Kết luận và kiến nghị về độ bền hoạt động của pin mặt trời tinh thể Nano oxit tẩm chất nhạy quang - Pdf 21



Luận Văn Thạc Sĩ Chuyên Ngành Hóa Lý
CHƯƠNG 5: KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ

1. Đã chế tạo được các pin mặt trời trên cơ sở TiO
2
tinh thể nano tẩm các chất nhạy
quang N719, D520, đen với thành phần dung dịch điện ly gồm I
2
0,05 M + LiI
0,1 M + 1-propyl-3-methylimidazolium iodide (PMII) 0,6 M + Guanidine
thiocyanate (GNCS) 0,1 M, có chứa và không chứa phụ gia 4-tert-butylpyridine
(4-TBP) 0,5 M.

2. Các pin tốt nhất có thông số hoạt động như sau:
 η = 5,3 %; I
sc
= 5,97 mA; V
OC
= 700 mV; ff = 0,49 (pin 2N-0.5)
 η = 4,5 %; I
sc
= 5,48 mA; V
OC
= 664 mV; ff = 0,48 (pin 1D-0.5)
(diện tích anốt 1,54 cm
2
)

3. Độ bền hoạt động của pin giảm dần khi phơi nhiệt trong tối ở 85

2
/dung dịch điện ly bị biến đổi theo hướng
làm tăng sự tái kết hợp và làm chậm sự chuyển vận điện tử trong màng
TiO
2
. Thời gian phơi nhiệt kéo dài có thể làm lỏng lẻo cấu trúc lớp màng
oxit, hay các sản phẩm phụ như H
+
bị hấp thụ xen kẽ vào mạng lưới TiO
2

tạo nên các bẫy năng lượng trong vùng cấm. Các bẫy năng lượng này
làm chậm sự khuếch tán của điện tử trong màng TiO
2
tạo điều kiện thuận
lợi cho sự tái kết hợp.
Các biến đổi này làm sáng tỏ nguyên nhân độ bền hoạt động kém của các pin khi bị
phơi nhiệt.

6. Sự thế 4-TBP thay cho phối tử (NCS) của dye xảy ra với mức độ đáng kể, nhất
là với dye đen và N719. Sự có mặt của sản phẩm thế này với cực đại hấp thụ
dịch chuyển trung bình 25 nm về về phía sóng xanh so với dye có thể ảnh hưởng
đến hiệu suất hấp thụ photon ánh sáng, hay ảnh hưởng đến hiệu suất tiêm điện tử
từ dye vào TiO
2
, nhưng không phải là nguyên nhân quan trọng gây suy thoái
pin.

7. Phép đo phổ tổng trở và phép phân tích sản phẩm hấp phụ trên TiO
2


Mai Thị Hải Hà 115


Nhờ tải bản gốc

Tài liệu, ebook tham khảo khác

Music ♫

Copyright: Tài liệu đại học © DMCA.com Protection Status