BÀI TP
4.1 Hc tuyn cho vùng làm vic ca transistor hiu ng trng kênh-n c th có
th gn úng bng phng trình:
( )
mA450
2
GS
v,i
D
+=
, khi duy trì các iu kin: R
S
=
500Ω, R
D
= 2kΩ, R
in
= 100kΩ, I
DQ
= 5mA, và V
DD
= 20V. Hãy xác nh các thông s
sau:
a) V
GSQ
; b) V
D
; c) V
DSQ
; d) R
1
= 3,16mS; e) A
i
.
4.3 Trong mch hình 4.16a, R
D
= 2kΩ, R
L
= 5kΩ, R
in
= 100Ω, R
S
= 300Ω, và V
DD
= 15V. Xác nh
các tr s ca R
1
và R
2
cn thit transistor làm vic mc 4mA khi V
GSoff
= - 4V và I
DSS
= 8mA.
Tính h s khuych i n áp và dòng in ca mch khuych i.
4.4
a) Thit k mch khuych i CS (hình P4.1) s dng JFET kênh-p áp ng các thông s yêu cu
là A
v
= - 10 và R
in
Thit k mch khuych i CS s dng MOSFET nh
mch hình P4.3. Cho R
L
= 1kΩ, A
v
= - 1, R
in
= 15kΩ. im-
Q c chn ti V
GSQ
= 3V, I
DQ
= 7mA, V
DSQ
= 10V, trong ó
g
m
= 2300µS. Xác nh các tr s cho tt c các cu kin còn
li.
4.7
Thit k mch khuych i
CS s dng JFET kênh-n cho kiu mch nh hình P4.4, vi A
v
= - 1, V
DD
= 12V, R
L
= 1kΩ, R
in
= 15kΩ, I
i
= -20,
V
DD
= 12V, và R
L
= 5kΩ. Xác nh tt c các tr s cu kin và mc công sut nh mc ca transistor.
(mch có th cn phi thay i áp ng thit k). Transistor c chn
có V
GSoff
= - 5V và I
DSS
= 8mA. S dng I
DQ
= 0,4I
DSS
và V
DSQ
= V
DD
/2.
Xem mch hình P4.4.
4.10
Thit k mch khuych i bng JFET kênh-p CS vi A
V
= - 4, A
i
= -
40, R
L
4.12
Thit k mch khuych i bng MOSFET kênh-n, chung cc ngun (CS) s dng transistor
3N128 (ph lc D) cho ti là 10kΩ vi h s khuych i n áp A
v
= - 10. S dng mch hình
P4.3. Chn m-Q bng cách s dng hc tuyn th hin các thông s k thut khi R
in
> 10kΩ.
4.13
Thit k mch khuych i bng MOSFET kênh-n, chung cc ngun (CS) s dng transistor
3N128 (ph lc D) cho ti là 2kΩ vi A
v
= - 4 và R
in
> 100kΩ. Gi s rng, m-Q ã c chn là
V
GSQ
= - 0,6V, V
DSQ
= 10V, I
DQ
= 10mA, V
DD
= 20V. Tham kho mch hình P4.3.
4.14 Phân tích mch khuych i bng JFET kênh-n CS nh mch hình P4.5, khi có ti là 20kΩ, R
D
= 8kΩ, V
DD
= 24V, và R
in
2
= 800kΩ.
4.16
H s khuych i n áp A
v
ca mch hình P4.4, là bao nhiêu nu tín hiu c cung cp vào
mch khuych i có n tr ca ngun n áp là R
i
= 10k ? Gi s rng, R
D
= 10kΩ, và R
L
= 10kΩ,
R
S
= 500Ω, g
m
= 2mS, R
1
= 25kΩ, và R
2
= 120kΩ.
4.17
Cho mch hình P4.6, gi s rng R
S
c r mch bng mt tn. V
DD
= 15V, R
D
= 2kΩ, R
= 10mA, và V
GSoff
= - 5V. Hãy xác nh m-Q, A
v
, A
i
, R
in
, và cho mch khuych i.
4.19
Cho mch hình P4.6, gi s rng V
DD
= 20V, R
D
= 2kΩ, R
L
= 6kΩ, R
S
= 100Ω, R
1
= 1MΩ, I
DSS
=
10mA, và V
GSoff
= - 5V. Hãy xác nh m-Q, A
v
, A
i
, R
= 4kΩ, và R
S
= 200Ω, thì h s khuych i n áp A
v
ca mch là bao nhiêu nu
V
GSQ
= - 1V ? A
v
s nh th nào khi r
DS
t n vô cùng ?
4.22
Thit k mch khuych i bng MOSFET kênh-n CS nh mch hình P4.3, khi có R
L
= 4kΩ,
A
v
= - 5, và A
i
= - 10. Gi s rng, m-Q ã chn có V
DSQ
= 10V, V
GSQ
= 4V, I
DQ
= 2mA, và g
m
=
4000µS.
in
, và A
i
.
4.24
Cho mch nh hình P4.7, nu loi b R
2
, transistor FET làm vic mc dòng là 2mA. Tr s
ca các cu kin là R
i
= 100kΩ, R
1
= 400kΩ, R
D
= 3kΩ, R
L
= 5kΩ, và V
DD
= 12V. Xác nh các thông
s sau khi s dng transistor có I
DSS
= 8mA, và V
GSoff
= - 4V:
a) R
S
b) A
v
, R
in
DSS
= 20mA. Xác nh A
v
và giá tr ca tt c
các in tr. Mch s dng hình P4.9.
4.28
Thit k mch khuych i CD bng MOSFET kênh-n, trong ó R
in
= 120kΩ, A
i
= 100, R
L
=
500Ω, V
DD
= 20V, và chn transistor có V
GSoff
= - 5V và I
DSS
= 15mA. S dng mch hình P4.9, vi
I
DQ
= 0,6I
DSS
và V
DSQ
= V
DD
/2.
4.29 Thit k mch khuych i lp li cc ngun (SF) s dng JFET kênh-n cho h s khuych
= 10mA. Xác nh toàn b tr s ca cu kin, A
i
, và A
v
khi có R
in
= 12kΩ.
4.32
Da vào bài tp 4.31, xác nh toàn b tr s ca cu kin, A
i
, và A
v
khi có R
in
= 200kΩ.
Appendix D: Manufacturers’ Data Sheets
class="bi x24 yb1 w5 hb"
class="bi x24 yb2 w5 hc"
class="bi x2a yb3 w5 hd"
class="bi x2a yb4 w6 he"