BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO

VIỆN HÀN LÂM KHOA HỌC
VÀ CÔNG NGHỆ VIỆT NAM

HỌC VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ

……..….***…………

NGUYỄN XUÂN CA

CHẾ TẠO VÀ NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT QUANG CỦA NANO
TINH THỂ LÕI/VỎ LOẠI II CdS/ZnSe
Chuyên ngành: Vật lý chất rắn
Mã số: 62.44.01.04

TÓM TẮT LUẬN ÁN TIẾN SĨ

Hà Nội – 2016
1


Công trình được hoàn thành tại: Học viện Khoa học và Công nghệ Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam

Người hướng dẫn khoa học 1: PGS TS Vũ Thị Kim Liên
Người hướng dẫn khoa học 2: PGS TS Nguyễn Xuân Nghĩa

Phản biện 1: ………………………….
Phản biện 2: ………………………….
Phản biện 3: ………………………….


nghiên cứu tính chất quang của nano tinh thể lõi/vỏ loại II CdS/ZnSe ”
Các vấn đề còn chƣa rõ ràng nhƣ: công nghệ chế tạo, dấu hiệu nhận biết các đặc
trƣng loại II, ảnh hƣởng của bề mặt tiếp giáp lên các tính chất quang phổ, ảnh hƣởng
của ứng suất lên đặc trƣng phonon, sự phụ thuộc các tính chất quang theo mật độ công
suất kích thích và nhiệt độ của các NC loại II sẽ đƣợc trình bày trong luận án này.
Mục đích của luận án
Chế tạo các NC lõi/vỏ loại II CdS/ZnSe. Làm sáng tỏ ảnh hƣởng của công suất
kích thích quang và nhiệt độ đến tính chất PL của các NC lõi/vỏ loại II CdS/ZnSe có
dạng hàng rào thế khác nhau.
Nội dung nghiên cứu
1.Chế tạo các NC lõi/vỏ loại II CdS/ZnSe không có và có lớp đệm hợp kim
2.Ảnh hƣởng của kích thƣớc lõi, độ dày lớp vỏ và lớp đệm hợp kim đến các đặc trƣng
1


quang của các NC loại II CdS/ZnSe
3.Sự phụ thuộc năng lƣợng phát xạ của NC lõi/vỏ loại II CdS/ZnSe không có và có lớp
đệm hợp kim vào công suất kích thích quang và nhiệt độ.
Phương pháp nghiên cứu
Các NC lõi/vỏ loại II CdS/ZnSe đƣợc chế tạo bằng phƣơng pháp hóa ƣớt trong
dung môi không liên kết ODE. Hình dạng, kích thƣớc, cấu trúc tinh thể, thành phần,
đặc trƣng phonon và tính chất quang của các mẫu nghiên cứu đƣợc khảo sát bằng các
phƣơng pháp nhƣ TEM, XRD, EDS, tán xạ Raman, hấp thụ quang, PL và phép đo
huỳnh quang phân giải thời gian.
Ý nghĩa khoa học của luận án
- Nghiên cứu chi tiết quy trình công nghệ chế tạo các NC lõi/vỏ loại II CdS/ZnSe
có và không có lớp đệm hợp kim.
- Góp phần làm sáng tỏ ảnh hƣởng của công suất kích thích quang và nhiệt độ đến
tính chất PL của các NC lõi/vỏ loại II CdS/ZnSe có dạng hàng rào thế khác nhau
tại bề mặt tiếp giáp lõi/vỏ.

và do đó kích thƣớc của các NC CdS hay CdSe bị giảm xuống. Sự tăng nhiệt độ phản
ứng làm tăng mạnh không chỉ số lƣợng mầm tinh thể mà cả tốc độ phát triển kích
thƣớc của chúng. Tại cùng thời gian phản ứng thì sự tăng nhiệt độ làm tăng kích thƣớc
hạt. Điểm hội tụ kích thƣớc dịch dần về phía thời gian phản ứng lớn hơn khi giảm nhiệt
độ chế tạo.
Nhìn chung, chế độ phân bố hạt tải trong các NC lõi/vỏ CdS/ZnSe có kích thƣớc
lõi nhỏ và độ dày lớp vỏ mỏng thuộc về loại I, còn chế độ phân bố hạt tải loại II nhận
đƣợc đối với các kích thƣớc lõi và độ dày lớp vỏ lớn hơn. Chế độ phân bố hạt tải trong
các NC với kích thƣớc lõi nhỏ, độ dày lớp vỏ lớn hoặc kích thƣớc lõi lớn, độ dày lớp
vỏ mỏng đều thuộc về chế độ giả loại II. Kết quả nghiên cứu trên Hình 1.12(a) đã đƣợc
3


sử dụng trong luận án để thiết kế các thí nghiệm chế tạo các NC lõi/vỏ loại II
CdS/ZnSe.

Hình 1.12. Chế độ phân bố hạt tải trong các NC CdS/ZnSe có kích thước lõi và độ dày
lớp vỏ khác nhau. (a) Kích thước lõi được thể hiện thông qua bước sóng phát xạ λo của
lõi, và độ dày lớp vỏ được ký hiệu là H. (b) Đồ thị biểu diễn tích phân che phủ điện tửlỗ trống được tính toán cho các NC CdS/ZnSe như là hàm của bước sóng phát xạ của
lõi CdS và chiều dày vỏ ZnSe (H) [1].
1.3.Tính chất quang của các tinh thể nano lõi/vỏ loại II
Khi thay đổi kích thƣớc lõi và chiều dày lớp vỏ thì chế độ định xứ của hạt tải
trong các NC lõi/vỏ có thể chuyển từ loại I, sang giả loại II hay loại II. Các NC loại II
có thể cho bƣớc sóng phát xạ ở vùng hồng ngoại, ngay cả khi bƣớc sóng phát xạ của
các vật liệu khối cấu thành nên các NC này chỉ ở vùng nhìn thấy. Cũng tƣơng tự nhƣ
phổ phát xạ, ở phổ hấp thụ ta cũng quan sát thấy sự dịch đỏ của đỉnh hấp thụ khi lớp vỏ
phát triển trên lõi. Bên cạnh việc phổ hấp thụ dịch đỏ thì đỉnh hấp thụ của lõi bị mở
rộng và choãi dần, xuất hiện đuôi hấp thụ phía bƣớc sóng dài khi chiều dày lớp vỏ
tăng. Đuôi hấp thụ phía bƣớc sóng dài này là một dấu hiệu rất quan trọng để nhận biết
một các NC lõi/vỏ là cấu trúc loại II.

hoạt động bề mặt đã đƣợc đề xuất để giải thích hiện tƣợng bất thƣờng này. Tuy nhiên,
cơ chế của LTAQ đã không đƣợc phân tích và chỉ ra cụ thể.
5


Hình 1.19. Sự phụ thuộc của năng lượng phát xạ và PL FWHM theo nhiệt độ của các
NC lõi/vỏ loại II CdTe/CdSe (a), (b)[45]; (c)[44] .
Đối với sự thay đổi năng lƣợng phát xạ và PL FWHM theo nhiệt độ của các NC
loại II CdTe/CdSe, trong khi Chon [45] quan sát thấy sự thay đổi bình thƣờng, Hình
1.19(a) và Hình 1.19(b) thì Wang [44] lại quan sát thấy dáng điệu khác thƣờng của
đƣờng cong năng lƣợng phát xạ và PL FWHM, Hình 1.19(c). Chon và các cộng sự đã
chỉ ra rằng các NC loại II CdTe/CdSe nhạy hơn đối với sự dập tắt huỳnh quang do
nhiệt, có sự thay đổi độ rộng vùng cấm nhỏ hơn và độ rộng dải PL mở rộng hơn so với
NC CdTe. Độ rộng vùng năng lƣợng của các NC CdTe/CdSe có vỏ dày thay đổi theo
nhiệt độ ít hơn các NC CdTe/CdSe có vỏ mỏng. Trong khi đó nghiên cứu của Saad
cũng đối với các NC loại II CdTe/CdSe lại không cho các kết quả tƣơng tự.
Tính chất quang phụ thuộc nhiệt độ của các NC loại II bị chi phối không chỉ bởi
sự thay đổi độ rộng vùng cấm khác nhau của các vật liệu bán dẫn thành phần mà còn
bởi chất lƣợng của cấu trúc và ứng suất do các hệ số giãn nở nhiệt khác nhau của vật
6


liệu lõi và vỏ. Trong thực tế, việc tạo ra bề mặt tiếp xúc lõi/vỏ hoàn hảo và lớp vỏ
không có sai hỏng là không dễ dàng. Chất lƣợng không cao của các NC lõi/vỏ đƣợc
khảo sát có thể dẫn tới sự dập tắt huỳnh quang nhanh hơn so với lõi do sự kích hoạt
nhiệt các tâm tái hợp không phát xạ. Bên cạnh đó, các hệ số giãn nở nhiệt khác nhau
của vật liệu lõi và vỏ gây ra ứng suất khác nhau trong các NC loại II trong sự phụ
thuộc vào nhiệt độ, và do đó đóng góp sự thay đổi bổ sung vào sự phụ thuộc nhiệt độ
của độ rộng vùng cấm của các NC loại II. Độ lớn của ứng suất sẽ phụ thuộc cả vào độ
dày của lớp vỏ và chất lƣợng lớp tiếp giáp. Rất có thể các kết quả khác nhau về sự phụ

phần tại bề mặt tiếp giáp lõi/vỏ gây nên sự dịch xanh của đỉnh phát xạ, Hình 1.22.

Hình 1.22. Sự thay đổi phổ PL của các NC lõi/vỏ loại II CdTe/CdSe tại 15 K khi thay
đổi công suất kích thích quang. Hình nhỏ bên trong chỉ ra ảnh hưởng của hiệu ứng
uốn cong vùng đến cấu trúc vùng năng lượng loại II [44].
Trong ba dấu hiệu nhận biết đặc trƣng loại II trên, theo chúng tôi dấu hiệu đỉnh
phổ PL dịch xanh khi tăng công suất chiếu sáng là dấu hiệu quan trọng nhất và thuộc
về bản chất vật lý của các NC loại II. Đây cũng là dấu hiệu chính đƣợc chúng tôi sử
dụng trong nghiên cứu của mình để nhận biết cấu trúc NC CdS/ZnSe chế tạo đƣợc có
phải là cấu trúc NC loại II hay không. Hai dấu hiệu đầu là phổ PL dịch đỏ mạnh đồng
thời chân phổ hấp thụ nâng lên và thời gian sống tăng khi lớp vỏ phát triển trên lõi sẽ là
các dấu hiệu nhận biết bổ sung do chúng có thể phụ thuộc vào chất lƣợng mẫu và điều
kiện chế tạo.
CHƢƠNG 2: THỰC NGHIỆM
2.1. Chế tạo cấu trúc nano lõi/vỏ CdS/ZnSe
Cấu trúc nano lõi/vỏ CdS/ZnSe đƣợc chế tạo bằng phƣơng pháp hóa ƣớt sử dụng kỹ
thuật bơm nóng. Quá trình chế tạo bao gồm hai giai đoạn tách biệt là chế tạo lõi CdS
và sau đó bọc lớp vỏ ZnSe trên bề mặt lõi CdS.
8


Hình 2.1. Hệ chế tạo các mẫu nghiên cứu: (1) đường khí vào; (2) đường khí ra; (3)
bình ba cổ; (4) bếp nhiệt khuấy từ; và (5) nhiệt kế.
Chế tạo các dung dịch tiền chất: Các dung dịch tiền chất Cd2+ (Zn2+) đƣợc tạo
thành bằng cách hòa tan CdO (ZnO) trong hỗn hợp OA và ODE tại 280oC. Trong khi
đó dung dịch tiền chất S2- đƣợc tạo ra bằng cách hòa tan trực tiếp S trong ODE tại
100oC, còn dung dịch tiền chất Se2- nhận đƣợc khi hòa tan Se trong hỗn hợp TOP và
ODE cũng tại 100oC.
Chế tạo lõi CdS: Lõi CdS đƣợc chế tạo với tỷ lệ mol Cd:S = 2:1, nồng độ [OA] =
0,1 M bằng cách bơm nhanh dung dịch tiền chất S2- vào dung dịch Cd2+ đã đƣợc đốt



hơn các NC đƣợc chế tạo tại nhiệt độ thấp. Trong giai đoạn đầu của phản ứng (từ 2-15
phút ) thì kích thƣớc của các NC CdS chế tạo ở nhiệt độ cao đều lớn hơn các NC CdS
chế tạo ở nhiệt độ thấp. Mặc dù kích thƣớc hạt ban đầu khác nhau nhƣng ở các thời
gian dài hơn (từ 60-120 phút) thì kích thƣớc hạt chế tạo tại các nhiệt độ khác nhau là
gần nhƣ nhau, điều đó có thể suy ra là kích thƣớc lớn nhất của các NC CdS ít phụ
thuộc vào nhiệt độ. Quy luật về sự mở rộng và phân bố kích thƣớc hạt theo nhiệt độ:
trong thời gian đầu của phản ứng PL FWHM giảm, sau đó tăng. Nhiệt độ phản ứng
càng cao thì thời gian đạt đƣợc sự hội tụ kích thƣớc càng ngắn, thời gian hội tụ kích
thƣớc là 60, 30, 10 và 5 phút tƣơng ứng với các nhiệt độ phản ứng là 250, 270, 290 và
310oC.
3.1.3. Tính lặp lại của công nghệ chế tạo các tinh thể nano CdS
Các kết quả thực nghiệm trong lần chế tạo thứ nhất và thứ hai có quy luật biến
đổi tƣơng tự và khá trùng khớp với nhau. Khi thời gian phản ứng tăng, sự phụ thuộc
của năng lƣợng phát xạ và PL FWHM đều diễn biến với xu hƣớng nhƣ nhau trong hai
lần chế tạo, điểm hội tụ kích thƣớc trong hai lần chế tạo đều tại thời gian phản ứng 10
phút. Kết quả chế tạo bằng phƣơng pháp hóa học phụ thuộc vào nhiều thông số thực
nghiệm, tuy nhiên nếu ta kiểm soát chặt chẽ các điều kiện công nghệ thì hoàn toàn có
thể lặp lại các kết quả thực nghiệm trong một phạm vi sai số nhất định.
3.2. Nghiên cứu chế tạo các tinh thể nano lõi/vỏ loại II CdS/ZnSe
Chế tạo các NC lõi/vỏ loại II CdS/ZnSe theo quy trình hai bƣớc gặp phải những
khó khăn: khi lõi CdS đƣợc chế tạo ở nhiệt độ cao sau đó hạ xuống nhiệt độ phòng thì
sẽ có một lƣợng tiền chất nhất định (gồm Cd2+ và S2-) chƣa phản ứng hết bám vào bề
mặt của các NC CdS. Lớp vỏ mỏng này và ngay cả bản thân lõi CdS cũng bị tan ra một
phần khi bơm trở lại dung môi ODE ở nhiệt độ cao để tiến hành bọc vỏ. Sự tan ra của
lõi CdS dẫn đến trong dung dịch phản ứng tồn tại đồng thời cả các NC CdS và các ion
Cd2+ và S2-. Khi bơm tiền chất Zn2+ và Se2- vào dung dịch chứa lõi CdS và có các ion
Cd2+, S2- ( do lõi CdS tan ra ) thì trong dung dịch phản ứng tồn tại đồng thời 4 ion Zn 2+,
Se2-, Cd2+, S2- và các NC CdS. Hoạt tính hóa học của các ion này là khác nhau, dẫn đến

xuất hiện đỉnh hấp thụ gần đỉnh phát xạ, đây là một dấu hiệu chứng tỏ cấu trúc NC
(CdS):(ZnSe) vừa chế tạo là cấu trúc NC loại II. Trong phổ PL của các NC
(CdS):(ZnSe) không quan sát thấy đỉnh PL của lõi CdS và các NC ZnSe chứng tỏ lõi
CdS đã đƣợc bọc hoàn toàn bởi vỏ ZnSe và các NC ZnSe đã không phát triển riêng.
Điều này có thể quan sát đƣợc qua ảnh TEM (Hình 3.20(b) và Hình 3.20(c)), rõ ràng
lớp vỏ ZnSe đã phát triển trên lõi CdS thể hiện kích thƣớc của các NC (CdS):(ZnSe)
tăng lên đáng kể so với lõi CdS. Để kiểm tra cấu trúc (CdS):(ZnSe) chế tạo lần này có
12


đúng là cấu trúc loại II, chúng tôi tiến hành đo phổ PL theo công suất kích thích và phổ
Raman.

Hình 3.20. (a) Phổ PL và hấp thụ của các NC CdS và CdS/ZnSe. Ảnh TEM của các
NC (b) CdS và (c) CdS/ZnSe.
Kết quả từ Hình 3.22(a) cho thấy sự thay đổi tuyến tính của năng lƣợng phát xạ
theo công suất kích thích mũ 1/3 đối với các NC (CdS):(ZnSe) và là hằng số với các
NC CdS. Phổ Raman (Hình 3.22(b)) cho thấy với các NC CdS xuất hiện đỉnh LO của
CdS ở số sóng 300 cm-1, với cấu trúc NC (CdS):(ZnSe) xuất hiện đỉnh LO đặc trƣng
của ZnSe ở số sóng 250 cm-1. Kết quả này chứng tỏ lớp vỏ ZnSe đã phát triển trên lõi
CdS và phát xạ ở vị trí năng lƣợng 2,26eV là phát xạ do tái hợp của điện tử từ vùng
dẫn của CdS với lỗ trống ở vùng hóa trị của ZnSe.
Từ kết quả thay đổi tuyến tính của năng lƣợng phát xạ theo công suất kích thích
mũ 1/3, sự xuất hiện đỉnh Raman của vỏ ZnSe, chân phổ hấp thụ bị mở rộng và ảnh
TEM có thể kết luận cấu trúc NC lõi/vỏ CdS/ZnSe trong lần chế tạo này là cấu trúc NC
loại II.

13



kích thích mũ 1/3 của các NC CdS và CdS/M1-M4
15


CHƢƠNG 4: TÍNH CHẤT QUANG CỦA CÁC NANO TINH THỂ LÕI/VỎ LOẠI II
CdS/ZnSe
4.1. Ảnh hƣởng của kích thƣớc lõi, chiều dày vỏ và lớp tiếp giáp lên tính chất quang
của các tinh thể nano lõi/vỏ loại II CdS/ZnSe
Bảng 4.1. Kí hiệu và kích thƣớc của các NC CdS và CdS/ZnSe
Kí hiệu

C1

C1/Z1

C1/Z2

C1/Z3

C1/Z4

C1/Z5

NC (nm)

3,3

4,2

5


C2/Z4

C2/Z5

(nm)

4,5

6,8

7,6

8,4

10,2

11,3

Chiều dày vỏ

0

1,2

1,6

2

2,9


0

0,9

1,5

2

2,7

3

Đƣờng kính

Đƣờng kính

(nm)
Chiều dày vỏ

Từ kết quả quan sát trên Hình 4.2 cho thấy: các NC C1/Z1 thể hiện đặc trƣng
loại I do phổ hấp thụ của chúng hoàn toàn giống phổ hấp thụ của các NC C1, không
quan sát thấy chân phổ hấp thụ đƣợc nâng lên phía năng lƣợng thấp và đỉnh PL chỉ
dịch nhẹ về phía năng lƣợng thấp so với đỉnh PL của lõi. Các NC C1/Z2 thể hiện đặc
trƣng phát xạ giả loại II do hai nguyên nhân: i) Đỉnh PL của các NC C1/Z2 dịch đỏ
50nm là khá nhiều so với đỉnh PL của lõi C1, ii) Chƣa quan sát rõ thấy đặc trƣng loại II
thể hiện ở việc quan sát thấy đuôi phổ hấp thụ đƣợc nâng lên và mở rộng. Các NC
C1/Z3-C1/Z5, C2/Z1-C2/Z5 và C3/Z1-C3/Z5 có dạng phổ hấp thụ rất giống nhau và
thể hiện đặc trƣng phát xạ loại II. Với các NC này, có thể quan sát thấy rất rõ đuôi phổ
hấp thụ đƣợc nâng lên và mở rộng phía năng lƣợng thấp. Năng lƣợng của đuôi hấp thụ

sống của exciton trong lõi C2. Kết quả này phù hợp với các nghiên cứu lý thuyết và
các quan sát thực nghiệm khác cho rằng trong các NC loại II, khi lớp vỏ dày lên thì sự
che phủ hàm sóng của điện tử và lỗ trống giảm và làm tăng thời gian sống.

Hình 4.6. Đường cong suy giảm huỳnh quang của các NC C2 (a), C2/Z1(b), C2/Z3(d)
và C2/Z5(e). Đường liền nét là kết quả làm khớp giữa số liệu thực
nghiệm và phương trình 4.1.

18


4.1.1.4. Ứng suất trong các tinh thể nano lõi/vỏ loại II CdS/ZnSe

Hình 4.9. (a)Phổ tán xạ Raman của các NC C2 và C2/Z1-Z5. (b)Sự dịch đỉnh LO của
CdS và ZnSe khi thay đổi chiều dày lớp vỏ. Đường liền nét trong hình (b) chỉ ra quy
luật thay đổi.
Phổ Raman của các NC C2 xuất hiện đỉnh Raman ở số sóng khoảng 300 cm-1,
đỉnh Raman này chính là đỉnh LO của các NC CdS. Đỉnh LO của lõi C2 có cƣờng độ
giảm dần do sự phát triển của lớp vỏ ZnSe và dịch từ 300 cm-1 đến 304 cm-1 khi chiều
dày lớp vỏ tăng thể hiện ứng suất nén của vỏ ZnSe lên lõi CdS tăng, tƣơng tự nhƣ kết
quả quan sát trong phổ Raman của các NC CdSe/CdS với chiều dày lớp vỏ CdS thay
đổi [122, 134]. Phổ Raman của các NC CdS/ZnSe cho thấy rõ ràng đỉnh LO của vỏ
ZnSe ở số sóng khoảng 250 cm-1, cƣờng độ đỉnh này tăng dần khi chiều dày lớp vỏ
tăng là bằng chứng cho thấy sự phát triển của lớp vỏ trên lõi. Vị trí đỉnh LO của ZnSe
dịch từ 250 cm-1 đến 252 cm-1 thể hiện ứng suất kéo của lõi CdS lên vỏ ZnSe tăng lên
khi chiều dày lớp vỏ tăng. Nhƣ vậy rõ ràng khi lớp vỏ ZnSe càng dày thì ứng suất
lõi/vỏ càng lớn.
4.1.2. Ảnh hƣởng của lớp tiếp giáp lõi/vỏ đến đặc trƣng phát xạ
Kết quả nghiên cứu cho thấy khả năng điều khiển phát xạ loại I, loại II của cấu
trúc NC CdS/ZnSe bằng cách thay đổi chiều dày lớp tiếp giáp giữa lõi và vỏ.


Hình 4.14. Phổ PL của các mẫu CdS, T1, T2, T3 và T4 khi thay đổi công suất kích
thích từ 5.10-4-6 mW.
Chính nhờ hàng rào thế thay đổi dần này, tại công suất kích thích cao, điện tử và
lỗ trống có thể tràn lên và định xứ trên cả lớp tiếp giáp, tồn tại ở những trạng thái có
năng lƣợng cao hơn và có rất nhiều khả năng tái hợp phát xạ. Trong rất nhiều khả năng
tái hợp trên sẽ xuất hiện các photon có năng lƣợng lớn hơn cả năng lƣợng mà chúng
hấp thụ đƣợc (lớn hơn cả năng lƣợng đỉnh hấp thụ của lõi CdS. Nhƣ vậy sự dịch xanh

21


của đỉnh phát xạ đối với các mẫu T3 và T4 tại công suất kích thích cao là do hai
nguyên nhân: hiệu ứng BB và sự lấp đầy các trạng thái có năng lƣợng cao hơn.
4.2.2. Sự phụ thuộc các đặc trƣng phát xạ vào nhiệt độ
Hệ mẫu CdS, T1, T2, T3 dùng để đo phổ PL và Raman theo nhiệt độ đƣợc làm
sạch bằng cách ly tâm 2 lần. Dung dịch đặc chứa các NC đã đƣợc làm sạch đƣợc phủ
đều lên lam kính bằng phƣơng pháp phủ quay (spin-coating) sau đó để khô tự nhiên,
các mẫu đo ở dạng bột rắn.
4.2.2.1. Hiện tượng chống dập tắt huỳnh quang do nhiệt độ
Với các mẫu T1, T2 và T3 quan sát thấy cƣờng độ phát xạ tăng khi nhiệt độ tăng
tƣơng ứng với các khoảng nhiệt độ từ 210-255K, 161-210K và lớn hơn 275K. Quan sát
trên Hình 4.20 nhận thấy đúng trong khoảng nhiệt độ xảy ra hiện tƣợng LTAQ với các
mẫu T1, T2 và T3 thì sự phụ thuộc năng lƣợng phát xạ theo nhiệt độ cũng xảy ra hiện
tƣợng bất thƣờng. Vì vậy, hiện tƣợng LTAQ và sự tăng năng lƣợng vùng cấm khi nhiệt
độ tăng với các mẫu T1, T2 và T3 có thể liên quan đến sự thay đổi ứng suất giữa lõi/vỏ
khi nhiệt độ thay đổi.

Hình 4.20. (a) Sự thay đổi cường độ và (b) năng lượng phát xạ của các mẫu CdS, T1, T2,
T3 trong khoảng nhiệt độ từ 10-300K.