VI XỬ LÝ &
CẤU TRÚC MÁY TÍNH
ĐH CNKT ĐIỆN TỬ TRUYỀN THÔNG K5
Giảng viên: Kiều Xuân Thực
Khoa Điện tử
Đại học công nghiệp Hà Nội
CHƯƠNG 4
BỘ NHỚ VÀ HỆ THỐNG LƯU TRỮ
Nội dung:
1. Tổ chức bộ nhớ của máy vi tính
2. Bộ nhớ trong
HANOI UNIVERSITY OF INDUSTRY
Faculty of Electronic Engineering
3. Bộ nhớ ngoài
1. Tổ chức bộ nhớ của máy VT
HANOI UNIVERSITY OF INDUSTRY
Faculty of Electronic Engineering
4
- Cấp 0: Tệp các thanh ghi (registers) bên trong bộ vi xử lý.
- Cấp 1: Cache sơ cấp L1 được tích hợp ngay trên bộ vi xử lý.
- Cấp 2: Cache thứ cấp L2 là bộ nhớ truy cập nhanh nhưng dung lượng nhỏ hơn bộ nhớ
chính, nằm bên ngoài vi xử lý.
- Cấp 3: Bộ nhớ chính được bộ vi xử lý đánh địa chỉ trực tiếp, chứa dữ liệu và các chương
trình hiện hành
- Cấp 4: Bộ nhớ ngoài, không được bộ vi xử lý đánh địa chỉ trực tiếp, bộ nhớ ngoài có dung
lượng rất lớn: ổ đĩa cứng DVD, Flash Disk, Memory Card
- Cấp 5: Bộ nhớ mạng - máy tính có thể truy cập tới bộ nhớ của một máy khác trên mạng.
Printed with FinePrint trial version - purchase at www.fineprint.com
2. Bộ nhớ trong
 Bộ nhớ trong: tạo từ các vi mạch nhớ bán dẫn
(ROM, RAM)

6F
72
79
20 49
73
20
55
73
65
66 75
6C
0
0
0
0
V
DD
V
DD
A
0
A
1
A
2
A
3
D
0
D

của
máy
tính
, firmware
của
các
HANOI UNIVERSITY OF INDUSTRY
Faculty of Electronic Engineering
VD:chứa
BIOS
của
máy
tính
, firmware
của
các
thiết bị điện tử, …
6
Các loại ROM
 ROM:
 Ma trận diode
 Chỉ đọc ra
2
n
ô nhớ
n đường
địa chỉ
Giải mã
11
10

 EEPROM – Electrically EPROM
 Ghi bằng xung điện
 Xoá bằng xung điện
 Flash ROM
 A modern type of EEPROM invented in 1980 by
Toshiba
HANOI UNIVERSITY OF INDUSTRY
Faculty of Electronic Engineering
Toshiba
 02 types: NAND and NOR array
 Can be erased and rewritten faster than ordinary
EEPROM, and newer designs feature very high
endurance (up to 1,000,000 cycles)
 Modern NAND flash makes efficient use of silicon
chip area, resulting in individual ICs with a capacity as
high as 32 GB as of 2007
9
RAM (Random Access Memory)
 SRAM – Statis RAM
 tốc độ nhanh (thời gian truy cập vài chục ns
 dung lượng nhỏ
 giá thành đắt
 chế tạo bộ nhớ cache nhằm cải thiện tốc độ của hệ
HANOI UNIVERSITY OF INDUSTRY
Faculty of Electronic Engineering
thống
 DRAM – Dynamic RAM
 Chậm, rẻ tiền
 Mỗi một phần tử nhớ là 01 tụ điện
 Lưu trữ thông tin bằng cách nạp/không nạp điện tích

13
 Địa chỉ đầu – cuối:
HANOI UNIVERSITY OF INDUSTRY
Faculty of Electronic Engineering
 VM làm việc khi:
 M/IO = 1
 A
11
= … = A
19
= 1
14
 BT1: Xây dựng mạch giải mã địa chỉ cho
2764, địa chỉ đầu DE000h
 BT2: Xây dựng mạch giải mã địa chỉ cho
27256,
địa
chỉ
đầu
80000h
HANOI UNIVERSITY OF INDUSTRY
Faculty of Electronic Engineering
27256,
địa
chỉ
đầu
80000h
15
VD2: TK bộ nhớ 4Kx16, ĐCĐ 7C000H
từ RAMs 4Kx8

A0 A19
A13
10
9
8
7
6
5
4
3
25
24
11
12
13
15
16
17
18
19
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
O0

A4
A5
A6
A7
A8
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D0 D7
A0
A15
74LS138
1
2
3
15
14
13
12
11
10
9
7
6
4

20
A8
A9
A10
A11
A12
OE
PGM
VPP
CE
A17
A19
VCC
62256
24
21
23
2
26
1
20
22
27
28
A8
A9
A10
A11
A12
A13

13
12
11
10
9
7
6
4
5
A
B
C
Y0
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
G1
G2A
G2B
D0 A0
10
9
8
7
6
5

8
7
6
5
4
11
12
13
15
16
17
18
A0
A1
A2
A3
A4
A5
D0
D1
D2
D3
D4
D5
VD5: Phân tích mạch ghép nối bộ nhớ
HANOI UNIVERSITY OF INDUSTRY
Faculty of Electronic Engineering
19
D7
A18

A19
1
2
3
A16
1
2
3
/RD
A12
/RD
/CE ROM2
A13
D7
OR5
1
2
3
4
5
6
ROM3
4
3
25
24
21
23
2
26

6
5
4
3
25
24
11
12
13
15
16
17
18
19
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6

VCC
D0
D7
A15
A13
AND2
D0 D7
A0
A14
A0
A0 A19
10
9
8
7
6
5
4
3
25
24
11
12
13
15
16
17
18
19
A0

27
28
A9
A10
A11
A12
A13
A14
CE
OE
W E
VCC
A14
AND4
74LS138
/WR
A17
AND2
A13
/RD
NAND4
/RDA19
A18
VCC
27128
24
21
23
2
26

tài
liệu
số
1
22
Printed with FinePrint trial version - purchase at www.fineprint.com