0

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI
TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN
o0o

Nguyễn Văn Tuyên NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VẬT LIỆU NANO ZnO, TiO
2
DÙNG CHO PIN MẶT TRỜI SỬ DỤNG CHẤT NHẠY MÀU
LUẬN VĂN THẠC SỸ KHOA HỌC Hà Nội - Năm 2012
1

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI

MỤC LỤC
DANH MỤC BẢNG BIỂU 5
DANH MỤC HÌNH VẼ, ĐỒ THỊ 5
BẢNG KÝ HIỆU CÁC CHỮ VIẾT TẮT 9
MỞ ĐẦU 11
CHƢƠNG 1 14
TỔNG QUAN LÝ THUYẾT 14
1.1.Tổng quan về pin DSSC 14
1.1.1. Giới thiệu tổng quát về pin mặt trời 14
1.1.2. Cấu tạo của pin DSSC 14
1.1.3. Nguyên lý hoạt động của pin DSSC 15
1.1.4. Các thông số đặc trƣng của pin mặt trời 16
1.1.5. Cơ chế truyền hạt tải trong ôxit kim loại 21
1.2. Một số tính chất của vật liệu nano TiO
2
26
1.2.1. Các pha tinh thể của TiO
2
26
1.2.2. Một số tính chất hoá học cơ bản của TiO
2
27
1.2.3. Một số tính chất vật lý đặc trƣng của vật liệu nano TiO
2
28
1.3. Một số tính chất của vật liệu ZnO 33
1.3.1. Cấu trúc tinh thể của vật liệu ZnO 33
1.3.2. Tính chất hoá học của ZnO 34
1.3.3. Cấu trúc vùng năng lƣợng của ZnO 34
1.3.4. Tính chất điện và quang của ZnO 36

CHƢƠNG 3 59
KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 59
3.1. Nghiên cứu tính chất của lớp đệm TiO
2
59
3.1.1. Nghiên cứu hình thái của lớp đệm TiO
2
bằng ảnh SEM 59
3.1.2. Nghiên cứu cấu trúc lớp đệm TiO
2
bằng giản đồ XRD 60
3.1.3. Phổ EDX của lớp đệm TiO
2
61
4

3.1.4. Phổ hấp thụ, truyền qua của lớp đệm TiO
2
62
3.1.5. Nghiên cứu phổ huỳnh quang của lớp đệm TiO
2
64
3.2. Nghiên cứu hình thái, tính chất của màng cột nano TiO
2
chế tạo bằng phƣơng pháp
thuỷ nhiệt 65
3.2.1. Nghiên cứu hình thái của màng cột nano TiO
2
bằng ảnh SEM 65
3.2.2. Nghiên cứu giản đồ XRD của màng cột nano TiO

2
vào nồng
độ tiền chất TBX 66
Bảng 3.2. Chế độ tiến hành thí nghiệm khảo sát sự hình thành cột nano TiO
2
vào
nhiệt độ ủ thuỷ nhiệt 68
Bảng 3.3. Chế độ tiến hành thí nghiệm khảo sát sự hình thành cột nano TiO
2
vào
lớp đệm 70
Bảng 3.4. Chế độ tiến hành thí nghiệm khảo sát sự hình thành cột nano TiO
2
vào
thời gian ủ thuỷ nhiệt 73
DANH MỤC HÌNH VẼ, ĐỒ THỊ
Hình 1.1. Cấu trúc pin mặt trời DSSC dùng điện cực TiO
2
. 15
Hình 1.2. Minh hoạ nguyên lý hoạt động của pin DSSC. 15
Hình 1.3. Đồ thị phụ thuộc mật độ dòng quang điện J vào hiệu điện thế V. 17
Hình 1.4. Hiệu suất tổng thể của pin mặt trời 19
Hình 1.5. Minh họa sự dịch chuyển điện tử trong vật liệu TiO
2
để tới điện cực khi
TiO
2
tồn tại ở dạng (a) màng hạt nano và (b) dạng ống (hoặc cột) nano 19
Hình 1.6. Trật tự đƣờng đi của electron và lỗ trống trong chuyển tiếp p-n, bán dẫn
khối (a), pin mặt trời chuyển tiếp lỏng hạt nano ôxit kim loại (b) và pin mặt trời tiếp

Hình 1.19. Nguyên lý lắng đọng xung laser. 41
Hình 1.20. Nguyên lý lắng đọng chùm điện tử. 41
Hình 1.21. Quá trình sol-gel và quá trình xử lý để tạo ra các dạng vật liệu khác
nhau. 42
Hình 1.22 Cấu tạo của nồi hấp 43
Hình 2.1. Ảnh máy rung rửa siêu âm Elma 45
Hình 2.2. Ảnh tủ sấy Memmert. 45
Hình 2.3. Ảnh lò ủ mẫu Lenton 46
Hình 2.4. Máy quay phủ đƣợc chế tạo tại phòng thí nghiệm bộ môn Vật lý đại
cƣơng - Khoa Vật lý - ĐH KHTN. 46
Hình 2.5. Ảnh nồi hấp đƣợc sử dụng để ủ thuỷ nhiệt mẫu. 47
Hình 2.6. Sơ đồ khối mô tả quy trình tạo sol. 49
Hình 2.7. Minh hoạ quá trình quay phủ 50
Hình 2.8. Sơ đồ khối mô tả quy trình tạo dung dịch tiền chất thuỷ nhiệt. 51
Hình 2.9. Minh hoạ quá trình đƣa đế ITO vào ống teflon 52
Hình 2.10. Nhiễu xạ của tia X trên tinh thể. 54
7

Hình 2.11. Thu phổ nhiễu xạ tia X. 54
Hình 2.12. Nhiễu xạ kế tia X - SIEMENS D5005. 54
Hình 2.13. Tƣơng tác của chùm điện tử và vật rắn. 55
Hình 2.14. Kính hiển vi điện tử quét JSM 5410 LV. 55
Hình 2.15. Sơ đồ khối hệ đo phổ huỳnh FL 3-22 57
Hình 2.16. Hệ đo phổ huỳnh quang FL 3-22 57
Hình 2.17. Nguyên lý đo phổ hấp thụ. 57
Hình 2.18. Hệ đo phổ hấp thụ UV-VIS. 58
Hình 3.1. Ảnh SEM của lớp đệm TiO
2
, mẫu SG04. 59
Hình 3.2. Giản đồ XRD của lớp đệm TiO

, mẫu SG05. 63
Hình 3.9. Phổ truyền qua của lớp đệm TiO
2
đƣợc ủ ở những nhiệt độ khác nhau: . 64
Hình 3.10. Phổ huỳnh quang của lớp đệm TiO
2
, đƣợc kích thích ở bƣớc sóng 328
nm, mẫu SG05. 64
Hình 3.11. Phổ huỳnh quang của đế ITO với bƣớc sóng ánh sáng kích thích 329 nm.
65
Hình 3.12. Ảnh SEM của cột nano TiO
2
đƣợc ủ thuỷ nhiệt với nồng độ tiền chất
TBX khác nhau 67
Hình 3.13. Ảnh SEM mẫu thuỷ nhiệt đƣợc ủ ở các nhiệt độ khác nhau 69
Hình 3.14. Ảnh SEM của màng cột nano TiO
2
đƣợc ủ thuỷ nhiệt đối với trƣờng hợp
đế ITO có và không có lớp đệm TiO
2
71
Hình 3.15. Ảnh SEM của màng cột nano TiO
2
đƣợc ủ thuỷ nhiệt trong 22 giờ, nhiệt
độ 150
o
C, mẫu TN13. 72
8

Hình 3.16. Ảnh SEM của màng cột TiO

DAP (donor–acceptor pair)
Cặp donor-aceptor
DSSC (dye – sensitized solar cells)
Pin mặt trời sử dụng chất nhạy màu
ĐH KHTN
Đại học khoa học tự nhiên
ĐH QGHN
Đại học Quốc gia Hà Nội
EDX (energy-dispersive X-ray
spectroscopy)
Phổ tán sắc năng lƣợng tia X
FTO (fluorinated tin oxide)
Kính phủ lớp dẫn điện trong suốt FTO
HOMO (highwest Occupied Molecular
Orbital)
Quỹ đạo phân tử lấp đầy cao nhất
ITO (indium tin oxide)
Kính phủ lớp dẫn điện trong suốt ITO
LHE (light harvesting efficiency)
Hiệu suất thu ánh sáng
LUMO (lowest unoccupied molecular
orbital)
Quỹ đạo phân tử bỏ trống thấp nhất
PED (pulsed electron deposition)
Lắng đọng xung chùm điện tử
PLD (pulsed laser deposition)
Lắng đọng xung lade
SEM (scanning electron microscope)
Kính hiển vi điện tử quét
TBX (titanium butoxide)

đặt ra đối với các quốc gia trên thế giới. Trong đó, năng lƣợng mặt trời tỏ ra có
nhiều ƣu điểm so với các nguồn năng lƣợng tái tạo khác. Đó là nguồn năng lƣợng
vô tận, siêu sạch và miễn phí. Hàng năm, Trái đất nhận đƣợc nguồn năng lƣợng mặt
trời vào khoảng 3,8.10
24
J, nhiều hơn khoảng 10000 lần nhu cầu năng lƣợng của con
ngƣời hiện tại. Một báo cáo về năng lƣợng mới do Trung tâm Nghiên cứu của Hội
đồng châu Âu phát hành đã tiến hành tổng hợp và đánh giá số liệu về điện mặt trời
trong vòng 10 năm (từ 1990 đến 2010) và cho thấy một thực tế đáng quan tâm.
Trong năm 1990, tổng sản lƣợng điện mặt trời trên toàn thế giới chỉ có 46 MW, 10
năm sau, sản lƣợng này đã tăng gấp 500 lần và lên đến 23,5 GW. Vói sự phát triển
nhanh chóng này, làm cho công nghiệp điện mặt trời trở thành một trong những
ngành công nghiệp phát triển nhanh nhất trên thế giới. Mặc dù sản lƣợng điện mặt
trời tăng nhanh chóng nhƣ vậy, nhƣng nó mới chỉ chiếm một phần rất nhỏ (chƣa
đến 1%) tổng lƣợng điện tiêu thụ trên toàn thế giới. Đối với những khu vực có
cƣờng độ và thời gian chiếu sáng trong năm cao nhƣ nƣớc ta thì việc khai thác năng
lƣợng mặt trời có rất nhiều thuận lợi. Mỗi năm, Việt Nam có khoảng 2.000-2.500
giờ nắng với mức chiếu nắng trung bình khoảng 627,6 kJ/cm
2
, tƣơng đƣơng với
tiềm năng khoảng 43,9 triệu tấn dầu qui đổi/1 năm. Đây là một nguồn năng lƣợng
dồi dào mà không phải nơi nào cũng có đƣợc. Tuy nhiên, ở nƣớc ta, việc khai thác
năng lƣợng mặt trời để sản xuất điện còn hạn chế. Vì vậy, việc nghiên cứu khai thác
nguồn năng lƣợng mặt trời ở nƣớc ta có tiềm năng rất lớn, đặc biệt trong điều kiện
giá nhiên liệu liên tục tăng nhƣ hiện nay.
12

So với các phƣơng pháp sản xuất điện từ năng lƣợng mặt trời, thì pin mặt trời
có nhiều ƣu điểm, đó là: kích thƣớc gọn nhẹ, dễ lắp đặt. Pin mặt trời đầu tiên dựa
trên cơ sở lớp chuyển tiếp p-n đã đƣợc thực hiện từ 1946 bởi Russell Ohl. Do công

2
, Hơn nữa, nhiều nghiên cứu [20, 54] cho thấy, pin DSSC sử dụng điện cực
TiO
2
có cấu trúc ống, dây, thanh (cột) nano đã chứng minh đƣợc ƣu thế vƣợt trội về
hiệu suất so với điện cực TiO
2
có cấu trúc hạt nano.
Vì những lý do trên, trong luận văn này, chúng tôi tập trung nghiên cứu chế
tạo vật liệu TiO
2
có cấu trúc dạng cột nano để sử dụng làm điện cực cho pin mặt
trời.

 Mục tiêu của luận văn:
13

Chế tạo thành công vật liệu TiO
2
có cấu trúc cột nano trên đế ITO bằng
phƣơng pháp sol-gel và phƣơng pháp thuỷ nhiệt.
Nghiên cứu ảnh hƣởng của các yếu tố trong quá trình ủ thuỷ nhiệt đến sự
hình thành và các thông số chiều dài, đƣờng kính cột, mật độ cột trên đế ITO.
 Đối tƣợng nghiên cứu của luận văn:
Vật liệu TiO
2
có cấu trúc cột nano.
 Phƣơng pháp nghiên cứu:
Luận văn đƣợc thực hiện bằng phƣơng pháp thực nghiệm.
 Bố cục của luận văn

2
vô định hình.
Hiện nay, nhiều nghiên cứu quan tâm đến pin thế hệ thứ ba, trong đó có pin
DSSC, nguyên lý hoạt động mô phỏng theo sự quang hợp của thực vật; pin polime
hữu cơ So với pin mặt trời thế hệ thứ nhất và thứ hai, pin mặt trời thế hệ thứ 3 có
những ƣu điểm:
- Công nghệ đơn giản, có khả năng tạo tấm lớn.
- Tính mềm dẻo, trong suốt.
- Dễ biến tính, có độ linh động cao.
- Nhẹ và giá thành thấp.
Trong luận văn này, chúng tôi tập trung nghiên cứu chế tạo màng TiO
2
có
cấu trúc cột nano trên đế ITO để sử dụng làm điện cực cho pin DSSC.
1.1.2. Cấu tạo của pin DSSC
Cấu tạo của một pin DSSC điển hình đƣợc minh hoạ trên hình 1.1
15 Hình 1.1. Cấu trúc pin mặt trời DSSC dùng điện cực TiO
2
.

Các thành phần cấu tạo của DSSC bao gồm:
- Điện cực làm việc đƣợc chế tạo từ tấm thuỷ tinh có phủ lớp ôxit dẫn điện
trong suốt (TCO), nhƣ FTO, ITO, trên lớp TCO có phủ các hạt nano TiO
2
. Trên
các hạt nano TiO
2

nhạy màu và một electron tự do trong vùng dẫn của TiO
2
. Electron di chuyển từ
TiO
2
sang đế ITO (phƣơng trình 3) rồi chạy qua tải sang điện cực đối. Sau đó, điện
cực đối nhƣờng electron cho I
3
-
, I
3
-
chuyển thành 3I
-
(phƣơng trình 5), 3I
-
tác dụng
với Dye
+
để tạo ra Dye (phƣơng trình 4), đến đây kết thúc một chu trình. Các
phƣơng trình (1), (2), (3), (4) và (5) diễn tả nguyên lý hoạt động của pin DSSC:
h Dye Dye*  
(1)
22
Dye* + TiO e-(TiO ) Dye


(2)
22
e-(TiO ) ITO TiO e (ITO)   

có V
oc
0,9 V). Thực nghiệm cho thấy, thế hở mạch V
oc
thƣờng có
giá trị thấp hơn so với tính toán lý thuyết do sự sự tái hợp của các điện tích tự do. Ở
các điều kiện hở mạch, sự tái hợp điện tích xảy ra trong lớp hoạt tính quang (lớp
chất nhạy màu đƣợc phủ lên bề mặt điện cực TiO
2
). Vì vậy, nếu sự tái kết hợp có
thể đƣợc giảm đến mức tối thiểu thì thế hở mạch V
oc
sẽ tiến tới giá trị lý thuyết. Tuy
17

nhiên, trong thực tế, không thể ngăn chặn hoàn toàn sự tái hợp. Vì vậy, thế hở mạch
V
oc
luôn nhỏ hơn giá trị tính toán theo lý thuyết.
1.1.4.2. Mật độ dòng ngắn mạch J
sc
của pin
Mật độ dòng ngắn mạch J
sc
là mật độ dòng điện trong mạch của pin mặt trời
khi làm ngắn mạch ngoài (R=0). Lúc đó hiệu điện thế mạch ngoài của pin V=0.
Mật độ dòng ngắn mạch J
sc
phụ thuộc rất lơ
́


Trong đó, V
oc
là hiệu điện thế hở mạch, J
sc
là mật độ dòng ngắn mạch. Mỗi điểm
trên đƣờng cong ở hình 1.3 cho biết công suất có thể thu đƣợc của pin. Gọi P
m
là
công suất cực đại của pin. Khi đó, ngƣời ta định nghĩa hệ số lấp đầy của pin theo
biểu thức sau:

m
sc oc
P
FF
J .V

(6)
Hệ số lấp đầy FF của pin cho biết xu hƣớng biến đổi của dòng điện. Hệ số
lấp đầy có giá trị nằm trong khoảng từ 0 đến 1, thông thƣờng nhỏ hơn 1. Giá trị của
hệ số lấp đầy nhỏ hơn 1 có nguyên nhân do điện trở nội của pin, sự tái hợp cặp
electron-lỗ trống và một số nguyên nhân khác. Giá trị của FF càng lớn thì công suất
của pin cung cấp càng lớn.
1.1.4.4. Hiệu suất chuyển đổi năng lƣợng
Hiệu suất chuyển đổi năng lƣợng của pin (gọi tắt là hiệu năng) đƣợc sử dụng
để so sánh trực tiếp giữa công suất điện do pin tạo ra với công suất ánh sáng chiếu
tới pin. Hiệu suất của pin đƣợc định nghĩa theo biểu thức dƣới đây:

SC OC


Hình 1.4. Hiệu suất tổng thể của pin mặt trời [3].

Hiện nay, nhiều nghiên cứu [20, 54] cho thấy, pin DSSC sử dụng điện cực
TiO
2
có cấu trúc thanh (hay cột), dây, ống nano thì có hiệu suất cao hơn so với điện
cực có cấu trúc hạt nano. Nguyên nhân của sự cải thiện hiệu suất này là do rút ngắn
đƣợc quãng đƣờng chuyển động của electron so với khi chuyển động trong màng
hạt nano. Đồng thời, khi chuyển động hoàn toàn trong các cột hoặc ống nano,
electron không phải vƣợt qua biên tiếp giáp giữa các hạt TiO
2
nhƣ khi chuyển động
trong màng hạt nano (hình 1.5). Do vậy, electron chuyển động đến điện cực TCO dễ
dàng hơn khiến cho hiệu suất thu điện tích 
c
tăng lên làm cho hiệu suất tổng thể 
của pin tăng theo. (a)
(b)
Hình 1.5. Minh họa sự dịch chuyển điện tử trong vật liệu TiO
2
để tới điện cực khi TiO
2
tồn tại ở
dạng (a) màng hạt nano và (b) dạng ống (hoặc cột) nano [38].
20


2
đóng vai trò nhƣ một chất xúc tác quang làm
cho quá trình phân hủy các thành phần trong DSSC diễn ra nhanh hơn.
1.1.4.6. Phổ dòng quang điện
Đo dòng quang điện J
sc
dƣới chỉ số độ rọi AM 1.5 sẽ đánh giá đƣợc khả năng làm
việc của pin trong điều kiện thực tế. Tuy nhiên, việc khảo sát giá trị J
sc
ứng với ánh sáng
đơn sắc khác nhau sẽ cho biết chính xác dải phổ ánh sáng đóng góp cho dòng quang
điện. Hiệu suất sinh hạt tải của photon (IPCE), tỷ số giữa electron sinh ra (do photon
chiếu tới) so với số photon chiếu tới, còn đƣợc gọi là hiệu suất lƣợng tử ngoài (EQE).
IPCE đƣợc xác định bằng phép đo dòng quang điện tƣơng ứng với ánh sáng đơn sắc có
bƣớc sóng khác nhau. Biểu thức IPCE đƣợc xác định bởi công thức (8) [34].

sc
1240. J ( )
IPCE( ) .100%
. I( )



(8)
21

trong đó, J
sc
() là mật độ dòng quang điện ngắn mạch tƣơng ứng với bƣớc sóng 
(đơn vị: A/cm

(9) vẫn có thể áp dụng cho electron trong pin quang điện không có điện trƣờng với
một số hiệu chỉnh. Do lớp ôxit kim loại đứng yên nên số hạng đối lƣu bị loại bỏ.
Trong hệ đơn tinh thể, sự uốn cong vùng năng lƣợng điều khiển quá trình
vận chuyển điện tích, đƣợc minh họa ở hình 1.6a.
22

Bán dẫn khẫi
Hẫt nano
ẫng nano

Hình 1.6. Trật tự đường đi của electron và lỗ trống trong chuyển tiếp p-n, bán dẫn khối (a), pin
mặt trời chuyển tiếp lỏng hạt nano ôxit kim loại (b) và pin mặt trời tiếp giáp lỏng ôxít kim loại 1
chiều, ống nano (c).

Theo lý thuyết vùng năng lƣợng [1], sự uốn cong vùng năng lƣợng là kết quả cân
bằng của mức Fermi chuyển qua bề mặt tiếp giáp, gây ra bởi sự tích tụ của một lớp
điện tích không gian. Tuy nhiên, trong hệ hạt nano, nhƣ pin mặt trời chất nhạy màu,
sự uốn cong vùng năng lƣợng không có vai trò trong việc vận chuyển electron.
Thực vậy, trong hệ khối, lớp điện tích không gian thƣờng có cấp độ micromet. Do
đó, đối với hạt nano kích thƣớc nhỏ hơn vài bậc so với lớp điện tích không gian thì
lực cuốn điện tích không đáng kể. Thậm chí ngay cả trong trƣờng hợp lớp điện tích
không gian có phạm vi vào cỡ bán kính của hạt nano. Nhiều báo cáo [55] cho thấy,
khi tiếp xúc với màng bán dẫn, chất điện phân có thể rút hết lớp điện tích không
gian bởi quá trình khử điện tích. Trong những trƣờng hợp nhƣ vậy, sự khuếch tán
trở thành cơ chế quan trọng cho quá trình truyền. Hơn nữa, một số nghiên cứu đã
chỉ ra rằng, nếu độ dài khuếch tán (Ln) lớn hơn độ dày của màng thì hiệu năng của
pin đƣợc cải thiện rất tốt. Điều đó cho thấy sự khuếch tán có ý nghĩa quan trọng
trong cơ chế chuyển động của hạt tải trong pin DSSC.
1.1.5.2. Độ dài khuếch tán của hạt tải
Độ dài khuếch tán L

hơn vài bậc so với electron tự do, sự khác biệt chủ yếu này là do sự ảnh hƣởng của
các bẫy.
Nhằm xác định mối liên hệ giữa các hằng số electron tự do với các hằng số
hiệu dụng (D
n
và 
n
) Bisquert và Vikhrenko [13] đã phát triển một mô hình cho pin
mặt trời nhạy màu liên hệ cả hai hằng số với sự thay đổi số lƣợng bẫy hoạt động, n
L
,
và thay đổi số lƣợng electron trong dải dẫn, n
C
, theo phƣơng trình (11) và (12):
0
L
n
C
n
n







, (11)
0
D

24

Sự cải tiến chính của cấu trúc một chiều là tăng độ dài khuếch tán do kích
thƣớc tinh thể lớn hơn, sự tiếp xúc giữa các phần tử tốt hơn và ít các vị trí bẫy hơn.
Frank [65] đã xác định thời gian cƣ trú của các electron trong màng có cấu trúc một
chiều. Kết quả cho thấy, thời gian cƣ trú của electron lớn hơn vài bậc so với màng
cấu tạo từ hạt nano tƣơng ứng. Hình 1.6c mô tả mật độ phân bố bẫy thấp trong
màng một chiều. Nhóm của Prashant V.Kamat

[9] đã tăng đƣợc 20% dòng quang
điện bằng cách sử dụng ống nano TiO
2
đặt trên màng hạt nano TiO
2
. Mặc dù cấu
trúc một chiều có sự thay đổi về tính chất hấp thụ ánh sáng nhƣng nguyên nhân
chính cải thiện hiệu năng của pin là tăng thời gian cƣ trú, tăng độ dài khuếch tán của
hạt tải.
Gần đây, Peter và các cộng sự [32] đã xác định đƣợc độ dài khuếch tán của
electron trong màng ống nano TiO
2
(có chiều dài ống 20 m) là 100m, lớn gấp 5
lần độ dày của màng. Kết quả này cho thấy, cấu trúc một chiều có lợi thế trong việc
cải thiện hiệu năng của pin so với màng hạt nano tƣơng ứng (với độ dài khuếch tán
chỉ lớn hơn 3 lần độ dày của pin).
Thông thƣờng, các cấu trúc nano TiO
2
một chiều đƣợc tổng hợp trên chất
nền nhằm duy trì định hƣớng thống nhất, vuông góc với mặt chất nền thì có lợi cho
việc cải thiện hiệu năng của pin. Tuy nhiên, một số nghiên cứu đã cho thấy, các hệ