p)
tại ngõ ra
Bảng A6-3

Tần số máy phát f [KHz]
Biên độ V
OUT
(p
-
p)

Bài 6 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Trường (FET)
53

II.2 MẠCH KHUẾCH ĐẠI DÙNG MOSFET MẮC KIỂU
SOURCE CHUNG
(CS)
:
Sơ đồ mạch khuếch đại MOSFET kiểu Sourse chung
Ghi giá trị dòng ban đầu qua T1: V
R3
= …………., I
D
= ……………
Bảng 6-4

Thông số cần đo Trị số điện áp vào V
IN
(p-p) = 100 mV
V
OUT


)

Bài 6 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT)
54

II.3 MẠCH ĐÓNG MỞ DÙNG MOSFET (CS) :
- Lần lượt ngắn mạch các J theo yêu cầu trong bảng A 6-5, để khảo sát mạch
đóng mở dùng BJT (T1) và FET (T2), xác định trạng thái các LED và dòng I
B
trong mỗi trường hợp.
Bảng A6-4

STT J1 J2 J3 J4 J5 J6 TRẠNG THÁI LED Dòng I
B
1
1 1 1
2
1 1 1
3
1 1 1
4
1 1 1

- Trên cơ sở đó so sánh vai trò đóng mở của BJT và MOSFET.