Chương 4:
DIODE QUANG

1. Cấu tạo:
Diode quang thường được chế tạo bằng gecmani và silic.
Hình 2a trình bày cấu tạo của diode quang chế tạo bằng silic
(
,K-1) dùng làm bộ chỉ thò tia lân cận bức xạ hồng ngoại.
Hình 2a

2. Nguyên lý:
Hình 2b
Hình 2c
Diode quang có thể làm việc trong 2 chế độ:
-Chế độ biến đổi quang điện.
-Chế độ nguồn quang điện.
R
-
P
N
R
t
P
N
a. Nguyên lý trong chế độ biến đổi quang điện (hình 2b)
Lớp p được mắc vào cực âm của nguồn điện, lớp n mắc với
cực dương, phân cực nghòch nên khi chưa chiếu sáng chỉ có dòng
điện nhỏ bé chạy qua ứng với dòng điện ngược (còn gọi là dòng
điện tối). Khi có quang thông dòng điện qua mối nối p-n tăng
lên gọi là dòng điện sáng.
Dòng tổng trong mạch gồm có dòng “tối” và dòng “sáng”,

0
C  +80
0
C.
- Diode quang gecmani có thể làm việc ở – 50
0
C  +40
0
C.

3.3 TRANSISTOR QUANG:
1.Cấu tạo:
N
P
N
E
B
C
as
+
E
I
0.5 0.7 0.8 1 1.3 (
m)
I
F
()
100
50
0

BC.
Ib : dòng cực B khi có phân cực ngoài.
Khi cực B được phân cực bên ngoài. Độ lợi bò thay đổi và trở
kháng vào của transistor được tính:
Zin = Rin + hfe
Dòng rò : Iceo = hfe + Icbo
Icbo : dòng rò cực BC
Độ lợi càng cao đáp ứng càng nhanh.

3. Đặc tuyến:
Sau đây giới thiệu một đồ thò đònh tính của quang transistor
MRD 300.
Đặc tuyến phồ của transistor MRD 300.
I
F
:Dòng khi có ánh sáng chiếu vào.
4.Ứng dụng:
0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.2
( m)
IF ()
100
50
0