TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI
VIỆN ĐIỆN – BM. TỰ ĐỘNG HÓA XNCN

Trần Trọng Minh, Vũ Hoàng Phương

THIẾT KẾ ĐIỀU KHIỂN CHO CÁC BỘ BIẾN ĐỔI
ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT

MÔ HÌNH HÓA VÀ THIẾT KẾ CÁC MẠCH VÒNG ĐIỀU CHỈNH

Hà Nội – Năm 2014


1.1 Giới thiệu hệ thống điều khiển bộ biến đổi điện tử công suất

1

MỤC LỤC

MỤC LỤC ........................................................................................................................ 1
DANH MỤC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT ................................................................ 4
DANH MỤC BẢNG ........................................................................................................ 5
DANH MỤC HÌNH VẼ ................................................................................................... 6
MỞ ĐẦU ........................................................................................................................ 11
1 GIỚI THIỆU HỆ THỐNG ĐIỀU KHIỂN BỘ BIẾN ĐỔI ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT 12
1.1 Giới thiệu hệ thống điều khiển bộ biến đổi điện tử công suất ........................... 12
1.2 Một số vấn đề về đóng/ngắt cho Tiristor ........................................................... 13
1.2.1 Quá trình mở Tiristor ................................................................................. 14
1.2.2 Quá trình khóa tiristor ................................................................................ 15
1.2.3 Các yêu cầu đối với tín hiệu điều khiển tiristor ......................................... 15
1.2.4 Mạch khuếch đại xung mở Tiristor ............................................................ 16

2.4 Bài tập ................................................................................................................ 41
3Equation Chapter 1 Section 1 HỆ THỐNG ĐIỀU KHIỂN BỘ BIẾN ĐỔI DC/DC . 44
3.1 Phương pháp mô hình hóa bộ biến đổi kiểu DC/DC ......................................... 44
3.1.1 Phương pháp trung bình không gian trạng thái .......................................... 44
3.1.2 Phương pháp trung bình hóa mạch đóng cắt .............................................. 46
3.2 Mô hình toán học bộ biến đổi kiểu buck ........................................................... 49
3.2.1 Phương pháp trung bình không gian trạng thái .......................................... 49
3.2.2 Phương pháp trung bình hóa mạch đóng cắt .............................................. 52
3.3 Mô hình toán học bộ biến đổi kiểu boost .......................................................... 53


2

1 GIỚI THIỆU HỆ THỐNG ĐIỀU KHIỂN BỘ BIẾN ĐỔI ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT

3.3.1 Phương pháp trung bình không gian trạng thái .......................................... 53
3.3.2 Phương pháp trung bình hóa mạch đóng cắt .............................................. 55
3.4 Mô hình toán học bộ biến đổi kiểu buck – boost............................................... 57
3.4.1 Phương pháp trung bình không gian trạng thái .......................................... 57
3.4.2 Phương pháp trung bình hóa mạch đóng cắt .............................................. 59
3.5 Mô hình bộ biến đổi DC/DC làm việc trong chế độ dòng điện gián đoạn (DCM)
59
3.5.1 Mô hình trung bình .................................................................................... 59
3.6 Phương pháp điều khiển tuyến tính cho bộ biến đổi DC/DC ............................ 63
3.6.1 Nguyên lý điều khiển điện áp (Voltage mode) .......................................... 63
3.6.2 Nguyên lý điều khiển dòng điện (Current mode) ...................................... 63
3.6.2.1 Mô hình bộ biến đổi DC/DC điều khiển theo nguyên lý dòng điện .... 64
3.6.3 Nhắc lại một số kiến thức về lý thuyết điều khiển tự động........................ 66
3.6.4 Một số bộ bù sử dụng trong cấu trúc điều khiển DC/DC converter .......... 68
3.6.5 Tuyến tính hóa khâu điều chế độ rộng xung .............................................. 73

4.4.2.1 Khái niệm vector không gian ............................................................. 105
4.4.2.2 Phương pháp điều chế vector không gian .......................................... 106
4.4.3 Kết quả mô phỏng phương pháp điều chế độ rộng xung cho nghịch lưu ba
pha ............................................................................................................ 114
4.5 Bù thơi gian chết deadtime trong nghịch lưu nguồn áp................................... 116
4.6 Xây dựng mạch vòng dòng điện cho nghịch lưu nguồn áp một pha ............... 116


1.1 Giới thiệu hệ thống điều khiển bộ biến đổi điện tử công suất

3

Thiết kế bộ điều chỉnh dòng điện cho nghịch lưu nguồn áp một pha ...... 116
Ví dụ về thiết kế mạch vòng dòng điện cho nghịch lưu nguồn áp một pha
.................................................................................................................. 118
4.7 Xây dựng mạch vòng dòng điện cho nghịch lưu nguồn áp ba pha.................. 118
4.7.1 Thiết kế bộ điều chỉnh dòng điện cho nghịch lưu nguồn áp ba pha ........ 118
4.7.1.1 Thiết kề bộ điều chỉnh dòng điện trên hệ tọa độ tĩnh αβ .................... 119
4.7.1.2 Thiết kề bộ điều chỉnh dòng điện trên hệ tọa độ quay dq .................. 119
4.8 Bài tập .............................................................................................................. 121
5 HỆ THỐNG ĐIỀU KHIỂN SỐ CHO BỘ BIẾN ĐỔI ĐIỆN TỬ CÔNG
SUẤTEquation Chapter (Next) Section 1 ................................................................ 123
5.1 Nhắc lại kiến thức về điều khiển số ................................................................. 123
5.1.1 Mô hình đối tượng trên miền gián đoạn z ................................................ 123
5.2 Hệ thống điều khiển số cho bộ biến đổi điện tử công suất .............................. 125
5.3 Yêu cầu về độ phân giải của A/D và khâu điều chế độ rộng xung .................. 126
5.3.1 Độ phân giải của A/D............................................................................... 126
5.3.2 Yêu cầu độ phân giải DPWM .................................................................. 127
5.3.3 Đồng bộ giữa thời điểm trích mẫu ADC và khung thời gian điều chế độ
rộng xung ................................................................................................. 128

V
uo, Uo
*
V
uo
uin, Uin
V
uC, UC
V
iL, IL
V
*
A
iL
d, D
A
iˆ
V
uˆ
ˆ
A
d
s
Tx
T
s
s
p
α
Rad

Giá trị trung bình điện áp đầu ra của bộ chỉnh lưu Tiristor
Điện áp điều khiển bộ chỉnh lưu Tiristor


1.1 Giới thiệu hệ thống điều khiển bộ biến đổi điện tử công suất

5

DANH MỤC BẢNG

B ng 5.1

Các phương pháp gián đoạn............................................................ 131


6

1 GIỚI THIỆU HỆ THỐNG ĐIỀU KHIỂN BỘ BIẾN ĐỔI ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT

DANH MỤC HÌNH VẼ

Hình 1.1

Hệ thống điều khiển điện tử công suất tiêu biểu .............................................. 12

Hình 1.2

So sánh tương đối về các phần tử van bán dẫn ................................................. 13

Hình 1.3


Hình 2.4

Điện áp tựa dạng răng cưa sườn lên ................................................................. 26

Hình 2.5

Điện áp tựa dạng cosin ..................................................................................... 27

Hình 3.1 Mô tả bộ biến đổi DC/DC, a) mạch lực bộ biến đổi DC/DC, b) Mô hình bộ
biến đổi DC/DC tại điểm xác lập, c) Mô hình trung bình bộ biến đổi DC/DC ................... 47
Hình 3.2 Mạng điện hai cửa, a) tín hiệu trung bình, b) Mạch điện điện tương đương
được tuyến tính tại điểm làm việc cân bằng ........................................................................ 48
Hình 3.3
Boost

Mô hình trung bình bộ biến đổi DC/DC, a)Bộ biến đổi Buck, b)Bộ biến đổi
49

Hình 3.4 Sơ đồ mạch điện bộ biến đổi kiểu buck (a), Sơ đồ mạch điện bộ biến đổi kiểu
buck trong thái 1(b), Sơ đồ mạch điện bộ biến đổi kiểu buck trong thái 2 (c).................... 49
Hình 3.5

Mạch điện mô tả bộ biến đổi Buck với tín hiệu nhỏ......................................... 52

Hình 3.6 Sơ đồ mạch điện bộ biến đổi kiểu boost (a), Sơ đồ mạch điện bộ biến đổi kiểu
boost trong thái 1(b), Sơ đồ mạch điện bộ biến đổi kiểu boost trong thái 2 (c) .................. 53
Hình 3.7

Mạch điện mô tả bộ biến đổi Boost với tín hiệu nhỏ........................................ 56

Hình 3.23 Kết quả mô phỏng Buck converter sử dụng bộ bù (3.94) ................................. 78
Hình 3.24 Kết quả mô phỏng Buck converter sử dụng bộ bù (3.124) khi điện áp nguồn có
đập mạch với biên độ 1V, tần số 100Hz.............................................................................. 78
Hình 3.25 Kết quả mô phỏng Buck converter sử dụng bộ bù (3.124) ............................... 79
Hình 3.26 Kết quả mô phỏng Buck converter sử dụng bộ bù (3.124) khi điện áp nguồn có
đập mạch với biên độ 1V, tần số 100Hz.............................................................................. 79
Hình 3.27 Cấu trúc điều khiển gián tiếp theo nguyên lý dòng điện trung bình bộ biến đổi
kiểu buck 80
Hình 3.28 Đồ thị Bode của hàm truyền đạt (3.129).......................................................... 81
Hình 3.29 Đồ thị Bode của hàm truyền đạt (3.131).......................................................... 82
Hình 3.30 Kết quả mô phỏng Buck converter theo nguyên lý điều khiển dòng điện trung
bình
82
Hình 3.31 Cấu trúc điều khiển gián tiếp theo nguyên lý dòng điện đỉnh bộ biến đổi kiểu
buck
83
Hình 3.32 Kết quả mô phỏng Buck converter theo nguyên lý điều khiển dòng điện đỉnh`
83
Hình 3.33 Đồ thị Bode của hàm truyền đạt (3.138)........................................................... 84
Hình 3.34 Đồ thị Bode của hàm truyền đạt vòng hở (Gvd.Gc) ......................................... 85
Hình 3.35 Kết quả mô phỏng bộ Boost theo nguyên lý điều khiển điện áp ...................... 86
Hình 3.36 Cấu trúc điều khiển gián tiếp theo nguyên lý dòng điện đỉnh bộ biến đổi kiểu
Boost
86
Hình 3.37 Đồ thị bode của hàm truyền đạt Gui ( s ) biến đổi kiểu Boost ........................... 87
Hình 3.38 Đồ thị bode của hàm truyền đạt Gui ( s ) và bộ bù (3.103) biến đổi kiểu Boost 88


8


Hình 4.4

Giải pháp điều chế độ rộng xung cho nghịch lưu một pha, a) Điều

chế lưỡng cực, b) Điều chế đơn cực ......................................................................... 98
Hình 4.5

Dạng sóng điện áp theo phương pháp điều chế hai cực, a) Sóng mang

và tín hiệu điều khiển, b) Điện áp đầu ra mạch nghịch lưu ...................................... 99
Hình 4.6

Trạng thái mạch nghịch lưu theo phương pháp điều chế hai cưc ..... 99

Hình 4.7

Dạng sóng điện áp theo phương pháp điều chế đơn cực, a) Sóng

mang và tín hiệu điều khiển, b) Điện áp đầu ra mạch nghịch lưu .......................... 100
Hình 4.8

Trạng thái mạch nghịch lưu trong phương pháp điều chế đơn cực 100

Hình 4.9

Biểu đồ vector của kỹ thuật điều chế vector đơn cực ..................... 101

Hình 4.10

Mẫu xung chuẩn đưa ra nghịch lưu một pha, a) nửa chu kỳ dương, b)


Hình 4.17

Mối quan hệ giữa các sector và điện áp tức thời usa, usb, usc ........... 109

Hình 4.18

Thuật toán xác định vector điện áp đặt trong mỗi sector ................ 110

Hình 4.19

Vector điện áp được điều chế trong Sector 1 .................................. 110

Hình 4.20

Trạng thái logic của vector chuẩn trong Sector 1 ........................... 111

Hình 4.21

Mẫu xung chuẩn trong Sector 1 ...................................................... 112

Hình 4.22

Các mẫu xung chuẩn đưa ra trong mỗi sector ................................ 113

Hình 4.23

Quĩ đạo vector điện áp theo phương pháp điều chế độ rộng xung cho

nghịch lưu ba pha nguồn áp.................................................................................... 114


Biểu điện vector điện áp và dòng điện trên các hệ trục tọa độ ....... 119

Hình 4.30

Cấu trúc điều khiển dòng điện trên hệ tọa độ tĩnh αβ ..................... 119

Hình 4.31

Cấu trúc điều khiển dòng điện trên hệ tọa độ quay dq ................... 121

Hình 5.1

Hê thống điều khiển số ................................................................... 126

Hình 5.2

Biểu diễn dữ liệu vào ADC ............................................................. 126


10

1 GIỚI THIỆU HỆ THỐNG ĐIỀU KHIỂN BỘ BIẾN ĐỔI ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT


1.1 Giới thiệu hệ thống điều khiển bộ biến đổi điện tử công suất

MỞ ĐẦU

11


Hình 1.1

Hệ thống điều khiển điện tử công suất tiêu biểu


1.2 Một số vấn đề về đóng/ngắt cho Tiristor

13

Các van bán đẫn được sử dụng chia thành 2 loại chính:
+ Van bán dẫn chỉ điều khiển được quá trình đóng mà không điều khiển được quá trình
ngắt (Tiristor).
+ Van bán dẫn điều khiển được cả quá trình đóng và quá trình ngắt: MOSFET, IGBT...
Phạm vi ứng dụng của các van bán dẫn này cũng rất khác nhau phụ thuộc vào khả năng
chịu điện áp và dòng điên.

Hình 1.2

So sánh tương đối về các phần tử van bán dẫn

1.2 Một số vấn đề về đóng/ngắt cho Tiristor
Tiristor là phần tử bán dẫn cấu tạo từ bốn lớp bán dẫn p-n-p-n, tạo ra ba tiếp giáp p-n J1,
J2, J3. Tiristor có ba cực : anôt A, catôt K, cực điều khiển G.
Đặc tính vôn-ămpe của một tiristor gồm hai phần Hình 1.3. Phần thứ nhất nằm trong
góc phần thứ tư thứ I là đặc tính thuận tương ứng với trường hợp điện áp UAK>0, phần thứ
hai nằm trong góc phần tư thứ III, gọi là đặc tính ngược, tương ứng với trường hợp UAK
việc trên đường đặc tính thuận sẽ xảy ra sớm hơn, trước khi điện áp thuận đạt đến giá trị
lớn nhất, Uth.max. Điều này được mô tả trên Hình 1.3 bằng những đường nét đứt, ứng với
các giá trị dòng điều khiển khác nhau, IG1, IG2, IG3,... Nói chung nếu dòng điều khiển lớn
hơn thì điểm chuyển đặc tính làm việc sẽ xảy ra với UAK nhỏ hơn.
Tình hình xảy ra trên đường đặc tính ngược sẽ không có gì khác so với trường hợp dòng
điều khiển bằng 0.
Tiristor có đặc tính giống như điôt, nghĩa là chỉ cho phép dòng chạy qua theo một chiều, từ
anôt đến catôt và cản trở dòng chạy theo chiều ngược lại. Tuy nhiên khác với điôt, để
tiristor có thể dẫn dòng ngoài điều kiện phải có điện áp UAK>0 còn cần thêm một số điều
kiện khác. Do đó tiristor được coi là phần tử bán dẫn có điều khiển để phân biệt với điôt là
phần tử không điều khiển được.
1.2.1

Quá trình mở Tiristor

Khi được phân cực thuận, UAK>0, tiristor có thể mở bằng hai cách. Thứ nhất, có thể
tăng điện áp anôt-catôt cho đến khi đạt đến giá trị điện áp thuận lớn nhất , Uth,max. Khi đó
điện trở tương đương trong mạch anôt-catôt sẽ giảm đột ngột và dòng qua tiristor sẽ hoàn
toàn do mạch ngoài xác định. Phương pháp này trong thực tế không được áp dụng do
nguyên nhân mở không mong muốn và không phải lúc nào cũng có thể tăng được điện áp
đến giá trị Uth,max. Vả lại như vậy sẽ xảy ra trường hợp tiristor tự mở ra dưới tác dụng
của các xung điện áp tại một thời điểm ngẫu nhiên, không định trước.
Phương pháp thứ hai, phương pháp được áp dụng thực tế, là đưa một xung dòng điện có
giá trị nhất định vào giữa cực điều khiển và catôt. Xung dòng điện điều khiển sẽ chuyển
trạng thái của tiristor từ trở kháng cao sang trở kháng thấp ở mức điện áp anôt-catôt nhỏ.
Khi đó nếu dòng qua anôt-catôt lớn hơn một giá trị nhất định, gọi là dòng duy trì (Idt) thì
tiristor sẽ tiếp tục ở trong trạng thái mở dẫn dòng mà không cần đến sự tồn tại của xung
dòng điều khiển nữa. Điều này nghĩa là có thể điều khiển mở các tiristor bằng các xung




Dạng điện áp và dòng điện của Tiristor trong quá trình đóng cắt

Các yêu cầu đối với tín hiệu điều khiển tiristor

Quan hệ giữa điện áp trên cực điều khiển và catôt (UGK) với dòng điện đi vào cực điều
khiển (IG) xác định các yêu cầu đối với tín hiệu điều khiển tiristor. Với cùng một loại
tiristor nhà sản xuất sẽ cung cấp một họ đặc tính điều khiển, ví dụ như ở trên Error!
Reference source not found., trên đó có thể thấy được các đặc tính giới hạn về điện áp và
dòng điện nhỏ nhất, ứng với một nhiệt độ môi trường nhất định mà tín hiệu điều khiển phải
đảm bảo để mở được chắc chắn một tiristor. Dòng điều khiển đi qua tiếp giáp p-n giữa cực


16

1 GIỚI THIỆU HỆ THỐNG ĐIỀU KHIỂN BỘ BIẾN ĐỔI ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT

điều khiển và catôt cũng làm phát nóng tiếp giáp này. Vì vậy tín hiệu điều khiển cũng phải
bị hạn chế về công suất. Công suất giới hạn của tín hiệu điều khiển phụ thuộc độ rộng của
xung điều khiển. Nếu tín hiệu điều khiển là một xung có độ rộng càng ngắn thì công suất
cho phép có thể càng lớn.
Yêu cầu về tín hiệu điều khiển tiristor [2]:
+ Đủ công suất thể hiện biên độ điện áp (UGK), dòng điện (IGK).
+ Độ rộng xung là một yêu cầu quan trọng để đảm bảo dòng IV vượt qua giá trị dòng
duy trì Ih, để khi ngắt xung van vẫn giữ được trạng thái dẫn. Thực tế, độ rộng xung điều
khiển chỉ cần cỡ 500µs là đảm bảo mở van với các dạng tải.
+ Có sườn xung dốc đứng để mở van chính xác vào thời điểm qui định, thường tốc độ
tăng điện áp điều khiển phải đạt 10V/µs, tốc độ tăng dòng điều khiển 0,1A/µs.
1.2.4



D3

R2
120R_2W

10

5
EI_20

Rb
Vb

Q1

FR107

D2
R3
FR107 1k

C1
102_2kV
K1


1.3 Một số vấn đề về điều khiển cho MOSFET, IGBT

Hình 1.6

thay đổi. td(on) = t1 gọi là thời gian trễ khi mở. Bắt đầu từ thời điểm t1 khi UGS đã vượt qua
giá trị ngưỡng, dòng cực máng ID bắt đầu tăng, tuy nhiên điện áp UDS vẫn giữ nguyên ở giá
trị điện áp nguồn VDD.
Trong khoảng t1 đến t2 dòng ID tăng tuyến tính rất nhanh, đạt đến giá trị dòng tải. Từ t2
trở đi, khi UGS đạt đến mức, gọi là mức Miller, điện áp UDS bắt đầu giảm rất nhanh. Trong
khoảng từ t2 đến t4 điện áp UGS bị găm ở mức Miller, do đó dòng IG cũng có giá trị không
đổi. Khoảng này gọi là khoảng Miller. Trong khoảng thời gian này dòng điều khiển là
dòng phóng cho tụ CGD để giảm nhanh điện áp giữa cực máng và cực gốc UDS.
Sau thời điểm t4 VGS lại tăng tiếp tục với hằng số thời gian T2 = (Rdr + RGext + RGin).(CGS
+ CGDh) vì lúc này tụ CGD đã tăng đến giá trị cao CGDh. VGS sẽ tăng đến giá trị cuối cùng,
xác định giá trị thấp nhất của điện áp giữa cực gốc và cực máng, VDS = IDS.RDS(on).


18

1 GIỚI THIỆU HỆ THỐNG ĐIỀU KHIỂN BỘ BIẾN ĐỔI ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT

Trên đồ thị Hình 1.8a, A1 đặc trưng cho điện tích nạp cho tụ (CGS + CGD) trong khoảng
t1 đến t2, A2 đặc trưng cho điện tích nạp cho tụ CGD trong khoảng t2 đến t4.
Nếu coi điôt không D không phải là lý tưởng thì quá trình phục hồi của điôt sẽ ảnh
hưởng đến dạng sóng của sơ đồ như được chỉ ra trong Hình 1.8a, theo đó dòng ID có đỉnh
nhô cao ở thời điểm t2 tương ứng với dòng ngược của quá trình phục hồi điôt D.
Dạng sóng của quá trình khóa thể hiện trên Hình 1.8b. Khi đầu ra của vi mạch điều
khiển DRIVER xuống đến mức không VGS bắt đầu giảm theo hàm mũ với hằng số thời
gian T2 = (Rdr + RGext + RGin).(CGS + CGDh) từ 0 đến t1, tuy nhiên sau thời điểm t3 thì hằng
số thời gian lại là T1 = (Rdr + RGext + RGin).(CGS + CGDl). Từ 0 đến t1 là thời gian trễ khi
khóa td(off), dòng điều khiển phóng điện cho tụ CGS và tụ CGD. Sau thời điểm t1 điện áp VSD
bắt đầu tăng từ ID.RDS(on) đến giá trị cuối cùng tại t3, trong khi đó dòng ID vẫn giữ nguyên
mức cũ. Khoảng thời gian từ t2 đến t3 tương ứng với mức Miller, dòng điều khiển và điện
áp trên cực điều khiển giữ nguyên giá trị không đổi. Sau thời điểm t3 dòng ID bắt đầu giảm

hàm mũ, từ không đến giá trị ngưỡng VGE(th) (khoảng 3 – 5V), chỉ bắt đầu từ đó MOSFET
trong cấu trúc của IGBT mới bắt đầu mở ra. Dòng điện giữa collector-emitter tăng theo
quy luật tuyến tính từ không đến dòng tải I0 trong thời gian tr. Trong thời gian tr điện áp
gữa cực điều khiển và emitter tăng đến giá trị VGE,Io, xác định giá trị dòng I0 qua collector.
Do điôt D0 còn đang dẫn dòng tải I0 nên điện áp VCE vẫn bị găm lên mức điện áp nguồn
một chiều Vdc. Tiếp theo quá trình mở diễn ra theo hai giai đoạn, tfv1 và tfv2. Trong suốt hai
giai đoạn này điện áp giữa cực điều khiển giữ nguyên ở mức VGE,Io (mức Miller), để duy trì
dòng I0, do dòng điều khiển hoàn toàn là dòng phóng của tụ Cgc. IGBT vẫn làm việc trong
chế độ tuyến tính. Trong giai đoạn đầu diễn ra quá trình khóa và phục hồi của điôt D0.
Dòng phục hồi của điôt D0 tạo nên xung dòng trên mức dòng I0 của IGBT. Điện áp VCE
bắt đầu giảm. IGBT chuyển điểm làm việc qua vùng chế độ tuyến tính để sang vùng bão
hòa. Giai đoạn hai tiếp diễn quá trình giảm điện trở trong vùng thuần trở của collector, dẫn
đến điện trở giữa collector-emitter về đến giá trị Ron khi khóa bão hòa hoàn toàn, VCE,on =
I0Ron.
Sau thời gian mở ton, khi tụ Cgc đã phóng điện xong điện áp giữa cực điều khiển và
emitter tiếp tục tăng theo quy luật hàm mũ, với hằng số thời gian bằng CgeRG, đến giá trị
cuối cùng VG.
Tổn hao năng lượng khi mở được tính gần đúng bằng
V I
Qon = dc 0 ton
(3.1)
2
Nếu tính thêm ảnh hưởng của quá trình phục hồi của điôt D0 thì tổn hao năng lượng sẽ
lớn hơn do xung dòng trên dòng collector.
Dạng điện áp, dòng điện của quá trình khóa thể hiện trên hình 1.32. Quá trình khóa bắt
đầu khi điện áp điều khiển giảm từ VG xuống –VG. Trong thời gian thời gian trễ khi khóa
td(off), chỉ có tụ đầu vào Cge phóng điện qua dòng điều khiển đầu vào với hằng số thời gian