Luận văn thạc sĩ GVHD: PGS.TS. Quyền Huy Ánh
HVTH: Dương Anh Hào vi
MC LC

Trang
Trang tựa
Quyết định giao đề tài
Lý lịch khoa học i
Lời cam đoan ii
Lời cm ơn iii
Tóm tắt iv
Mục lục vi
Danh sách các bng ix
Danh sách các hình x
ng Quan 1
1.1. Giới thiu 1
1.2. Tổng quan về các thiết bị bo v quá áp trên đường nguồn h áp 3
1.2.1 Giới thiu 3
1.2.2.Hin tượng quá độ 4
1.2.3.Tỷ l xuất hin của hin tượng quá độ 5
1.2.4.Hin tượng quá độ tiêu biểu 7
1.2.5.Bo v quá độ 8
1.2.6.Các thiết bị bo v quá áp 9
1.Bộ lọc 9
2.Máy biến áp cách ly 10
3.Khe hở phóng đin 11
4.Diode thác Silic 12
5.Biến trở Oxit kim loi (MOV) 13
1.2.7. So sánh các thiết bị bo v quá áp phổ biến 15
1.2.8.Lựa chọn các thiết bị bo v quá áp 16
1.3.Nhim vụ của đề tài 16

2.7.nh hưởng của nhit độ 36
2.8. Các đặc tính của MOV và các hư hỏng thường gặp khi quá áp xy ra 38
Xây dng mô hình ngun phát xung 39
3.1.Các dng xung không chu kỳ chuẩn và phương trình toán của chúng 39
3.2.Xây dựng mô hình nguồn phát xung 42
Xây dng mô hình bin tr Oxit kim loi MOV 48
4.1.Mô hình MOV trong Matlab 48
4.2.Mô hình MOV h thế đề xuất 50
4.2.1.Khối look-up Table 53
Luận văn thạc sĩ GVHD: PGS.TS. Quyền Huy Ánh
HVTH: Dương Anh Hào viii
4.2.2.Xây dựng mô hình đin trở phi tuyến trên Matlab 53
4.2.3.Xây dựng mô hình MOV h thế hoàn chỉnh trên Matlab 55
4.3.Kiểm tra đáp ứng mô hình MOV với xung dòng chuẩn 59
4.4. Kết luận 64
  u t   n hiu qu bo v ca thit b
chng sét lan truyng ngun h áp 65
5.1. Phân vùng bo v 65
5.2. Tổng quan về các MOV h thế đang sử dụng để chế to thiết bị chống
sét trên đường nguồn h áp 66
5.3. Các chỉ tiêu chính đánh giá thiết bị chống sét lan truyền 67
5.4. MOV đơn khối 68
5.4.1. Mô phỏng và đo lường đin áp dư (V
r
) MOV đơn khối 68
5.5. MOV đa khối 79
5.5.1. H số dự trữ 79
5.5.2. Mô phỏng và đo lường đin áp ngưỡng MOV đa khối 91
5.6. Đánh giá ưu, nhược điểm của MOV đơn và đa khối chống sét lan
truyền trên đường nguồn h áp 98

ngưỡng (V
n
) của MOV đơn khối 71
Bng 5.4: Bảng tổng hợp thông số điện áp dư và đặc tuyến vừa xây dựng so với
Catalogue của nhà sản xuất và sai số 76
Bng 5.5: Bảng tổng kết hệ số dự trữ của MOV_8kA mắc song song 87
Bng 5.6: Bảng tổng hợp thông số điện áp dư khi tiến hành mô phỏng MOV đa khối
trên Matlab 91
Bng 5.7: Bảng tổng hợp phương trình liên hệ của điện áp dư theo điện áp ngưỡng
và dòng xung sét của MOV đa khối 93 Luận văn thạc sĩ GVHD: PGS.TS. Quyền Huy Ánh
HVTH: Dương Anh Hào x
DANH SÁCH CÁC HÌNH

HÌNH TRANG
Hình 1.1: Tỷ lệ xuất hiện của xung theo biên độ điện áp tại các khu vực không được
bảo vệ . 6
Hình 1.2: Dạng sóng 0.5µs_100kHz (áp mạch hở) 7
Hình 1.3: Dạng sóng gián tiếp (phía ngoài) 7
Hình 1.4: Khả năng chịu đựng xung lặp lại 14
Hình 2.1: Đặc tuyến V/I của MOV trong vùng tuyến tính 19
Hình 2.2: Cấu tạo MOV 20

1
40
Hình 3.4: Đường cong xác định at
1
từ tỷ số b/a, khi biết t
1
41
Hình 3.5: Đường cong xác định I
1
/I từ tỷ số b/a, khi biết I
1
41
Hình 3.6: Mô hình toán của xung dòng 43
Hình 3.7a: Nguồn xung dòng không chu kỳ 43
Hình 3.7b: Nguồn xung áp không chu kỳ 43
Hình 3.8: Mô hình nguồn xung dòng và áp không chu kỳ 44
Hình 3.9a: Sơ đồ mô phỏng nguồn xung dòng 44
Hình 3.9b: Sơ đồ mô phỏng nguồn xung áp 44
Hình 3.10: Thông số mô hình nguồn xung dòng 45
Hình 3.11: Dạng dòng xung 1/5µs_10kA 45
Hình 3.12: Dạng dòng xung 4/10µs_10kA 45
Hình 3.13: Dạng dòng xung 8/20µs_10kA 45
Luận văn thạc sĩ GVHD: PGS.TS. Quyền Huy Ánh
HVTH: Dương Anh Hào xii
Hình 3.14: Dạng dòng xung 10/350µs_10kA 46
Hình 3.15: Thông số mô hình nguồn xung áp 46
Hình 3.16: Dạng xung áp 1.2/50µs_10kV 47
Hình 3.17: Dạng xung áp 10/700µs_10kV 47
Hình 4.1: Quan hệdòng điện – điện áp của mô hình MOV 48
Hình 4.2: Hộp thoại của mô hình MOV trong Matlab 49

Hình 5.2: Sơ đồ mô phỏng MOV hạ thế đơn khối 68
Hình 5.3: Dòng và áp của mô hình MOV hạ thế đơn khối I
n
= 4.5kA (TOL = 10%)
với xung thử 1.5kA 8/20µs 69
Hình 5.4: Dòng và áp của mô hình MOV hạ thế đơn khối I
n
= 4.5kA (TOL = 10%)
với xung thử 3kA 8/20µs 69
Hình 5.5: Dòng và áp của mô hình MOV hạ thế đơn khối I
n
= 4.5kA (TOL = 10%)
với xung thử 4.5kA 8/20µs 70
Hình 5.6: Đặc tính V
r
-V
n
của MOV hạ thế đơn khối 4.5kA, TOL = 10% . 73
Hình 5.7: Đặc tính V
r
-V
n
của MOV hạ thế đơn khối 8kA, TOL = 10%. 73
Hình 5.8: Đặc tính V
r
-V
n
của MOV hạ thế đơn khối 25kA, TOL = 10%. 74
Hình 5.9: Đặc tính V
r

8%& -8%) với xung 10kA 8/20µs 85
Hình 5.21: Dòng qua MOV1 và MOV2 sử dụng hai MOV-8kA (TOL = 8%& -8%)
với xung 10kA 8/20µs 86
Hình 5.22: Dòng và áp của mô hình MOV hạ thế sử dụng hai MOV-8kA (TOL =
9%& -9%) với xung 10kA 8/20µs 86
Hình 5.23: Dòng qua MOV1 và MOV2 sử dụng hai MOV-8kA (TOL = 9%& -9%)
với xung 10kA 8/20µs 86
Hình 5.24: Dòng và áp của mô hình MOV hạ thế sử dụng hai MOV-8kA (TOL =
10%& -10%) với xung 10kA 8/20µs 87
Hình 5.25: Dòng qua MOV1 và MOV2 sử dụng hai MOV-8kA (TOL = 10%& -
10%) với xung 10kA 8/20µs 87
Hình 5.26: Quan hệ giữa sai số điện áp ngưỡng và hệ số dự trữ với xung thử có
biên độ 10, 15, 20, 25, 40kA 90
Hình 5.27: Quan hệ giữa sai số điện áp ngưỡng và hệ số dự trữ với xung thử có
biên độ 70, 100kA 91
Hình 5.28: Đặc tính V
r
-V
n
của MOV đa khối 10kA (2xMOV-8kA) 95
Hình 5.29: Đặc tính V
r
-V
n
của MOV đa khối 15kA (4xMOV-8kA) 95
Hình 5.30: Đặc tính V
r
-V
n
của MOV đa khối 20kA (5xMOV-8kA) 96


Luận văn thạc sĩ GVHD: PGS.TS. Quyền Huy Ánh
HVTH: Dương Anh Hào Trang 1
CHNG 1

1.1. 
Việt Nam là một nước nằm trong khu vực nhiệt đới ẩm gió mùa, khí hậu Việt
Nam rất thuận lợi cho việc phát sinh, phát triển của dông sét. Số ngày dông có ở
Việt Nam trên toàn khu vực thuộc loại khá lớn. Trong mạng điện, quá điện áp và
quá trình quá độ do sét đánh là nguyên nhân chủ yếu gây ra các sự cố lưới điện và
làm hư hỏng các thiết bị lắp đặt trên lưới. Nên việc đề ra các giải pháp chống sét,
lựa chọn, phối hợp các thiết bị bảo vệ phù hợp và nghiên cứu chế tạo thiết bị chống
sét đóng vai trò rất quan trọng. Hiện nay chống sét trực tiếp đã được quan tâm
tương đối với các giải pháp từ cổ điển đến hiện đại. Tuy nhiên, số liệu thống kê chỉ
ra hơn 70% hư hỏng do sét gây ra lại do sét đánh lan truyền hay ghép cảm ứng theo
đường cấp nguồn và đường truyền tín hiệu.
Bên cạnh việc nghiên cứu chống sét đánh trực tiếp, việc nghiên cứu chống sét
đánh lan truyền hay ghép cảm ứng trên đường nguồn cũng đóng một vai trò quan
trọng để lựa chọn thiết bị bảo vệ chống quá điện áp do sét phù hợp.
Nhìn chung, mạng hạ áp không truyền tải công suất lớn nhưng lại trải trên diện
rộng và cung cấp điện năng trực tiếp cho các hộ tiêu thụ nên nó lại là nguyên nhân

vệ của hệ thống chống quá áp. Kết quả nghiên cứu sẽ cung cấp một công cụ mô
phỏng hữu ích cho các nhà nghiên cứu, các giảng viên, sinh viên các trường đại học
trong việc nghiên cứu các đáp ứng của thiết bị chống quá áp dưới tác động của xung
sét lan truyền và đánh giá hiệu quả của các hệ thống bảo vệ chống quá áp do sét lan
truyền.
1.2. 
Bảo vệ hệ thống điện xoay chiều hạ áp chống lại các hiện tượng quá áp quá độ
đang là mối quan tâm chủ yếu để bảo đảm chất lượng điện năng cung cấp, bảo đảm
an toàn cho các thiết bị. Hiện nay các thiết bị điện-điện tử có mức điện áp chịu xung
Luận văn thạc sĩ GVHD: PGS.TS. Quyền Huy Ánh
HVTH: Dương Anh Hào Trang 3
thấp ngày càng được sử dụng rộng rãi trong hệ thống điện, phương pháp hữu hiệu
và kinh tế nhất để bảo vệ quá áp cho thiết bị chính là chọn và lắp đặt các thiết bị bảo
vệ có khả năng làm việc lâu dài và đáng tin cậy.

Việc sử dụng ngày càng nhiều các phần tử bán dẫn trong hệ thống điện hiện
đại đã dẫn đến sự tăng cường mối quan tâm về độ tin cậy của hệ thống. Đây là kết
quả của việc các phần tử bán dẫn rất nhạy cảm với các hiện tượng quá áp có thể
xuất hiện trong hệ thống điện phân phối xoay chiều. Việc sử dụng các phần tử bán
dẫn ban đầu cũng bị hư hỏng rất nhiều mà không thể giải thích. Nghiên cứu các hư
hỏng này cho thấy chúng bị hư hỏng là do các điều kiện quá áp khác nhau xuất hiện
trong hệ thống phân phối. Điện áp quá độ là kết quả của sự phóng thích đột ngột của
năng lượng tồn tại trước đó từ các điều kiện như sét đánh, đóng cắt tải có tính cảm,
xung điện từ hay phóng điện các điện cực. Các hư hỏng gây ra bởi hiện tượng quá
độ phụ thuộc vào tần số xuất hiện, giá trị đỉnh và dạng sóng của quá độ.
Quá áp trong mạch điện chính xoay chiều có thể gây ra sự hư hỏng vĩnh viễn
hay tạm thời của các phần tử điện tử và hệ thống. Bảo vệ chống lại quá áp quá độ có
thể thực hiện bằng cách sử dụng các phần tử được thiết kế đặc biệt mà sẽ giới hạn
biên độ của quá áp quá độ bằng một trở kháng lớn nối tiếp hay bởi việc làm chệch
hướng quá độ bằng một trở kháng nhỏ mắc shunt.

Hệ thống điện gồm một mạng lớn các đường dây truyền tải, phân phối nối với
nhau và thường bị nhiễu bởi các quá độ bắt nguồn từ một trong các nguồn đã đề cập
ở trên.
Quá độ do sét có thể tạo ra một dòng điện rất cao trong hệ thống. Các tia sét
này thường đánh vào các dây truyền tải sơ cấp, nhưng có thể truyền qua các dây thứ
cấp thông qua các điện cảm hay tụ điện mắc trong mạch. Đôi khi các tia sét đánh
Luận văn thạc sĩ GVHD: PGS.TS. Quyền Huy Ánh
HVTH: Dương Anh Hào Trang 5
trực tiếp vào hệ thống bảo vệ chống sét hay các cấu trúc kim loại của các tòa nhà
cũng gây nên hiện tượng quá áp trên hệ thống điện trong tòa nhà do việc lan truyền
của xung sét. Thậm chí khi tia sét không đánh trúng đường dây cũng có thể cảm
ứng một điện áp đáng kể trên đường dây sơ cấp, các chống sét van hoạt động và
sinh ra quá độ.
Quá độ do đóng cắt ít nguy hiểm hơn nhưng xảy ra thường xuyên hơn. Đóng
cắt lưới điện có thể gây ra quá độ làm hư hỏng các thiết bị đấu nối trên lưới. Việc sử
dụng các Thyristor trong mạch đóng cắt hay điều khiển công suất cũng có thể tạo ra
quá độ như vậy.
Nghiên cứu và thực nghiệm đã cho thấy trong hệ thống điện hạ áp xoay chiều
công nghiệp hay dân dụng, biên độ của quá độ tương ứng với tỷ lệ xuất hiện của nó,
ví dụ như biên độ quá độ nhỏ thì xuất hiện thường hơn. Tổ chức IEEE và ANSI, đã
thiết lập một tài liệu cung cấp các nguyên tắc chủ yếu về các điều kiện quá độ có thể
bắt gặp trong hệ thống điện hạ áp xoay chiều. Tài liệu này được gọi là tiêu chuẩn
IEEE/ANSI C62.41 được phát triển năm 1980. Từ sự bắt đầu này, nhiều kiến thức
chính xác hơn đã được cập nhật và tạo thành một tiêu chuẩn có giá trị hơn.
1.2.
Tỷ lệ xuất hiện của các xung quá độ khác nhau rất nhiều và phụ thuộc vào
từng hệ thống. Tỷ lệ này liên quan với biên độ của các xung, và xung có biên độ
nhỏ thì xuất hiện nhiều hơn xung biên độ cao. Theo số liệu thống kê được, xung
1kV hay nhỏ hơn thì tương đối phổ biến, trong khi xung 3kV thì hiếm hơn. Hình 1.1
đã minh họa các dữ liệu thu thập được về số lần xuất hiện của các xung quá độ cùng

 Điện áp và dòng điện của quá độ điển hình trong nhà.

Nghiên cứu trong mạng điện hạ áp trong nhà phát hiện rằng quá độ bắt gặp
trong mục A (mạch nhánh dài và mạch ra) có dạng sóng với tần số thay đổi từ 5kHz
đến hơn 500kHz; trong đó dạng sóng với tần số 100kHz được xem là phổ biến nhất
Hình 1.2. Xung đo được tại đường nguồn trong mục B (mạch cung cấp chính và
mạch nhánh ngắn), dao động và không trực tiếp trong tự nhiên. Dạng xung sét đã
được chuẩn hóa: sóng áp 1.2/50

s và sóng dòng 8/20

s Hình 1.3.

Hình 1.2. Dạng sóng 0.5

s_100kHz (áp mạch hở).

a. Dạng sóng mạch hở. b. Dạng sóng dòng phóng điện.
Hình 1.3. Dạng sóng gián tiếp (phía ngoài).
Luận văn thạc sĩ GVHD: PGS.TS. Quyền Huy Ánh
HVTH: Dương Anh Hào Trang 8
1.2.
Các phần trên đã trình bày sự cần thiết của các thiết bị bảo vệ quá áp quá độ
trong thiết kế thiết bị điện trong hệ thống, phần tiếp theo là phải chọn kỹ thuật bảo
vệ loại nào và cách sử dụng của từng loại ra sao?. Các thiết bị bảo vệ quá áp quá độ
được chọn phải có khả năng triệt xung quá áp đến dưới mức ngưỡng hư hỏng của
thiết bị được bảo vệ, và các thiết bị bảo vệ này phải vượt qua một số xác định các
trường hợp quá độ nguy hiểm nhất. Khi so sánh các thiết bị khác nhau, quyết định
đưa ra phải căn cứ trên các đặc điểm: mức độ bảo vệ yêu cầu, tuổi thọ, giá thành và
kích cỡ thiết bị.

có thể có một vài ảnh hưởng không mong muốn bên cạnh:
a. Sự cộng hưởng không mong muốn với thành phần cảm kháng trong hệ
thống sẽ dẫn đến đỉnh áp tăng cao.
b. Dòng điện quẩn cao trong suốt quá trình đóng cắt.
c. Tải phản kháng quá mức trong điện áp hệ thống điện.
Những ảnh hưởng không mong muốn này có thể giảm bớt nếu lắp thêm một
điện trở nối tiếp, vì thế việc sử dụng các bộ giảm sóc (snubber) RC ngày càng thông
dụng. Tuy nhiên, việc lắp thêm trở kháng này sẽ làm giảm tác dụng kẹp điện áp.
Có một giới hạn cơ bản về cách sử dụng bộ lọc cho việc bảo vệ quá áp. Bộ lọc
có đáp ứng như là một hàm tuyến tính của dòng điện. Đây là một bất lợi lớn trong
trường hợp không biết nguồn quá độ và phải giả định trở kháng nguồn hay điện áp
hở mạch. Nếu sự giả định đặc tính của quá độ tác động sai, hậu quả là bộ bảo vệ quá
áp tuyến tính không còn tác dụng. Một thay đổi nhỏ của trở kháng nguồn có thể làm
tăng điện áp kẹp một cách không tương xứng.

Tổng quát, máy biến áp cách ly gồm hai cuộn dây sơ cấp và thứ cấp, với tấm
chắn tĩnh điện giữa các cuộn dây. Máy biến áp cách ly được đặt giữa nguồn và thiết
Luận văn thạc sĩ GVHD: PGS.TS. Quyền Huy Ánh
HVTH: Dương Anh Hào Trang 10
bị được yêu cầu bảo vệ. Như tên gọi, không có đường dẫn nào giữa cuộn sơ và cuộn
thứ cấp. Đã có một sự tin tưởng rộng rãi là “máy biến áp cách ly làm suy giảm các
gai nhọn điện áp” và “quá độ không thể vượt qua các cuộn dây của máy biến áp”.
Khi được ứng dụng một cách đúng đắn, máy biến áp cách ly có tác dụng cắt mạch
vòng nối đất, ví dụ như ngăn chặn điện áp làm việc chung.
Thật đáng tiếc, một máy biến áp cách ly đơn giản không cung cấp sự suy giảm
trong các phương thức làm việc khác nhau. Vì thế một quá độ phương thức khác có
thể truyền xuyên qua các cuộn dây của thiết bị. Cũng vậy máy biến áp cách ly sẽ
không có tác dụng điều khiển điện áp.

Khe hở phóng điện là một kỹ thuật triệt xung quá áp dạng đòn bẫy. Trong suốt

quang điện. Hồ quang này giới hạn điện áp của các thiết bị nối với nó. ng phóng
khí có điện áp cháy một chiều từ 150V đến 1000V. Chúng có điện trở shunt nhỏ
nhất trong tất cả các bộ triệt xung quá độ phi tuyến, nó khoảng vài mOhm. Điện
dung của chúng thì nhỏ từ 1pF đến 5pF, và chúng rất phổ biến trong các ứng dụng
truyền tải tần số cao, chẳng hạn như hệ thống điện thoại. Một thuận lợi của kỹ thuật
này là nó có thể chịu đựng xung dòng cao (lên đến 20kA).
Trong các ứng dụng có điện áp hoạt động bình thường trong mạch xoay chiều
chính, có khả năng ống phóng khí sẽ không phục hồi lại một khi nó đã cháy và triệt
xung quá độ. Điều kiện này phụ thuộc vào dòng điện mà được định nghĩa bởi ANSI
như sau: “dòng điện chảy qua thiết bị tần số công nghiệp cung cấp bởi nguồn, dòng
điện kèm theo dòng phóng điện hồ quang”. Dòng điện kèm theo này chảy trong khe
hở khí đã bị ion hóa sau khi quá điện áp chấm dứt và điều đáng quan tâm là dòng
điện kèm theo này có thể không thể tự dập tắt khi dòng đi qua giá trị 0.

4. Diode thác Silic
Mặc dù hiếm khi được sử dụng trong mạch điện xoay chiều chính, do khả
năng chịu đựng xung quá độ rất thấp, diode thác silic là một bộ triệt xung quá độ
Luận văn thạc sĩ GVHD: PGS.TS. Quyền Huy Ánh
HVTH: Dương Anh Hào Trang 12
tuyệt vời trong mạch điện điện áp thấp một chiều. Diode thác được thiết kế với mối
nối lớn hơn diode Zener tiêu chuẩn. Mối nối lớn này tạo cho chúng khả năng giải
phóng năng lượng lớn hơn diode Zener. Diode thác cung cấp điện áp kẹp chặt nhất
mà một thiết bị có thể làm. Khi điện áp cung cấp lớn hơn ngưỡng đánh thủng của
thiết bị, diode sẽ dẫn điện theo hướng ngược lại.
Công suất xung đỉnh định mức thường được cho trong bảng dữ liệu của diode.
Giá trị thông dụng là 600W và 1.500W. Công suất xung đỉnh này là kết quả của
dòng điện xung đỉnh định mức lớn nhất I
PP
và điện áp kẹp lớn nhất V
C

các hạt oxit ZnO dẫn điện bị ngăn cách nhau bởi biên của các hạt, chính là mối nối
P-N mang đặc tính bán dẫn. Khi MOV tiếp xúc với xung, oxit ZnO biểu lộ đặc tính
“hoạt động chủ yếu” cho phép nó dẫn một lượng lớn dòng mà không bị hư hỏng.
Hành động chủ yếu này có thể dễ dàng giải thích bởi việc hình dung cấu tạo của
MOV gồm một dãy các mối nối P-N sắp xếp nối tiếp và song song vì thế dòng xung
được chia nhỏ giữa các hạt. Bởi vì trở kháng có hạn của các hạt, chúng hoạt động
như các điện trở giới hạn dòng điện và do đó dòng điện được phân phối thông qua
phần chủ yếu của chất liệu theo cách mà làm giảm sự tập trung dòng tại mỗi mối
nối.
Thiết bị MOV đã được nghiên cứu rất nhiều và trở thành một thiết bị bảo vệ
quá áp hoàn thiện trên mạng xoay chiều hạ thế. Bản chất chủ yếu của cấu trúc của
nó đã khiến nó có đủ khả năng để xử lý các hậu quả quá độ mức II từ các nguồn sét
không trực tiếp.
MOV vừa có giá cả hợp lý lại có nhiều kích cỡ và không có số lần vượt quá
đáng kể. Không có dòng điện chảy kèm theo tần số công nghiệp và thời gian đáp
ứng của chúng thì đủ tốt hơn đối với các dạng quá độ trong mạch xoay chiều chính.
Dưới điều kiện quá độ năng lượng cao vượt quá định mức thiết bị, đặc tính V-I
của biến trở được thay đổi. Sự thay đổi này phản ánh qua việc giảm điện áp của
biến trở. Sau khi chịu một xung lần thứ hai hay thứ 3, điện áp biến trở có thể trở về
giá trị ban đầu của nó (Hình 1.4). Một cách thận trọng, giới hạn xung đỉnh đã được
thiết lập, trong nhiều trường hợp, đã vượt quá nhiều lần mà không làm hư hại thiết
bị. Những nghiên cứu và kiểm tra thí nghiệm đã chỉ ra rằng sự giảm phẩm chất của
MOV có lẽ là nguyên nhân ảnh hưởng đối với sự an toàn của thiết bị được bảo vệ
sau khi một số xung vượt ngoài định mức của thiết bị. Điều này không có nghĩa là
Luận văn thạc sĩ GVHD: PGS.TS. Quyền Huy Ánh
HVTH: Dương Anh Hào Trang 14
giới hạn thiết lập sẽ được bỏ qua nhưng lại được xem xét trong triển vọng định
nghĩa một thiết bị hư hỏng. Một thiết bị hư hỏng được định nghĩa bởi việc thay đổi

10% điện áp của biến trở tại 1mA. Điều này không đưa đến kết quả là thiết bị đó






Tiêu
Tán
Giá
1
Khe hở phóng điện
(Spark Gap)
Xung đột
biến
Chậm
Đòn bẫy
(Crowbar)
1500V
Cao
Trung
bình
2
ng phóng khí (Gas
Discharge Tube)
Xung đột
biến
Chậm
Đòn bẫy
(Crowbar)
496÷
893V

Trung
bình
Thấp
5
Điốt Zener (Zener
Diode)
Xung đột
biến
40ps
Cắt xung
(Transient
Clipping)
202Vpc
700Vps
82J
Trung
bình
thấp
6
Điốt Avalanche
(Avalanche Diode)
Xung đột
biến
5ps
Cắt xung
(Transient
Clipping)
200Vpc
300Vps
10J÷

 Xây dựng phương trình liên hệ của điện áp dư theo điện áp ngưỡng và dòng
xung sét các MOV hạ thế đơn và đa khối thông dụng trên thị trường.
 Xây dựng đặc tính liên hệ của điện áp dư theo điện áp ngưỡng và dòng xung
sét các MOV hạ thế đơn và đa khối thông dụng trên thị trường.

Trích đoạn ng 1.2: Các loại thiết bị bảo vệ quá áp quá độ ng 4.1: Thông số cho trong Catalogue của 5 loại MOV hạ thế của Siemens ng 4.3: Thông số cho trong Catalogue của 2 loại MOV hạ thế hãng AVX Kh năng dẫn dòng Giá thành

---