Bộ KHOA HọC Và CÔNG NGHệ

BO CO TNG HP NHIM V HP TC NGH NH TH
V KHOA HC V CễNG NGH
VIT NAM - BUNGARI
(2005 2006)
THIếT Kế CHế TạO Hệ PHổ Kế SIÊU CAO TầN (BĂNG C)
Và THử NGHIệm ứng dụng hệ phổ kế trong nghiên cứu
viễn thám thảm thực vật và nhiệT độ mặt nớc biển
tại việt nam

C quan ch trỡ
B KHOA HC V CễNG NGH
n v thc hin

VIN VT Lí V IN T
VIN KHOA HC V CễNG NGH VIT NAM
6386

3.2.1. Thiết bị giao tiếp và tự động điều khiển anten 28
3.2.2. Chương trình phần mềm giao tiếp và tự động điều khiển anten 31
3.3. Chươ
ng trình thu nhận và xử lý số liệu “on-line” Radiometer phiên bản 3.0 33
CHƯƠNG IV. ỨNG DỤNG PHỔ KẾ SIÊU CAO TẦN BĂNG C TRONG
NGHIÊN CỨU VIỄN THÁM THẢM THỰC VẬT VÀ NHIỆT ĐỘ MẶT
BIỂN 36

4.1. Ứng dụng hệ Phổ kế SCT băng C trong nghiên cứu viễn thám độ ẩm đất và
sinh khối thảm thực vật 36
4.1.1. Mô tả đối tượng đo 37
4.1.2. Quy trình thực nghiệm 38
4.1.3. Xử lý số liệu đo 46
4.2. Ứng dụng Hệ phổ kế siêu cao tần băng C trong nghiên cứu viễn thám mặt nước
biển 54
4.2.1. Đối tượng đo 55
4.2.2. Quy trình thực nghiệm 60
4.2.3. Tính toán Nhiệt độ phát xạ m
ặt nước biển theo mô hình J. Johnson 64
4.2.4. Ứng dụng Mô hình Klein và Swift hiệu chỉnh kết quả đo thực nghiệm 65
4.2.5. Kết quả xử lý số liệu 68
4.2.6. Thử nghiệm so sánh với kết quả thu được từ ảnh MODIS 76
CHƯƠNG V. KẾT LUẬN 78
TÀI LIỆU THAM KHẢO 80

3
CHƯƠNG I. GIỚI THIỆU CHUNG
Trong 2 năm 2000-2002, Viện Vật lý và Điện tử thuộc Viện Khoa học
và Công nghệ Việt Nam đã được Bộ Khoa học và Công nghệ giao thực hiện
nhiệm vụ Nghị định thư hợp tác KHCN với Viện Điện tử, Viện HLKH Bungari,

Bungari giai đoạn 2005-2006, Viện Vật lý và Điện tử đã đề xuất và được Bộ
Khoa học và Công nghệ cho phép thự
c hiện đề tài hợp tác với Viện Điện tử,

4
Viện HLKH Bungari “Thiết kế chế tạo hệ phổ kế siêu cao tần (Băng C) và
thử nghiệm ứng dụng hệ phổ kế trong nghiên cứu viễn thám thảm thực vật
và nhiệt độ mặt nước biển tại Việt Nam”.

5
CHƯƠNG II. THIẾT KẾ CHẾ TẠO HỆ PHỔ KẾ SIÊU CAO TẦN
BĂNG C KIỂU CÔNG SUẤT TOÀN PHẦN
2.1. Giới thiệu chung
Như chúng ta đã biết, mọi vật chất, ngoại trừ ở nhiệt độ “0” tuyệt đối (T
= 0
0
K = -273
0
C), đều bức xạ một năng lượng vào không gian dưới dạng sóng
điện từ. Hiện tượng này được gọi là sự phát xạ thụ động, hay sự phát xạ tự
nhiên của vật chất. Sóng điện từ này lan truyền trong không gian dưới dạng phổ
bức xạ ở mọi dải tần số. Tuy nhiên, tuỳ thuộc vào môi trường và bản thân vật
phát xạ, năng lượng này có thể bị
hấp thụ khác nhau đối với mỗi dải tần số.
Trên cơ sở đó, các nhà khoa học đã chế tạo ra các thiết bị và nghiên cứu các
phương pháp thu nhận, biến đổi các tín hiệu điện từ trường phát xạ từ vật chất,
để từ đó xác định các đặc tính cố hữu của vật chất. Phương pháp thu nhận, phân
2.2. Phân loại các phổ kế siêu cao tần (RDM)
Phổ kế siêu cao tần được phân chia thành nhiều loại khác nhau: phổ
kế quét (scanning RDM), phổ kế ghi ảnh (imaging RDM), phổ kế quay
(push-broom RDM), v.v.
Trong đề tài này, chúng ta chỉ xét đến loại phổ kế quay, gọi tắt là
RDM. Đây là loại phổ kế hoạt động ở một tần số cố định, hay phổ kế đơn
tần (single beam RDM), bao gồm Anten, Máy thu, Bộ chỉ thị và hệ c
ơ khí
Hình 2.1. Các dải sóng điện từ được dùng trong viễn thám

7
điều khiển anten. Sơ đồ khối đơn giản nhất của RDM được mô tả trong
hình 2.2.
Máy thu Bộ chỉ thị
Anten

B, G P=k.B.G

Hình 2.2. Sơ đồ khối tổng quát Phổ kế siêu cao tần
Trong hình 2.2, Máy thu siêu cao tần được đặc trưng bởi 2 tham số: độ
rộng băng tần B và hệ số khuếch đại G. Tại đầu ra của phổ kế, công suất đo được
biểu thị như sau: P = k. G. B. T

động theo nguyên lý sau : Anten thu năng lượng phát xạ (sóng điện từ có tần số

8
f ± ∆f) nằm trong vùng quan sát được giới hạn bởi góc mở (ví dụ ψ = 30
0
) và
biến đổi thành tín hiệu cao tần, được gọi là Nhiệt độ anten T
A
(dạng công suất
tạp âm). Tín hiệu vào cao tần được khuếch đại sơ bộ và chọn lọc dần về tần số
trung tâm f. Máy phát xung nội có tần số f được trộn với tín hiệu vào cao tần và
hạ tần số xuống tần số trung gian (IF), sau đó đưa vào bộ khuếch đại trung tần,
tách sóng, khuếch đại 1 chiều, tích phân, biến đổi tương tự - số (ADC) và đưa
ra bộ chỉ thị
có màn hình tinh thể lỏng LCD.
Phổ kế TPR làm việc theo nguyên lý khuếch đại thẳng tín hiệu vào, sau
đó được tách sóng theo nguyên tắc bình phương, vì vậy điện áp ra tỉ lệ thuận
với công suất vào tạp âm tại Anten, hay nhiệt độ Anten T
A
[6].
Điện áp ra được tính bằng công thức sau :
V
ra
= c. (T
A
+ T
N
). G (2.2.2)
trong đó, c - hằng số, T
A

T
A
và nhiệt độ chuẩn T
R
được lấy từ một nguồn nhiệt ổn định nào đó. Do đó,
độ ổn định và độ tin cậy của phổ kế được tăng lên đáng kể. Sơ đồ khối của phổ
kế kiểu Dicke được trình bày trên hình 2.4.

9

Bộ phát
xung Dicke
Anten Khoá
T
A
Dicke KĐ cao tần KĐ trung Bộ tách
và trộn t/số tần và Lọc sóng BP

T
R

Bộ tạo N/độ Bộ chỉ thị Tích phân Bộ đệm
chuẩn T
R
LCD và ADC đồng bộ Hình 2.4
. Sơ đồ khối Phổ kế kiểu Dicke (tách sóng điều biên)


R
+ T
N
).G (trong khoảng t
sp
= ½.T
s
) (2.2.4)
Do T
s
<< τ, nên trong chu kỳ T
s
có thể coi T
A
, T
N
và G là hằng số, vì
vậy điện áp ra của phổ kế sẽ là :
V
ra
= V1 - V2 = c (T
A
+ T
N
). G – c (T
R
+ T
N
). G
= c. (T

NA
+
=∆ (2.2.6)
2.2.3. Phổ kế siêu cao tần kiểu bù tạp âm
Đây là kiểu phổ kế có sai số tuyệt đối nhỏ nhất so với các loại thiết kế kể
trên, vì tín hiệu ra không phụ thuộc vào hệ số khuếch đại của máy và nhiệt độ
tạp âm [6].
Theo công thức (2.2.5) đối với Phổ kế kiểu Dicke :
V
ra
= c.(T
A
– T
R
).G
nhận thấy V
ra
sẽ không phụ thuộc vào G và T
N
nếu thoả mãn điều kiện sau :
T
A
– T
R
= 0 (2.2.7)
Phổ kế siêu cao tần kiểu bù tạp âm là loại phổ kế đặc biệt thực hiện điều
kiện (2.2.7) một cách liên tục bằng mạch hồi tiếp kiểu Servo (Hình 2.5). Anten T

dựa trên 1 phổ kế kiểu Dicke, chỉ thêm 1 mạch hồi tiếp điện áp 1 chiều điều
khiển diode chuyển mạch PIN, đóng - mở dòng tạp âm T
i
« bơm » vào tín hiệu

11
từ Anten, sau đó tín hiệu tổng hợp sẽ đưa vào phổ kế Dicke. Kết quả là sau một
chu kỳ ngắn sẽ đạt được :
V
RA
= c. (T
A
’ – T
R
).G = 0 (2.2.8)
Do quá trình « bơm tạp âm » T
i
vào đầu vào của phổ kế Dicke, ta có :
T
A
’ = T
A
+ T
i

So sánh với biểu thức (2.2.8), ta có:
T
A
= T
R

Từ sơ đồ khối hình 2.6, tín hiệu được lấy từ Anten microstrip ANT đưa
tới đầu vào của phổ kế CRM bằng cáp dẫn sóng có trở kháng 50 Ω. Bắt đầu từ
đây, toàn b
ộ mạch được đặt trong hộp kín có bảo ôn nhiệt độ, CWT là bộ

12
chuyển đổi từ cáp đồng trục sang ống dẫn sóng, WFT là bộ lọc băng thông có
độ rộng băng ∆f = 300MHz, LNBC là bộ biến đổi tần số tạp âm thấp.

Hình 2.6
: Sơ đồ khối của phổ kế CRM
ANT - Anten; CWT - Bộ chuyển đổi từ cáp đồng trục sang ống dẫn sóng; WFT - bộ
lọc cáp dẫn sóng; LNBC - Khối biến đổi tần số tạp âm thấp; TUN - Bộ chọn lọc tần
số (tuner); REF - Khối tạo điện áp chuẩn; TCR - Khối điều chỉnh nhiệt độ; SUM
INT - Bộ tích phân; VFC - Bộ biến đổi điện áp - tần số; TMS1, TMS2 - Bộ ổn định
nhiệt độ; OCT - Bộ bi
ến đổi quang - điện; ANL - Mạch khuếch đại tương tự; PIC -
Khối vi xử lý; RS232 – USB port - Bộ biến đổi RS232 thành USB; LCD – Màn
hình tinh thể lỏng; CNTR – Bàn phím điều khiển; PS - Khối nguồn nuôi.
Tín hiệu ra của LNBC được đưa vào bộ trộn tần và khuếch đại cao tần
TUN (tuner). Để nâng cao độ ổn định nhiệt độ, trong hộp bảo ôn của CRM sử
dụng chế độ ổn nhiệt 2 lần: lần thứ nhất tại khối LNBC (có gắn bộ cảm biến
nhiệt độ TMS1), lần thứ 2 tại khối TUN (gắn bộ cảm biến nhiệt TMS2). Tín
hiệu ra của TUN
được đưa đến các bộ tích phân SUM INT. Điện áp ra của bộ

13
tích phân được đưa đến bộ biến đổi điện áp - tần số (VFC) rồi đưa vào khối
điều khiển và vi xử lý (phần B).
Để chống can nhiễu đường truyền, tín hiệu truyền sang phần B được


14
2.3.2. Sơ đồ nguyên lý các khối chức năng trong phổ kế siêu cao
tần băng C
Hình 2.7 là sơ đồ khối chi tiết của phổ kế băng C kiểu công suất toàn phần
(CRM), bao gồm các khối siêu cao tần, khối khuếch đại trung tần và tách sóng, khối
khuếch đại 1 chiều và biến đổi VFC, khối bảo ôn nhiệt độ, khối vi xử lý số và nguồn
nuôi.
2.3.2.1. Khối siêu cao tần

Trên hình 2.7, khối đầu vào siêu cao tần bao g
ồm CWT là đầu tiếp nối
cáp đồng trục, BPF là bộ lọc băng thông, LNB là khối khuếch đại cao tần tạp
âm thấp và hệ thống bảo ôn nhiệt độ.
Trong kỹ thuật khuếch đại, có 2 cách thường dùng để giảm thiểu dòng tạp
âm nhiệt là: (1) làm lạnh các linh kiện điện tử, đặc biệt các đầu dò (sensor) để bảo
đảm giá trị tuyệt đối của dòng tạp âm nhiệt là nhỏ nhấ
t; (2) chủ động tạo ra môi
trường đẳng nhiệt cho các linh kiện điện tử, để chúng phát sinh ra dòng tạp âm nhiệt
cùng mức với nhau, sau đó đưa (tín hiệu + tạp âm) tới 2 đầu vào của bộ khuếch đại
so sánh để triệt tiêu thành phần tạp âm (thường là tín hiệu điều hoà). Trong trường
hợp (2), nhiệt độ bảo ôn thường được giữ ổn định gần bằng nhiệt độ môi trường
xung quanh [7].
Trong phổ kế CRM, phương pháp (2) được sử dụng: toàn bộ khối
khuếch đại cao tần được đặt trong 1 hộp kín và được “bảo ôn nhiệt độ” (Hình
2.7). Chế độ bảo ôn nhiệt độ của khối cao tần được thực hiện ở 2 mức: Mức 1
được thực hiện bằng bộ cảm biến nhiệt độ TS2 và bộ điều khiển nhiệt độ TS2C,
điề
u khiển 2 hệ thống sưởi nhiệt đặt ở nắp và đáy hộp của phần A (HT và HB,
viết tắt của Heater Top & Heater Bottom), bảo đảm ổn định nhiệt độ của phần

BPF LNB TUN
HT
HB
TS1
A SNC
OTS
ITS
RVU
ITCR
ITCV
VCT
Ud
VF 1
K1
INT1
SPB
INV INT2 VFC
SPF INA
Ucf
FFC
PSA TS2
TS2C BCDf BCDb BCDc OC ST1 INT3
ST2 INT4
MC

. Sơ đồ chức năng khối đầu vào siêu cao tần

Bức xạ nhiệt của đối tượng được thu bởi Anten, biến thành tín hiệu siêu
cao tần dạng tạp âm, gọi là nhiệt độ anten T
A
. Dòng tạp âm này được dẫn đến
phổ kế bằng cáp dẫn sóng có trở kháng 50Ω, sau đó được khuếch đại sơ bộ G =
10dB. Tiếp theo là bộ lọc băng thông (BPF) có dải thông từ (3450 ÷ 3750)
MHz, độ rộng băng
∆
f = 300 MHz. Theo thiết kế với bộ lọc băng thông
∆
f =
300MHz này, tần số trung tâm của phổ kế có thể thay đổi từ f
0
= (3714 ÷ 3501)
MHz (xem bảng 1). Máy phát xung 1 có tần số thiết kế là f
1
= 1530 MHz được
đưa vào bộ trộn (mixer), kết quả chọn được tần số thay đổi f
2max
= f
0
– f
1
=
3714 – 1530 = 2184 MHz đến f
2min
= 3501 – 1530 = 1971 MHz. Tín hiệu có tần
số thay đổi f

trên hình 2.9 và Bảng 1 là bảng chân lý của mạch điều chỉnh tần số trung tâm
(cả phần siêu cao tần và TUN). Việc chọn tần số trung tâm được thực hiện bằng
cách thay đổi tần số máy phát xung nội thứ 2 đặt trong hộp TUN, f
3
= 2100 ÷
1887 MHz thông qua việc điều chỉnh khoá nhị phân BCDf (xem phần sau). Tần
số f
2
và f
3
được đưa vào bộ trộn tần (mixer 2) để tạo ra tần số không đổi f
4
= 84
MHz. Tần số này được đưa qua bộ lọc thông dải ∆f = 30 MHz, để tạo ra tần số
trung gian f
5
= f
4
- 14 = 70 MHz (xem bảng 1). Tín hiệu trung tần f
5
được
khuếch đại chọn lọc và được tách sóng thành điện áp 1 chiều U
d
. +15MHz
FFC
f
2

2100 MHz Hinh 2.9. Sơ đồ nguyên lý bộ Khuếch đại trung tần và Tách sóng (TUN)

18
Bảng 1. Bảng tính toán thiết kế giá trị tần số trung tâm của phổ kế CRM, được
điều chỉnh bởi BCDf (8 mức, N = 0 ÷ 7):
N

f
0

(MHz)
f
1

(MHz)
f
2
=f
0
-f
1

(MHz)
f

Khối Xử lý tín hiệu tương tự có chức năng xử lý các tín hiệu tương tự
trong phổ kế, bao gồm các quá trình bảo ôn nhiệt độ, điều khiển tần số trung
tâm, khuếch đại tín hiệu một chiều và biến đổi thành dạng số để đưa vào khối
Vi xử lý số (phần B).
Trên hình 2.7, APU bao gồm các khối Biến đổi đi
ện áp – dòng điện
(VCT), Bộ đệm (VF1), các Bộ tích phân (INT1 và INT2), các Bộ khuếch đại 1
chiều (INV, INA), Bộ biến đổi điện áp - tần số (VFC), khối điều chỉnh chế độ
làm việc của phổ kế bao gồm các chuyển mạch nhị phân BCDf, BCDb, BCDc,
các biến trở đồng trục tương ứng SPF, SPB, Bộ tạo điện áp chuẩn K1. Khối bảo
ôn nhiệt độ bao gồm các b
ộ cảm biến nhiệt độ trong và ngoài hộp tunner ITS,
OTS, TS1, bộ biến đổi và điều khiển nhiệt độ bên trong hộp tunner ITCV,
ITCR.
Trên hình 2.7, BCDf, BCDb, và BCDc là 3 bộ khoá chuyển mạch với 8
mức biến đổi nhị phân, có chức năng tương ứng điều chỉnh tần số trung tâm, điện
áp ra và nhiệt độ bảo ôn. Chọn 1 trong 8 giá trị nhị phân của BCDf, sẽ đặt được
giá trị tương ứng c
ủa chuyển mạch điện trở SPF, từ đó làm thay đổi điện áp ra U
d

của bộ biến đổi tương tự INA, điều chỉnh giá trị tần số máy phát 2 trong khối
TUN (hình 2.9) từ 2100 ÷ 1887 MHz, từ đó làm thay đổi tần số trung tâm của

19
phổ kế, f
0
= (3714 ÷ 3501) MHz (bảng 1). Vì vậy, bằng việc điều chỉnh BCDf,
có thể lựa chọn được giá trị tần số trung tâm thích hợp nhất, ít bị ảnh hưởng can
nhiễu từ bên ngoài.

d
lấy từ khối TUN, qua bộ biến đổi điện áp – dòng
điện, sử dụng mạch khuếch đại thuật toán OP07C/SO. Tiếp theo là bộ tạo điện
áp chuẩn, trên cơ sở 2 diode zener điều chỉnh được LM336-5.0V/TO và điện áp
ra từ bộ cảm biến nhiệt độ ITCR (hình 2.7). Các mạch tiếp theo là bộ tích phân,
khuếch đại 1 chiều sử dụng mạch khuếch đại thuật toán OP07C/SO. Cuố
i cùng,
tín hiệu điện áp 1 chiều được biến đổi thành tần số nhờ vi mạch LM331. Phần
mạch logic bao gồm 2 tầng biến đổi mã số nhị phân - điện áp giống hệt nhau
(trên và dưới), trong đó các cổng “NAND – triger Smith” CD4093 được nối
vào 2 chip Multiplexer CD4051/SO, lối ra của các chúng được đưa vào chân
đảo (2) của các bộ khuếch đại 1 chiều thông qua các điện trở R25, R28 =

20
100K/1%. Tầng logic phía trên ứng với BCDb - điều chỉnh điện áp ra, tầng
logic phía dưới ứng với BCDc - điều chỉnh nhiệt độ bảo ôn.
2.3.2.4. Khối Vi xử lý số (MC)
Khối cao tần (phần A) được nối với khối điều khiển (phần B) bằng 2
đoạn cáp dài 5m, bao gồm cáp dẫn số liệu và nguồn điện và cáp cấp điện cho
mạch bảo ôn nhiệt
độ.
Khối chính của phần B là khối vi xử lý MC, hoạt động trong chế độ gọi
là “capture” - sử dụng các tín hiệu có chu trình khác nhau. Một trong những tín
hiệu này được truyền qua cặp quang - điện tử OC và trigơ Smith ST1, tín hiệu
kia được tạo thành từ xung ra của bộ cảm biến nhiệt độ bên ngoài hộp tunner
OTS và trigơ Smith ST2. Đồng thời các bộ tích phân INT3 và INT4 tạo ra 2 tín
hiệu ra tương tự, tương ứng tỷ lệ thuậ
n với nhiệt độ phát xạ Tb của đối tượng
đo và nhiệt độ bên ngoài tunner Tot.
Trên hình 2.7, khối vi xử lý MC được kết nối với 2 thiết bị ngoại vi: các

- Đường số liệu SDA còn được đưa tới các bộ nh
ớ trung gian bao gồm 8
bộ RAM PCF8570 mắc nối tiếp nhau dựa vào cách nối các cổng địa chỉ A0-A2,
dung lượng tổng cộng là 2 Kbyte.
- LT1181 là bộ chuyển đổi giữa chuẩn µC (0 – 5V) với chuẩn RS232 (-
12V ÷ +12V) để giao tiếp với máy tính.
- Các đường dữ liệu từ µC, từ RB4 – RB7 được đưa tới màn hình tinh
thể lỏng LCD của phổ kế, cùng với các đường điều khiển EN (enable), R/W
(read/write), RS (reset).
2.3.2.5. Khối nguồn nuôi và khố
i tín hiệu ra tương tự
Nguồn điện cung cấp cho phổ kế băng C được cấp từ mạng điện lưới 220 -
240V xoay chiều, tần số 50 - 60Hz thông qua máy biến thế TR và các bộ ổn áp
tuyến tính PSA, PSB. Nguồn điện cấp cho bộ cảm ứng nhiệt độ TS1 và TS2
được nối với nguồn điện cấp cho các tầng khuếch đại và xử lý tín hiệu chỉ tại mộ
t
điểm. Nguồn điện áp lưỡng cực cung cấp cho các bộ khuyếch đại thuật toán được
thực hiện bởi khối tạo điện áp chuẩn chính xác RVU, tạo ra điện áp chuẩn
+5.00V và +10.00V.
Hình 2.12 là sơ đồ nguyên lý của khối nguồn nuôi và khuếch đại tần
thấp.

22
Sau khi chuẩn hoá, tín hiệu ra của CRM được dùng để xác định nhiệt độ
phát xạ của đối tượng nghiên cứu.
2.3.2.6. Khối bảo ôn nhiệt độ
Để giảm thiểu tạp âm nhiệt trong máy thu phổ kế siêu cao tần, thay vì làm
lạnh đầu thu và khối tiền khuếch đại như các phổ kế hạt nhân, người ta sử dụng
kỹ thuật bảo ôn nhiệt độ: toàn bộ khối cao tần được đặ
t trong hộp kín cách nhiệt,

ref
= 7.5V. Giá trị điện áp ra V
out
phụ thuộc vào điện áp so
sánh giữa PIN4 (được đặt do tỉ lệ điện trở phân áp của nguồn nuôi) với PIN5
(điện áp chuẩn của µA723).

23
- Mạch điều khiển:
Điện áp chuẩn được đưa tới mạch điều chỉnh bao gồm 3 transistor mắc
trực tiếp, điều khiển transistor công suất mắc theo kiểu CC: cực collector nối
với nguồn nuôi 15V, tải emiter E là tấm phát nhiệt, được chế tạo bằng dây điện
trở có R = 3Ω. Theo thiết kế, U
E
=6V, do vậy I
E
= 2A. Dòng điện này đốt nóng
tấm phát nhiệt đến nhiệt độ xác định (42
0
C hoặc 50
0
C tuỳ theo TS2 hay TS1),
được cảm nhận bởi bộ cảm nhiệt LM335 có hệ số biến đổi
∆
U = T(K)*0,01 tạo
ra điện áp so sánh với điện áp chuẩn của µA723 làm khoá điện áp chuẩn ra, dẫn
tới transistor công suất cũng bị khoá, và ngắt dòng 2A nuôi tấm phát nhiệt. Khi
nhiệt độ trong hộp cao tần giảm xuống 0.5
0
C, mạch lại được đóng làm tấm phát

0
: (120 ± 10 ÷ 50 ± 5) giây.
- Thời gian quay liên tục cực đại Max: 3 phút.
Mô-tơ quay góc
Phương vị
Mô-tơ quay
góc ngẩng
Anten
Băng C
Anten
Băng L

25
- Mômen quay: 800 ÷ 2,500 kgf-cm
- Mômen hãm: 25000 kgf – cm.
- Tải trọng chịu được theo phương thẳng đứng: 300 ÷ 1200 kg
- Dải góc quay : 450
±
3%.
- Cáp điều khiển: loại 6 dây.
- Đường kính trục quay:
φ 48 – 63 mm.
- Kích thước Mô-tơ:
φ200 x 345 mm.
- Kích thước hộp điều khiển mô-tơ: 200x130x193mm (W x H x D).
- Khối lượng bộ điều khiển: 3.8 kg.
3.1.2. Mô-tơ điều chỉnh góc ngẩng (Elevator).
Trong các phép đo bằng phổ kế siêu cao tần, góc ngẩng
θ
của anten đóng