BÀI TP CUI CHNG BJT
3.1 Hãy dn xut các phng trình ca A
v
, A
i
và R
in
cho mch khuych i CE nh  hình P3.1.
3.2 Tính R
in
, A
v
, và A
i
khi có R
B
= R
L
= 5kΩ, R
E
= 1kΩ, và h
ie
= 0 cho mch khuych i CE nh 
hình P3.2. Cho β:
a) β = 200; b) β = 100; c) β = 10.
3.3 Hãy xác nh A
v
, A
i
và R
in

, R
2
, R
in
và A
i
. Mc công sut tiêu tán trong
transistor là bao nhiêu ?.
3.5 Xác nh A
v
cho mch khuych i  hình P3.3, trong ó h
ie
= 2kΩ, h
re
= 0, h
fe
= 200, và 1h
oc
=
8kΩ.
3.6 Cho mch khuych i emitter-chung nh  hình P3.4,
trong ó h
ie
= 1kΩ, h
oe
= 10S, và h
fe
= 50, vc tuyn cho
mi trng hp sau:
a) A

fe
ca transistor silicon bin
thiên t 50 n 150.
3.8 Hãy xác nh h
ie
, A
i
, R
in
, v
o
v
i
và R
o
cho mch khuych i CE nh  hình P3.6, nu h
fe
= 100 và
h
re
= h
oe
= 0.
3.9 Hãy so sánh các in tr vào và các h s khuych i n áp ca các mch khuych i tng
ng ac nh  hình P3.7.
3.10 Hãy thit k mch khuych i CE nh  hình P3.8, s dng transistor pnp khi có R
L
= 3kΩ, A
v
= - 10, V

i
= - 10, V
BE
= 0,7V, β = 200, và V
CC
= 15V. Xác nh tt c tr s ca các cu kin, R
in
, và  dao
ng ca n áp ra nh-nh ln nht.
3.13 Thit k mch khuych i CE  nhn c h s khuych i n áp là - 25 khi có R
in
= 5kΩ,
R
L
= 5kΩ, V
CC
= 12V, β = 200, và V
BE
= 0,7V. Xác nh tr s ca tt c các cu kin, h s khuych
i dòng in, và  dao ng ca n áp ra ln nht. S dng mch  hình P3.8, nhng vi transistor
npn.
3.14 Phân tích mch hình P3.9 và xác nh các yêu cu sau khi có β = 300, và V
BE
= 0,6V.
a) I
CQ
và V
CEQ
.
b)  dao ng n áp ra không nhiu.

BE
= 0,7V.
3.18 Thit k mch khuych i EF nh  mch hình P3.12,  u khin ti 200Ω s dng
transistor silicon pnp. V
CC
= - 24V,  = 200, A
i
= 10, và V
BE
= - 0,7V. Hãy xác nh tr s ca cu kin
và tính R
in
, I
CQ
, và  dao ng n áp ra i xng không méo dng i vi mi tr s ca R
E
cho di
ây:
a) R
E
= R
L
.
b) R
E
= 0,2R
L
.
c) R
E

L
= 1500Ω,
V
BE
= 0,7V, A
i
= 10, β = 200, và V
CC
= 16V. Hãy xác nh tr s ca cu kin, R
in
, A
v
, và  dao ng
in áp ra i xng ln nht.
3.22 Phân tích mch nh  hình P3.13, và xác nh các yêu cu sau khi có β = 300 và V
BE
= 0,6V:
a) I
CQ
và V
CEQ
.
b)  dao ng ca n áp ra không méo.
c) Công sut cn thit t ngun cung cp.
d) Công sut ra ln nht (ac không méo dng).
e) Các ng ti.
3.23 Thit k mch khuych i EF nh mch  hình P3.11a, u khin ti 10Ω vi V
CC
= 24V,
V

CQ
, R
1
, R
2
, R
B
và  dao ng ca n
áp ra. H s khuych i n áp là bao nhiêu khi R
1
c r mch bng mt tn có n dng ln?.
3.26 Thit k mch khuych i CB bng cách s dng các tr s cho  bài tp 3.25 ngoi tr h s
khuych i n áp là 100. Hãy xác nh tr s ca R
1
, R
2
, I
CQ
, R
B
và  dao ng ca n áp ra ln
nhât.
3.27 Thit k mch khuych i CB  có  dao ng in áp ln nht và tr kháng vào thp nht là
100Ω, R
L
= 8kΩ, V
CC
= 12V, và R
E
= 500Ω. S dng transistor npn có β = 200, và V

, V
3
, V
4
, I
C1
, và I
C2
ca mch  hình P3.15. β = 300 cho c hai
transistor.
3.30 Ghép trc tip mt mch khuych i CE vi mch EF (xem hình 3.15b))  cho  dao ng
ca n áp ra là 4V vi các tr s nh sau: V
CC
= 12V, A
v
= 10, Q
1
có β = 200 và V
BE
= 0,7V, Q
2
có β
= 100 và V
BE
= 0,7V, và R
E1
= 100Ω. Ly R
C
= 4kΩ, và xác nh R
1

i
, A
v
, và R
in
ca mch khuych i EF nh
 hình P3.18, khi cho β = 200 và h
ib
= 0.
3.34 Hãy xác nh các h s khuych i dòng và áp
toàn b, n tr vào cho mch khuych i ghép bin
áp nh  hình P3.19. S dng transistor npn, vi a = 4,
R
1
= 2kΩ, R
2
= 4kΩ, V
CC
= 15V, β = 200, và R
L
=
500Ω. B qua h
ie
.
3.35 Tính A
i
, A
v
, cho mch khuych i hai tng nh  hình P3.20. Các transistor là silicon.
3.36 Hãy xác nh A

CQ2
, R
in
, R
o
, và A
v
. Bit rng, V
BE
= 0,7V
và β = 100 i vi c hai transistor.