ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT
Tài liệu tham khảo
• Điện tử công suất – Lê Văn Doanh
• Giáo trình điện tử công suất – Nguyễn Văn Nhờ
• Điện tử công suất – Nguyễn Bính

0903 586 586
CHƯƠNG 1
MỞ ĐẦU – CÁC LINH KIỆN ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT
1.1 Khái niệm chung
Điện tử Công suất
lớn
Các linh kiện điện tử công suất được sử dụng
trong các mạch động lực – công suất lớn
Sự khác nhau giữa các linh kiện điện tửứng dụng
(điện tử điều khiển) và điện tử công suất
• Công suất: nhỏ –lớn
•Chức năng: điều khiển – đóng cắt dòng điện công suất lớn
I
B
I
C
•Thời điểm
• Công suất
Động lực
Điều khiển
Các linh kiện điện tử
công suất chỉ làm
chức năng đóng cắt
dòng điện – các van
Transistor điều khiển: Khuyếch đại

= 0
U
BE
< 0
U
CE
I
B2
I
B
R
U
u
CE
C
i
B
B
u
BE
E
i
E
i
C
Đặc tính Volt – Ampe của van công suất lý tưởng
i
u
điều khiển
u

-+
-
-
Miền bão hòa
-Cách điện
PN
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
-+
-
-
PN
J
Phân cực ngược
+
+
+
+
+
+
+

-+
-
-
Miền bão hòa
-Cách điện
P
N
-
+
-
+
i
1.2.2 Diode
Cấu tạo, hoạt động
R: reverse – ngược
F: forward – thuận
N
P
Katode
K
A
Anode
i
R
u
R
i
F
u
F

BR
: điện áp đánh thủng
Hai trạng thái: mở – đóng
U
[BR]
I
R
[mA]
U
F
[V]
U
R
[V]
1
1,5
800
400
0
50
100
30
20
U
RRM
T
j
= 30 C
o
o

L
+
U
K
-
S
I
i
F
i
rr
i
R
i
F
Ðóng S
t
rr
0,1 i
rrM
i
rrM
i
R
i
F
= I
t
O
i

i
RC
-
+
V
O
t
i
rr
i
RC
O
U
k
t
Mở Đóng
L
Rk
di
uUL
dt
=−
RCrrL
iii
+
=
Các thông số chính của diode
Điện áp:
•Giátrị điện áp đánh thủng U
BR

100
30
20
U
RRM
T
j
= 30 C
o
o
T
j
= 160 C
I
F
[A]
U
RSM
Nhánh thuận – mở
Nhánh ngược
– đóng
Diode thực tế: IDB30E60 – Infineon Technologies
1.2.3 Transistor lưỡng cực (BT)
Cấu tạo, hoạt động
R
U
u
CE
C
i

P
P
N
B
C
E
(Bipolar Transistor)
Đặc tính Volt – Ampe
Miền mở bão hòa
Miền đóng bão hòa
Mở
Đóng
• Đặc tính ngoài I
C
= f(U
CE
)
• Đặc tính điều khiển I
C
= f(I
B
)
B
I
C
U
R
a
b
A

B
I
CE
I
CE0
I
CER
I
CES
I
CEU
U
CE0
U
CE
U
BR(CEU)
U
BR(CES)
U
BR(CER)
U
BR(CE0)
I
B
= 0
U
CER
U
CES

•S …Ngắn mạch B – E (R
B
→0)
•U …Mạch B – E theo hình c)
Quá trình quá độ của transistor
i
B
I
B
0.9I
B
O
t
0.1I
B
0.1I
C
u
CE
t
d
t
r
i
C
t
s
t
off
t

, I
B
, I
E
Transistor thực tế - MJW3281A (NPN) – ON Semiconductor
1.2.4 Transistor trường MOSFET
(Metal Oxid Semiconductor Field Effect Transistor)
Ni
D
D
OXID
G
S
u
GS
P
N
G
D
i
D
u
DS
S
u
GS
N
D
OXID
G

-
+
-
S
GS
U
GS(th)
0.1U
G
U
G
0.9U
G
t
0.9U
U
t
r
t
d(on)
t
on
t
d(off)
u
DS
i
D
t
f