ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI
TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN
KHOA VẬT LÝ

Nguyễn Thanh Tùng

XÂY DỰNG HỆ ĐO TÁN XẠ RAMAN ỨNG DỤNG
CHO TÁN XẠ RAMAN TĂNG CƢỜNG BỀ MẶT
Khóa luận tốt nghiệp đại học chính quy
Ngành Vật lý học
( Chƣơng trình đào tạo chuẩn)

HÀ NỘI-2018


ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI
TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN
KHOA VẬT LÝ

Nguyễn Thanh Tùng

XÂY DỰNG HỆ ĐO TÁN XẠ RAMAN ỨNG DỤNG
CHO TÁN XẠ RAMAN TĂNG CƢỜNG BỀ MẶT
Khóa luận tốt nghiệp đại học chính quy
Ngành Vật lý học
( Chƣơng trình đào tạo chuẩn)

Cán bộ hƣớng dẫn: PGS.TS.Trần Hồng Nhung
TS.Nguyễn Trọng Nghĩa

HÀ NỘI-2018

luôn tận tụy hết lòng hƣớng dẫn tôi, tạo mọi điều kiện giúp đỡ tronng thời gian tôi
học tập và nghiên cứu ở Viện. Tôi xin chân thành cảm ơn PGS.TS Trần Hồng
Nhung đã luôn giúp đỡ tôi về cả vật chất và tinh thần, tạo mọi điều kiện thuận lợi
nhất cho tôi có cơ hội học tập và trao đổi kinh nghiệm nghiên cứu. Tôi xin chân
thành cảm ơn TS Nguyễn Trọng Nghĩa đã đồng hƣớng dẫn tôi một cách sát sao và
chỉ dẫn đƣờng đi nƣớc bƣớc để tôi hoàn thành những kết quả và mục tiêu đã đề ra.
Tôi cũng xin chân thành cảm ơn các anh chị, bạn bè trong nhóm
NanoBioPhotonics đã giúp tôi trao đổi và tích lũy kinh nghiệm trong thời gian làm
khóa luận. Ngoài ra, tôi xin chân thành cảm ơn tất cả ngƣời thân bạn bè đã luôn
giúp đỡ, động viên khích lệ trong suốt quá trình để tôi có thể hoàn thành xong luận
văn một cách tốt nhất.
Sau cùng, tôi xin chúc thầy cô đã hƣớng dẫn tôi và bạn bè có sức khỏe dồi
dào, tri thức để tiếp tục học tập, làm việc và cống hiến.

Nguyễn Thanh Tùng
Hà Nội,2018


LỜI CAM ĐOAN
Tôi cam đoan đây là bản khóa luận của tôi đƣợc viết dựa trên một kì học và
làm thực nghiệm đƣa ra kết luận dƣới sự hƣớng dẫn của PGS.TS.Trần Hồng Nhung
và TS. Nguyễn Trọng Nghĩa. Bản khóa luận này không có sự sao chép ăn cắp thành
quả của ngƣời khác, những kết quả không phải của tôi đƣợc tôi chú thích trong mục
“TÀI LIỆU THAM KHẢO”.

Ký tên

Nguyễn Thanh Tùng





2.1.5.2. Tính năng và lợi ích ...................................................................... 28
2.1.5.3. Các thông số kĩ thuật chuyên dụng ................................................ 29
2.1.6. Phần mềm điều khiển ........................................................................... 31
2.2. Sử dụng hệ đo tán xạ Raman để phát hiện các chất dạng vết sử dụng các cấu
trúc nano bạc............................................................................................... 31
2.2.1. Giới thiệu về Rhodamine 6G ................................................................ 31
2.2.2. Giới thiệu về Melamine ........................................................................ 32
CHƢƠNG 3: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN ......................................................... 33
3.1. Các thông số kỹ thuật của hệ đo tán xạ Raman ............................................ 33
3.1.1. Dải đo .................................................................................................. 33
3.1.2. Độ phân giải......................................................................................... 33
3.1.3. Độ chính xác của hệ đo. ....................................................................... 34
3.2. Kết quả sử dụng các cấu trúc nano bạc để phát hiện Rhodamine 6G và
Melamine .................................................................................................... 34
3.2.1. Sử dụng đế SERS đƣợc chế tạo bằng các cấu trúc nano bạc phát hiện
Rhodamine 6G ............................................................................................... 34
3.2.2. Sử dụng đế SERS đƣợc chế tạo bằng các cấu trúc nano bạc phát hiện
Melamin. ....................................................................................................... 37
3.3. So sánh kết quả với các hệ đo khác ............................................................. 39
TÀI LIỆU THAM KHẢO ..................................................................................... 41


DANH MỤC HÌNH VẼ
Trang
CHƢƠNG 1:
Hình 1.1: Phổ tán xạ Raman của Cyclohexan .......................................................... 2
Hình 1.2: Giản đồ mô phỏng quá trình tán xạ ......................................................... 7
Hình 1.3: Sơ đồ khối của hệ đo micro Raman .......................................................... 8

CHƢƠNG 3:
Hình 3.1: Phổ phát xạ của laser He-Ne ................................................................. 33
Hình 3.2: Ảnh SEM của cấu trúc meso bạc có hình thái phân nhánh cao .............. 34
Hình 3.3: Phổ hấp thụ của cấu trúc meso bạc hình thái phân nhánh cao ............... 35
Hình 3.4. Phổ tán xạ Raman của Rh6G (10-5M) sử dụng đế silic SERS được chế tạo
với nồng độ bạc nitrat 0,5mM................................................................................ 35
Hình 3.5: Ảnh đo tín hiệu SERS đo giới hạn Rh-6G ............................................... 36
Hình 3.6: Phổ tán xạ Raman của Rh-6G (10-5M) sử dụng đế SERS đo ở các vị trí
khác nhau ở mẫu nồng độ AgNO3 0.5 mM. ............................................................ 36
Hình 3.7: Ảnh SEM của đế SER giấy (a) và phổ hấp thụ của các đế ở các nồng độ
Ag+ khác nhau ...................................................................................................... 37
Hình 3.8: Phổ tán xạ Raman của Melamine (10-5 M) sử dụng đế giấy SERS .......... 38
Hình 3.9: Giới hạn phát hiện Melamine khi sử dụng đế SERS giấy ........................ 38
Hình 3.10 : Phổ tán xạ raman của Melamine bột................................................... 39


MỞ ĐẦU
Phổ tán xạ Raman là một công cụ đặc biệt hữu ích trong việc phân tích và
nhận biết các hợp chất. Các kỹ thuật đo đạc và ứng dụng phổ tán xạ Raman ngày
càng đƣợc quan tâm và ứng dụng trong rất nhiều lĩnh vực nhƣ điện hóa, phân tích.
Tuy nhiên, bởi thiết diện tán xạ không đàn hồi trên một phân tử thƣờng rất nhỏ nên
sự phát hiện đƣợc một đơn lớp chất hấp phụ trên bề mặt kim loại bằng phƣơng pháp
phổ Raman là rất khó kể cả đối với các thiết bị nhạy nhất. Để giải quyết đƣợc vấn
đề này các chất phân tích đƣợc hấp phụ trên các bề mặt kim loại nhám có khả năng
kích thích plasmon trong vùng nhìn thấy dẫn tới sự tăng cƣờng ánh sáng kích thích
và ánh sáng tán xạ. Nó đƣợc gọi là sự tăng cƣờng tán xạ Raman bề mặt – Surface
enhanced Raman scattering (SERS).
Kể từ khi hiệu ứng tăng cƣờng tán xạ Raman bề mặt (SERS) đƣợc phát hiện
năm 1974, nó đã thu hút đƣợc sự quan tâm của rất nhiều các nhóm nghiên cứu
thuộc nhiều lĩnh vực khác nhau bởi những tiềm năng ứng dụng to lớn của nó. Với

nhận biết dao động của các phân tử [5, 21]. Hiện tƣợng tán xạ Raman có thể đƣợc
mô tả nhƣ sau: Khi ánh sáng có tần số ⍵0 đi qua môi trƣờng vật chất, quá trình tán
xạ xảy ra bao gồm quá trình tán xạ đàn hồi (tán xạ Rayleigh) và tán xạ không đán
hồi (tán xạ Raman). Quá trình tán xạ không đàn hồi sẽ sinh ra các photon với tần số
lớn hơn hoặc nhỏ hơn tần số photon tới do dập tắt hoặc kích thích một dao động
phân tử

⍵Raman=⍵0 ± Ω

(1.1)

Trong đó, Ω là tần số của dao động phân tử.
Phổ tán xạ Raman thu đƣợc là các vạch rời rạc. Vạch ứng với tần số ánh sáng
tán xạ nhỏ hơn tần số của ánh sáng tới gọi là các vạch Stokes, vạch tán xạ ứng với
tần số ánh sáng tán xạ lớn hơn tần số ánh sáng tới gọi là vạch đối – Stokes.

Hình 1.1: Phổ tán xạ Raman của Cyclohexan
2


Hình (1.1) là phổ tán xạ Raman của Cyclohexan, trong đó thể hiện các vạch
Stokes (bên phải) và các vạch đối Stokes (bên trái). Các vạch đối Stock có cƣờng độ
yếu hơn rất nhiều lần so với các vạch Stokes. Trong hình (1.1), cƣờng độ các vạch
đối Stokes phải nhân lên 1000 lần mới có thể so sánh đƣợc với cƣờng độ của các
vạch Stokes [15]. Tán xạ đối-Stokes chỉ có thể xảy ra khi một phân tử đang dao
động khi có ánh sáng tới. Trong khi đó, các phân tử hầu hết nằm ở trạng thái cơ bản
trong điều kiện thƣờng. Các tính toán lý thuyết và thực nghiệm cho thấy tỉ số giữa
cƣờng độ các vạch đối Stokes và các vạch Stokes phụ thuộc và nhiệt độ T và tuân
theo quy luật [5]:
~ exp(


q = Q0 cos(⍵mt + φ ), ⍵m = √ ⁄

(1.3)

Trong đó, q là độ dịch khỏi vị trí cân bằng, Q là biên độ dao động, φ là pha
ban đầu của dao động, K là hằng số lực (phụ thuộc vào độ bền liên kết), m là khối
lƣợng rút gọn của hệ. Khi có ánh sáng bên ngoài với tần số ω truyền đến tinh thể,
ánh sáng tới đƣợc mô tả bởi phƣơng trình:
E(x,t) = E0cos(⍵t – kx)

(1.4)

Trong đó k là véc tơ sóng, x là tọa độ điểm đang xét theo phƣơng truyền
sóng. Trƣờng ngoài sẽ tác dụng lên các điện tích của phân tử làm phân bố lại điện
tích trên phân tử đó, sinh ra một mômen lƣỡng cực điện
(1.5)
Trong đó

là độ phân cực , nó phụ thuộc vào cấu trúc phân tử và là một hàm

của độ dịch q,

. Khai triển hàm
=

0+

theo chuỗi Taylor, ta có:




Ianti-Stokes ~ (⍵ - ⍵m)4 ( ) It(⍵) exp(

⍵

)

(1.9)

Từ phƣơng trình (1.8) chúng ta cũng thấy rằng, các số hạng ứng với tán xạ
Stokes và đối Stokes chỉ có nghĩa khi

≠ 0 , tức là chỉ có các dao động

nào gây ra sự thay đổi độ phân cực α trong suốt quá trình dao động thì mới thu đƣợc
phổ tán xạ Raman, còn gọi là hoạt động Raman. Các dao động dẫn đến sự thay đổi
độ phân cực là các phân tử dao động đối xứng qua tâm. Tính chất này ngƣợc với sự
hấp thụ hồng ngoại. Các dao động hoạt động hồng ngoại khi dao động đó có sự thay
đổi mômen lƣỡng cực, đó là các dao động không đối xứng qua tâm. Còn các dao
động đối xứng qua tâm thì không hoạt động hồng ngoại. Trong thực tế, các phân tử
thƣờng có cấu tạo từ nhiều nguyên tử và có nhiều số đối xứng làm xuất hiện các
mode dao động vừa hoạt động Raman, vừa hoạt động hồng ngoại. Vì vậy, để thu
đƣợc đầy đủ thông tin về phổ dao động của phân tử, trong nhiều trƣờng hợp ngƣời
ta phải sử dụng kết hợp cả phổ tán xạ Raman và phổ hấp thụ hồng ngoại [5].
1.2.2. Mô hình cơ học lượng tử
Tán xạ Raman đƣợc mô tả theo cả về lý thuyết cổ điển và lý thuyết lƣợng tử.
Lý thuyết cổ điển dựa trên lý thuyết sóng ánh sáng và giải thích khá thành công sự
tƣơng tác của ánh sáng với các vật liệu có cấu trúc tinh thể. Sự thiếu sót trong lý
thuyết này là nó không đi sâu vào bản chất lƣợng tử của dao động. Thêm vào đó nó

Thứ nhất, năng lƣợng thêm vào không đẩy một điện tử lên bất kì một
mức kích thích nào của phân tử. Tất cả trạng thái của phân tử ở trạng
thái tĩnh đƣợc phối hợp với nhau để tạo thành một trạng thái ảo của
“phức hệ” tạm thời. Năng lƣợng của trạng thái này phụ thuộc vào tính
chất điện tử của phân tử và năng lƣợng của ánh sáng tới.

-

-

Thứ hai, thời gian sống của trạng thái kích thích ảo rất ngắn so với
hầu hết các quá trình hấp thụ và không có sự dịch chuyển điện tử giữa
các mức dao động trong trạng thái ảo.
Thứ ba, có một sự liên quan giữa sự phân cực của photon kích thích và
tán xạ, đó là yếu tố có thể có ý nghĩa trong việc xác định các dao động
riêng.

6


Hình 1.2: Giản đồ mô phỏng quá trình tán xạ
Trong quá trình này, tán xạ Rayleigh xảy ra khi quá trình hồi phục về trạng
thái cơ bản mà không có bất kì sự dịch chuyển hạt nhân nào đáng kể. Còn tán xạ
Raman xảy ra khi quá trình hình thành “phức hệ” xảy ra cùng lúc với sự dịch
chuyển của hạt nhân. Xác xuất xảy ra quá trình này là rất nhỏ. Tán xạ Stokes và đối
Stokes xảy ra tùy thuộc vào tại thời điểm tƣơng tác phân tử đang trong mức dao
động cơ bản hay mức dao động kích thích. Hình 1.2 minh hoạ tán xạ Rayleigh và
Raman, năng lƣợng của trạng thái ảo đƣợc xác định bởi năng lƣợng của ánh sáng
tới, hai trạng thái m và n là các mức dao động khác nhau của điện tử ở trạng thái cơ
bản [21].

điện.
Phần mềm điều khiển hệ đo.

Ngoài ra còn có các linh kiện quang học gồm các gƣơng, giá đỡ, vật kính, hệ
thống chiếu mẫu và hệ thống thu nhận các ánh sáng tán xạ, bộ phận giữ mẫu...

Hình 1.3: Sơ đồ khối của hệ đo micro Raman
Trên hình 1.3 mô tả cấu tạo khối của một hệ micro Raman thông thƣờng.
Chùm laser tới đƣợc mở rộng chùm sau đó phản xạ từ gƣơng điều hƣớng đến phin
lọc Notch 1 (NF1). Sau khi phản xạ từ NF1 và gƣơng điều hƣớng, chùm sáng đƣợc
hội tụ tới kích thƣớc micro và đập vào mẫu. Ánh sáng phản xạ và tán xạ trở lại đi từ
mẫu quay lại máy quang phổ để đến NF1 lần nữa. NF1 sẽ loại bỏ đi ánh sáng tán xạ
Rayleigh ( cùng bƣớc sóng chùm sáng tới). Phần còn lại của chùm phản xạ lại sau
đó đi qua NF2 để loại bỏ hoàn toàn ánh sáng tán xạ Rayleigh còn sót lại. Ánh sáng
còn lại sau đó đi qua các thấu kính và gƣơng để đến cách tử nhiễu xạ sau đó đến đầu
thu.
1.3.1. Laser
Laser là tên viết tắt của cụm từ Light Amplification by Stimulated Emission
of Radiation nghĩa là khuếch đại ánh sáng bằng phát xạ cƣỡng bức.
8


Hình 1.4: Cấu tạo cơ bản của laser
Nguyên lý cấu tạo chung của một máy laser gồm có: buồng cộng hƣởng (1)
chứa môi trƣờng hoạt chất laser, nguồn nuôi (2) và hệ thống dẫn quang. Trong đó
buồng cộng hƣởng với hoạt chất laser là bộ phận chủ yếu. Buồng cộng hƣởng chứa
môi trƣờng hoạt chất laser, đó là một chất đặc biệt có khả năng khuếch đại ánh sáng
bằng phát xạ cƣỡng bức để tạo ra laser. Khi 1 photon tới tƣơng tác với môi trƣờng
hoạt chất này làm cho môi trƣờng hoạt chất phát sinh ra nhiều photon khác có cùng
tần số với photon tới bay theo cùng hƣớng với photon tới. Mặt khác buồng cộng

Máy đơn sắc ba có khả năng khử ánh sáng nhiễu mạnh hơn máy đơn sắc đôi.
Nó cho phép quan sát đƣợc các dải Raman gần sát vạch Rayleigh. Đƣợc tạo thành
khi ghép máy đơn sắc đôi với một quang phổ kế.
1.3.3. Các loại phin lọc
Do xác suất của quá trình Raman yếu, tần số tán xạ rất gần với tần số chân
laser nên phải có một phin lọc để loại bỏ chân laser, làm cho laser hoàn tàn sạch chỉ
cho một bƣớc sóng truyền qua. Trong quá trình tán xạ sẽ sinh ra cả tán xạ đàn hồi
(tán xạ Rayleigh) , phin lọc thứ hai sẽ loại bỏ đi hoàn toàn tín hiệu Rayleigh không
cần thiết.
Ngoài ra còn có các linh kiện quang học khác gồm có: vật kính, hệ thống giá
đỡ , thấu kính, cách tử , gƣơng chỉnh hƣớng...
Cách tử nhiễu xạ là tấm kính hoặc tấm kim loại nhẵn bóng có hệ số phản xạ
cao đƣợc kẻ những vạch song song rất sít nhau cho phép thu những quang phổ
tƣơng tự nhƣ phổ tạo ra bởi lăng kính. Tuy nhiên nó tạo ra đƣợc nhiều quang phổ
trải rộng ra hai bên quang phổ trung tâm.
Hệ thống giá đỡ là những dụng cụ quang học dùng để gắn gƣơng chỉnh
hƣớng, thấu kính và các linh kiện quang học khác.
1.3.4. Đầu thu
Đầu thu là thiết bị cảm biến ảnh có chức năng chuyển đổi tín hiệu ảnh thành
tín hiệu điện. Các loại cảm biến ở vùng ánh sáng nhìn thấy, hồng ngoại, tử
ngoại đƣợc sử dụng phổ biến hiện nay là cảm biến CCD (charge-coupled devices),
10


CMOS (complementary metal–oxide–semiconductor). Ngoài ra còn có cảm
biến ảnh ở vùng phổ tia X, tia gamma.
1.3.5. Phần mềm điều khiển hệ đo
Ngày nay các hệ đo đƣợc kết nối với máy tính để tiện lợi hóa trong việc điều
khiển và thu nhận tín hiệu. Các phần mềm điều khiển đƣợc ngƣời dùng lập trình
trên các ngôn ngữ tin học và thiết kế giao diện ngƣời dùng.

hồi của hạt nhân khi có trƣờng ngoài tác dụng lên chúng, các điện tử liên kết luôn
chịu lực phục hồi của hạt nhân khi dịch khỏi vị trí cân bằng. Tuy nhiên, khi toàn bộ
khối khí điện tử trong kim loại đều dịch chuyển dƣới tác dụng của trƣờng ngoài thì
lực phục hồi bắt đầu xuất hiện do sự tƣơng tác với các ion nút mạng. Các hạt nano
kim loại đƣợc sử dụng rất sớm từ khi SERS đƣợc phát hiện ra và trở thành một yếu
tố gắn liền với các cấu trúc đế tăng cƣờng cho SERS. Vì vậy, bài toán cho các hạt
nano kim loại đƣợc xem xét kỹ ở đây.

Hình 1.6: Minh họa sự phân cực của khối plasma trong kim loại
Hình 1.6 minh họa một mặt cắt của quả cầu kim loại. Trong trạng thái cân
bằng, điện tích các điện tử trung hòa với điện tích các ion nút mạng. Khi có trƣờng
ngoài tác dụng, toàn bộ khối điện tử dịch chuyển về một phía, sẽ để lại các ion nút
mạng trong tinh thể, khi đó khối kim loại sẽ bị phân cực, lúc này lực phục hồi xuất
hiện để triệt tiêu sự phân cực. Toàn bộ khối điện tử sẽ dao động về phía trên hoặc
dƣới của các ion nút mạng (các nút mạng luôn đứng yên), dao động này đƣợc gọi là
dao động plasma.
Tần số của dao động plasma ωp có thể tính toán đƣợc dựa theo định luật
Gauss và định luật Newton.
12


⁄

⍵p = (

)

(1.10)

Trong đó N là mật độ điện tử, e là điện tích của một điện tử, εm và m0 là hằng


Cƣờng độ điện trƣờng tại một điểm cách tâm quả cầu một khoảng r sẽ là:
⍵

Er (⍵) =E0 cos(⍵t)(

⍵

)

(1.13)

Trong đó, ε0 là hằng số điện môi bên ngoài quả cầu, a là bán kính quả cầu.
Khi tần số ánh sáng tới thỏa mãn điều kiện εr(ω) = -2ε0 sẽ xảy ra hiện tƣợng cộng
hƣởng plasmon, làm cƣờng độ trƣờng định xứ tăng lên nhiều lần.
Cƣờng độ tín hiệu Raman thông thƣờng đƣợc xác định bởi biểu thức:

IRaman ~ ItớiItán xạ =

⍵ .

(⍵ - ⍵m)

(1.14)

Do năng lƣợng của dao động là rất nhỏ so với năng lƣợng ánh sáng tới, nên
tần số của ánh sáng tới và ánh sáng tán xạ có thể coi gần đúng là nhƣ nhau. Khi đó
cƣờng độ tán xạ Raman sẽ tỉ lệ với bậc bốn của trƣờng tới:
IRaman ~ E4(⍵)
13

“hot spot”.

14


Hình 1.7: Giản đồ phân bố hệ số tăng cường trên các cấu trúc hạt nano kim
loại[19]
Nhƣ vậy, chỉ một sự thay đổi rất nhỏ về cách bố trí, hình dạng và khoảng
cách các hạt nano kim loại cũng gây ra một sự thay đổi rất lớn tới hệ số tăng cƣờng
của các cấu trúc đế cho SERS.
1.4.1.2. Mô hình tăng cường hóa học
Sự tăng cƣờng điện từ là một khuếch đại không chọn lọc đối với tán xạ
Raman. Theo lý thuyết này, tất cả các loại phân tử khác nhau hấp phụ trên cùng một
đế SERS sẽ có sự tăng cƣờng giống nhau. Nhƣng các kết quả thực nghiệm dẫn tới
những các kết quả khác nhau. Ví dụ, ở cùng một điều kiện thực nghiệm, tỉ số cƣờng
độ SERS của các phân tử CO và N2 khác nhau 200 lần [8]. Nếu chỉ dùng cơ chế
tăng cƣờng điện từ thì rất khó giải thích kết quả này. Sự phân cực của các phân tử
gần nhƣ giống nhau, thậm chí sự khác biệt nhất về bán kính theo hƣớng hấp phụ
cũng không thể tạo nên sự chênh lệch lớn đến vậy. Hiện tƣợng đó đƣợc giải thích
do trạng thái điện tử mới phát sinh từ sự hấp phụ đóng vai trò nhƣ trạng thái cộng
hƣởng trung gian trong tán xạ Raman. Khi phân tử của chất phân tích đƣợc hấp phụ
trên bề mặt kim loại nhám, quỹ đạo điện tử lấp đầy mức cao nhất (HOMO) và quỹ
đạo điện tử chƣa lấp đầy thấp nhất (LUMO) của nó có xu hƣớng đối xứng về mặt
năng lƣợng tƣơng ứng với mức Fermi của đế kim loại (Hình 1.8). Khi ánh sáng tới
có năng lƣợng nhỏ hơn khe năng lƣợng của phân tử, điện tử vẫn có thể chuyển lên
trạng thái kích thích thông qua trạng thái năng lƣợng trung gian là mức Fermi của
kim loại. Sự xuất hiện trạng thái trung gian này làm tăng xác suất chuyển dời của
quá trình này và làm tăng cƣờng tín hiệu tán xạ. Các phân tử thông thƣờng đƣợc
15