TR
NGă
I H C PH MăV Nă
KHOAăC ăB N
NG
Bµi gi¶ng
I NT
Ng
H C
i biên so n:
Tr
ng V n Thanh
Qu ng Ngãi, tháng 05 n mă2014
L I NÓI
T p bài gi ngă i n t h c này đ
s linh ki n bán d n thông d ng và các ng d ng c a chúng trong k thu tăt
bi tăđ
căcácăphépătoán,ăcácăđ nh lu t c aă
các hàm logic; bi tăđ
ngăt ;
i s logic, s d ngăchúngăđ t iă uăhóaă
c các c ng logic c ăb n, các kh i logic thông d ng, các m ch
flip-flop và ng d ng chúng đ xây d ng các m ch s đi n hình.
- Hi uăđ
c nguyên lí ho tăđ ng c a các thi t b đi n t thông d ngăđ
c s d ng
ph bi nătrongăđ i s ng và k thu t
N i dung c a ph n th c hành giúp sinh viên:
- Nh n bi tăđ
c m t s linh ki n bán d n thông d ngănh đi n tr , t đi n, cu n
c m, điôt, tranzito,ăICầ
- L pă đ tă đ
1
i s d ngă đ t p bài gi ng
c g i v
đ a ch
E-mail:
PH N LÍ THUY T
2
Ch
ng 1. LINH KI N BÁN D N
T n mă1947ăt i nay, trong su tăh năm t n a th k , v t li u bán d n và các s n
ph măđi n t đ
c ch t o t chúng gi vai trò quan tr ng mang tính ch t quy tăđ nh
đ n các ti n b c a khoa h c và công ngh .
Ch
ngă nƠyă đ c pă b
thông d ng.ăTrongăcácăch
ng c a ch t bán d năđi n có d ng ba vùng tách bi t nhau:
Vùng c m n m gi a m t vùng có nhi u m căn ngăl
d n) và m t vùng có các m căn ngăl
ng cao còn b tr ng (g i là vùng
ng th păđưăb h t chi măđ y (g i là vùng hoá
tr ). Vi căhìnhăthƠnhăc ăch d năđi n g n li n v i quá trình sinh t ng c p h t d n t do
lƠă đi n t (trong vùng d n) và l tr ng (trong vùng hoá tr ) nh vi c ion hoá m t
nguyên t silică t
ngă đ
ngă v i vi c m tă đi n t hoá tr nh y m că n ngă l
ng qua
vùng c m lên vùng d năđ l i m t liên k t b khuy t (l tr ng) trong vùng hoá tr . K t
qu lƠădòngăđi n trong ch t bán d n s ch g m hai thành ph năt
ngăđ
các c păsinhăđôiăđi n t t do - l tr ng)ăđóng góp và mu năđ tăđ
căđi u này c n m t
n ngă l
hình thành t ng c p h t d n t do, nên l tr ngăc ngăthamăgiaăd năđi n và g i tên là h t
thi u s . Mô hình c u trúc m ng tinh th c a ch t bán d n t p lo i n cho trên hình 1.1b.
M căn ngăl
đ th n ngăl
ng c a t p ch t lo i n n m trong vùng c măvƠăsátăđáyăvùngăd n c a
ng c a ch t bán d n làm n n.ă i u này t o kh n ngăcácănguyênăt t p
ch t d dàng b ion hoá gi iăphóngăraăđi n t t do (nh y t m căn ngăl
lên vùng d n) và làm xu t hi năcácăionăd
không di chuy năđ
ngăt p ch t (là lo i h t có kh iăl
i năt ăt ădo
Si
Si
a)
ng l n
căvƠădoăđóăkhôngăthamăgiaăvƠoădòngăđi n).
Si
Si
ng t p ch t
4
d)
Si
V yădòngăđi n trong ch t bán d n t p ch t lo i n g măđi n t (là lo i h tăđaăs ) và
l tr ng (là lo i h t thi u s )ăđóngăgóp,ăvi c hình thành các h tăđaăs th c hi n d dàng
trongăđi u ki năbìnhăth
ng v iăn ngăl
ng kích thích nh .
1.1.3. Ch t bán d n t p ch t lo i p
N u th c hi n pha các nguyên t thu cănhómăcóă3ăđi n t hoá tr , ví d Al, Ga,
B...) vào m ng tinh th Si s xu t hi n các liên k tăghépăđôiăb khuy t (l tr ng). Ch
c n kích thích m tăn ngăl
ngăđ nh , các nguyên t t p ch t s b ion hoá t o nên các
ion âm (nh năđi n t ) và các l tr ng t do. Mô hình m ng tinh th c a ch t bán d n
t p lo i p cho trên hình 1.1c
M căn ngăl
ng t p ch t lo i p n măsátăđ nh vùng hoá tr t oăc ăh i nh y m c ào
tăchoăcácăđi n t hoá tr và hình thành m t c p ion âm t p ch t (không tham gia dòng
đi n) và l tr ng (là h t nh năđaăs ) ;ăđi n t trongăc ăch này là h t thi u s .
+
+
Engoài
b)
c)
Hình 1.2. Ba ch đ c ăb n c a ti p xúc công ngh pn
a)ăCh aăcóătácăđ ng ngoài; b) Phân c c thu n (m ); c) Phân c căng
5
c (khoá)
a.ăBìnhăth
ngăkhiăch aăcóătácăđ ng c aătr
ng ngoài (hình 1.2a) h th ng ti p
tr ng thái cân b ngăvƠăkhôngăcóădòngăđi n quaănó.ăCácăionăd ngă(bênăn)ăvƠă
ion âm (bên p) t o nên m tă đi nă tr ng c c b E tx h ng t n sang p làm cân b ng
xúc pn
gi aădòngăđi n khu ch tán (c a các h t d năđaăs ) do chênh l ch n ngăđ vƠădòngăđi n
c nh ch y t vùng n sang vùng p.
Vi c phân tích trên d n t i k t lu n v tính ch t d năđi năkhôngăđ i x ng c a ti p
xúc p-n: khi b khoá, dòng qua nó nh trongăkhiăđi năápăđ tăvƠoă(h
giá tr l n,ădoăđóăti păxúcăcóăđi n tr t
ngăđ i l n.ăKhiăđ
ng t n sang p) có
c m , ti p xúc d năđi n t t
v iăđ cătr ngădòngăquaănóă(ch y t p sang n) l nătrongăkhiăđi năápăr iătrênănóănh , có
chi u t p sang n.
1.2. iôt bán d n
1.2.1. C u t o
C u t o c a m t điôt (diode) bán d n bao g m m t ti p xúc phi tuy n p-n và hai
ti p xúc tuy n tính (ti păxúcăOmmic)ăđ l yăraăhaiăđi n c căđ
p) và catôt (t vùng n), v i ký hi uăquyă
1.2.2.
c g i là anôt (t vùng
c cho trên hình 1.3a.
c tuy n vôn - ampe c a điôt bán d n
c tính von ampe bi u th quan h đ th gi aădòngăđi n ch y qua điôt vƠăđi n
ápăđ t gi a anôt (A) và catôt (K) c a nó (hình 1.3b).
Catôt (K)
a
U
Um
a)
3
b)
Hình 1.3.
a) Kí hi uăđiôt;ăb)ă c tính c a điôt
Vùng (2) điôt phân c căng
c (khoá) v iăđ cătr ngădòngăđi n nh , có giá tr Irò
r t nh (kho ng hàng ch c A t i hàng ch c mA) g nă nh ă khôngă đ i,ă đi n áp l n
(hàng ch c t iăhƠngătr măV),ăđi n tr l n (hàng ch c nghìn ).
Vùngă(3)ădòngăđi năng
đ
căt ngăm nh,ăđi n tr nh ,ăđi n áp g nănh ăkhôngăđ i,
c g i là vùng b đánhăth ng.
1.2.3. Phân lo i
ngădùngăđiôtă
ti păđi m.
1.2.3.3. iôt Zêne
a. C u t o, kí hi u và nguyên lí
điôtăbánăd n,ăkhiăUăng
ng
căđ l n, thì l p chuy n ti p b đánh th ng:ădòngăđi n
căt ngănhanh,ătrongăkhiăhi uăđi n th thayăđ iăít.ăNóiăchung,ăsauăđóăđiôtăb h ng.
Tuy nhiên, b ng cách pha t păđ c bi t,ăng
iătaăđưăch t oăraăcácăđiôtămƠăkhiăb đánhă
th ng thì không b h ng.ă óălƠănh ngăđiôtăZêne,ăđ
c kí hi uănh ătrênăhìnhă1.4a
I
Rhc
a)
+
Uz
Ung
ph nă đi n th ng
th ng. UZ năđ nhăchínhălƠăđi năápăđ t lên t i R
8
c c aă đ c tuy n,
khu v că đánhă
1.2.3.4. iôtăbi n dung
a. C u t o, nguyên lí và kí hi u
Là l p chuy n ti p p-nă đ
c ch t oă đ c bi t, khi phân c c ngh ch l p chuy n
ti păđóngăvaiătròănh ăm t t đi n,ătrongăđóăcácăm u bán d n
hai phía c a l p chuy n
ti păđóngăvaiătròăc a hai b n t đi n, còn l p chuy n ti p là ch tăcáchăđi n c a t đi n.
i n dung c a t đi n này ph thu c hi uăđi n th đ t vào. Hình 1.5a là kí hi u c a
điôtăbi n dung.
b. Công d ng
iôtăbi n dung có th dùng thay cho t bi năđ i,ăđ
c dùng nhi uătrongăl nhăv c
p
n
n
p
a)
Hình 1.6.
e
a
b)
b
c
d
e
f
g
c
d
c ch t o d ng thanh dài s p x pănh ăhìnhă
c ký hi u b ng b y ch cái là a,b,c,d,e,f và g. Ph n ph c aă đènă lƠă m t
ch măsángă(P)ăđ ch d u ph y th p phân. LED b yăđo năđ
căđi u khi n b ng các lo i
IC gi iămưănh ăICă7447,ă7448ăh TTL hay 4511, 4513 h CMOS.
1.2.3.6. Phôtôđiôt
a. C u t o, nguyên lí và kí hi u
Ánhăsángăcóăb
c sóng thích h p chi u vào l p chuy n ti p p-n t o thêm các c p
electron-l tr ng.ăDoăđó,ăn uăđiôtăm c vào hi uăđi n th ng
c,ăthìădòngăng
chuy n ti p p-năt ngălênărõăr t khi có ánh sáng. Ánh sáng càng m nhăthìăc
đi n càng l n.ăNg
đ
c qua l p
ngăđ dòng
i ta ng d ngăđi uănƠyă đ ch t oăraăphôtôđiôtă(hayăđiôtăquang),ă
ng c c (th
ng g i t t là tranzito) là m t h th ng g m
ba l p bán d n t p ch t cho ti p xúc công ngh xen k nhau,ădoăđóăhìnhăthƠnhăm t h
g m hai ti p xúc p-n phi tuy n tính (hình 1.8a,b) r t g n nhau, k t h p v i ba ti p xúc
tuy nătínhăđ đ aăraă3ăđi n c căđ
c g i l năl
colect (c c góp) vi t t t là c căE,ăB,ăCăt
t là emit (c căphát)ăbaz ă(c c g c) và
ngă ng. Có hai k t c uăđ cătr ngălƠăd ng
pnp (hình 1.8a) và d ng npn (hình 1.8b) v i các ký hi uăquyă
ng.ă Nh ă v y có th mô t m tă cáchă quyă
cătrênăhìnhă1.8c,dăt
ngă
c tranzito bao g m hai điôt DEB và DCB
m căđ i nhau v i ba c c ra E, B, C (hình 3.8e,f).
Emit
p
Colect
e)
C
E
Baz
Ti p xúc
Emit
b)
C
E
B
d)
B
f)
Hình 1.8. Mô hình c u t o c a tranzito. a) lo i n-p-n; b) lo i p-n-p
c), d) ký hi uăquyă c; e), f) mô t quyă c
1.3.2. Nguyên t c ho t đ ng c a tranzito
mô t ho tăđ ng c a tranzito, ta l y tranzito l i pnp làm ví d . S ho tăđ ng
c a tranzito npn s t
ngăt b ng vi c thay th l tr ng b ngăđi n t .
ng h p ti p xúc emit phân c c thu n, ti p xúc colect phân c că ng
c
(hình 1.9c). Khi ti p xúc emit phân c c thu n, các h tăđaăs khu ch tán qua ti p xúc
t i mi năbaz ăta nên dòng IE. T i mi năbaz ăcácăh tăđaăs này l i chuy n thành các
h t thi u s , m t ph n b tái h p v iăcácăđi n t t o thành dòng IB, ph n còn l iădoăđ
r ng c a mi năbaz ăr t m ng, ti p xúc colect phân c căng
c nên các l tr ng
baz ă b cu n sang mi n colect ta lên dòng Ic. Dòng Ic nƠyă đ
mi n
c t o b i hai thành
ph n: dòng c a các h tăđaăs t mi n emit , và dòng c a các h t thi u s (l tr ng
mi năbaz ăkhiăch aăcóăs khu ch tán t emit sang). Dòng c a các h t thi u s đ
c
g i là dòng rò và ký hi u là Ico. Ico có giá tr r t nh c nA t i vài A.
Dòng h tăđaăs
E
p
n
IB
C
p
n
p
IE
Dòng h t thi u s
IC
c)
Hình 1.9. Nguyên lý ho tăđ ng c a tranzito
1.3.3. Các cách m c c b n c a tranzito
Tranzito có ba c c (E, B, C) n uăđ aătínăhi u vào hai c c và l y tín hi u ra
hai
c c thì ph i có m t c c là c c chung. Do v y,ăđ i v i tranzito có 3 cách m căc ăb n:
baz ăchung,ăemit chung, colect chung.
12
1.3.3.1. Cách m căbaz ăchungă(CB)
n
IE
IC
C
E
IC
UEE
IB
B IB
UEE
UCC
UCC
a)
IC(mA)
7
6
5
4
3
IE= 1mA
1
0
0
5
10
c)
15
20 UCB(V)
Vùng c t
Hình 1.10. Tranzito m căbaz ăchung
a) S ăđ ; b) c tính vào; c) c tính ra
Vùng tích c că đ
că dùngă đ khu chă đ i tín hi uă (nênă cònă đ
khu chăđ i). Trong vùng tích c c ti p xúc emit đ
13
c g i là vùng
c phân c c thu n, dòng IB nh và
ng UCB =ă0ătrênăđ c tính ra. Trong vùng bão
c phân c c thu n, dòng IB l n và ti p xúc colect đ
c phân c c
c, dòng IC l n.
+H s
Trong ch đ m t chi u,ă đ đánhă giá m c hao h t dòng khu ch tán trong mi n
baz ,ăng
iătaăđ nhăngh aăh s truy năđ tădòngăđi n dc.
dc
IC
IE
(1.20)
V i IC, IE lƠăcácădòngăđi n t iăđi m làm vi c.ăTheoăđ c tính ra hình 1.10b thì =
1,ănh ngăth c t th
ng trong kho ng 0,9 0,998.
Trong ch đ xoay chi u,ăkhiăđi m làm vi căthayă đ iătrênăđ t tuy n ra, h s
xoay chi uăđ
căđ nhăngh a:
bên ph i c aă đ
ng IB = 0.
14
ngă nétă đ t UCEbh và phía trên
phíaăd
Vùng phía trái c a UCEbh là vùng bão hoà. Vùng c t là vùng
iăđ
= 0. Vùng còn l i là vùng tích c c (Vùng tích c c c a cách m c CE là mi n
c ađ
ng nét đ t UCEbh và phía trên đ
thu n, ti p xúc colect phân c căng
bên ph i
đơyă ti p xúc emit phân c c
ng IB = 0),
c,ăvùngănƠyă đ
IC(mA)
IB=90A
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
UCE=20V
UCE=10V
UCE=1V
Vùng bão hòa
IB(A)
0,2 0,4 0,6 0,8 1 U (V)
BE
b)
8
7
6
5
Theoăđ c tính ra hình 1.11c khi IB = 0 thì dòng IC 0.ă i uănƠyăđ
nh ăsau:
IC .IE ICBO hay IC .( IC IB ) ICBO
Khi IB = 0, ch n = 0,996 ta có
15
UCE(V)
c gi i thích
IC
I
.0
CBO IC 29,4.ICBO
1 1 0,996
IC
.I B ICBO
1 1
(1.22)
N u ICBO = 1 A, khi IB = 0, dòng IC = 29,4.1 A = 29,4 A.
IC
I B U = const
CE
căđ nhăngh a:
(1.25)
+ Quan h gi a và
Ta có:
IE = I C + I B
(1.26)
M t khác:
IE
IC
I
, IB C
K t h păcácăđi u ki n trên ta có:
1
E p
IC
p
IE
C
B IB
UEE
IC
IB
UEE
UBB
UBB
Hình 1.12. Tranzito m căCăchung
B ng 1.1. Tóm t tăcácăđ căđi m chung c a 3 cách m c BJT
CE
CB
CC
Cách m c
R tl n
(25 … 150)
Nh h n 1
R tl n
(25 … 150)
R tl n
(300 … 1000)
R tl n
(300 … 1000)
Nh h n 1
Bé
L n
Tùy thu c ngu n
Khu ch đ i công su t
H s khu ch đ i dòng đi n
(KI = I2 / I1)
H s khu ch đ i đi n áp
(KU = U2 / U1)
T n s gi i h n
d ch pha c a tin hi u ra so
FET), ho tăđ ng d a trên nguyên lý hi u ngătr
d năđ
ng (Field Effect Transistor -
ng,ăđ d năđi n c aăđ nătinhăth bán
căđi u khi n nh tác d ng c a m tăđi nătr
ngăngoƠi.ăDòngăđi n trong FET ch
do m t lo i h t d n t o nên. Công ngh bán d n,ăviăđi n t càng ti n b , FET càng t
rõă uăđi m quan tr ng v m t gia công, x lý tín hi u v iăđ tin c y cao và m c tiêu
haoăn ngăl
ng c c bé.
Tranzito hi u ngătr
ng FET g m có hai lo i chính:
- FETăđi u khi n b ng c c c a ti p xúc p-n (vi t t t là JFET).
- FET có c c c aă cáchă ly:ă Thôngă th
ng l pă cáchă đi n là l p ôxít nên g i là
Metal oxide Semiconductor FET (MOSFET hay MOS). Trong lo i tranzito tr
c c c aăcáchăđi n l iăđ
ng có
ng có l p chuy n ti p (JFET)
1.4.2.1. C u t o và kí hi u
JFETăđ
c g i là FET có m i n iăđ n,ăcóăhaiălo i: JFET kênh N và JFET kênh P.
JFET kênh N có c u t o g m thanh bán d n lo iăN,ăhaiăđ u n i v i hai dây ra g i
là c c máng D và c c ngu n S. Hai bên thanh bán d n lo i N là hai vùng bán d n lo i
P t o thành ti p xúc p - nănh ăđiôt.ăHaiăvùngănƠyăđ
G (hình 1.13a).
18
c n i v i nhau t o thành c c c a
JFET kênh P có c u t oăt
ngăt nh ngăch t bán d năng
c l i v i JFET kênh N.
1.4.2.2. Nguyên t c ho tăđ ng
Xét JFET kênh N có c c D n i v iăd
ngăngu n, S n i v i âm ngu nănh ăhìnhă
1.13b.
n
n
Kênh p
G
p
n
D
S
S
Vùng
nghèo
G
S
a)
Vùng
nghèo
D
UDS
d)
Hình 1.13. Tranzito tr ng có l p chuy n ti p
a) C u t o và kí hi u; b), c) Nguyên lý ho tăđ ng; d) c tính
19
N uăt ngăđi n áp UDS t 0V lên thì dòng ID t ngălênănhanhănh ngăsauăđóăđ n m t
đi n áp gi i h n thì dòng ID khôngăt ngăđ
c n a g iălƠădòngăđi n bão hoà IDSS.ă i n
áp UDS có IDSS g iălƠăđi n áp ng t Up (pinch - off).
b. Khi c c G có đi n áp âm (UGS< 0V) hình 1.13c
Khi c căGăcóăđi n áp âm n i vào ch t bán d n lo iăP,ătrongăkênhăNăcóădòngăđi n
ch yăquaănênăcóăđi năápăd
c că ng
ngă gi a ch t bán d n N s làm cho ti p xúc P-N b phân
c,ă đi n t trong ch t bán d n c a kênh N b đ y vào làm thu h p ti t di n
kênh,ănênăđi n tr kênh d năt ngălên,ădòngăID gi m xu ng.
Khiăt ngăđi n áp âm
c c G, m c phân c căng
c càng l n làm dòng ID càng
l păôxítăcáchăđi n SiO2. Hai dây d n xuyên qua l păcáchăđi n n i vào hai vùng bán d n
N n ngăđ cao g i là c c S và D. C c G có ti p xúc kim lo i bên ngoài l păôxítănh ngă
v năcáchăđi n v i kênh d n,ăth
ng c căSăđ
c n i chung v i n n P (hình 1.14a).
Kí hi u c a MOSFET kênh liên t cănh ătrênăhìnhă1.14b,
Ho tăđ ng c a MOSFET kênh liên t c
a. Khi UGS = 0V:
20
Tr
ng h p này, kênh d nă đi n có tác d ngă nh ă m tă đi n tr ,ă khiă t ngă đi n áp
UDS thì dòng ID t ngălênăđ n m t tr s gi i h n là IDSS (dòng ID bưoăhoƠ).ă i n áp UDS
ng v i tr s IDSS c ngăg iălƠăđi n áp ng t Up gi ng JFET.
b. Khi UGS < 0V:
Trongă tr
ng h p này c că Gă cóă đi nă ápă ơmă nênă đ yă cácă đi n t
kênh N vào
vùng n n P làm thu h p ti t di n kênh d năđi năNă(nh ăhìnhă1.14c)ăvƠădòngăID b gi m
D
c c ngu n
N
S
G
a)
b)
ID(mA)
S
ID
UGS=+1V
10,9
8
UGS= 0V
IDSS
UGS= -1V
a) C u t o; b) kí hi u;ăc)ă c tính.
c. Khi UGS> 0V:
Khi phân c c cho c căGăcóăđi năápăd
ng,ăcácăđi n t thi u s
mi n P b hút
vƠoăvùngăNănênălƠmăt ng ti t di năkênh,ăđi n tr kênh b gi m xu ng và dòng ID t ngă
21
caoăh nătr s hoà bão IDSS.ăTr
đ
ng h p này dòng ID l n d làm h ng MOSFET nên ít
c s d ng.
c tính c a MOSFET kênh liên t c
Hình1.14călƠăđ c tính ra ID/UDS vƠăđ c tính truy năđ t ID/UGS c a MOSFET liên
t c kênh N.
1.4.3.2.ăMOSFETăkênhăgiánăđo n
C u t o và kí hi u c aăMOSFETăkênhăgiánăđo n
Hình 1.15a gi i thi u c u t o c aăMOSFETăkênhăgiánăđo n, hình 1.15b là kí hi u
c a chúng.
SiO2
a)
ID
ID(mA)
UGS = 7V
UGS = 6V
UGS = 5V
UGS = 4V
UGS = 3V
0
UGS
0
UDS
c)
Hình 1.15. MOSFET kênh d năgiánăđo n.
a) C u t o; b) Ký hi u; c) c tính.
TrongăMOSFETăkênhăgiánăđo n, hai vùng bán d n lo i N pha n ngăđ cao không
dính li n nhau nên g iălƠăkênhăgiánăđo n, m t trên kênh d năđi năc ngăđ
c ph m t
l păôxítăcáchăđi n SiO2. Hai dây d n xuyên qua l păcáchăđi n n i vào vùng bán d n N
c tính c aăMOSFETăkênhăgiánăđo n
c tính ra và đ c tính truy năđ t c aăMOSFETăgiánăđo năkênhăNăđ
c gi i thi u
hình 1.24c. Khi UGS>UT dòng ID và UGS quan h v i nhau theo công th c.
I D k.U GS U T
2
(1.37)
ngătrìnhăc aăđ c tính truy năđ t hình 1.15c.
ơyăchínhălƠăph
H s k là m t h ng s ,ănóăđ
căxácăđ nh nh các giá tr Id và UGS t
ngă ng trên
đ c tính ra ( ng v i m i m tăđi m b t k trênăđ c tính ra ta có m t c p (ID, UGS)ăt
ng g i là ID(on) và UGS(on),ăkhiăđó:
k
I D(on )
b)
p1
p2
T2
c)
G
Hình 1.16. Tirixto. a) C u t o; b) Ký hi u; c) S ăđ thay th
23
K
ngă
Tirixto (thyristor) là m t linh ki n có 4 ch t bán d n xen k nhau p1n1p2n2 nh ă
hình 1.16a, hai dây n i t i p1 và n2 là hai c căt
ngă ng anôt (A) và catôt (K). Theo
cách b trí này Tirixto có ba ti p xúc p-n. Do có ba ti p xúc J1. J2, J3, nên khi có m t
đi năápăđ t vào A-Kăkhôngăcóădòngăđi n ch y qua.
1.5.2. Nguyên lí làm vi c
ng d ng chính c a tirixto là trong các m chăđi u khi n.
d
n aăchuăkìăd
ngăc aăđi n áp ngu năđ t vào anôt, thì trên t iăcóăđi n áp
ngă trongă kho ng th i gian cóă xungă đi nă ápă kíchă thíchă đ t vào c că G,ă nh ă hìnhă
1.17b.
1.6. Triac
1.6.1. Nguyên t c c u t o và kí hi u
Có th coiă triacă nh ă g m hai tirixto m că songă song,ă ng
đi u khi năG,ăđ
c chi u, có chung c c
c kí hi uănh ăhìnhă1.18a
1.6.2. Nguyên t c làm vi c và ng d ng
Triac có tác d ngăđi u khi năđi n áp xoay chi u. (trên t i có c m t ph năđi n áp
n a chu kì âm). C căđi u khi n G c năcóăđi năápăd
Trongătr
ngăchoăc hai chi uăđi u khi n.
ng h p triac làm vi c v i tín hi u xoay chi u, thì A1, A2 luân phiên là catôt
hayăanôtăkhiămƠănóăcóăđi năápăd
ngăsoăv i c c kia.